鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的核心原料，在新能源汽車、5G通信、光伏設(shè)備以及軍事裝備等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。隨著全球?qū)Φ谌雽?dǎo)體產(chǎn)品需求的持續(xù)攀升，鎵的戰(zhàn)略重要性日益凸顯。

根據(jù)外媒報道，TRACE-Ga將由ENERGYWERX（DOE的合作伙伴關(guān)系中介機構(gòu)）與美國能源部（DOE）合作管理，旨在“擴大DOE與創(chuàng)新組織和非傳統(tǒng)合作伙伴的合作，促進(jìn)能源解決方案的快速開發(fā)、擴展和部署”。

未來項目是關(guān)于測試和驗證原型技術(shù)，計劃目標(biāo)是通過至少14天的連續(xù)運行，在真實的金屬工業(yè)加工流程中生產(chǎn)至少50公斤純鎵。項目目標(biāo)是驗證一個能夠每年至少生產(chǎn)1公噸鎵的原型。

TRACE-Ga計劃將重點支持從美國本土金屬加工原料中回收鎵的創(chuàng)新性、經(jīng)濟可行技術(shù)的研發(fā)工作。通過推動先進(jìn)回收技術(shù)的突破，美國能源部期望能夠大幅提升國內(nèi)鎵資源的回收利用率，減少對進(jìn)口鎵的依賴，從而構(gòu)建起一條安全、可靠且具備成本競爭力的本土鎵供應(yīng)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該研究成果以“III-Nitride Micro-Array Integration for Photon Transceiver”為題，發(fā)表于《激光與光子學(xué)評論》（Laser & Photonics Reviews）。

集成器件在30A/cm2的低電流密度下-3dB通信帶寬提高到451 MHz，集成波導(dǎo)的光學(xué)限制提高了51.9%，自驅(qū)動集成探測器表現(xiàn)出6.51×105的高開關(guān)比（PDCR）和73.3A/W的響應(yīng)度，集成系統(tǒng)展示了200Mbps的片上光通信速率和納秒級的瞬態(tài)響應(yīng)能力（如下圖），充分體現(xiàn)了氮化物光子集成系統(tǒng)在片上光通信領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

圖片來源：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
圖：AlGaN基Mini -MQWs結(jié)構(gòu)集成系統(tǒng)的片上測試結(jié)果及與當(dāng)前已發(fā)表的氮化物集成器件傳輸速率的對比

此外，研究團隊?wèi)?yīng)邀在《應(yīng)用物理評論》（Applied Physics Reviews）上發(fā)表題為“III-Nitride-based Monolithic Integration: From Electronics to Photonics”的綜述論文（Appl.Phys.Rev.?2025,12,021301）。該論文系統(tǒng)探討了III族氮化物在微電子、光子與光電領(lǐng)域的單片集成技術(shù)，不同功能模塊在同一晶圓上有效集成，將消除冗余外接元件引起的寄生效應(yīng)，增強系統(tǒng)魯棒性并節(jié)省器件面積，III族氮化物單片集成技術(shù)將在光電混合IC中獲得重要應(yīng)用。（文章來源：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公開資料顯示，Caroline O’Brien擁有電子電氣工程學(xué)士學(xué)位和巴斯大學(xué)工商管理碩士學(xué)位，現(xiàn)任Kubos Semiconductors首席執(zhí)行官，擁有超過 30 年的科技行業(yè)經(jīng)驗，曾在多家公司擔(dān)任高級商務(wù)和執(zhí)行職務(wù)，專注于開發(fā)和推廣新技術(shù)和產(chǎn)品。

CSA Catapult專注于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)，如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體材料，為企業(yè)、科研機構(gòu)等提供先進(jìn)的研發(fā)設(shè)施和專業(yè)的測試服務(wù)。

2025年3月，威爾士政府聯(lián)合CSA Catapult 與Cadence設(shè)計公司，投入250萬英鎊成立半導(dǎo)體設(shè)計中心。該中心借助Cadence公司的AI驅(qū)動的IC設(shè)計解決方案，結(jié)合CSA Catapult自身先進(jìn)的測試能力，致力于為汽車、航空航天、電信、國防以及人工智能等關(guān)鍵行業(yè)，提供集成電路設(shè)計服務(wù)。并且，該中心還將為電子工程和計算機科學(xué)專業(yè)的畢業(yè)生提供職業(yè)發(fā)展路徑，助力培養(yǎng)新一代半導(dǎo)體設(shè)計專業(yè)人才 。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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盛美上海

9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款專為寬禁帶化合物半導(dǎo)體制造而設(shè)計的Ultra ECDP電化學(xué)去鍍設(shè)備。

圖片來源：盛美上海

據(jù)介紹，該新設(shè)備專為在晶圓圖形區(qū)域外進(jìn)行電化學(xué)晶圓級金（Au）蝕刻而設(shè)計，可實現(xiàn)更高的均勻性、更小的側(cè)蝕和增強的金線外觀。

Ultra ECDP設(shè)備提供專業(yè)化工藝，包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍，并配備集成的預(yù)濕和清洗腔體。其具備精確的化學(xué)液循環(huán)和先進(jìn)的多陽極電化學(xué)去鍍技術(shù)，該系統(tǒng)實現(xiàn)了最小化的側(cè)向蝕刻、優(yōu)異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性。

Ultra ECDP專為滿足化合物半導(dǎo)體制造不斷發(fā)展的要求而設(shè)計，可適應(yīng)不同襯底（包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和磷酸鋰（Li?PO?））等的獨特物理特性-如重量、應(yīng)力和厚度。采用模塊化設(shè)計的Ultra ECDP具有靈活性，可在單一平臺內(nèi)集成電鍍和去鍍工藝，并利用多陽極技術(shù)控制不同區(qū)域的去鍍過程。此外，Ultra ECDP還提供水平全表面去鍍方式，以防止加工過程中的交叉污染。

先為科技

同日，先為科技官微宣布，無錫先為科技有限公司自主研發(fā)的EliteMO系列常壓型GaN MOCVD設(shè)備于9月17日正式發(fā)貨，交付國內(nèi)某頭部化合物半導(dǎo)體晶圓廠。

圖片來源：先為科技

據(jù)了解，EliteMO系列金屬有機化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備，具備廣泛的應(yīng)用覆蓋與領(lǐng)先的工藝性能，適用于GaN LD、綠光到紫外LED、GaN電子器件、GaN基新結(jié)構(gòu)材料、Ga?O?外延及AIN外延生長。該設(shè)備可實現(xiàn)多區(qū)電阻加熱，具備優(yōu)異的溫度均勻性，可提供多元多組分、n/p型等多種材料外延生長解決方案，賦能先進(jìn)材料的外延研發(fā)與制造。

此前6月16日，先為科技交付了BrillMO系列GaN MOCVD設(shè)備，據(jù)介紹，該設(shè)備各項性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，在設(shè)計上獨具匠心，運用特有的溫場和流場設(shè)計，不僅能實現(xiàn)高質(zhì)量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造提供堅實保障，而且在產(chǎn)能上表現(xiàn)卓越，能夠大幅提升生產(chǎn)效率，同時有效降低了使用成本，為客戶提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。

北方華創(chuàng)

作為國內(nèi)化合物外延設(shè)備頭部企業(yè)，北方華創(chuàng)于7月宣布兩款自主研發(fā)的MOCVD（金屬有機物化學(xué)氣相沉積）外延設(shè)備（型號：Satur N800/ Satur V700）順利通過行業(yè)龍頭客戶驗收，并獲得批量重復(fù)訂單。

公開資料顯示，MOCVD設(shè)備是一種利用金屬有機化合物進(jìn)行金屬輸送的氣相外延生長設(shè)備。它需要在原子尺度上實現(xiàn)復(fù)雜材料的納米精度控制、量子級界面控制。此外，還需具備高真空環(huán)境和高精度溫控系統(tǒng)，以確保材料的純度和生長的穩(wěn)定性。

圖片來源：北方華創(chuàng)

其中，Satur N800面向8英寸硅基氮化鎵功率器件的特殊需求設(shè)計，具備大面積均勻溫度場、大范圍穩(wěn)定可調(diào)氣流場，以及多片式（Batch）大產(chǎn)能和自動化配置，能夠滿足化合物半導(dǎo)體先進(jìn)器件對外延層組分、厚度和摻雜均勻性的高要求。Satur V700成功突破了氣流場、溫度場、副產(chǎn)物控制等關(guān)鍵技術(shù)，具備高均勻性、大產(chǎn)能、低成本等優(yōu)勢。該設(shè)備不僅能夠滿足Micro LED行業(yè)的痛點需求，還可廣泛應(yīng)用于射頻、光電子等領(lǐng)域。

結(jié)語

隨著先為科技、盛美上海、北方華創(chuàng)等企業(yè)在關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的突破，國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體設(shè)備正逐步形成完整產(chǎn)業(yè)鏈。從材料生長到芯片制造，從工藝設(shè)備到支持設(shè)備，國內(nèi)企業(yè)正在各個環(huán)節(jié)實現(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

國際廠商如德國Aixtron、美國Veeco等仍在高端設(shè)備市場占據(jù)主導(dǎo)地位，但國內(nèi)企業(yè)通過差異化創(chuàng)新和本地化服務(wù)優(yōu)勢，正在逐步擴大市場份額。未來，隨著技術(shù)積累的加深和市場應(yīng)用的拓展，國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體設(shè)備有望在全球市場占據(jù)更重要地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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珠海格力電器總裁助理、格力電子元器件總經(jīng)理馮尹表示，產(chǎn)業(yè)鏈上下游應(yīng)加強協(xié)同開發(fā)與聯(lián)合驗證，構(gòu)建從材料、設(shè)備到制造、封測和應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，突破行業(yè)共性難題，賦能傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。

珠海華芯微電子有限公司董事長彭靈勇表示，將充分發(fā)揮企業(yè)在砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域的優(yōu)勢，吸引更多上下游企業(yè)落戶高新區(qū)，助力珠海高新區(qū)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模發(fā)展。

珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長、總經(jīng)理劉鵬回顧了企業(yè)在磷化銦襯底國產(chǎn)化替代過程中的艱辛與突破，感謝珠海高新區(qū)長期以來的大力支持，并表示將繼續(xù)攻堅克難，力爭站上材料技術(shù)制高點。

珠海市硅酷科技有限公司董事長湯毅韜建議，應(yīng)緊抓人工智能、機器人等新興領(lǐng)域的發(fā)展機遇，借助先進(jìn)封裝技術(shù)實現(xiàn)差異化突破，逐步推進(jìn)國產(chǎn)化替代進(jìn)程。

趙適劍表示，要立足高新、放眼全球，緊抓化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尚在起步階段的發(fā)展機遇，深入研判、前瞻布局，從人才集聚、基金支持、政策配套、產(chǎn)學(xué)研協(xié)同等多方面精準(zhǔn)發(fā)力，努力打造成為國內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體與特色工藝產(chǎn)業(yè)化示范區(qū)。

高磊表示，接下來珠海高新區(qū)將集中精力，做大做強半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)，制定化合物半導(dǎo)體與特色工藝行動方案，做優(yōu)化合物半導(dǎo)體和特色工藝。

圖片來源：拍信網(wǎng)

近年珠海高新區(qū)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)成績亮眼，2024年半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)上經(jīng)濟規(guī)模達(dá)232億元，同比增長57%；英諾賽科全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線月產(chǎn)能達(dá)4000片，鼎泰芯源磷化銦襯底打破國外壟斷；產(chǎn)業(yè)鏈條日趨完善，車規(guī)級芯片、光通信器件等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代，構(gòu)建起全國特色的化合物半導(dǎo)體與特色工藝產(chǎn)業(yè)生態(tài)，形成了“門類齊、集群密、鏈條全”的產(chǎn)業(yè)格局，展現(xiàn)出顯著的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢與發(fā)展?jié)摿Α?/p>

未來，珠海高新區(qū)將聚焦化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，深化細(xì)分領(lǐng)域引育，優(yōu)化人才、科技轉(zhuǎn)化等產(chǎn)業(yè)鏈配套服務(wù)，加強技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)協(xié)同，打造化合物半導(dǎo)體“政—產(chǎn)—學(xué)—研—用”協(xié)同生態(tài)，以全周期服務(wù)護(hù)航產(chǎn)業(yè)跨越發(fā)展，加快建設(shè)成為具有全球影響力的化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新集聚區(qū)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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主要目標(biāo)是圍繞碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(lnP)及氧化鎵(Ga203)、金剛石等材料，到2027年，合肥高新區(qū)形成以襯底和外延材料、器件、模塊為核心的全產(chǎn)業(yè)鏈條，建成較大規(guī)模特色工藝生產(chǎn)線，培育化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭企業(yè)5家，上市公司2家，全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值突破100億元協(xié)同上下游產(chǎn)業(yè)及終端產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超1000億元，成為全國重要的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

方案重點工作包括：

圍繞基礎(chǔ)科學(xué)研究及產(chǎn)業(yè)化能力提升，加快碳化硅、氮化鎵等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，給予最高6000萬元研發(fā)支持。

加強化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)招引，對獲批的優(yōu)質(zhì)化合物半導(dǎo)體襯底、外延及芯片生產(chǎn)線項目給予最高1億元政策支持。

支持創(chuàng)新平臺或檢驗檢測企業(yè)為化合物半導(dǎo)體企業(yè)提供晶圓功能性、可靠性、兼容性測試(含中測成測)、失效分析、車規(guī)認(rèn)證等業(yè)務(wù)，按照實際服務(wù)費用，給予最高100萬元支持。

圍繞新能源汽車、光伏逆變、通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域，征集一批化合物半導(dǎo)體應(yīng)用創(chuàng)新技術(shù)和解決方案，每年安排不少于3000萬元資金，支持示范效應(yīng)顯著的標(biāo)桿場景。支持產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，給予最高200萬元支持。

圍繞化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展要素保障，完善專業(yè)人才團隊招引機制，對優(yōu)秀創(chuàng)業(yè)團隊，給予從人才招引到生產(chǎn)辦公用房等最高1億元的創(chuàng)業(yè)支持。

合肥高新區(qū)打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

合肥高新區(qū)已集聚一批化合物半導(dǎo)體方面代表企業(yè)，涵蓋碳化硅、氮化鎵、砷化鎵等材料領(lǐng)域以及主要的應(yīng)用方向。

包括以陽光電源、晶澳等為代表的光伏和電源領(lǐng)域，以長安汽車為代表的新能源汽車領(lǐng)域，以中電科16所、中電科38所及中電科43所等為代表的射頻領(lǐng)域，以格力、美的、惠而浦等為代表的家電紫外LED殺菌領(lǐng)域，以東超科技、全色光顯為代表的新型顯示領(lǐng)域等。

此外，還包括了如阿基米德半導(dǎo)體（合肥）有限公司、合肥芯谷微電子股份有限公司、合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司、合肥邦諾科技有限公司、合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)。

其中，阿基米德半導(dǎo)體（合肥）有限公司致力于打造新能源時代的世界一流功率半導(dǎo)體廠商。公司主要產(chǎn)品為應(yīng)用于新能源汽車及光伏儲能充電領(lǐng)域的SiC/IGBT 模塊及分立器件等。公司核心技術(shù)團隊由中國科學(xué)院院士領(lǐng)銜，成員來自英飛凌、安森美等國內(nèi)外大廠。2025年8月，阿基米德電子科技有限公司入選安徽省科技廳公示省級企業(yè)研發(fā)中心認(rèn)定名單。

合肥芯谷微電子股份有限公司成立于2014年，是一家微波射頻芯片設(shè)計公司，提供基于GaAs材料的微波、射頻集成電路芯片，包括功率放大器、低噪聲放大器、微波開關(guān)等。2025年5月19日，合肥芯谷微電子砷化鎵晶圓制造線項目迎來重要節(jié)點——首臺核心設(shè)備高溫離子注入機順利move in。據(jù)悉，該產(chǎn)線于2023年啟動建設(shè)，規(guī)劃為6英寸砷化鎵晶圓制造線。

此外，在8月，另一家位于合肥高新區(qū)的第三代半導(dǎo)體企業(yè)——美鎵傳感，發(fā)布了全球首款氮化鎵可編程線性霍爾芯片MS-PLH-B3。該芯片采用第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)，具備耐高溫、高精度特性，可在-40°C至125°C全溫區(qū)穩(wěn)定工作，相較傳統(tǒng)方案，在工業(yè)制造等場景中的可靠性顯著提升。美鎵傳感致力于第三代半導(dǎo)體材料及智能感知技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)，其自主研發(fā)的高性能氮化鎵傳感芯片已廣泛應(yīng)用于電力電網(wǎng)、新能源等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水整理）

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此外，云南鍺業(yè)同步披露，其化合物半導(dǎo)體材料已成功向國內(nèi)外多家客戶供貨，客戶反饋使用情況良好。公司正積極推動市場開拓，力求獲取更多訂單。

半絕緣砷化鎵晶片是微電子和光電子的基礎(chǔ)材料，在超高速、超高頻、低功耗、低噪聲器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨特的優(yōu)勢。

作為國內(nèi)鍺資源儲備豐富、產(chǎn)能領(lǐng)先的企業(yè)，云南鍺業(yè)通過旗下云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司，主要提供砷化鎵、磷化銦 等高端化合物半導(dǎo)體晶片，廣泛應(yīng)用于射頻器件、激光器、光纖通信、紅外光電及新能源等戰(zhàn)略領(lǐng)域。全球化合物半導(dǎo)體材料市場長期由日本住友電氣、美國AXT等國際巨頭占據(jù)，云南鍺業(yè)在國產(chǎn)化趨勢推動下，技術(shù)和產(chǎn)能均實現(xiàn)顯著提升。

云南鑫耀采用VGF法單晶生長技術(shù)和晶片加工技術(shù)，掌握4-8英寸砷化鎵單晶片生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，其產(chǎn)品關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異，可滿足高端市場需求。云南鑫耀的砷化鎵晶片產(chǎn)能為80萬片/年（2-4英寸），此前其產(chǎn)品已批量生產(chǎn)，并已向國內(nèi)外多家客戶供貨。

公司正推動“先進(jìn)鍺材料建設(shè)項目”，以優(yōu)化生產(chǎn)工藝和智能制造水平，提升產(chǎn)品質(zhì)量和資源利用率，配合全球低軌衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)的快速發(fā)展，未來市場需求前景廣闊。2025年上半年，其化合物半導(dǎo)體材料及其他鍺產(chǎn)品銷售均取得同比增長，顯示公司在新材料領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展動力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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圖片來源：中國光谷 圖為光谷化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)結(jié)構(gòu)規(guī)劃

其一，湖北九峰山創(chuàng)新街區(qū)投資有限公司揭牌成立，該公司將作為實施主體，全面負(fù)責(zé)創(chuàng)新街區(qū)的規(guī)劃、建設(shè)、投資、運營、服務(wù)等工作，這標(biāo)志著創(chuàng)新街區(qū)進(jìn)入全面建設(shè)階段。

其二，創(chuàng)新街區(qū)各項工作正在緊鑼密鼓開展中，部分項目已初見成效。其中，化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項目主體結(jié)構(gòu)已封頂，預(yù)計于2026年9月30日前建成投用。

該基地是創(chuàng)新街區(qū)十個重點項目之一，主要孵化培育化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，總投資17億元，其中2/3以上用于打造千級/百級超凈潔凈室、高效冷卻設(shè)備、超純水處理系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)等半導(dǎo)體生產(chǎn)公共基礎(chǔ)設(shè)施。

近年，湖北積極發(fā)力化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。湖北省政府印發(fā)的《加快“世界光谷”建設(shè)行動計劃》提出，光谷將致力于打造全球化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新中心。今年4月，武漢東湖高新區(qū)宣布將布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，打造千億元創(chuàng)新街區(qū)。

資料顯示，創(chuàng)新街區(qū)北至九峰一路、南至高新大道、西至光谷六路、東至未來二路，面積約14平方公里，打造以九峰山實驗室為“科技創(chuàng)新核”，集產(chǎn)業(yè)發(fā)展融合區(qū)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展賦能區(qū)、尖端人才聚集區(qū)為一體的“一核三區(qū)”格局。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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公開資料顯示，賽英電子成立于2002年，專業(yè)從事陶瓷管殼、封裝散熱基板等功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵部件研發(fā)、制造和銷售，為半導(dǎo)體廠商提供用于晶閘管、IGBT和IGCT等功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部件產(chǎn)品，最終應(yīng)用于特高壓輸變電、新能源發(fā)電、工業(yè)控制、新能源汽車、智算中心、軌道交通等行業(yè)。

本次新開工項目總投資超5億元，分為兩期，建成達(dá)產(chǎn)后，將具備新增平底型散熱基板以及針齒型散熱基板的生產(chǎn)能力。項目一期計劃于明年年底建成投用。

該項目聚焦半導(dǎo)體工藝設(shè)備的研發(fā)與制造，高度契合國家突破半導(dǎo)體“卡脖子”技術(shù)的戰(zhàn)略方向，精準(zhǔn)對接江陰市“345”現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系中集成電路新興產(chǎn)業(yè)集群的“強鏈補鏈延鏈”需求。

此前年6月27日，賽英電子北交所IPO申請獲受理，擬募資2.7億元，用于功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項目、新建研發(fā)中心項目及補充流動資金。

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據(jù)了解，該廠由印度SiCSem公司與英國Clas-SiC合作建設(shè)，位于奧里薩邦首府布巴內(nèi)斯瓦爾的 “信息谷”。該工廠專注于碳化硅（SiC）晶圓及器件生產(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)6萬片晶圓和9600萬個器件，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動汽車、國防裝備、鐵路、快充樁及光伏逆變器等領(lǐng)域。

除此之外，還包括一座先進(jìn)封裝與玻璃基板工廠，同樣位于奧里薩邦的3D Glass Solutions工廠，投資194.3億盧比，引入全球尖端的3D異構(gòu)集成（3DHI）技術(shù)和玻璃中介層工藝。其年產(chǎn)能規(guī)劃為69,600片玻璃基板、13,200個3DHI模塊及5000萬個組裝單元，產(chǎn)品將服務(wù)于國防、人工智能、射頻通信及光子集成等高端領(lǐng)域。

此次印度政府批準(zhǔn)使ISM框架下的項目總數(shù)增至10個，累計投資突破1.6萬億盧比（約192億美元），覆蓋半導(dǎo)體制造、封裝測試、化合物半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。印度政府通過生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵（PLI）計劃提供資金支持，旨在吸引國際技術(shù)合作并培育本土產(chǎn)業(yè)鏈。

第三代半導(dǎo)體方面，印度當(dāng)前90%的芯片依賴進(jìn)口，此次項目聚焦碳化硅、先進(jìn)封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在降低對海外地區(qū)的依賴，增強自身供應(yīng)鏈韌性。首座碳化硅晶圓廠的建設(shè)也有望將推動印度進(jìn)入第三代半導(dǎo)體制造，使其在人工智能、5G通信等新興市場中具備競爭力。

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