化合物半導(dǎo)體光芯片是光通信、5G通信、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的核心元器件，市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，也是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

此次落戶的三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目，將分兩期推進(jìn)建設(shè)，其中一期項(xiàng)目總投資10億元，預(yù)計(jì)于2026年8月正式開(kāi)工建設(shè)，2028年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超10億元。

三菲半導(dǎo)體成立于2002年，立足自有光芯片、電芯片、算法的核心技術(shù)能力，專注于模擬光和相干光的光電一體化解決方案。

為進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)、擴(kuò)大產(chǎn)能，三菲決定在太倉(cāng)市城廂鎮(zhèn)投資建設(shè)三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目，主要從事InP激光器和光電探測(cè)器芯片、GaAs激光器芯片的研發(fā)與制造，打造外延生長(zhǎng)、光芯片制造、光電融合一體化產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該項(xiàng)目建設(shè)資金將于2026年下半年至2027年上半年分批投入，工廠預(yù)計(jì)2027年春季試運(yùn)營(yíng)，2027年下半年實(shí)現(xiàn)首批產(chǎn)品出貨。

新廠將聚焦100/150/200mm主流規(guī)格MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）設(shè)備的生產(chǎn)，涵蓋組裝測(cè)試、工程技術(shù)支持及本地化采購(gòu)等核心功能，主要服務(wù)中國(guó)、韓國(guó)、日本及東南亞等亞洲區(qū)域客戶。工廠采用模塊化設(shè)計(jì)，未來(lái)可低成本靈活擴(kuò)建，以適配市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。

馬來(lái)西亞的檳城素有“東方硅谷”之稱，聚集英飛凌、英特爾、日月光等超300家跨國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)，形成覆蓋封測(cè)、零部件、物流的完整配套，擁有熟練產(chǎn)業(yè)工人與穩(wěn)定基建，可快速滿足設(shè)備組裝與本地采購(gòu)需求。馬來(lái)西亞地處東盟核心，依托RCEP自貿(mào)優(yōu)勢(shì)，物流網(wǎng)絡(luò)高效覆蓋中、韓、日及東南亞等核心市場(chǎng)，能顯著縮短交付周期、降低物流成本。

AIXTRON首席執(zhí)行官Felix Grawert博士表示：“馬來(lái)西亞工廠是愛(ài)思強(qiáng)全球化制造網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵補(bǔ)充。我們將依托檳城成熟的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，實(shí)現(xiàn)更高效的本地交付與技術(shù)服務(wù)，鞏固公司在第三代半導(dǎo)體、光電子等高速增長(zhǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>

與此同時(shí)，AIXTRON將繼續(xù)發(fā)展其位于德國(guó)赫爾佐根拉特和英國(guó)劍橋的歐洲基地，這兩個(gè)基地仍然是其研發(fā)和生產(chǎn)的核心支柱。馬來(lái)西亞工廠將對(duì)這些現(xiàn)有業(yè)務(wù)進(jìn)行補(bǔ)充。

該公司透露，新工廠的資本支出預(yù)計(jì)總計(jì)約為4000萬(wàn)歐元，預(yù)計(jì)將在2026年下半年和2027年上半年支出，預(yù)計(jì)將于2027年春季開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，首批產(chǎn)品將于同年下半年出貨。

隨著馬來(lái)西亞工廠的建設(shè)，AIXTRON預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大其在亞洲市場(chǎng)的份額。根據(jù)其最新財(cái)務(wù)報(bào)告，該公司2025財(cái)年總收入為5.566億歐元，其中亞洲市場(chǎng)貢獻(xiàn)了60%的收入，歐洲和美洲市場(chǎng)貢獻(xiàn)了40%。

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英飛凌在布局人形機(jī)器人領(lǐng)域時(shí)，具備獨(dú)特的技術(shù)協(xié)同優(yōu)勢(shì)。目前，公司為汽車行業(yè)供應(yīng)的大量自動(dòng)駕駛相關(guān)芯片，如傳感器、控制電子器件以及功率半導(dǎo)體等，恰好也是人形機(jī)器人實(shí)現(xiàn)精確運(yùn)動(dòng)和環(huán)境感知的關(guān)鍵組件。這意味著英飛凌無(wú)需大規(guī)模專門研發(fā)投入，就能基于現(xiàn)有產(chǎn)品線快速切入機(jī)器人賽道，搶占時(shí)間窗口的先機(jī)。

早在2025年，英飛凌就已展開(kāi)行動(dòng)，與貝能國(guó)際有限公司攜手共建創(chuàng)新應(yīng)用中心，聚焦人形機(jī)器人領(lǐng)域，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新升級(jí)注入動(dòng)力。此次合作旨在整合雙方優(yōu)勢(shì)資源，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)在人形機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是英飛凌的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)。這些技術(shù)具有高效率、高開(kāi)關(guān)頻率、高工作溫度和體積小等顯著特點(diǎn)，在工業(yè)與自動(dòng)化等嚴(yán)苛領(lǐng)域潛力巨大。當(dāng)應(yīng)用于人形機(jī)器人時(shí)，其優(yōu)勢(shì)盡顯。

在功率密度方面，GaN和SiC技術(shù)能讓機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更加小巧且強(qiáng)勁，為機(jī)器人完成復(fù)雜精細(xì)動(dòng)作提供堅(jiān)實(shí)動(dòng)力基礎(chǔ)。在能效與熱管理上，它們可降低系統(tǒng)能量損耗，延長(zhǎng)機(jī)器人續(xù)航時(shí)間，同時(shí)簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。以氮化鎵為例，其高頻開(kāi)關(guān)特性可使電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度大幅提升，滿足機(jī)器人靈巧手0.1mm級(jí)精密操作需求；碳化硅則憑借低損耗特性，讓機(jī)器人單次充電續(xù)航時(shí)間大幅延長(zhǎng)。在系統(tǒng)可靠性上，這些技術(shù)能確保機(jī)器人在高強(qiáng)度、長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行下保持穩(wěn)定耐用。

此外，英飛凌在汽車電子領(lǐng)域積累了豐富經(jīng)驗(yàn)和成熟的產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局。汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)安全性、可靠性和復(fù)雜系統(tǒng)管理的極致要求，與人形機(jī)器人未來(lái)在工業(yè)、服務(wù)、特種應(yīng)用等領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)高度契合。創(chuàng)新應(yīng)用中心積極借鑒并轉(zhuǎn)化英飛凌在汽車電子領(lǐng)域的先進(jìn)理念、質(zhì)量控制體系及系統(tǒng)架構(gòu)經(jīng)驗(yàn)，致力于為人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)構(gòu)建堅(jiān)實(shí)可靠的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用生態(tài)，加速其商業(yè)化與規(guī)?；M(jìn)程。

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圖片來(lái)源：泛林集團(tuán)新聞稿

根據(jù)雙方發(fā)布的官方新聞通稿，此次合作旨在加速下一代“特種技術(shù)”（Specialty Technologies）器件的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，重點(diǎn)應(yīng)對(duì)人工智能、智能出行及可持續(xù)技術(shù)對(duì)高性能、低功耗半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求。雙方將共同探索包括功率電子、射頻信號(hào)處理、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）以及光子學(xué)在內(nèi)的多個(gè)關(guān)鍵前沿領(lǐng)域。

根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，此次研發(fā)任務(wù)將主要在CEA-Leti位于法國(guó)格勒諾布爾的先進(jìn)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)開(kāi)展。泛林集團(tuán)將向該研究中心提供其最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括具備脈沖等離子體技術(shù)（Pulsed Plasma Technologies）的先進(jìn)刻蝕系統(tǒng)以及各類薄膜沉積平臺(tái)。

這些設(shè)備將被直接用于處理化合物半導(dǎo)體材料，特別是針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體的加工挑戰(zhàn)。官方指出，這些材料在實(shí)現(xiàn)更高效的能源轉(zhuǎn)換、更快的5G/6G通信連接以及微型化傳感器方面具有不可替代的作用。

泛林集團(tuán)在新聞稿中強(qiáng)調(diào)，通過(guò)此次合作，能夠利用CEA-Leti在微納米技術(shù)領(lǐng)域的科研深度，快速驗(yàn)證新材料在復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)中的表現(xiàn)。這種合作模式旨在克服從實(shí)驗(yàn)室原型向工業(yè)化量產(chǎn)（Lab-to-Fab）轉(zhuǎn)化過(guò)程中的技術(shù)障礙，縮短新一代特種芯片的上市時(shí)間。例如，在光子集成電路（PIC）和3D成像傳感器的研發(fā)中，雙方將共同優(yōu)化原子層沉積（ALD）等精密工藝，以確保這些精密器件在大規(guī)模生產(chǎn)中的一致性和良率。

泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Vahid Vahedi在官方聲明中表示，特種技術(shù)是驅(qū)動(dòng)當(dāng)今互聯(lián)世界和新興AI創(chuàng)新的重要基石，此次攜手CEA-Leti將確保泛林集團(tuán)始終處于這些關(guān)鍵技術(shù)的最前沿。CEA-Leti首席執(zhí)行官Sébastien Dauvé也對(duì)此次長(zhǎng)期協(xié)議的簽署表示認(rèn)可，認(rèn)為通過(guò)提前在工業(yè)級(jí)平臺(tái)上進(jìn)行新材料的工藝表征，不僅能加速技術(shù)突破，也將進(jìn)一步鞏固歐洲在全球半導(dǎo)體研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)中的地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：斯達(dá)半導(dǎo)體公告截圖

據(jù)悉，本次斯達(dá)半導(dǎo)擬通過(guò)可轉(zhuǎn)債募資不超過(guò)15億元，核心投向車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊相關(guān)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金，其中超六成資金將直接用于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局。

具體來(lái)看，6億元將投入車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊制造項(xiàng)目，擴(kuò)大產(chǎn)能并優(yōu)化工藝；3億元用于車規(guī)級(jí)GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，搭建完整工藝平臺(tái)，推動(dòng)產(chǎn)品量產(chǎn)適配車載驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，二者均聚焦第三代半導(dǎo)體核心材料SiC（碳化硅）與GaN（氮化鎵）的產(chǎn)業(yè)化落地。

官網(wǎng)介紹，斯達(dá)半導(dǎo)成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)，是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國(guó)內(nèi)和歐洲德國(guó)及瑞士設(shè)有研發(fā)中心

斯達(dá)半導(dǎo)深耕IGBT賽道，目前已實(shí)現(xiàn)“IGBT+第三代半導(dǎo)體”全矩陣布局，在SiC（碳化硅）與GaN（氮化鎵）兩大核心領(lǐng)域均形成明確的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化成果。

2025年3月18日，據(jù)西部重慶科學(xué)城官方消息，斯達(dá)半導(dǎo)與長(zhǎng)安汽車旗下深藍(lán)汽車合資打造的重慶車規(guī)級(jí)模塊生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式封頂，該項(xiàng)目由雙方2023年共同出資成立的重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng)，總投資4億元，分兩期建設(shè)。

基地聚焦車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）模塊及IGBT模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，按工業(yè)4.0標(biāo)準(zhǔn)打造，配備全流程自動(dòng)化與AI質(zhì)量控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)“無(wú)人化”生產(chǎn)，核心產(chǎn)品可適配新能源汽車800V高壓平臺(tái)主控制器需求。其中一期占地35畝，規(guī)劃年產(chǎn)能50萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2025年6月實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)；二期全面建成后，年產(chǎn)能將提升至180萬(wàn)片，年產(chǎn)值預(yù)計(jì)突破10億元。

根據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)披露的2025年第三季度報(bào)告，2025年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入29.90億元，整體營(yíng)收保持穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)；歸母凈利潤(rùn)為3.82億元，同比下降9.80%。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源： 廣州市人民政府辦公廳文件截圖

《規(guī)劃》中明確，廣州將聚焦第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造，加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、高密度封裝基板等關(guān)鍵材料研發(fā)生產(chǎn)，培育壯大化合物半導(dǎo)體IDM（集成器件制造）、寬禁帶半導(dǎo)體材料、電子級(jí)多晶硅及硅片企業(yè)。支持開(kāi)展射頻、傳感器、電力電子等器件研發(fā)轉(zhuǎn)化，推動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。

廣州加速打造中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地

廣州的第三代半導(dǎo)體布局并非憑空起勢(shì)，早在2022年3月，廣州市工業(yè)和信息化局發(fā)布《廣州市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》，明確提出以黃埔區(qū)、南沙區(qū)為核心載體，重點(diǎn)發(fā)展以碳化硅為主的寬禁帶半導(dǎo)體，建設(shè)12英寸研發(fā)中試線和第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心。此后，一系列重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目相繼落地。

2024年，廣州集成電路制造行業(yè)產(chǎn)值達(dá)262.75億元，同比增長(zhǎng)7.19%，其中第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)值占比超30%；南沙區(qū)作為核心承載區(qū)，半導(dǎo)體與集成電路規(guī)上企業(yè)產(chǎn)值同比增長(zhǎng)34%，2025年1-7月廣州集成電路制造業(yè)工業(yè)增加值增速進(jìn)一步攀升至32.3%，產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)能持續(xù)釋放。

當(dāng)前，廣州已集聚一批第三代半導(dǎo)體核心企業(yè)。

其中，芯聚能成立于2018年，是國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)模塊量產(chǎn)的標(biāo)桿企業(yè)。公司核心產(chǎn)品涵蓋車規(guī)級(jí)SiC功率器件及模塊、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊與半橋及單管等。2021年，芯聚能作為主要股東投資成立廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司，投建6/8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅芯片生產(chǎn)線。該項(xiàng)目總投資75億元，被列為廣東省“強(qiáng)芯工程”重點(diǎn)項(xiàng)目，僅用15個(gè)月就完成近20萬(wàn)平方米芯片生產(chǎn)基地建設(shè)。

南砂晶圓成立于2018年，現(xiàn)已構(gòu)建廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成從碳化硅單晶爐制造、粉料制備到單晶生長(zhǎng)、襯底制備的完整產(chǎn)業(yè)鏈條。公司主打6英寸、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底，其中6英寸產(chǎn)品已切入國(guó)際供應(yīng)鏈，8英寸產(chǎn)品于2022年實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量制備，可滿足新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料的需求，且能根據(jù)市場(chǎng)需求靈活拓展產(chǎn)品線。

芯粵能成立于2021年，由芯聚能、威睿電動(dòng)汽車技術(shù)等企業(yè)合資組建。公司碳化硅芯片制造項(xiàng)目總投資75億元（分一、二期），打造的制造平臺(tái)占地150畝，僅用15個(gè)月就完成近20萬(wàn)平方米芯片生產(chǎn)基地建設(shè)并通線。項(xiàng)目一期規(guī)劃年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓芯片，可滿足100多萬(wàn)輛新能源車需求，2023年正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，當(dāng)前月產(chǎn)能達(dá)1萬(wàn)片；一期達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值預(yù)計(jì)40億元，一、二期全部達(dá)產(chǎn)后合計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)100億元，后續(xù)暫無(wú)三期項(xiàng)目明確規(guī)劃。

此外，廣州已構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，尤其在南沙萬(wàn)頃沙集成電路產(chǎn)業(yè)園形成“芯片一條街”，聚集31家核心企業(yè)，覆蓋“襯底制備—芯片制造—封裝測(cè)試—設(shè)備材料—終端應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為全國(guó)少數(shù)以“車規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體”為核心的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

除了企業(yè)主體的快速成長(zhǎng)，廣州還著力構(gòu)建高水平的創(chuàng)新平臺(tái)。

2023年9月22日，西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試線正式通線，該中心落地于黃埔區(qū)，聚焦GaN（氮化鎵）射頻與電力電子器件的研發(fā)與中試，填補(bǔ)了大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域中試平臺(tái)的空白，強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新。與此同時(shí)，南沙靈山島規(guī)劃建設(shè)的“芯片大樓”正吸引一批設(shè)計(jì)企業(yè)與封測(cè)項(xiàng)目集聚；黃埔區(qū)則依托粵芯半導(dǎo)體二期、三期項(xiàng)目，拓展12英寸硅基與化合物半導(dǎo)體兼容制造能力，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供共性技術(shù)支撐。

面向2035年“再造新廣州”的宏偉目標(biāo)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅是重要的技術(shù)賽道，更是城市能級(jí)躍升的關(guān)鍵支點(diǎn)。在這場(chǎng)關(guān)乎未來(lái)產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)的競(jìng)速中，廣州正以系統(tǒng)性布局、全鏈條協(xié)同和市場(chǎng)化機(jī)制，奮力打造國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)“第三極”的核心承載區(qū)，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自立自強(qiáng)貢獻(xiàn)不可替代的“廣州力量”。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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據(jù)介紹，該項(xiàng)目將聚焦7N級(jí)（純度99.99999%）及以上超高純鎵的研發(fā)與生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)規(guī)模達(dá)200噸，旨在構(gòu)建從粗鎵提純到單晶制備的完整產(chǎn)業(yè)鏈，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體芯片、5G通信、新能源汽車逆變器等高端領(lǐng)域提供關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

項(xiàng)目實(shí)施將分兩階段推進(jìn)：第一階段重點(diǎn)完成高純鎵提純工藝優(yōu)化與產(chǎn)能建設(shè)，快速形成核心產(chǎn)品供給能力；第二階段將啟動(dòng)赤泥綜合利用項(xiàng)目，提取鎵、鈧、銻等稀有金屬，實(shí)現(xiàn)工業(yè)廢渣的資源循環(huán)利用與產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈延伸。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超10億元，年利稅超1億元，將顯著提升區(qū)域高端半導(dǎo)體材料供給能力。

公開(kāi)資料顯示，深圳羲航半導(dǎo)體有限公司成立于2022年，是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件銷售、光電子器件制造等多個(gè)領(lǐng)域。

中國(guó)是全球最大的原生鎵生產(chǎn)國(guó)，產(chǎn)量占全球90%以上。鎵主要作為氧化鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品回收，產(chǎn)業(yè)布局高度依托大型氧化鋁企業(yè)。其中，中國(guó)鋁業(yè)作為全球金屬鎵產(chǎn)能龍頭，已在貴州華錦、云鋁文山等地建成鎵回收項(xiàng)目；東方希望、南山鋁業(yè)、開(kāi)曼鋁業(yè)等企業(yè)也具備相應(yīng)的回收能力。

然而，盡管中國(guó)在粗鎵（4N–6N級(jí)）供應(yīng)上占據(jù)主導(dǎo)地位，高端化合物半導(dǎo)體（如GaN功率器件、Micro-LED）所需的7N（99.99999%）甚至8N級(jí)高純鎵，對(duì)鐵、銅、鋅等雜質(zhì)的控制極為嚴(yán)苛，必須通過(guò)區(qū)域熔煉、電解精煉、真空蒸餾等多級(jí)提純工藝制備。

目前，中鋁鄭州研究院、昆明冶金研究院、有研集團(tuán)等機(jī)構(gòu)已長(zhǎng)期開(kāi)展高純鎵技術(shù)攻關(guān)，部分單位實(shí)現(xiàn)了小批量7N鎵制備，并通過(guò)三安集成、蘇州納維等下游外延廠商的送樣驗(yàn)證。但受限于工藝穩(wěn)定性與成本，尚未形成大規(guī)模、低成本的量產(chǎn)能力，高端市場(chǎng)仍部分依賴日本Dowa、美國(guó)Indium Corporation和德國(guó)Valence等國(guó)際供應(yīng)商。

國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體廠商正加速推動(dòng)高純鎵的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。三安光電、英諾賽科、海威華芯等企業(yè)已與中鋁、有研集團(tuán)等材料單位建立緊密合作，開(kāi)展7N級(jí)高純鎵的聯(lián)合驗(yàn)證與工藝適配。部分GaN功率器件產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高純鎵的小批量導(dǎo)入，良率表現(xiàn)穩(wěn)步提升。

隨著下游應(yīng)用場(chǎng)景快速拓展，包括消費(fèi)電子快充、數(shù)據(jù)中心電源和新能源汽車OBC（車載充電機(jī)）等，對(duì)高性價(jià)比、本地化供應(yīng)的需求日益增強(qiáng)，進(jìn)一步激發(fā)了材料—器件—系統(tǒng)全鏈條的協(xié)同創(chuàng)新。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源：安順市融媒體中心

該項(xiàng)目落地運(yùn)營(yíng)后，將助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈核心輔料領(lǐng)域的技術(shù)突破，同時(shí)補(bǔ)強(qiáng)貴州航空產(chǎn)業(yè)城新材料與先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)鏈條，服務(wù)于安順“高端化、智能化、綠色化”現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)。

據(jù)悉，九淵新材成立于2025年3月，由康命源持股63%控股，齊源（貴州）新材料合伙企業(yè)與自然人梁永齊分別持股27%和10%，核心聚焦半導(dǎo)體級(jí)超高純石墨粉的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。
作為碳化硅晶圓制造的核心輔料，超高純石墨粉因純度要求極高（需達(dá)到99.9995%以上），長(zhǎng)期以來(lái)國(guó)內(nèi)主要依賴進(jìn)口，成為制約我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的“卡脖子”環(huán)節(jié)之一。

此次九淵新材落地安順，核心規(guī)劃建設(shè)兩條專業(yè)化超高純石墨粉生產(chǎn)線，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)120噸純度＞99.9995%的產(chǎn)品。

九淵新材表示，公司研發(fā)出固態(tài)添加劑與高溫加熱過(guò)程控制技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝中氟氣、氯氣、氟利昂等含鹵素有害氣體的使用，成功攻克技術(shù)壁壘并達(dá)成量產(chǎn)條件。經(jīng)權(quán)威第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)鑒定，其生產(chǎn)的超高純碳粉純度高達(dá)99.9999%。

此前九淵新材透露，其第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓用超高純石墨粉及碳化硅粉項(xiàng)目即將進(jìn)入設(shè)備安裝與試生產(chǎn)階段。負(fù)責(zé)人王華表示，項(xiàng)目短期內(nèi)將建成產(chǎn)能大于120噸超高純石墨粉生產(chǎn)線；中期將產(chǎn)能擴(kuò)至500噸并搭建碳化硅粉生產(chǎn)線；后期將發(fā)展“超高純石墨粉+碳化硅粉”產(chǎn)品組合，力爭(zhēng)成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先供應(yīng)商，并進(jìn)軍海外市場(chǎng)。

作為控股方，康命源是高分子材料領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)“專精特新”重點(diǎn)小巨人企業(yè)，深耕市政管道領(lǐng)域多年，擁有雄厚的研發(fā)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。公司成立于2016年，注冊(cè)資本超1.3億元，累計(jì)擁有專利152項(xiàng)，曾獲貴州省科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，主持制定多項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，2024年銷售額達(dá)1.3億元。此次跨界控股九淵新材，是康命源從高分子管道向半導(dǎo)體新材料領(lǐng)域拓展的重要戰(zhàn)略布局，將依托自身技術(shù)積累與資源優(yōu)勢(shì)，為九淵新材的量產(chǎn)落地與市場(chǎng)拓展提供支撐。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借高電壓、高溫度、低損耗等優(yōu)異性能，已成為新能源汽車、光伏逆變器、智能電網(wǎng)、AI數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵支撐，其產(chǎn)業(yè)鏈自主可控對(duì)國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)與能源革命具有重要意義。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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深技大副校長(zhǎng)鄧元龍代表學(xué)校，分別與清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、深圳國(guó)際量子研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院、深圳光峰科技股份有限公司、藍(lán)河科技(紹興)有限公司、騰璞顯示技術(shù)（深圳）有限公司、深圳市中科米格實(shí)驗(yàn)室技術(shù)有限公司等科研院校及機(jī)構(gòu)代表完成集中簽約。簽約內(nèi)容涵蓋框架協(xié)議、聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共建、員工互聘、校外實(shí)習(xí)實(shí)訓(xùn)基地共建及項(xiàng)目合作協(xié)議等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：SZTU光電芯

作為深圳市首個(gè)聚焦化合物半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域的公共服務(wù)平臺(tái)，該平臺(tái)的投用填補(bǔ)了深圳市在“光載信息”和“智能傳感”半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的空白，將為粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐，筑牢深技大應(yīng)用研究型人才培養(yǎng)根基。

資料顯示，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測(cè)試平臺(tái)是國(guó)內(nèi)高校系統(tǒng)中獨(dú)立建成的規(guī)模最大、工藝最完整、運(yùn)營(yíng)職業(yè)化的#化合物半導(dǎo)體 光電芯片公共服務(wù)平臺(tái)之一。

中心建筑面積2600平方米，其中千級(jí)、百級(jí)及萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)面積達(dá)2100平方米，配置120余臺(tái)套先進(jìn)教學(xué)與研發(fā)工藝設(shè)備，構(gòu)建起覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、切磨拋及測(cè)試表征等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的全流程工藝體系，可提供“設(shè)計(jì)—加工—封裝—測(cè)試”一站式技術(shù)解決方案。

中心以“科研牽引、產(chǎn)業(yè)協(xié)同、人才培養(yǎng)”為使命，精準(zhǔn)對(duì)接深技大應(yīng)用研究型人才培養(yǎng)需求，致力于打造國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新高地。依托深技大集成電路與光電芯片學(xué)院，組建了由50多名高層次科研人員構(gòu)成的核心團(tuán)隊(duì)，已構(gòu)建起從基礎(chǔ)研究到工藝實(shí)現(xiàn)、從中試到產(chǎn)業(yè)化的完整創(chuàng)新鏈條。作為學(xué)院本碩博學(xué)生的核心實(shí)踐載體，將深度融合科研與教學(xué)，助力構(gòu)建實(shí)踐型人才培養(yǎng)體系，為產(chǎn)業(yè)輸送高素質(zhì)專業(yè)人才，實(shí)現(xiàn)教學(xué)、科研、產(chǎn)業(yè)三大目標(biāo)的精準(zhǔn)對(duì)接。

業(yè)界指出，當(dāng)前，深圳市在光載信息產(chǎn)業(yè)和智能傳感器系列產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域缺乏上游工藝芯片制造公共服務(wù)平臺(tái)，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測(cè)試平臺(tái)的落成彌補(bǔ)了這一空白，其產(chǎn)業(yè)服務(wù)線精準(zhǔn)對(duì)接深圳市“20+8”產(chǎn)業(yè)集群中的光載信息產(chǎn)業(yè)和智能傳感器系列產(chǎn)業(yè)，能滿足粵港澳大灣區(qū)在該領(lǐng)域的相關(guān)需求。未來(lái)，中心將進(jìn)一步助力學(xué)校深化產(chǎn)教融合、推進(jìn)新型研究型大學(xué)建設(shè)，為粵港澳大灣區(qū)建設(shè)產(chǎn)業(yè)科技策源地貢獻(xiàn)深技大力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技

根據(jù)協(xié)議，雙方將在聯(lián)創(chuàng)總部設(shè)立聯(lián)合開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室，通過(guò)專用安全數(shù)據(jù)通道系統(tǒng)共享零部件級(jí)至系統(tǒng)級(jí)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)、失效分析報(bào)告及車規(guī)級(jí)可靠性數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)閉環(huán)與產(chǎn)品快速迭代。揚(yáng)杰

科技研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在概念階段即深度介入聯(lián)創(chuàng)新一代車型平臺(tái)規(guī)劃，圍繞底盤域、電驅(qū)系統(tǒng)等核心應(yīng)用，共同開(kāi)發(fā)750V/1200V SiC模塊、雙面散熱IGBT等新封裝器件，并在“需求—開(kāi)發(fā)—驗(yàn)證”一體化流程下完成導(dǎo)入，預(yù)計(jì)2026年第四季度實(shí)現(xiàn)批量搭載。

聯(lián)創(chuàng)汽車電子作為國(guó)內(nèi)EPS電機(jī)及底盤域控制器龍頭，2025年出貨量預(yù)計(jì)突破1200萬(wàn)套，在上汽集團(tuán)整車出口和國(guó)產(chǎn)化率要求不低于80%的背景下，急需精簡(jiǎn)供應(yīng)商體系、聚焦優(yōu)質(zhì)伙伴。

揚(yáng)杰科技憑借IDM模式下的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封測(cè)及銷售全鏈條能力，可提供從MOSFET、IGBT到SiC的全系列車規(guī)級(jí)功率器件，正好契合聯(lián)創(chuàng)對(duì)供應(yīng)鏈安全與降本增效的雙重訴求。未來(lái)五年，雙方計(jì)劃將合作規(guī)模擴(kuò)大至300萬(wàn)套以上，并依托上汽海外項(xiàng)目共同拓展全球新能源汽車市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)資源互補(bǔ)與互利共贏。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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