此前，該領(lǐng)域的商業(yè)供應(yīng)主要局限于100毫米（4英寸）及以下尺寸，而150毫米則是當(dāng)前全球功率半導(dǎo)體主流生產(chǎn)線（如碳化硅產(chǎn)線）的標(biāo)準(zhǔn)物理規(guī)格。

NCT成功實(shí)現(xiàn)這一尺寸的跨越，意味著下游功率器件制造商無(wú)需進(jìn)行大規(guī)模的設(shè)備更替，即可利用現(xiàn)有的6英寸晶圓加工配套設(shè)施進(jìn)行氧化鎵器件的規(guī)?；囍婆c量產(chǎn)準(zhǔn)備。

氧化鎵作為一種超寬禁帶材料，其物理特性在電力電子領(lǐng)域極具競(jìng)爭(zhēng)力。其禁帶寬度約為4.5至4.9eV，遠(yuǎn)超硅（Si）和碳化硅（SiC），這賦予了材料極高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和極低的能量損耗。在同等耐壓水平下，氧化鎵器件理論上能實(shí)現(xiàn)比碳化硅更小的芯片尺寸和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。

更重要的是，氧化鎵支持從熔體中直接生長(zhǎng)（Melt-growth method），相比于生長(zhǎng)環(huán)境嚴(yán)苛且極其緩慢的碳化硅，其在大規(guī)模生產(chǎn)中的成本優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能擴(kuò)張潛力被業(yè)界寄予厚望。

根據(jù)NCT公布的最新戰(zhàn)略路線圖，公司在開(kāi)啟150毫米襯底樣品的交付后，計(jì)劃于2027年推出配套的150毫米氧化鎵外延片。

此外，為進(jìn)一步優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)，NCT正在研發(fā)更為先進(jìn)的液滴饋入生長(zhǎng)法工藝，旨在通過(guò)消除對(duì)昂貴銥金坩堝的依賴，在2029年實(shí)現(xiàn)150毫米晶圓的低成本全面量產(chǎn)。放眼未來(lái)，NCT設(shè)定了在2035年左右供應(yīng)200毫米（8英寸）襯底的遠(yuǎn)景目標(biāo)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該項(xiàng)目聚焦6/8英寸大尺寸氧化鎵單晶襯底的規(guī)?；a(chǎn)，是富加鎵業(yè)在氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化布局中的重要落地項(xiàng)目。從6英寸氧化鎵晶體研制成功，到8英寸VB法氧化鎵晶體的國(guó)際首發(fā)，再到本次萬(wàn)片級(jí)產(chǎn)線完成環(huán)保驗(yàn)收，企業(yè)完成了從核心技術(shù)研發(fā)到規(guī)?；a(chǎn)布局的關(guān)鍵推進(jìn)，后續(xù)該產(chǎn)線將正式釋放產(chǎn)能，供應(yīng)大尺寸氧化鎵單晶襯底相關(guān)產(chǎn)品。

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的核心品類(lèi)，氧化鎵是第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，相較硅、碳化硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，其擁有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、介電常數(shù)低、電子遷移率高以及制備成本相對(duì)可控等特性，是制作高壓、高頻、高功率、低損耗半導(dǎo)體器件的理想材料。

在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用層面，氧化鎵材料可廣泛適配新能源汽車(chē)高壓快充、光伏逆變器、智能電網(wǎng)輸配電、軌道交通供電、深紫外光電探測(cè)、微波射頻器件等多個(gè)領(lǐng)域的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求，能夠有效提升相關(guān)器件的能量轉(zhuǎn)換效率、降低能耗、縮小器件體積，契合新能源、新一代信息技術(shù)、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)與發(fā)展需求。

同時(shí)，氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破傳統(tǒng)材料性能瓶頸、向更高端化方向發(fā)展提供了新的技術(shù)路徑，是全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方向。

此次項(xiàng)目完成竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，意味著國(guó)內(nèi)氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化在規(guī)?；a(chǎn)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)重要進(jìn)展，將進(jìn)一步提升國(guó)內(nèi)大尺寸氧化鎵單晶襯底的市場(chǎng)供給能力，完善國(guó)內(nèi)超寬禁帶半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)鏈布局。富加鎵業(yè)方面表示，后續(xù)將依托該產(chǎn)線的產(chǎn)能保障，加速6/8英寸氧化鎵產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣，為市場(chǎng)提供相關(guān)氧化鎵材料解決方案。

據(jù)公開(kāi)信息，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日，主營(yíng)超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化相關(guān)業(yè)務(wù)，核心產(chǎn)品包含氧化鎵單晶襯底、氧化鎵外延片、晶體生長(zhǎng)裝備等，目前已形成覆蓋氧化鎵設(shè)備、襯底、外延片的產(chǎn)品體系，可提供“襯底-外延”一體化解決方案，同時(shí)牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，承擔(dān)并參與多項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)相關(guān)科研項(xiàng)目。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源：北京中小企業(yè)服務(wù)平臺(tái)

本輪融資將主要用于6英寸氧化鎵襯底技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)、建設(shè)2-4英寸氧化鎵襯底中試產(chǎn)線、超寬禁帶半導(dǎo)體未來(lái)產(chǎn)業(yè)培育、以及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)模化擴(kuò)產(chǎn)。

銘鎵半導(dǎo)體核心布局氧化鎵、磷化銦等關(guān)鍵材料。2025年初，企業(yè)運(yùn)用新工藝成功制備了4英吋（010）氧化鎵晶坯，為全球首次，為制造更大尺寸、更低成本的氧化鎵器件創(chuàng)造了條件。

大尺寸氧化鎵技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化

作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的核心代表，氧化鎵憑借4.9eV超寬禁帶、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性，在高壓功率器件、高頻射頻、新能源等領(lǐng)域展現(xiàn)出替代碳化硅、氮化鎵的潛力，成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破的關(guān)鍵賽道。

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年，核心產(chǎn)品包括氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片及VB法、EFG法晶體生長(zhǎng)裝備，已掌握從晶體生長(zhǎng)、襯底加工到外延制備的完整技術(shù)鏈。

2025年12月，中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所聯(lián)合#富加鎵業(yè)，在國(guó)際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。去年9月，富加鎵業(yè)獲近億元融資，將主要用于建設(shè)國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)萬(wàn)片產(chǎn)能。

圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司成立于2022 年，依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，首創(chuàng)鑄造法氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)帶工藝包的氧化鎵專(zhuān)用 VB 長(zhǎng)晶設(shè)備并對(duì)外銷(xiāo)售，在大尺寸襯底與裝備自主化方面處于國(guó)際領(lǐng)先。

2025年10月，#鎵仁半導(dǎo)體 宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。

地方政策精準(zhǔn)加碼氧化鎵發(fā)展

產(chǎn)業(yè)突破的背后，地方政策支持持續(xù)加碼。2026年開(kāi)年以來(lái)，廣州、浙江兩地相繼發(fā)布專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃，將氧化鎵納入重點(diǎn)發(fā)展范疇，形成政策引導(dǎo)與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的良性互動(dòng)，為第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢生態(tài)基礎(chǔ)。

2026年1月8日，廣州市人民政府辦公廳正式印發(fā)《廣州市加快建設(shè)先進(jìn)制造業(yè)強(qiáng)市規(guī)劃（2024—2035年）》（以下簡(jiǎn)稱《規(guī)劃》），明確將半導(dǎo)體與集成電路列為五大戰(zhàn)略先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，提出大力發(fā)展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料制造，通過(guò)全產(chǎn)業(yè)鏈布局、核心技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建，推動(dòng)廣州成為國(guó)家集成電路第三極核心承載區(qū)。

圖片來(lái)源：廣州市人民政府辦公廳文件截圖

2026年1月初，浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳發(fā)布的《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見(jiàn)稿）》也明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進(jìn)。

業(yè)內(nèi)指出，國(guó)內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)向中試及規(guī)模化制備的關(guān)鍵跨越，疊加地方政策的精準(zhǔn)賦能，有望加速在電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用驗(yàn)證，推動(dòng)我國(guó)在第四代半導(dǎo)體賽道確立國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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華潤(rùn)微電子作為集團(tuán)科技與新興產(chǎn)業(yè)板塊重要組成，展區(qū)圍繞“芯創(chuàng)前沿 科創(chuàng)領(lǐng)航”“芯鏈科創(chuàng)成果 賦能全鏈路”“芯啟科創(chuàng) 賦能出行”三大主題，綜合運(yùn)用產(chǎn)品實(shí)物、模型演示、顯微鏡互動(dòng)等多種形式，生動(dòng)呈現(xiàn)了公司在前沿技術(shù)突破、全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控以及汽車(chē)電子應(yīng)用等方面的創(chuàng)新成果與實(shí)踐路徑。

圖片來(lái)源：華潤(rùn)微電子芯聞號(hào)

“芯創(chuàng)前沿 科創(chuàng)領(lǐng)航”展區(qū)重點(diǎn)展示了華潤(rùn)微電子“十四五”期間的戰(zhàn)略布局與突破。其中，第四代功率半導(dǎo)體氧化鎵已實(shí)現(xiàn)全鏈條技術(shù)布局，外延及器件性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平；下一代新型鐵電存儲(chǔ)器、抗量子安全芯片等產(chǎn)品已步入商用階段。

“芯鏈科創(chuàng)成果 賦能全鏈路”展區(qū)，以半導(dǎo)體制造全鏈條為主線，通過(guò)硅錠至芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)物模型，清晰呈現(xiàn)華潤(rùn)微在芯片設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造到封裝測(cè)試的全流程自主能力。

“芯啟科創(chuàng) 賦能出行”展區(qū)緊密?chē)@汽車(chē)產(chǎn)業(yè)升級(jí)需求，集中展示了華潤(rùn)微在汽車(chē)電子領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用成果。產(chǎn)品布局從充電樁、車(chē)載充電器等基礎(chǔ)部件，延伸至主驅(qū)模塊、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）超聲波雷達(dá)芯片等核心領(lǐng)域。

資料顯示，“十四五”期間，華潤(rùn)微電子圍繞“產(chǎn)品與方案”及“制造與服務(wù)”兩大業(yè)務(wù)板塊持續(xù)深化布局。在自主產(chǎn)品方面，公司開(kāi)發(fā)的SGT MOS、SJ MOS、SBD、FRD、IGBT等工藝平臺(tái)及相應(yīng)模塊與系統(tǒng)應(yīng)用方案，技術(shù)水平位居國(guó)內(nèi)前列，并積極布局SiC與GaN第三代化合物半導(dǎo)體，持續(xù)拓展技術(shù)前沿。同時(shí)，公司依托覆蓋掩模制造、晶圓制造、封裝測(cè)試的“一站式”特色工藝服務(wù)，專(zhuān)注于為客戶提供定制化、差異化的制造解決方案，有力支撐客戶供應(yīng)鏈的安全與穩(wěn)定，展現(xiàn)了全鏈條服務(wù)能力與產(chǎn)業(yè)協(xié)同優(yōu)勢(shì)。

展望“十五五”，華潤(rùn)微電子將以創(chuàng)新為引擎，加速突破#氧化鎵 等第四代半導(dǎo)體技術(shù)，深化后摩爾時(shí)代核心工藝。同時(shí)，聚焦新能源車(chē)、機(jī)器人、人工智能等戰(zhàn)略領(lǐng)域，推動(dòng)芯片從功率向算力升級(jí)，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)攀登價(jià)值鏈高端、加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力貢獻(xiàn)核心動(dòng)能，奮力書(shū)寫(xiě)“科技致美好”的新篇章。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

作為第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域的代表性材料，#氧化鎵 憑借4.9eV超寬禁帶寬度和8MV/cm超高擊穿場(chǎng)強(qiáng)的特性，在新能源汽車(chē)充電、電網(wǎng)換流、數(shù)據(jù)中心電源等超高壓場(chǎng)景中具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。相較于傳統(tǒng)硅材料及第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵，氧化鎵器件可實(shí)現(xiàn)更高能效、更小體積和更低能耗，被視為下一代功率電子產(chǎn)業(yè)的核心突破口。

資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年，是我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，公司核心業(yè)務(wù)聚焦寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化，已構(gòu)建起“裝備-襯底-外延-器件驗(yàn)證”全鏈條產(chǎn)業(yè)化體系，是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)氧化鎵材料與裝備雙線自主可控的企業(yè)。

富加鎵業(yè)董事長(zhǎng)齊紅基曾表示，富加鎵業(yè)突破導(dǎo)模法6寸生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)，達(dá)到了氧化鎵電力電子器件產(chǎn)業(yè)化門(mén)檻要求，并且通過(guò)發(fā)展自主可控“AI”晶體裝備，成功實(shí)現(xiàn)“一鍵長(zhǎng)晶”。

今年9月，富加鎵業(yè)完成A+輪融資，融資金額近億元，由深創(chuàng)投、中網(wǎng)投、仁智資本、中贏創(chuàng)投、盛德投資等知名機(jī)構(gòu)共同參與。融資將主要用于建設(shè)國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)萬(wàn)片產(chǎn)能。

上海光機(jī)所作為國(guó)內(nèi)較早從事氧化鎵晶體研究的單位，在VB法方面，聯(lián)合富加鎵業(yè)大力發(fā)展提升關(guān)鍵裝備制造、高精度模擬仿真、確定性熱場(chǎng)設(shè)計(jì)三大核心技術(shù)。2024年7月在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)3英寸晶體制備，2024年12月成功制備4英寸晶體，2025年9月在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)6英寸晶體制備，2025年12月刷新國(guó)際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀(jì)錄。

圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

從產(chǎn)業(yè)視角看，8英寸尺寸的突破具有里程碑意義。當(dāng)前國(guó)內(nèi)功率器件產(chǎn)線以8英寸平臺(tái)為主流，該尺寸晶體可直接適配現(xiàn)有產(chǎn)線工藝，大幅降低產(chǎn)業(yè)鏈適配成本。”晶片尺寸越大，單位面積器件產(chǎn)出越多，成本攤薄效應(yīng)越顯著。此次突破讓氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的步伐大幅加快。”行業(yè)專(zhuān)家分析指出。

值得了解的是，VB法在制備氧化鎵晶體方面具有多項(xiàng)顯著優(yōu)勢(shì)，是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的理想路徑：生長(zhǎng)過(guò)程無(wú)需使用銥金，大大降低生長(zhǎng)成本；生長(zhǎng)過(guò)程溫度場(chǎng)均勻、溫度梯度小，更易實(shí)現(xiàn)大尺寸、高質(zhì)量氧化鎵晶體的生長(zhǎng)；可生長(zhǎng)柱狀晶體，有效提升材料制備效率；生長(zhǎng)過(guò)程穩(wěn)定，更適合自動(dòng)、規(guī)?；a(chǎn)。

當(dāng)前，我國(guó)一批核心企業(yè)正加速布局以氧化鎵、金剛石為代表的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，初步形成多元協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

三安光電作為行業(yè)龍頭，在氧化鎵材料研發(fā)與器件制備領(lǐng)域積極投入，依托其成熟的半導(dǎo)體制造體系推進(jìn)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程；杭州鎵仁半導(dǎo)體宣稱已成功研制8英寸氧化鎵單晶，在大尺寸晶體生長(zhǎng)技術(shù)上取得重要進(jìn)展；鎵創(chuàng)未來(lái)則探索異質(zhì)外延技術(shù)路線，致力于降低氧化鎵外延片成本，緩解產(chǎn)業(yè)化瓶頸。

此外，南大光電聚焦核心前驅(qū)體材料研發(fā)，藍(lán)曉科技等企業(yè)在高純金屬提純方面提供支撐，國(guó)機(jī)精工、晶盛機(jī)電等則在金剛石半導(dǎo)體等細(xì)分方向取得階段性突破，共同推動(dòng)從原材料、晶體生長(zhǎng)到器件制造的全鏈條能力建設(shè)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源：中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)公告截圖

鎵仁半導(dǎo)體牽頭兩項(xiàng)氧化鎵團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布！

《β相氧化鎵同質(zhì)外延片》（T/CEMIA 050-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司。

其它參編單位有中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、西安電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、中山大學(xué)、甬江實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進(jìn)化半導(dǎo)體有限公司、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、華潤(rùn)微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學(xué)、安徽大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來(lái)半導(dǎo)體科技(晉江)有限公司、大連理工大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院東莞材料科學(xué)與技術(shù)研究院、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、杭州芯創(chuàng)德半導(dǎo)體有限公司、西南大學(xué)、香港科技大學(xué)。

《氧化鎵單晶位錯(cuò)密度測(cè)試方法》（T/CEMIA 051-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司。

其它參編單位有中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、西安電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、中山大學(xué)、甬江實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進(jìn)化半導(dǎo)體有限公司、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、華潤(rùn)微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學(xué)、安徽大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來(lái)半導(dǎo)體科技(晉江)有限公司、大連理工大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院東莞材料科學(xué)與技術(shù)研究院、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、杭州芯創(chuàng)德半導(dǎo)體有限公司、西南大學(xué)、香港科技大學(xué)。

這兩項(xiàng)由中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的氧化鎵領(lǐng)域團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，將為β相氧化鎵同質(zhì)外延片的質(zhì)量管控與氧化鎵單晶位錯(cuò)密度的統(tǒng)一測(cè)試提供依據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)的落地將推動(dòng)氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室走向規(guī)?；a(chǎn)，為我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體賽道建立技術(shù)與產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)奠定基礎(chǔ)，助力實(shí)現(xiàn) “超寬禁帶半導(dǎo)體之王” 的產(chǎn)業(yè)化價(jià)值釋放，支撐國(guó)家新能源與高端制造戰(zhàn)略。

鎵仁半導(dǎo)體賦能氧化鎵研究新突破

杭州#鎵仁半導(dǎo)體 有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市蕭山區(qū)，是一家專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。公司核心產(chǎn)品包括：2-8英寸氧化鎵單晶與襯底（其中8英寸為國(guó)際首發(fā)）、氧化鎵垂直布里奇曼法（VB法）長(zhǎng)晶設(shè)備、氧化鎵外延片等，致力于構(gòu)建 “設(shè)備-晶體-襯底-外延” 全鏈條產(chǎn)品體系，為全球客戶提供系統(tǒng)性解決方案。

2025年3月，鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄。7月，鎵仁半導(dǎo)體研發(fā)的8英寸氧化鎵襯底通過(guò)了國(guó)內(nèi)/國(guó)外知名機(jī)構(gòu)的檢測(cè)，并聯(lián)合發(fā)布檢測(cè)結(jié)果。

第三方檢測(cè)結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。8英寸高質(zhì)量氧化鎵襯底的問(wèn)世，標(biāo)志著氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用邁入全面加速落地階段，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要里程碑。

2025年11月，鎵仁半導(dǎo)體完成Pre-A+輪戰(zhàn)略融資。根據(jù)企查查信息顯示，本輪融資由余杭金控、九智資本、方廣資本、深創(chuàng)投、華睿投資等共同投資。

2025年12月，鎵仁半導(dǎo)體推出 “SCIENCE系列” 科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備，專(zhuān)為2-6英寸氧化鎵科研場(chǎng)景量身打造，以全自主核心技術(shù)助力科研工作者在長(zhǎng)晶、摻雜、缺陷控制及材料性能優(yōu)化等領(lǐng)域高效探索。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽(yù)為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵，憑借其更耐高溫、更耐高壓、性能更優(yōu)等特性，成為下一代電力電子器件領(lǐng)域的“理想材料”，備受全球關(guān)注。

不過(guò)，作為新興材料，氧化鎵仍面臨較大技術(shù)難題。比如氧化鎵在高溫熔融狀態(tài)下性質(zhì)很不穩(wěn)定，用主流方法很難讓它規(guī)規(guī)矩矩地結(jié)晶。同時(shí)，它的結(jié)晶過(guò)程就像在鍛造一件精密瓷器，對(duì)“火候”（溫度）和環(huán)境的要求極高，稍有偏差，晶體就會(huì)產(chǎn)生缺陷甚至碎裂，難以得到完整、高質(zhì)量的單晶。因此，穩(wěn)定制備大尺寸氧化鎵單晶的挑戰(zhàn)，曾是其邁向大規(guī)模應(yīng)用的主要瓶頸。

這一背景下，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司聚焦氧化鎵單晶制備技術(shù)攻關(guān)，依托自主研發(fā)的“鑄造法”，在材料生長(zhǎng)上取得重要突破。該方法具備成本低、效率高、工藝簡(jiǎn)單可控、尺寸易放大等優(yōu)勢(shì)。

今年初，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司團(tuán)隊(duì)成功發(fā)布全球首顆8英寸氧化鎵單晶，標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“換道超車(chē)”。該成果可與現(xiàn)有硅基8英寸產(chǎn)線完全兼容，為氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室走向規(guī)模化應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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“晉江產(chǎn)經(jīng)報(bào)道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個(gè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，專(zhuān)注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵科技企業(yè)“鎵創(chuàng)未來(lái)”正式落戶晉江并完成千萬(wàn)級(jí)天使輪融資。

資料顯示，鎵創(chuàng)未來(lái)半導(dǎo)體科技（晉江）有限公司，依托于西安電子科技大學(xué)—-寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室和寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心，也是晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個(gè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，目前已具備異質(zhì)外延片小批量生產(chǎn)能力。公司創(chuàng)始人團(tuán)隊(duì)均為微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士，在材料外延生長(zhǎng)、摻雜及器件制備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)積累了近10年的經(jīng)驗(yàn)。

該公司董事長(zhǎng)彭博透露，公司氧化鎵一個(gè)最突出的優(yōu)勢(shì)就是它的寬禁帶度更寬，能耐更高的電壓通更大的電流，目前新能源車(chē)要做快充，基本800伏平臺(tái)的充電器約30分鐘把一輛車(chē)車(chē)從空電充到滿電，如果使用鎵創(chuàng)未來(lái)氧化鎵的器件，7分鐘就可以把它電充滿。

彭博介紹，前期已與二十多家科研機(jī)構(gòu)建立合作關(guān)系，與多家半導(dǎo)體客戶簽訂采購(gòu)合同。目前，隨著項(xiàng)目正式入駐晉江，彭博將聯(lián)合團(tuán)隊(duì)專(zhuān)注產(chǎn)品落地，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

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圖片來(lái)源：西安電子科技大學(xué)——圖為郝躍（中）團(tuán)隊(duì)在實(shí)驗(yàn)室

氧化鎵因其超寬禁帶特性在高壓、大功率應(yīng)用中具備顯著優(yōu)勢(shì)，但其本身的熱導(dǎo)率僅為硅的約五分之一，工作時(shí)容易出現(xiàn)過(guò)熱問(wèn)題。金剛石的熱導(dǎo)率高達(dá)約2000?W·m?1·K?1，是已知材料中最高的散熱介質(zhì)，理論上可以大幅降低器件溫升。

然而，直接將氧化鎵貼合在金剛石上會(huì)因晶格和熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生界面缺陷，導(dǎo)致散熱效果不佳。為此，團(tuán)隊(duì)在兩者之間引入單層或多層石墨烯，石墨烯既能提供柔性匹配，又保持極高的熱傳導(dǎo)通道，使熱流能夠快速?gòu)难趸墏鬟f到金剛石。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，加入石墨烯后，散熱阻降低約十倍，器件工作溫度下降30?°C以上，顯著提升了功率密度和可靠性。采用該散熱方案的Ga?O?功率開(kāi)關(guān)器件在5kV以上的擊穿電壓下仍保持低正向壓降和高速開(kāi)關(guān)特性，適用于5G/6G基站、雷達(dá)、衛(wèi)星通信以及電動(dòng)汽車(chē)功率模塊等高壓高功率場(chǎng)景。

這項(xiàng)突破不只是實(shí)驗(yàn)室成果，還解決了氧化鎵器件的“自熱”痛點(diǎn)，讓高導(dǎo)熱金剛石和氧化鎵高效“聯(lián)姻”，為解決氧化鎵器件發(fā)熱問(wèn)題提供了全新思路，也為未來(lái)高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

在該技術(shù)的基礎(chǔ)上，團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種新的范德華極化工程異質(zhì)集成技術(shù)，成功在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了高質(zhì)量的氮化鎵外延層，并以此為基礎(chǔ)制備出高性能的氮化鎵基射頻器件。該器件具有高電子遷移率、高飽和電流密度和低截止電流，適用于高頻高功率放大器。

據(jù)介紹，這項(xiàng)技術(shù)有望在未來(lái)5G/6G通信基站、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。低缺陷密度的氮化鎵外延層還適用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁、數(shù)據(jù)中心電源等高效率、高頻率的功率開(kāi)關(guān)器件。

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圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(EFG法)晶體生長(zhǎng)裝備、襯底研磨拋光裝備等。

設(shè)備領(lǐng)域，富加鎵業(yè)研制了國(guó)際上首臺(tái)具備“一鍵長(zhǎng)晶”EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長(zhǎng)需求，可提供設(shè)備及配套工藝包。

同時(shí)，富加鎵業(yè)自行研制了全自動(dòng)VB晶體生長(zhǎng)設(shè)備，并在國(guó)內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸VB法單晶制備，可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。此外，該公司還研發(fā)了2-6英寸氧化鎵單晶襯底研磨拋光設(shè)備，并根據(jù)客戶需要可提供成熟的研磨拋光及清洗工藝包。

單晶及外延片方面，富加鎵業(yè)已經(jīng)建立企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，獲得ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證，向市場(chǎng)提供10mm至6英寸的多種晶向的氧化鎵單晶襯底10mm至6英寸的MOCVD氧化鎵外延片及10×15mm MBE氧化鎵外延片。

氧化鎵作為極具潛力的第四代半導(dǎo)體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽(yù)為下一代高功率電子器件的“明星材料”，陸續(xù)吸引眾多廠商進(jìn)行研發(fā)。

稍早之前，宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。

據(jù)悉，#鎵仁半導(dǎo)體 6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片外延層厚度超過(guò)10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過(guò)電容-電壓（C-V）法測(cè)試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標(biāo)準(zhǔn)方差為6.08%，證實(shí)外延層電學(xué)均勻性良好。

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