近期，立昂微披露，控股子公司金瑞泓微電子（衢州）有限公司（以下簡稱“金瑞泓”）擬在現(xiàn)有廠房內(nèi)建設“年產(chǎn)180萬片12英寸重摻襯底片項目”，計劃總投資22.62億元，其中固定資產(chǎn)投資21.96億元。
圖片來源：立昂微公告截圖
立昂微介紹，本次投建項目建設周期約60個月，將采取分階段建設、分階段投入、分階段產(chǎn)出的模式進行，預計每年投入金額約3.5億元，資金投入進度將結(jié)合公司資金狀況、市場供需狀況進行動態(tài)調(diào)節(jié)，預計投資收益率7.76%。
資料顯示，金瑞泓已掌握12英寸硅片成套工藝核心技術(shù)，可滿足高端功率器件需求，終端應用于AI服務器不間斷電源、儲能變流器、充電樁、工業(yè)電子、伺服驅(qū)動器以及消費類電子、汽車電子、家用電器、嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域。
本次投建項目將采用金瑞泓自主開發(fā)的重摻雜直拉硅單晶的制備技術(shù)、微量摻鍺直拉硅單晶技術(shù)和低缺陷摻氮直拉硅單晶技術(shù)等最重要的生產(chǎn)工藝。
金瑞泓現(xiàn)有重摻系列硅片產(chǎn)能爬坡迅速，目前已接近滿產(chǎn)，為進一步滿足市場需求，本次投建項目系在金瑞泓現(xiàn)有廠房內(nèi)實施的擴產(chǎn)項目，可與現(xiàn)有“年產(chǎn)180萬片12英寸半導體硅外延片項目”形成上下游配套。
本次投建項目實施后，立昂微將實現(xiàn)新增年產(chǎn)180萬片12英寸重摻襯底片的產(chǎn)能規(guī)模，有利于開發(fā)和制備當前高端功率器件市場急需的重摻砷、重摻磷等系列的厚層、埋層等特殊規(guī)格的硅外延片產(chǎn)品，可顯著提高公司重摻系列硅片生產(chǎn)能力，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升產(chǎn)品豐富度，鞏固市場頭部地位，提升綜合競爭力。
（集邦化合物半導體整理）
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