近期，據重慶眾致環(huán)保有限公司披露的環(huán)保驗收文件顯示，安意法半導體位于重慶的8英寸碳化硅（SiC）外延與芯片項目一期一階段已通過竣工環(huán)境保護驗收，并于2025年5月進入試生產階段。
圖片來源：環(huán)保驗收文件截圖
目前，該條生產線已具備年產2萬片車規(guī)級MOSFET芯片的能力，產品將主要面向新能源汽車、光伏儲能及充電樁等高壓高功率應用場景。
根據投資方案，安意法8英寸SiC項目總體分兩期建設，每期設計年產能26萬片車規(guī)級MOSFET芯片，全面達產后合計年產52萬片。一期一階段先行釋放2萬片年產能，后續(xù)產能將根據市場需求與設備搬入節(jié)奏逐年爬坡。項目總占地約30.8萬平方米，總建筑面積約25.5萬平方米，涵蓋芯片廠房、外延廠房、動力中心、廢水處理站及配套辦公樓等完整生產與輔助設施。
據悉，重慶三安意法半導體碳化硅項目包含2個工廠：安意法8英寸SiC晶圓制造廠（由三安光電和意法半導體共同成立），以及8英寸SiC襯底制造廠（由三安獨立運營）。
（集邦化合物半導體整理）
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