斯達半導15億元加碼第三代半導體

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 02 月 02 日 14:44 | 分類 化合物半導體

2026年1月30日,斯達半導體股份有限公司(簡稱:斯達半導)發(fā)布公告稱,公司向不特定對象發(fā)行可轉換公司債券(以下簡稱“可轉債”)的申請,已獲上海證券交易所上市審核委員會審核通過,距離正式發(fā)行僅剩中國證監(jiān)會注冊批復這一關鍵環(huán)節(jié)。

圖片來源:斯達半導體公告截圖

據(jù)悉,本次斯達半導擬通過可轉債募資不超過15億元,核心投向車規(guī)級功率半導體模塊相關項目及補充流動資金,其中超六成資金將直接用于第三代半導體領域布局。

具體來看,6億元將投入車規(guī)級SiC MOSFET模塊制造項目,擴大產(chǎn)能并優(yōu)化工藝;3億元用于車規(guī)級GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項目,搭建完整工藝平臺,推動產(chǎn)品量產(chǎn)適配車載驅動等場景,二者均聚焦第三代半導體核心材料SiC(碳化硅)與GaN(氮化鎵)的產(chǎn)業(yè)化落地。

官網(wǎng)介紹,斯達半導成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務,是目前國內功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司,并在國內和歐洲德國及瑞士設有研發(fā)中心

斯達半導深耕IGBT賽道,目前已實現(xiàn)“IGBT+第三代半導體”全矩陣布局,在SiC(碳化硅)與GaN(氮化鎵)兩大核心領域均形成明確的技術突破與產(chǎn)業(yè)化成果。

2025年3月18日,據(jù)西部重慶科學城官方消息,斯達半導與長安汽車旗下深藍汽車合資打造的重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目正式封頂,該項目由雙方2023年共同出資成立的重慶安達半導體有限公司負責運營,總投資4億元,分兩期建設。

基地聚焦車規(guī)級碳化硅(SiC)模塊及IGBT模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,按工業(yè)4.0標準打造,配備全流程自動化與AI質量控制系統(tǒng),實現(xiàn)“無人化”生產(chǎn),核心產(chǎn)品可適配新能源汽車800V高壓平臺主控制器需求。其中一期占地35畝,規(guī)劃年產(chǎn)能50萬片,預計2025年6月實現(xiàn)小批量生產(chǎn);二期全面建成后,年產(chǎn)能將提升至180萬片,年產(chǎn)值預計突破10億元。

根據(jù)斯達半導披露的2025年第三季度報告,2025年前三季度實現(xiàn)營業(yè)總收入29.90億元,整體營收保持穩(wěn)健增長態(tài)勢;歸母凈利潤為3.82億元,同比下降9.80%。

(集邦化合物半導體 Niko 整理)

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