圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)集邦化合物半導體觀察,今年以來,除士蘭微外,還有長光華芯、三安光電、格芯、X-fab等多家第三代半導體相關廠商獲得了不同金額的政府補助。
其中,長光華芯在9月9日發(fā)布公告稱,公司及全資子公司截至本公告披露之日,共獲得政府補助款項共計人民幣1127.40萬元,其中與收益相關的政府補助1117.40萬元,與資產(chǎn)相關的政府補助10萬元。
三安光電在10月7日發(fā)布公告稱,2024年7月1日至2024年9月29日,三安光電及下屬子公司收到與收益相關、未履行信息披露義務且未達披露標準的政府補助款約1040萬元。
12月4日,據(jù)GlobalFoundries(格芯)官網(wǎng)消息,其又從美國政府獲得了950萬美元(約7000萬人民幣)的聯(lián)邦資助,用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵(GaN)半導體的生產(chǎn)。
隨后在12月5日,據(jù)外媒報道,美國《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導體工廠提供補助,其中將向比利時X-fab公司運營的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬美元(約3.65億人民幣)補助。
對于企業(yè)而言,獲得政府補助有多個方面的積極意義。補助資金可以作為企業(yè)的收入來源,增加利潤,帶來財務層面的積極影響;同時,補助資金可以用于市場拓展活動,幫助企業(yè)提升品牌知名度和市場份額,也可以用于支持新技術、新產(chǎn)品的研發(fā),推動技術創(chuàng)新,增強市場競爭力。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
股東信息顯示,盛美半導體設備(成都)有限公司由盛美半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱:盛美上海)全資持股。
官網(wǎng)資料顯示,盛美上海成立于2005年,是一家半導體設備制造商,主要產(chǎn)品有單晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備、立式爐管設備、前道涂膠顯影設備及PECVD設備等。
據(jù)集邦化合物半導體觀察,今年下半年已有多家碳化硅器件、設備相關廠商通過成立新公司,進一步拓展業(yè)務布局。
其中,時代電氣旗下中車時代半導體于9月26日全資成立了合肥中車時代半導體有限公司,注冊資本3.1億人民幣,經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。
揚杰科技于11月1日全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司,注冊資本500萬人民幣,經(jīng)營范圍含電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、新材料技術研發(fā)等。
中微公司等于11月22日成立了超微半導體設備(上海)有限公司,注冊資本4250萬人民幣,經(jīng)營范圍為半導體器件專用設備銷售、電子專用設備銷售、專用設備修理。
宏微科技等于11月26日成立了上海宏微愛賽半導體有限公司,注冊資本500萬人民幣,經(jīng)營范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設備銷售、電力電子元器件銷售等。(集邦化合物半導體Zac)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>source:星曜半導體
官網(wǎng)資料顯示,星曜半導體成立于2020年11月(前身是浙江信唐智芯科技有限公司),專注于射頻濾波器芯片和射頻前端模組的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其總部位于溫州,在上海、成都、深圳、西安、蘇州均設有研發(fā)或銷售中心。
伴隨著5G通信的快速發(fā)展,射頻芯片產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲。近期,國內還有多個射頻濾波器芯片相關項目披露了最新動態(tài)。
據(jù)“知識城通”消息,11月28日,科學城發(fā)展集團投資建設的艾佛光通項目主體結構全面封頂。該項目總建筑面積約99785.88平方米,將建設集廠房、研發(fā)車間、倉庫等一體的5G濾波器芯片生產(chǎn)研發(fā)基地。
目前,該項目在主體結構全面封頂后,已正式進入裝飾及機電安裝階段,預計明年6月項目整體完工。項目建成投產(chǎn)后,艾佛光通科技公司SABAR?5G體聲波濾波芯片及其模組將實現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)。
另據(jù)“中電二公司”消息,11月28日,芯卓半導體6英寸射頻芯片產(chǎn)能擴充項目封頂儀式舉行。該項目建成后將有利于提升芯卓湖光公司6英寸SAW濾波器和12英寸IPD濾波器產(chǎn)品的市場競爭力。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>近日,國內又有2個砷化鎵、磷化銦相關項目幾乎同時披露了最新進展,分別是海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目、唐晶量子化合物半導體外延片項目,兩個項目合計投資額超過50億元。
source:立昂微
海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目通線
12月24日,據(jù)杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡稱:立昂微)官微消息,海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目于12月23日正式通線。
據(jù)介紹,海寧立昂東芯注冊成立于2021年,是立昂微化合物半導體射頻芯片業(yè)務板塊新的生產(chǎn)基地項目。項目規(guī)劃總投資50億元,布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵(GaN HEMT)以及垂直腔面激光器(VCSEL)等產(chǎn)品領域,建成后將達到年產(chǎn)36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產(chǎn)規(guī)模。
唐晶量子化合物半導體外延片項目投產(chǎn)
12月22日,據(jù)“長安號”消息,西安高新區(qū)近日舉行了2024年下半年重點項目集中竣工投產(chǎn)活動,本次活動共有23個重點項目正式竣工投產(chǎn),總投資達335.22億元,其中包括唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目。
據(jù)報道,唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目建設了一條砷化鎵和磷化銦化合物半導體外延片生產(chǎn)線,用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產(chǎn)。
砷化鎵、磷化銦產(chǎn)線建設趨火
近期,砷化鎵、磷化銦產(chǎn)業(yè)似乎掀起了一股投資擴產(chǎn)潮,除上述兩個項目外,還有多個廠商披露了在砷化鎵、磷化銦領域的最新項目進展或規(guī)劃。
其中,常州縱慧芯光半導體科技有限公司旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”在今年10月已完成封頂。該項目總投資5.5億元,規(guī)劃用地40畝,預計明年1月投產(chǎn),達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。
珠海華芯微電子有限公司首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線近日正式調通,并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓,預計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
12月9日,高意(Coherent)宣布,其根據(jù)《芯片與科學法案》與美國商務部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元(約2.4億人民幣),以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴建。該項目將通過增加先進的晶圓制造設備,擴建全球首個6英寸磷化銦生產(chǎn)線,以擴大磷化銦器件的規(guī)?;a(chǎn)。
隨后在12月21日,兆馳股份發(fā)布公告,擬投資建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產(chǎn)線。本次投資為項目一期,項目一期建設擬投資金額不超過5億元。
作為上述這些擴產(chǎn)項目的主角之一,?砷化鎵具有多種優(yōu)勢,包括高頻率、高速度、高功率、低噪聲和低功耗,?這些特性使得砷化鎵在微波通信、高速集成電路、光電子器件等領域表現(xiàn)出色。
而磷化銦具有較高的電子遷移率和飽和電子漂移速度,適合制造高頻和高速電子設備?,此外,磷化銦在光電特性方面也表現(xiàn)出色,適合光電子和光通信應用,磷化銦襯底制造的半導體器件廣泛應用于光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等領域。
從應用領域來看,近期的砷化鎵、磷化銦擴產(chǎn)項目也基本都是圍繞微波射頻、VCSEL激光芯片、光通信等場景展開,有望進一步推動砷化鎵、磷化銦器件在各個領域的滲透。(文:集邦化合物半導體Zac)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
公開資料顯示,吉盛微前身是盛吉盛精密技術(寧波)有限公司碳化硅事業(yè)部。吉盛微致力于SiC材料、SiC基聚焦環(huán)、簇射極板及晶圓舟等碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈關鍵設備的零部件和耗材的研發(fā)、生產(chǎn)制造,在產(chǎn)業(yè)鏈上位于中、上游,目前已經(jīng)完成了刻蝕、擴散、外延、快速熱處理等多個工藝的零部件、耗材開發(fā)。
碳化硅業(yè)務方面,2023年2月,在上海舉行的2023武漢招商引資推介大會上,吉盛微武漢碳化硅項目簽約落地武漢經(jīng)開區(qū),總投資約15億元。2023年3月,吉盛微(武漢)新材料科技有限公司在武漢經(jīng)開區(qū)注冊成立。同年12月,吉盛微武漢碳化硅制造基地在武漢經(jīng)開綜合保稅區(qū)正式投產(chǎn)。
據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計,2024以來,碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈已有近50家企業(yè)獲得融資,遍及材料、器件、設備等各個細分賽道,將共同推動碳化硅產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更大的發(fā)展。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
資料顯示,華海清科成立于2013年4月,是一家半導體設備制造商,主要從事半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術服務,主要產(chǎn)品為CMP設備。
項目建設方面,今年2月1日,“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”封頂儀式在北京市亦莊舉行。該項目規(guī)劃總建筑面積約70000平方米,總投資額8.2億元。項目建成后將用于開展高端半導體設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,推動濕法裝備、減薄裝備、CMP裝備等半導體設備的研發(fā)和生產(chǎn)。
據(jù)悉,CMP是一種結合化學腐蝕與機械磨削的表面平坦化技術。它通過使用含有超細磨粒和化學腐蝕劑的拋光液,在特定壓力和旋轉運動下,對工件表面進行微量的材料去除和表面修飾,從而實現(xiàn)高精度的平坦化處理。
目前,CMP技術廣泛應用于半導體制造領域,特別是在晶圓制造過程中。晶圓制造過程包括熱處理、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、CMP、清洗、前道量測等工藝流程。CMP在半導體制造中起著至關重要的作用,能夠減少晶圓表面的不平整,為后續(xù)工藝提供良好的基礎。
在CMP項目方面,浙江博來納潤電子材料有限公司(以下簡稱:博來納潤)位于衢州智造新城高新片區(qū)的107畝生產(chǎn)基地二期項目于今年8月3日正式開工建設。二期項目建成后,加上已經(jīng)運營的一期項目產(chǎn)能,博來納潤將實現(xiàn)在衢州布局34000噸半導體CMP拋光液的目標。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>source:上海驕成
資料顯示,驕成超聲成立于2007年,聚焦超聲波技術的開發(fā)與應用,面向半導體、新能源、醫(yī)療醫(yī)美等多個行業(yè)提供整體解決方案。
在半導體領域,驕成超聲主要產(chǎn)品包括超聲波鍵合機、超聲波掃描顯微鏡(SAM/SAT)、Pin針超聲波焊接機、半導體端子超聲波焊接機等。其中超聲波鍵合機、Pin針焊接機和端子焊接機是半導體封測工序的關鍵設備,超聲波掃描顯微鏡(C-SAM/SAT)則廣泛應用于半導體晶圓、芯片、2.5D/3D封裝、IGBT模塊/SiC器件、基板(陶瓷DBC/金屬板AMB)等產(chǎn)品的檢測。
隨著半導體技術的進步,檢測技術也在不斷創(chuàng)新和升級,新的檢測方法和設備的出現(xiàn),使得檢測更加高效、準確。近期,碳化硅產(chǎn)品檢測細分領域熱度持續(xù)上漲,廠商動作頻頻。
11月20日,據(jù)中導光電官微消息,中導光電近期成功獲得國內功率半導體頭部客戶的8英寸碳化硅晶圓缺陷檢測設備訂單。
近日企查查披露信息顯示,創(chuàng)銳光譜已完成近億元Pre-A輪融資,由光速光合領投,老股東君聯(lián)資本跟投,融資資金將主要用于技術研發(fā)和產(chǎn)能擴容。創(chuàng)銳光譜成立于2016年9月,專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體光譜檢測設備,產(chǎn)品包括第三代半導體晶圓檢測設備等。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>source:港交所
據(jù)了解,天域半導體成立于2009年,是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。2010年,天域半導體與中國科學院半導體研究所合作,共同創(chuàng)建了碳化硅研究所,成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。
融資方面,天眼查顯示,從2021年7月至今,天域半導體共完成四輪融資,每次均收獲重量級投資方。其中,2021年7月獲華為哈勃投資天使輪融資;2022年6月獲比亞迪、上汽集團入股。目前,天域半導體戰(zhàn)略投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本、晨道資本、東莞大中和申能欣銳等。
在業(yè)務方面,天域半導體指出,2024年公司開始量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片,并與海外領先的整合器件制造商(IDM)汽車客戶就8英寸碳化硅外延片達成戰(zhàn)略合作。source:天域半導體產(chǎn)能方面,截止到2024年10月31日,天域半導體6英寸及8英寸外延片的年度產(chǎn)能約為42萬片。
據(jù)悉,天域半導體現(xiàn)有的東莞生產(chǎn)基地,主要專注于生產(chǎn)6英寸碳化硅外延片。公司還購置了位于東莞市生態(tài)園生產(chǎn)工廠的一塊土地,并已開始在該地塊上興建新生產(chǎn)基地,未來將包括辦公區(qū)、工廠、研發(fā)樓、宿舍及其他配套設施。天域半導體預計其正在擴產(chǎn)的新生態(tài)園生產(chǎn)基地將于2025年內增加約38萬片碳化硅外延片的年度計劃產(chǎn)能,使公司的年度計劃總產(chǎn)能達至約800,000片碳化硅外延片。
此外,天域半導體還表示,根據(jù)實際需求,其初步計劃在東南亞擴大產(chǎn)能,以更好地服務公司的海外客戶。營收方面,天域半導體的收入由2021年的人民幣月1.55億元增長至2022年的人民幣4.37億元元,并進一步增長至2023年的人民幣11.71億元。
此外,公司的毛利由2021年的人民幣2420萬元增長至2022年的人民幣8750萬元,并進一步增長至2023年的人民幣2.17億元,復合年增長率為199.2%。
本次申請港股上市,天域半導體計劃將IPO募集所得資金凈額將有以下用途:
1.一部分預計將于未來五年內用于擴張公司的整體產(chǎn)能,從而提升天域半導體的市場份額及產(chǎn)品競爭力,包括:采購設備,擴張產(chǎn)線;完成基地建設;招聘人才。
2.一部分預計將于未來五年內用于提升公司的自主研發(fā)及創(chuàng)新能力,以提高產(chǎn)品質量及縮短新產(chǎn)品的開發(fā)周期,從而更迅速地回應市場需求。
3.一部分預計將用于戰(zhàn)略投資及/或收購,以擴大客戶群豐富公司的產(chǎn)品組合及補充公司的技術,從而實現(xiàn)天域半導體的長遠發(fā)展策略。(集邦化合物半導體整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>資料顯示,創(chuàng)銳光譜成立于2016年9月,專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體光譜檢測設備,主營業(yè)務涵蓋半導體工業(yè)檢測和科學研究兩大領域。其中,工業(yè)檢測級產(chǎn)品主要包括第三代半導體晶圓檢測設備、光伏面板光學檢測設備以及LED和激光芯片檢測設備等系列產(chǎn)品。
在碳化硅晶圓缺陷檢測方面,創(chuàng)銳光譜開發(fā)了襯底/外延位錯缺陷無損檢測、點缺陷檢測、高速載流子壽命檢測等多種專用設備,解決了碳化硅襯底位錯缺陷無損檢測的難題。
據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計,2024年以來,已有謙視智能、蓋澤科技、優(yōu)睿譜、驛天諾、矽視科技、國科測試、睿勵科學儀器、忱芯科技、創(chuàng)銳光譜9家碳化硅量檢測設備相關廠商完成新一輪融資。
當前,碳化硅產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷擴產(chǎn)潮,碳化硅材料、器件相關項目建設正在如火如荼的進行中。隨著材料、器件規(guī)劃產(chǎn)能的不斷提升,在產(chǎn)線上發(fā)揮重要作用的量檢測設備相關需求水漲船高,背后的各大廠商將持續(xù)獲得紅利,進而獲得更多資本加持。
在設備國產(chǎn)替代的趨勢下,未來包括量檢測設備廠商在內的國產(chǎn)碳化硅設備廠商有望傳出更多完成新一輪融資的利好消息。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>source:青禾晶元
據(jù)了解,目前,可用于MOSFET制造的無缺陷襯底(即“高質量”襯底)的成品率通常僅為40%-60%。在6-8英寸SiC的生長和提純過程中產(chǎn)生的低等級襯底(即“低質量”襯底)通常被作為陪片甚至廢料處理,導致高質量SiC襯底的生產(chǎn)成本較高,通常占最終MOSFET器件成本的50%以上。
為應對這一挑戰(zhàn),青禾晶元攜手中科院微電子所等合作單位在國際上首次提出了一種新型6英寸單晶SiC復合襯底,通過表面活化鍵合技術和離子注入剝離技術,將高質量SiC薄層鍵合轉移到低質量單晶SiC襯底上,實現(xiàn)了低質量單晶SiC襯底有效使用,每個高質量SiC晶圓可重復使用超過30次(即每個高質量晶圓可以產(chǎn)生超過30個薄層),預計成本降低40%。
據(jù)觀察,復合襯底已成為碳化硅乃至半導體產(chǎn)業(yè)的一大技術突破方向,已吸引部分廠商涉足,除青禾晶元外,達波科技近期也披露了碳化硅復合襯底相關進展。
達波科技首條4/6英寸碳化硅基壓電復合襯底生產(chǎn)線于11月23日在其上海臨港工廠正式貫通。
據(jù)悉,碳化硅基壓電復合襯底是一種由碳化硅和其他材料復合而成的材料,具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點。這種材料在多個領域有廣泛應用,特別是在電子、光電和機械行業(yè)中。
在電子行業(yè),碳化硅基壓電復合襯底被廣泛應用于制造高功率LED和功率器件,其優(yōu)異的導熱性能可以有效降低設備的溫度,提高設備的壽命和可靠性;在光電行業(yè)中,碳化硅基壓電復合襯底用于制造太陽能電池板和激光器,其高硬度和高熱導率可以有效提高器件的效率和性能。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>