圖片來源：揚(yáng)杰科技

根據(jù)協(xié)議，雙方將在聯(lián)創(chuàng)總部設(shè)立聯(lián)合開放實驗室，通過專用安全數(shù)據(jù)通道系統(tǒng)共享零部件級至系統(tǒng)級的試驗數(shù)據(jù)、失效分析報告及車規(guī)級可靠性數(shù)據(jù)庫，實現(xiàn)設(shè)計閉環(huán)與產(chǎn)品快速迭代。揚(yáng)杰

科技研發(fā)團(tuán)隊將在概念階段即深度介入聯(lián)創(chuàng)新一代車型平臺規(guī)劃，圍繞底盤域、電驅(qū)系統(tǒng)等核心應(yīng)用，共同開發(fā)750V/1200V SiC模塊、雙面散熱IGBT等新封裝器件，并在“需求—開發(fā)—驗證”一體化流程下完成導(dǎo)入，預(yù)計2026年第四季度實現(xiàn)批量搭載。

聯(lián)創(chuàng)汽車電子作為國內(nèi)EPS電機(jī)及底盤域控制器龍頭，2025年出貨量預(yù)計突破1200萬套，在上汽集團(tuán)整車出口和國產(chǎn)化率要求不低于80%的背景下，急需精簡供應(yīng)商體系、聚焦優(yōu)質(zhì)伙伴。

揚(yáng)杰科技憑借IDM模式下的芯片設(shè)計、晶圓制造、封測及銷售全鏈條能力，可提供從MOSFET、IGBT到SiC的全系列車規(guī)級功率器件，正好契合聯(lián)創(chuàng)對供應(yīng)鏈安全與降本增效的雙重訴求。未來五年，雙方計劃將合作規(guī)模擴(kuò)大至300萬套以上，并依托上汽海外項目共同拓展全球新能源汽車市場，實現(xiàn)資源互補(bǔ)與互利共贏。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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硅酷科技成立于2019年，核心團(tuán)隊來自全球封裝設(shè)備龍頭企業(yè)，在半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域具備豐富技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。公司業(yè)務(wù)涵蓋面向IGBT/SiC功率模塊貼裝、光通信貼裝、先進(jìn)封裝等多個應(yīng)用領(lǐng)域的貼片設(shè)備，現(xiàn)已成為IGBT/SiC功率模塊貼片設(shè)備國產(chǎn)替代領(lǐng)導(dǎo)者，并在光通信、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破。公司產(chǎn)品獲得了下游頭部客戶的廣泛認(rèn)可，年出貨量超百臺。

圖片來源：芯聯(lián)資本

在碳化硅領(lǐng)域，硅酷科技瞄準(zhǔn)“高精密”器件貼合工藝，開辟碳化硅領(lǐng)域“領(lǐng)先路徑”，歷經(jīng)三年打磨核心產(chǎn)品碳化硅銀燒結(jié)設(shè)備，目前已成功為比亞迪、理想、蔚來、華為等主流車企提供超百套設(shè)備，生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體器件（芯片）超過十萬顆，量產(chǎn)能力業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，出貨量位居全國之首，成為該細(xì)分領(lǐng)域“單項冠軍”，年度營收實現(xiàn)三倍躍升，獲得發(fā)明專利超十項。

芯聯(lián)資本作為投資方之一，背靠新能源芯片與系統(tǒng)代工領(lǐng)軍企業(yè)芯聯(lián)集成，硅酷科技是芯聯(lián)集成功率模塊貼片機(jī)重要供應(yīng)商，雙方在IGBT/SiC功率模塊貼片機(jī)領(lǐng)域已形成全面深入的合作。芯聯(lián)資本表示，參與硅酷科技本輪融資，體現(xiàn)出雙方對彼此業(yè)務(wù)協(xié)同合作的高度認(rèn)可和持續(xù)深入合作的意愿，未來雙方將進(jìn)一步深化合作關(guān)系，共同助力半導(dǎo)體關(guān)鍵封裝設(shè)備國產(chǎn)替代，構(gòu)建自主可控產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：企查查截圖

賽英電子是一家專業(yè)從事陶瓷管殼和封裝散熱基板等功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵部件研發(fā)、制造和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于晶閘管、IGBT和IGCT等功率半導(dǎo)體器件，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋發(fā)電、輸電、變電、配電、用電等電力系統(tǒng)全產(chǎn)業(yè)鏈，在特高壓輸變電、新能源發(fā)電、工業(yè)控制、新能源汽車、智算中心、軌道交通等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

業(yè)績方面，根據(jù)該賽英電子已披露的2025三季報，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.383億元，同比增長38.43%，凈利潤6955萬元，同比增長31.98%。

今年8月，媒體報道賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項目正式開工。該項目聚焦半導(dǎo)體工藝設(shè)備的研發(fā)與制造，總投資超5億元，分為兩期，建成達(dá)產(chǎn)后，將具備新增平底型散熱基板以及針齒型散熱基板的生產(chǎn)能力。項目一期計劃于明年年底建成投用。

此次IPO，賽英電子募投項目聚焦核心業(yè)務(wù)升級，2.7億元募資將主要用于功率半導(dǎo)體模塊散熱基板生產(chǎn)基地建設(shè)、研發(fā)中心升級及補(bǔ)充流動資金三大方向。其中，散熱基板生產(chǎn)基地項目達(dá)產(chǎn)后，將新增1200萬片平底型與600萬片針齒型封裝散熱基板產(chǎn)能，進(jìn)一步提升該公司在核心產(chǎn)品領(lǐng)域的供給能力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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公開信息顯示，安意法成立于2023年8月，由三安光電通過全資子公司持股51%，意法半導(dǎo)體持股49%，核心定位為8英寸車規(guī)級SiC功率器件的外延與芯片制造，產(chǎn)品將獨(dú)家供應(yīng)意法半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、儲能等高端領(lǐng)域。該項目計劃總投資約230億元（約32億美元），規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能48萬片，相當(dāng)于每周約1萬片的生產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計2028年實現(xiàn)滿產(chǎn)。

安意法產(chǎn)線于2023年9月開工建設(shè)，2024年11月底達(dá)到“點(diǎn)亮”條件，2025年2月27日正式通線，9月進(jìn)入產(chǎn)品可靠性驗證階段，如今順利完成多款產(chǎn)品驗證并進(jìn)入風(fēng)險量產(chǎn)，全程節(jié)奏緊湊，符合前期規(guī)劃預(yù)期。

據(jù)行業(yè)人士解讀，風(fēng)險量產(chǎn)介于小批量驗證與大規(guī)模量產(chǎn)之間，核心目標(biāo)是在試產(chǎn)過程中暴露并解決工藝穩(wěn)定性、產(chǎn)品良率、長期可靠性等關(guān)鍵問題，為后續(xù)規(guī)模化量產(chǎn)筑牢質(zhì)量與成本基礎(chǔ)，此階段產(chǎn)品仍以驗證性交付和小批量供應(yīng)為主。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：創(chuàng)新松山湖-圖為天域半導(dǎo)體東莞松山湖生態(tài)園新生產(chǎn)基地

隨著首批生產(chǎn)設(shè)備正式啟動運(yùn)行，該基地新增38萬片/年SiC外延產(chǎn)能，與松山湖總部42萬片/年產(chǎn)能形成“雙核驅(qū)動”格局，企業(yè)總產(chǎn)能一舉躍升至80萬片/年，遠(yuǎn)期規(guī)劃產(chǎn)能將達(dá)200萬片/年，為國內(nèi)新能源汽車、光伏儲能等高端領(lǐng)域的SiC功率器件國產(chǎn)替代提供核心材料支撐。

作為國內(nèi)首批實現(xiàn)SiC外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，#天域半導(dǎo)體?先后在國內(nèi)率先實現(xiàn)4英寸、6英寸SiC外延片量產(chǎn)，此次通線的新產(chǎn)線聚焦高附加值的6/8英寸車規(guī)級SiC外延片。

據(jù)企業(yè)相關(guān)披露，其8英寸SiC外延片已實現(xiàn)量產(chǎn)，2025年前五個月毛利率達(dá)49.8%，憑借優(yōu)異的性能與穩(wěn)定性，成為企業(yè)核心增長引擎。新基地總投資約80億元，核心供應(yīng)鏈國產(chǎn)化率高達(dá)99.8%，從設(shè)備到原材料的自主可控，大幅降低了生產(chǎn)風(fēng)險。

通線儀式當(dāng)日，天域半導(dǎo)體同步舉行產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略合作簽約儀式，上游端與天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天科合達(dá)等頭部襯底企業(yè)，下游端與士蘭微、瞻芯電子、芯粵能等器件領(lǐng)軍企業(yè)，以及中信銀行、工商銀行等六家金融機(jī)構(gòu)達(dá)成深度合作。此次簽約構(gòu)建了“襯底—外延—器件”全鏈條協(xié)同生態(tài)，將有效縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、提升供應(yīng)鏈響應(yīng)效率，推動SiC產(chǎn)業(yè)從技術(shù)突破向規(guī)?；瘧?yīng)用加速邁進(jìn)。

值得關(guān)注的是，天域半導(dǎo)體于12月5日正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。本次IPO以58港元/股的價格發(fā)行3007.05萬股新股，募資總額17.44億港元，募集資金將主要用于未來五年內(nèi)擴(kuò)充產(chǎn)能、強(qiáng)化研發(fā)創(chuàng)新、戰(zhàn)略投資及/或收購、拓展全球市場網(wǎng)絡(luò)及補(bǔ)充營運(yùn)資金等方向。此次新產(chǎn)線通線是天域半導(dǎo)體上市后的首個重大產(chǎn)能落地項目。

圖片來源：東莞市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會

行業(yè)分析人士指出，當(dāng)前全球SiC功率器件市場正處于快速增長期，新能源汽車的電動化、智能化升級帶動SiC材料需求激增，而外延片作為SiC器件制造的核心環(huán)節(jié)，長期存在供給缺口。天域半導(dǎo)體新產(chǎn)線的投產(chǎn)，將有效緩解國內(nèi)高端SiC外延片的供給緊張局面，加速8英寸大尺寸技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化迭代。

據(jù)悉，天域半導(dǎo)體新產(chǎn)線將在未來兩年重點(diǎn)推進(jìn)8英寸產(chǎn)能爬坡，逐步實現(xiàn)產(chǎn)能釋放。隨著產(chǎn)線的全面達(dá)產(chǎn)，規(guī)模效應(yīng)將進(jìn)一步顯現(xiàn)，不僅能降低SiC外延片的單位成本，還將增強(qiáng)企業(yè)在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的定價能力與供應(yīng)鏈安全能力，推動SiC功率器件在新能源汽車、工業(yè)電源、光伏儲能等領(lǐng)域的大規(guī)模普及。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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作為新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等高端場景的核心支撐器件，第三代半導(dǎo)體憑借高耐壓、高頻率、低損耗等優(yōu)勢，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次年會上，三家企業(yè)均強(qiáng)調(diào)，將持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的投入，通過產(chǎn)能擴(kuò)張、技術(shù)優(yōu)化與生態(tài)構(gòu)建，推動SiC/GaN器件的規(guī)?；瘧?yīng)用與成本下降，助力下游產(chǎn)業(yè)綠色低碳轉(zhuǎn)型。

英飛凌：虛擬工廠戰(zhàn)略賦能產(chǎn)能爬坡，SiC/GaN協(xié)同布局高端市場

英飛凌功率與傳感系統(tǒng)事業(yè)部高管在12月10日的發(fā)言中明確表示，公司SiC產(chǎn)能正按計劃持續(xù)爬坡，目標(biāo)是2026年將SiC模塊在新能源汽車主驅(qū)的滲透率進(jìn)一步提升。依托新一代CoolSiC?器件的技術(shù)優(yōu)勢，通過優(yōu)化能量與電荷指標(biāo)，可有效幫助客戶降低系統(tǒng)能耗與成本。據(jù)介紹，英飛凌最新推出的CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，導(dǎo)通損耗較前代產(chǎn)品降低15%，且具備更高的可靠性，已廣泛適配新能源汽車主驅(qū)、光伏逆變器等核心場景。

在GaN領(lǐng)域，英飛凌將快充與數(shù)據(jù)中心電源作為規(guī)?；瘧?yīng)用的重點(diǎn)方向，通過封裝與熱管理方案迭代，加速GaN與硅基方案的成本平價。值得關(guān)注的是，其300mm GaN晶圓工藝已進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，預(yù)計2025年第四季度向客戶交付樣品，將有效支撐AI電源與車載OBC的快速擴(kuò)產(chǎn)需求。

為保障產(chǎn)能協(xié)同與交付效率，英飛凌正推進(jìn)“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能，通過數(shù)字技術(shù)實現(xiàn)不同基地的技術(shù)、流程協(xié)同優(yōu)化。其中，投資50億歐元的居林第三工廠擴(kuò)建項目重點(diǎn)聚焦8英寸GaN和SiC晶圓生產(chǎn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化其在“硅+碳化硅+氮化鎵”領(lǐng)域的全能競爭優(yōu)勢。

意法半導(dǎo)體：錨定200mm SiC產(chǎn)能擴(kuò)張，強(qiáng)化本土化供應(yīng)鏈布局

意法半導(dǎo)體總裁兼CFO Lorenzo Grandi在12月11日的發(fā)言中指出，公司正全力推進(jìn)200mm SiC產(chǎn)能擴(kuò)張，這是降低SiC器件成本、滿足新能源汽車與光伏逆變器需求增長的核心路徑。公司目標(biāo)通過規(guī)模化制造與封裝優(yōu)化，持續(xù)提升SiC在主驅(qū)逆變器等核心場景的性價比競爭力。

據(jù)悉，意法半導(dǎo)體位于意大利阿格拉泰的300mm工廠將成為智能電源旗艦基地，2025—2027年投資重心將集中于SiC制造與封裝能力的階梯式擴(kuò)產(chǎn)，以確保供應(yīng)鏈韌性與交付確定性。

在GaN領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體計劃復(fù)制SiC在汽車市場的成功路徑，依托與英諾賽科的8英寸GaN晶圓合作及法國圖爾的8英寸產(chǎn)線，加速GaN在快充、服務(wù)器電源的規(guī)?；涞亍?/p>

此外，意法半導(dǎo)體與英飛凌在重慶的合資工廠預(yù)計于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國電動汽車市場，形成“歐洲設(shè)計+中國制造”的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟格局。

安森美：綁定車企長單保障增長，以EliteSiC生態(tài)構(gòu)建全鏈優(yōu)勢

安森美汽車方案事業(yè)部負(fù)責(zé)人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進(jìn)SiC襯底與器件端的全面擴(kuò)產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標(biāo)提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。

技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導(dǎo)通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。

圖片來源：意法半導(dǎo)體

在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。

安森美強(qiáng)調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進(jìn)。

結(jié)語

行業(yè)分析指出，此次三家半導(dǎo)體巨頭在巴克萊全球科技年會上的集中發(fā)聲，不僅展現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的明確趨勢，也反映出全球產(chǎn)業(yè)鏈對高端功率器件需求的持續(xù)升溫。

隨著產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)迭代的推進(jìn)，SiC/GaN器件成本將逐步下降，滲透率有望在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅提升，為全球新能源產(chǎn)業(yè)與數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供核心支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：惠豐鉆石公告截圖

惠豐鉆石表示，該計劃分兩期實施，具體各期投資規(guī)模及進(jìn)度由公司根據(jù)市場情況及設(shè)備迭代情況隨時調(diào)整。其中一期投資約5億元，擬安裝500臺MPCVD設(shè)備，主要從事CVD培育鉆石及CVD金剛石膜的研發(fā)與生產(chǎn)，根據(jù)市場行情及設(shè)備迭代情況在4-5年內(nèi)完成投產(chǎn)。同時為保障本項目順利推進(jìn)，惠豐鉆石擬與包頭市昆都侖區(qū)人民政府簽訂投資協(xié)議。

資料顯示，惠豐鉆石是一家專注于人造金剛石材料領(lǐng)域的國家級高新技術(shù)企業(yè)，2022年登陸北交所，成為中國超硬材料行業(yè)首家北交所上市公司。

其主營業(yè)務(wù)聚焦人造單晶金剛石微粉、金剛石破碎整形料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，近年進(jìn)一步延伸至CVD培育鉆石及金剛石膜（含半導(dǎo)體級）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化布局，產(chǎn)品涵蓋微粉、精微粉、超純微粉、高強(qiáng)整形料、改性微粉、單晶納米金剛石及CVD培育鉆石等。

惠豐鉆石稱，本次投資符合公司發(fā)展需要，有利于提高公司經(jīng)濟(jì)效益，增強(qiáng)公司后續(xù)可持續(xù)發(fā)展能力，對公司運(yùn)營和發(fā)展具有積極意義，不存在損害公司及全體股東利益的情形。本次交易不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，亦不構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易。

行業(yè)分析認(rèn)為，惠豐鉆石該項目將強(qiáng)化公司CVD金剛石材料產(chǎn)能，金剛石膜可用于超寬禁帶半導(dǎo)體散熱、功率器件襯底等場景，契合第四代半導(dǎo)體材料應(yīng)用趨勢。

此外，根據(jù)雙方簽訂的協(xié)議，基于惠豐鉆石項目對包頭當(dāng)?shù)氐慕?jīng)濟(jì)發(fā)展、完善CVD金剛石產(chǎn)業(yè)鏈、增加就業(yè)崗位等方面的重要意義，依據(jù)相關(guān)政策，雙方進(jìn)一步協(xié)商，包頭市昆都侖區(qū)人民政府在戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)申報、新能源風(fēng)力發(fā)電建設(shè)指標(biāo)及爭取專項資金等方面給予惠豐鉆石優(yōu)惠政策支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：中微公司公告截圖

中微公司正在籌劃通過發(fā)行股份的方式，購買#杭州眾硅 電子科技有限公司（以下簡稱“杭州眾硅”）控股權(quán)并募集配套資金。該交易尚處于籌劃階段，截至公告披露日，本次交易的審計、評估工作尚未完成，標(biāo)的資產(chǎn)估值及定價尚未確定。

資料顯示，中微公司是國內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備廠商，等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國際一線客戶先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進(jìn)存儲、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。

今年前三季度，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入80.63億元，同比增長約46.40%。其中刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長約38.26%；LPCVD（低壓力化學(xué)氣相沉積法）和ALD（原子層沉積）等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%；同期實現(xiàn)歸母凈利潤為12.11億元，同比增長約32.66%。

杭州眾硅成立于2018年5月，公司主營業(yè)務(wù)為高端化學(xué)機(jī)械平坦化拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，并為客戶提供CMP設(shè)備的整體解決方案，主要產(chǎn)品為12英寸的CMP設(shè)備。

中微公司表示，本次交易旨在為客戶提供更具競爭力的成套工藝解決方案。中微公司的主要產(chǎn)品是等離子體刻蝕和薄膜沉積設(shè)備，屬于真空下的干法設(shè)備。杭州眾硅所開發(fā)的是濕法設(shè)備里面重要的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）?？涛g、薄膜和濕法設(shè)備，是除光刻機(jī)以外最為核心的半導(dǎo)體工藝加工設(shè)備。通過本次并購，雙方將形成顯著的戰(zhàn)略協(xié)同，同時標(biāo)志著中微公司向“集團(tuán)化”和“平臺化”邁出關(guān)鍵一步，符合公司通過內(nèi)生發(fā)展與外延并購相結(jié)合、持續(xù)拓展集成電路覆蓋領(lǐng)域的戰(zhàn)略規(guī)劃。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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星光陶技始建于1995年，還是中國首家與德國FCT精細(xì)技術(shù)陶瓷有限公司共同出資組建的高級碳化硅窯具制造企業(yè)。其核心業(yè)務(wù)是生產(chǎn)重結(jié)晶碳化硅和氮化硅結(jié)合碳化硅系列制品，為陶瓷及相關(guān)行業(yè)提供高品質(zhì)節(jié)能窯具、高溫窯爐配件和高附加值結(jié)構(gòu)部件，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋高溫氧化鋁氧化鋯制品、日用陶瓷、鋰電池、冶金化工等多個領(lǐng)域。

經(jīng)過多年發(fā)展，該公司產(chǎn)品已銷往世界21個國家和地區(qū)，還通過了ISO9001:2000質(zhì)量管理體系認(rèn)證，產(chǎn)品質(zhì)量和性能達(dá)到世界先進(jìn)水平。目前除了工業(yè)窯爐領(lǐng)域，它還在環(huán)保行業(yè)陶瓷膜、半導(dǎo)體行業(yè)材料等新領(lǐng)域拓展應(yīng)用。

盛京金控成立于2017年6月，是沈陽市國有金融資本集聚平臺，注冊資本達(dá)218.89億元。其核心定位是立足金融服務(wù)實體經(jīng)濟(jì)，通過股權(quán)投資、基金管理等多種方式支持區(qū)域內(nèi)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)和科創(chuàng)企業(yè)發(fā)展。

對星光陶技而言，新的融資的資金將為其技術(shù)研發(fā)提供助力，比如進(jìn)一步優(yōu)化碳化硅制品的性能、拓展在半導(dǎo)體、光伏等新領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)；同時也能支撐其市場拓展，強(qiáng)化現(xiàn)有海外市場布局并開拓新的國內(nèi)國際市場，提升在高級碳化硅制品領(lǐng)域的行業(yè)競爭力。

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據(jù)悉，本屆IEDM上，小米集團(tuán)手機(jī)部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文成功入選，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices分會場首個亮相。

小米技術(shù)官方微信表示，此次入選標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)在移動終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，并獲得國際頂尖學(xué)術(shù)平臺的高度認(rèn)可。

1、研究背景

小米指出，在當(dāng)前移動通信技術(shù)從5G/5G-Advanced向6G演進(jìn)的關(guān)鍵階段，手機(jī)射頻前端器件正持續(xù)面臨超高效率、超寬帶、超薄化與小型化的多重技術(shù)挑戰(zhàn)。以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高臨界擊穿電場與優(yōu)異的熱導(dǎo)性能，被視為突破當(dāng)前射頻功放性能瓶頸的重要技術(shù)方向之一。

傳統(tǒng)GaN器件主要面向通信基站設(shè)計，通常需在28V/48V的高壓下工作，無法與手機(jī)終端現(xiàn)有的低壓供電系統(tǒng)相兼容，這成為其在移動設(shè)備中規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵障礙。

為攻克這一難題，研究團(tuán)隊聚焦于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)路線，通過電路設(shè)計與半導(dǎo)體工藝的協(xié)同創(chuàng)新，成功開發(fā)出面向手機(jī)低壓應(yīng)用場景的射頻氮化鎵高遷移率電子晶體管（GaN HEMT）技術(shù)，并率先在手機(jī)平臺上完成了系統(tǒng)級性能驗證，為6G時代終端射頻架構(gòu)的演進(jìn)奠定了關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

2、研究方法和實驗

在外延結(jié)構(gòu)方面，本研究重點(diǎn)圍繞降低射頻損耗與優(yōu)化歐姆接觸兩大關(guān)鍵問題展開技術(shù)攻關(guān)。

一方面，通過實施原位襯底表面預(yù)處理，并結(jié)合熱預(yù)算精確調(diào)控的 AlN成核層工藝，顯著抑制了Si基GaN外延中的界面反應(yīng)與晶體缺陷，有效降低了射頻信號傳輸過程中的襯底耦合損耗與緩沖層泄漏，使其射頻性能逼近當(dāng)前先進(jìn)的SiC基GaN器件水平。

另一方面，通過開發(fā)高質(zhì)量再生長歐姆接觸新工藝，在降低界面勢壘與提升載流子注入效率方面取得突破，實現(xiàn)了極低的接觸電阻與均勻一致的方塊電阻，為提升器件跨導(dǎo)、輸出功率及高溫穩(wěn)定性奠定了工藝基礎(chǔ)。

圖片來源：小米技術(shù)

得益于外延設(shè)計優(yōu)化與工藝創(chuàng)新，該#晶體管 能夠在10V工作電壓下，實現(xiàn)了功率附加效率突破80%、輸出功率密度達(dá)2.84W/mm的卓越性能。

圖片來源：小米技術(shù)

結(jié)合手機(jī)終端產(chǎn)品的器件需求定義，我們進(jìn)一步制定了器件的具體實現(xiàn)方案。該方案針對耗盡型高電子遷移率晶體管（D-Mode HEMT）的常開特性，設(shè)計了專用的柵極負(fù)壓供電架構(gòu)，通過精確的負(fù)壓偏置與緩啟動電路，確保器件在開關(guān)過程中保持穩(wěn)定可靠，有效規(guī)避誤開啟與擊穿風(fēng)險。

在模組集成層面，通過多芯片協(xié)同設(shè)計與封裝技術(shù)，實現(xiàn)了GaN HEMT工藝的功放芯片與Si CMOS工藝的電源管理芯片在模組內(nèi)進(jìn)行高密度封裝集成。最終，該器件在手機(jī)射頻前端系統(tǒng)中完成了關(guān)鍵性能指標(biāo)的全面驗證，為低壓氮化鎵技術(shù)在下一代移動通信終端中的應(yīng)用提供重要參考。

3、結(jié)語
小米認(rèn)為，相較于傳統(tǒng)的GaAs基功率放大器，在保持相當(dāng)線度性的同時，研究團(tuán)隊開發(fā)的低壓氮化鎵功放展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。最終，該器件實現(xiàn)了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同時兼顧通信系統(tǒng)的線性度和功率等級要求，在系統(tǒng)級指標(biāo)上達(dá)成重要突破。

這一成果的實現(xiàn)，標(biāo)志著低壓硅基氮化鎵射頻技術(shù)從器件研發(fā)成功跨越至系統(tǒng)級應(yīng)用。這不僅從學(xué)術(shù)層面驗證了該技術(shù)的可行性，更在產(chǎn)業(yè)層面彰顯了其在新一代高效移動通信終端中的巨大潛力。小米將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動該技術(shù)向更復(fù)雜的通信場景拓展，加速其在移動終端領(lǐng)域的規(guī)?；逃眠M(jìn)程。

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