01、納微半導體：營收承壓，聚焦氮化鎵

5月5日，納微半導體 公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務業(yè)績。

公告顯示，納微半導體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。本季度的GAAP運營虧損為2,530萬美元，相比2024年同期的3,160萬美元虧損和2024年第四季度的3,900萬美元虧損有所減少。非GAAP運營虧損為1,180萬美元，與2024年同期持平，低于2024年第四季度的1,270萬美元。截至2025年3月31日，現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物為7,510萬美元。

source：集邦化合物半導體截圖

在業(yè)務展望上，納微半導體表示預計2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預計為38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運營費用預計約為1,550萬美元。

此外，納微半導體表示，在未來的12月里，納微氮化鎵將在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能微逆和電動汽車等新主流市場實現(xiàn)應用增長。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“納微在第一季度取得了多個行業(yè)首創(chuàng)成果，包括全球首款量產(chǎn)級雙向氮化鎵功率芯片、一款12kW AI數(shù)據(jù)中心電源參考設計，以及氮化鎵和碳化硅技術達到了前所未有的可靠性標準?！?br /> 納微半導體成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。

此前3月，納微半導體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅動器。4月，納微半導體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關系。

source：納微芯球

02、天岳先進：營收微降，加碼研發(fā)

4月30日，天岳先進 發(fā)布了2025年一季度財報。財報顯示，2025年第一季度公司營業(yè)總收入4.08億元，同比下降4.25%；歸母凈利潤851.82萬元，同比降幅達81.52%；扣非凈利潤359.58萬元，同比下降91.75%?；久抗墒找?.02元，加權平均凈資產(chǎn)收益率0.16%，同比下降0.72個百分點。

source：集邦化合物半導體截圖

天岳先進在報告中強調，業(yè)績波動主要受大尺寸產(chǎn)品研發(fā)費用增加、管理費用中介費增加以及其他收益進項稅加計抵扣減少所致。

據(jù)2025年一季報，天岳先進加大了研發(fā)投入，一季度研發(fā)支出4494萬元，同比激增101.67%，占營收比例達11.02%，重點投向12英寸碳化硅襯底、光學級碳化硅材料等前沿領域。

市場布局方面，天岳先進碳化硅襯底出貨量持續(xù)增長，公司同步推進碳化硅材料在新能源汽車800V高壓平臺、AI算力基礎設施及AR眼鏡等新興場景的應用。

作為全球碳化硅半導體材料領軍企業(yè)，天岳先進專注于高品質碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。

此前在SEMICON China2025展會上，天岳先進全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電p型及12英寸導電n型碳化硅襯底。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

近期，南京日報深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)始人袁振洲，揭秘我國8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)背后的“晶體種植術”。

袁振洲指出，“種”晶體的主要材料就是籽晶和高純度碳化硅粉料。籽晶是形成晶體的‘種子’，當溫度升至2300℃以上時，高純度碳化粉料升華，傳輸至籽晶附近，達到過飽和狀態(tài)后重新結晶，逐漸形成完美的晶體。隨后通過精細的切割、研磨和拋光工序，這些晶體被轉化為光滑的單晶襯底，襯底尺寸越大，所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多。

隨著尺寸的增大，內(nèi)部晶體缺陷的風險也相應增加。面對這些挑戰(zhàn)，袁振洲帶領團隊不斷攻克難關，先后突破了低應力晶體生長、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術等多項關鍵技術難點，形成了一整套具有自主知識產(chǎn)權的工藝。如今，超芯星已成為國內(nèi)少數(shù)幾家能夠批量供應碳化硅襯底片的企業(yè)之一，同時也是江蘇省內(nèi)唯一一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司。

展望未來，袁振洲表示公司近期目標是推動8英寸碳化硅襯底的大規(guī)模量產(chǎn)，同時，致力于打造品牌影響力，為南京的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新貢獻力量。

02、重投天科6&8吋產(chǎn)品已推向市場

深圳特區(qū)報消息，深圳市重投天科半導體有限公司（以下簡稱“重投天科”）主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱：“北京天科合達”）和市屬國企深重投集團兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導體企業(yè)。

該公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道，這里曾經(jīng)是一片荒蕪的土地，經(jīng)過五年的發(fā)展，如今已建起大片廠房，總建筑面積達到179045平方米，深圳市第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)園從藍圖變?yōu)楝F(xiàn)實。

source：深圳市寶安區(qū)半導體行業(yè)協(xié)會

報道指出，重投天科高質量的6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場。據(jù)悉，按照正常設計、施工工期，產(chǎn)業(yè)園建設工期需要約28個月，面對市場對于產(chǎn)能的迫切需求，重投天科最終僅用了19個月實現(xiàn)產(chǎn)線順利投產(chǎn)。

03、晶升股份8英寸設備持續(xù)推進

近期，晶升股份發(fā)布2024年報和2025年一季報，公司2024年實現(xiàn)營業(yè)收入4.25億元，同比增長4.78%；2025Q1實現(xiàn)營業(yè)收入0.71億元，同比減少12.69%。

晶升股份是國內(nèi)晶體生長設備領域龍頭企業(yè)之一，碳化硅單晶爐領域，晶升股份是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)8英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)的企業(yè)。

此外，該公司還前瞻性布局8英寸碳化硅長晶設備，自主研發(fā)的SCMP系列單晶爐已實現(xiàn)批量供應，為未來3年至5年碳化硅襯底向大尺寸迭代提供設備保障。（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

該設備專為砷化物/磷化物應用設計，采用創(chuàng)新的注入器和先進溫控技術，使關鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時，具備全自動盒到盒操作能力，并通過原位清洗確保工藝穩(wěn)定性，為高質量PIC生產(chǎn)提供了可靠保障。

愛思強成立于1983年，其技術解決方案廣泛應用于激光/LED、顯示技術、數(shù)據(jù)傳輸、電源管理等前沿領域。

SMART Photonics是愛思強的長期合作伙伴，成立于2012年，依托埃因霍溫理工大學的技術支持，已成為歐洲領先的InP PIC代工廠。

此次設備交付，標志著兩家公司在磷化銦光子集成電路制造領域的合作進入新階段，將為全球光電子產(chǎn)業(yè)鏈提供更強大的技術支持。

業(yè)界指出，近年，得益于5G/6G通信、醫(yī)療健康、人工智能等領域的快速發(fā)展，以及汽車激光雷達等傳感技術的廣泛應用，基于磷化銦的光子集成電路市場需求快速上升。愛思強G10-AsP系統(tǒng)有望提升SMART Photonics在GaAs/InP材料領域的大規(guī)模生產(chǎn)能力，助力其應對快速增長的市場需求。（集邦化合物半導體 Flora 整理）

近期，基本半導體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求；英飛凌則將基于溝槽的SiC超結技術（TSJ）引入其CoolSiC產(chǎn)品線，實現(xiàn)器件性能與能效的雙重躍升。兩項技術進展顯示，碳化硅功率器件正朝著提升集成度和降低損耗的方向發(fā)展，有助于下游應用實現(xiàn)能效提升。

1、基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

5月6日，#基本半導體?官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等領域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲逆變器等領域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。

據(jù)基本半導體介紹，其中的650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級下實現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。

這一系列新品將顯著提升終端應用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領域實現(xiàn)更高效、更經(jīng)濟的功率器件解決方案。

source：基本半導體（圖為新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表）

2、英飛凌推出基于溝槽的SiC超結技術

5月6日，#英飛凌?科技股份公司宣布，其CoolSiC產(chǎn)品線正式引入基于溝槽的碳化硅超結技術（TSJ），將電壓覆蓋范圍擴展至400V至3.3kV，全面覆蓋汽車電驅動、電動汽車充電、光伏逆變、儲能系統(tǒng)及工業(yè)牽引等核心領域。

英飛凌此次技術升級延續(xù)了其在硅基超結技術（CoolMOS）領域的技術積淀，通過將溝槽柵極結構與超結電荷平衡原理結合，實現(xiàn)了器件性能的突破性提升。

英飛凌表示，英飛凌正在利用 SiC TSJ 技術逐步擴展其 CoolSiC 產(chǎn)品組合。此次擴展將涵蓋多種封裝類型，包括分立器件、模制和基于框架的模塊，以及裸片。擴展后的產(chǎn)品組合將滿足廣泛的應用需求，同時針對汽車和工業(yè)領域。

3、結語

當前碳化硅技術突破正推動器件性能與能效持續(xù)提升，基本半導體與英飛凌的技術進展為新能源汽車、光伏儲能等場景提供了更優(yōu)的功率解決方案。隨著工藝成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，碳化硅器件的規(guī)?；瘧眠M程有望進一步加速。（集邦化合物半導體 niko 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車時代半導體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領先的電力電子供應商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時代半導體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術的開發(fā)與供應領域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時代半導體則將提供先進的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術。雙方的合作將聚焦于以下幾個方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項目，優(yōu)化芯片設計與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時代半導體的國內(nèi)技術優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應用。

客戶服務：通過雙方的技術支持與服務網(wǎng)絡，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們在為中國客戶提供先進、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時代半導體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術的開發(fā)與應用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術賦能家電智能化

與此同時，國內(nèi)領先的第三代半導體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認為是未來電力電子領域的關鍵材料之一。美的廚熱作為全球領先的家電制造商，一直致力于推動家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術的應用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術優(yōu)化：結合英諾賽科的 GaN 技術優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設計經(jīng)驗，優(yōu)化 GaN 功率器件的應用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術在家用電器領域的推廣與應用，提升市場認可度。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

source：集邦化合物半導體截圖

調整后每股盈利方面，安森美半導體表現(xiàn)尚可，為0.55美元，高于市場預期的0.5美元。同時，公司對當前季度（2025年第二財季）的業(yè)績展望相對樂觀，預計調整后每股盈利為0.48至0.58美元，營收為14億至15億美元，其中值略高于市場預期的14.1億美元。

2025財年第一季度，各業(yè)務部門表現(xiàn)如下：電源方案部（PSG）營收6.451億美元，同比下降26%；模擬與混合信號部（AMG）營收5.664億美元，同比下降19%；智能感知部（ISG）營收2.342億美元，同比下降20%。這表明公司各業(yè)務部門表現(xiàn)不一，部分業(yè)務面臨挑戰(zhàn)。

source：集邦化合物半導體截圖

安森美半導體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 表示，盡管面臨經(jīng)濟下行和市場需求疲軟的挑戰(zhàn)，公司仍保持財務紀律并推進長期戰(zhàn)略。他認為，當前的財報體現(xiàn)了公司穩(wěn)健的執(zhí)行力。

盡管首財季業(yè)績不佳，安森美半導體仍在積極采取措施應對挑戰(zhàn)，尋求新的增長機遇。公司計劃在2025年將股份回購增至自由現(xiàn)金流的100%，顯示其對自身業(yè)務的信心。此外，安森美半導體在碳化硅（SiC）技術領域展現(xiàn)強勁勢頭，尤其在中國電動汽車市場，其碳化硅技術的應用前景廣闊。公司預計，隨著碳化硅技術的進一步推廣和應用，這將為公司帶來新的收入增長點。

據(jù)悉，近期安森美推出了基于碳化硅的智能功率模塊，旨在降低能耗和整體系統(tǒng)成本。公司在捷克的碳化硅工廠擴建項目也在穩(wěn)步推進中，預計將顯著提升其碳化硅晶圓的產(chǎn)能。

對于2025財年第二季度，安森美半導體預計營收為14億至15億美元，經(jīng)調整后每股盈利為0.48至0.58美元。這一預期反映了公司對市場環(huán)境的謹慎態(tài)度，并表明公司正努力調整業(yè)務策略以適應不斷變化的市場需求。

此外，公司上月終止了對小型競爭對手Allegro MicroSystems高達69億美元的收購案，原因是對方董事會未能充分回應其并購提案。

總體而言，安森美半導體首財季業(yè)績不佳，收入下滑并由盈轉虧，反映了當前半導體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)，尤其是在汽車需求疲軟和關稅政策變化的影響下。盡管公司對下一季度的業(yè)績展望相對樂觀，但其能否在復雜的市場環(huán)境中持續(xù)復蘇仍有待觀察。（集邦化合物半導體 王奇 整理）

source：星曜半導體

據(jù)悉，星曜半導體此次戰(zhàn)略收購涵蓋該工廠生產(chǎn)設備、軟件、成熟的封裝體系及運營和技術團隊，標志著星曜半導體在射頻濾波器領域實現(xiàn)“研發(fā)設計-晶圓制造-封裝測試”全產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)，徹底打通5G射頻前端核心器件的國產(chǎn)化命脈。

官方資料顯示，韓國威盛（Wisol）自1992年起深耕聲表面波濾波器（SAW）領域，于2009年在中國天津設立首家海外生產(chǎn)基地，其SAW濾波器市場占有率曾長期位居世界前列，其威盛天津工廠具備大規(guī)模封裝量產(chǎn)能力和本土化供應鏈體系。

去年年末消息，星曜半導體的5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項目迎來投產(chǎn)，原計劃于今年2月實現(xiàn)產(chǎn)品交付客戶。該項目填補了溫州集成電路產(chǎn)業(yè)鏈制造領域的空白，總投資7.5億元，預計投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片高性能射頻濾波器晶圓片。

移動通信中常用的射頻濾波器可分為聲表面波（SAW）和體聲波（BAW）濾波器，作為無線通信系統(tǒng)的核心部件，是實現(xiàn)無線模擬信號和數(shù)字信號互相轉換的基礎部件。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，全球射頻濾波器市場主要由國外廠商占據(jù)。其中Murata、TDK、Taiyo Yuden（太陽誘電）、Skyworks四大廠商合計占據(jù)全球SAW市場約95%的份額，Broadcom、Qorvo等廠商占據(jù)全球BAW市場95%以上的份額。目前中國射頻濾波器本土產(chǎn)品市占率不足5%。

據(jù)悉，中國本土射頻濾波器代表企事業(yè)單位主要包括中電26所、中電55所、好達電子、德清華瑩、卓勝微、立昂微、信維通信、麥捷科技等企業(yè)。

星曜半導體表示，依托全產(chǎn)業(yè)鏈整合優(yōu)勢，伴隨溫州晶圓制造基地和天津封裝工廠產(chǎn)能和效能的提升，公司預計將實現(xiàn)濾波器量產(chǎn)規(guī)模的突破性增長，顯著提升國產(chǎn)射頻芯片的市場競爭力。

公開資料顯示，星曜半導體成立于2020年11月，在短短四年半時間內(nèi)，已構建起完整的射頻前端技術開發(fā)能力，發(fā)展速度創(chuàng)下行業(yè)紀錄，已成為國內(nèi)射頻濾波器和射頻模組領域的中堅力量?；诟黝怱AW、BAW、IPD等技術，目前已開發(fā)100多款成熟發(fā)射/接收濾波器、雙工器、四工器等芯片產(chǎn)品；基于SOI、GaAs、CMOS等工藝，已開發(fā)全套射頻接收模組產(chǎn)品和部分發(fā)射模組產(chǎn)品；絕大多數(shù)產(chǎn)品性能達到國內(nèi)領先、國際一流水平，多款產(chǎn)品已量產(chǎn)交付國內(nèi)外知名客戶。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

Octric Semiconductors，這家位于達勒姆郡牛頓艾克利夫的晶圓廠前身為美國Coherent公司旗下砷化鎵（GaAs）生產(chǎn)基地，2024年9月被英國防部以2700萬英鎊收購并更名。

據(jù)悉，此次注資將專項用于擴建軍用砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)線，兩類化合物半導體廣泛應用于軍用雷達系統(tǒng)、電力電子設備及先進航空平臺。為推進產(chǎn)能擴張，Octric正面向全球招募具備磷化銦（InP）等化合物半導體研發(fā)經(jīng)驗的工程師團隊。

此次投資標志著英國加速半導體自主化進程的重要舉措，旨在降低對海外供應鏈的依賴，確保從5G通信到高超音速武器等尖端裝備的芯片供應安全。

資料顯示，英國正通過多維度的戰(zhàn)略部署，加速構建化合物半導體領域的全球競爭力，其布局涵蓋政策扶持、技術研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈整合及國際合作等關鍵環(huán)節(jié)。

英國政府將化合物半導體列為半導體戰(zhàn)略的核心方向，2023年啟動10億英鎊國家半導體支持計劃，明確聚焦化合物半導體、芯片設計及研發(fā)創(chuàng)新。

同時，英國在化合物半導體領域具備深厚的科研底蘊并形成了產(chǎn)業(yè)集群?？ǖ戏虼髮W化合物半導體研究所專注GaAs、GaN等材料的基礎研究，其技術已應用于5G通信、國防雷達等領域。威爾士CS Connected集群聚集IQE、Microsemi等龍頭企業(yè)，覆蓋從外延片生產(chǎn)到封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈；東北部NEAME集群：以氮化鎵（GaN）材料為特色，服務電動汽車、5G基站等高增長市場。（集邦化合物半導體整理）

1、連科半導體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會在無錫組織召開科技成果評價會。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團周旗鋼教授以及來自東南大學，南京航空航天大學，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導體有限公司等單位完成的兩項科技成果進行了評價。

專家組一致認為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術” 項目，聯(lián)合了浙江大學等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結構，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術難度大、復雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應用后，經(jīng)濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。項目整體技術達到國際領先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術”項目，獨創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機驅動并同步耦合控制的技術，及第二相機測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關鍵技術-樣機示范-產(chǎn)業(yè)化應用的全鏈條技術體系。技術難度大、復雜程度高。項目技術已在有研半導體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運行，技術重現(xiàn)性好、成熟度高。項目整體技術達到國際領先水平。

2、 “增材制造復雜結構高性能碳化硅基復合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國際發(fā)明展金獎

“武漢理工大學材料學院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學材料科學與工程學院副院長劉凱教授攜項目“增材制造復雜結構高性能碳化硅陶瓷基復合材料及其部件”參展并榮獲金獎。

source：武漢理工大學材料學院

據(jù)悉， 上述項目面向極端服役環(huán)境對高性能碳化硅陶瓷材料復雜構件的制造需求，開展了材料-結構-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應性碳化硅復合粉末設計制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強碳化硅復合材料復雜構件的增材制造技術與裝備，推動了增材制造碳化硅陶瓷構件在航空航天、能源化工、半導體裝備等領域的工程應用。

項目相關成果已獲得多項國家發(fā)明專利授權，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結語

在“雙碳”目標與智能制造升級的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領域，推動能源效率革命。上述碳化硅技術突破表明我國在半導體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國以碳化硅為代表的第三代半導體有望邁上新臺階。（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

羅姆開發(fā)新型碳化硅半導體

日本半導體制造商羅姆株式會社最新公布了其面向電動汽車（EV）生態(tài)體系研發(fā)的新一代功率半導體器件。

source：羅姆半導體集團

該產(chǎn)品采用第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術，通過創(chuàng)新型電路架構設計，實現(xiàn)了相較傳統(tǒng)同類產(chǎn)品50%的能效躍升，為純電動車型帶來充電速度與續(xù)航能力的雙重突破。

羅姆研發(fā)團隊在此產(chǎn)品上將之前銷售的功率半導體以4~6個一組組合為模塊，以便應對車載充電器輸出功率為22千瓦級的大型純電動汽車。并計劃推出耐壓程度等不同的13種模塊，全面覆蓋不同類型純電動車需求。

與單獨使用半導體時相比，該產(chǎn)品合計安裝面積可減少50%，不僅可以實現(xiàn)輕量化，還有助于延長純電動汽車的續(xù)航里程，同時提高電池的使用效率。

在應用場景方面，羅姆此次開發(fā)的新型半導體不僅可用于純電動汽車的車載充電器，還可應用于充電站。

在生產(chǎn)上，羅姆此次采用跨國制造方式，福岡縣和宮崎縣的工廠將會完成在基板上形成電路的前工序，其泰國工廠將會進行零件組裝的后工序。
此外，對于該新型功率半導體，羅姆計劃當前力爭月產(chǎn)10萬個，并將年銷售額目標定為100億日元。

三菱電機推出全碳化硅和混合碳化硅IPM模塊SLIMDIP

4月22日，日本三菱電機株式會社開始提供用于室內(nèi)空調和其它家用電器的兩款新型SLIMDIP系列功率半導體模塊的樣品：全碳化硅型號PSF15SG1G6與混合碳化硅型號PSH15SG1G6。并計劃于5月6日至8日在德國紐倫堡舉行的2025年PCIM博覽會和會議上展出，同時也將在日本、中國和其它國家舉辦貿(mào)易展覽。

source：三菱電機半導體

這兩款模塊作為三菱電機SLIMDIP系列緊湊型端子優(yōu)化模塊中的第一款 SiC版本，具有出色的輸出和功率損耗降低優(yōu)勢，可以在小容量到大容量電器中實現(xiàn)節(jié)能。

三菱電機新開發(fā)的SiC MOSFET芯片被集成到兩種新的SLIMDIP封裝中，通過優(yōu)化封裝設計實現(xiàn)高輸出與低功耗。與硅基組件相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%，可適用于各類容量家電節(jié)能場景。

三菱電機在碳化硅領域積累深厚：2010年首次將SiC功率模塊應用于空調；2011年開發(fā)的1200A/1700V混合SiC模塊已用于地鐵逆變系統(tǒng)；2013年實現(xiàn)3.3kV全SiC模塊商業(yè)化；2016年推出搭載SiC-MOSFET的超小型DIPIPM模塊。此次新品進一步豐富了SLIMDIP系列的技術矩陣，為家電能效升級提供更多選擇。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）