圖片來(lái)源：英諾賽科公告截圖

作為全球氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)，英諾賽科此次與#谷歌 的合作，聚焦于AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等高增長(zhǎng)潛力領(lǐng)域。根據(jù)公告內(nèi)容，英諾賽科將基于當(dāng)前項(xiàng)目開發(fā)與客戶對(duì)接進(jìn)展，積極與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴深化協(xié)作，合規(guī)推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)品的商業(yè)化落地，充分滿足谷歌在AI硬件領(lǐng)域的供應(yīng)鏈需求，以及全球算力市場(chǎng)對(duì)高性能、高可靠性氮化鎵產(chǎn)品的迫切需求。

據(jù)英諾賽科官網(wǎng)介紹，英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)，其蘇州工廠8英寸氮化鎵晶圓月產(chǎn)能達(dá)1.5萬(wàn)片、良率穩(wěn)定在97%。旗下氮化鎵產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)服務(wù)器電源功率密度提升50%、系統(tǒng)元件減少60%，En-FCLGA封裝導(dǎo)熱率優(yōu)化65%，100V級(jí)方案降低系統(tǒng)功耗超50%。

2025年年底，英諾賽科宣布氮化鎵（GaN）功率芯片累計(jì)出貨量已達(dá)20億顆。

英諾賽科的合作版圖與算力布局

在全球產(chǎn)業(yè)鏈布局上，英諾賽科已與多家國(guó)際知名企業(yè)達(dá)成深度合作，合作領(lǐng)域覆蓋AI算力、半導(dǎo)體制造、汽車電子、工業(yè)電源等核心賽道。

2025年4月，英諾賽科公告稱與意法半導(dǎo)體簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方開展氮化鎵功率技術(shù)聯(lián)合開發(fā)，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能資源互補(bǔ)。根據(jù)協(xié)議，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體歐洲制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可依托英諾賽科中國(guó)產(chǎn)能，共同拓展AI數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領(lǐng)域市場(chǎng)，提升雙方供應(yīng)鏈韌性與全球供應(yīng)能力。

隨后11月，英諾賽科宣布其提供的700V GaN晶圓具備優(yōu)異的電氣性能和可靠性，助力意法半導(dǎo)體推出了一系列基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的反激式電源集成器件VIPerGaN50W。

2025年10月，英偉達(dá)在官網(wǎng)更新了其800V系統(tǒng)的供應(yīng)商名單，英諾賽科成為了唯一一家進(jìn)入合作名單的中國(guó)本土功率半導(dǎo)體企業(yè)。

與英偉達(dá)的合作聚焦AI數(shù)據(jù)中心高端供電架構(gòu)，雙方聯(lián)合推動(dòng)800伏直流電源架構(gòu)規(guī)?；涞?，英諾賽科提供覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案，助力AI數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)從千瓦級(jí)到兆瓦級(jí)的算力飛躍，適配英偉達(dá)新一代兆瓦級(jí)計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的高效供電需求。

此外，英諾賽科還發(fā)表《英諾賽科利用全GaN技術(shù)推進(jìn)800VDC架構(gòu)》論文，系統(tǒng)闡述全GaN技術(shù)與800VDC架構(gòu)的適配邏輯，為雙方合作提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐，也為全球該領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)提供了可借鑒的技術(shù)路徑。

2025年12月，英諾賽科宣布與安森美簽署戰(zhàn)略合作諒解備忘錄，整合英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵硅基工藝與安森美在系統(tǒng)集成、封裝領(lǐng)域的專業(yè)能力，重點(diǎn)布局40-200V中低壓氮化鎵功率器件，合作覆蓋工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、AI數(shù)據(jù)中心等多場(chǎng)景，計(jì)劃2026年上半年推出樣品，共同推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)品的規(guī)?；慨a(chǎn)與市場(chǎng)普及。

AI算力驅(qū)動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)，重構(gòu)全球競(jìng)爭(zhēng)新格局

在AI算力持續(xù)向兆瓦級(jí)躍升、數(shù)據(jù)中心加速向800VDC架構(gòu)迭代的背景下，英諾賽科憑借8英寸硅基氮化鎵的量產(chǎn)優(yōu)勢(shì)，先后切入英偉達(dá)、谷歌的高端供應(yīng)鏈。

根據(jù)英諾賽科2025年年中財(cái)報(bào)，報(bào)告期內(nèi)，他們面向AI及數(shù)據(jù)中心的銷售同比增長(zhǎng)180%，基于100V氮化鎵的48-12V應(yīng)用進(jìn)入量產(chǎn)，并開始規(guī)模化交付。

氮化鎵作為高效能功率器件，已成為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)功耗優(yōu)化與算力升級(jí)的核心支撐，也打開了行業(yè)從消費(fèi)電子向高端算力基礎(chǔ)設(shè)施滲透的增長(zhǎng)空間。

同時(shí)，英諾賽科通過(guò)與意法半導(dǎo)體、安森美的技術(shù)協(xié)同與產(chǎn)能互補(bǔ)，持續(xù)完善氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈布局，其商業(yè)化進(jìn)展不僅推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)氮化鎵在全球高端市場(chǎng)的滲透率提升，更重塑了行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。

未來(lái)，隨著全球算力需求的持續(xù)釋放，英諾賽科的AI及數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)將持續(xù)擴(kuò)容，而氮化鎵行業(yè)也將在高端場(chǎng)景的規(guī)?；瘧?yīng)用中，迎來(lái)技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的全新階段。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：意法半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖

2025年第四季度，意法半導(dǎo)體凈營(yíng)收為33.3億美元，同比增長(zhǎng)0.2%，環(huán)比增長(zhǎng)4.5%。然而，GAAP口徑下的毛利率為35.2%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1.25億美元，低于市場(chǎng)預(yù)期的2.22億美元，也低于去年同期的3.69億美元，凈利潤(rùn)更是虧損3000萬(wàn)美元，每股攤薄收益負(fù)0.03美元。公司指出，營(yíng)業(yè)虧損主要源于計(jì)提了1.41億美元的減值、重組和淘汰費(fèi)用，這些費(fèi)用與公司范圍內(nèi)的制造布局調(diào)整和全球成本削減計(jì)劃有關(guān)。若不計(jì)入減值支出，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)應(yīng)為2.66億美元。

從全年數(shù)據(jù)來(lái)看，2025年意法半導(dǎo)體營(yíng)收118億美元，下降11.1%。GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率1.5%，GAAP凈利潤(rùn)1.66億美元。Non-GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率4.7%，Non-GAAP凈利潤(rùn)為4.86億美元。Non-GAAP凈資本支出為17.9億美元，同時(shí)實(shí)現(xiàn)Non-GAAP自由現(xiàn)金流2.65億美元。對(duì)于2026年第一季度，公司營(yíng)收展望中值為30.4億美元，環(huán)比下降8.7%，但降幅優(yōu)于歷史季節(jié)性水平，且同比增長(zhǎng)勢(shì)頭延續(xù)。2026全年，凈資本支出（非GAAP）計(jì)劃20-22億美元，核心戰(zhàn)略聚焦加速技術(shù)創(chuàng)新、優(yōu)化全球制造布局、縮減整體成本基數(shù)、提升自由現(xiàn)金流生成能力，穩(wěn)步推進(jìn)業(yè)務(wù)提質(zhì)增效。

在整體業(yè)績(jī)承壓的背景下，意法半導(dǎo)體的碳化硅業(yè)務(wù)成為財(cái)報(bào)中的一大亮點(diǎn)。2025年，其SiC業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)到約11億美元，成為公司增長(zhǎng)最快的業(yè)務(wù)板塊。

意法半導(dǎo)體通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張、技術(shù)研發(fā)和國(guó)際合作，持續(xù)加碼碳化硅領(lǐng)域。

2025年12月，公司與歐洲投資銀行簽署10億歐元信貸額度協(xié)議，首期5億歐元已到位。資金主要用于意大利和法國(guó)的研發(fā)與制造項(xiàng)目，其中60%用于提升卡塔尼亞、阿格拉特等核心生產(chǎn)基地的碳化硅產(chǎn)能，40%投入技術(shù)研發(fā)?？ㄋ醽喒S是全球首個(gè)全集成碳化硅晶圓廠，集8英寸碳化硅功率器件制造、封裝、測(cè)試于一體，總投資50億歐元，全面落成后年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片，將顯著提升全球碳化硅供給能力。

此外，意法半導(dǎo)體與三安光電合資的重慶8英寸碳化硅工廠已于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)，形成歐洲與中國(guó)的雙基地布局，覆蓋汽車、數(shù)據(jù)中心等核心需求場(chǎng)景。

在技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)SiC MOSFET技術(shù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使整車?yán)m(xù)航提升8%-10%，開關(guān)損耗較硅基IGBT降低50%以上。這一優(yōu)勢(shì)使得意法半導(dǎo)體的碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)具有強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，為其把握市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)遇奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

意法半導(dǎo)體在2025年整體業(yè)績(jī)雖面臨挑戰(zhàn)，但碳化硅業(yè)務(wù)的突出表現(xiàn)無(wú)疑為公司帶來(lái)了新的希望和增長(zhǎng)動(dòng)力。隨著產(chǎn)能的不斷擴(kuò)張和技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，意法半導(dǎo)體有望在碳化硅領(lǐng)域取得更大的突破，進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2025年芯導(dǎo)科技整體經(jīng)營(yíng)呈現(xiàn)“主營(yíng)向好、業(yè)績(jī)分化”的態(tài)勢(shì)。全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3.94億元，同比增長(zhǎng)11.52%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.06億元，同比微降4.91%；扣除非經(jīng)常性損益后的歸母凈利潤(rùn)6888.64萬(wàn)元，同比增幅達(dá)17.54%，凸顯主營(yíng)業(yè)務(wù)核心韌性。基本每股收益0.90元，公司資產(chǎn)規(guī)模保持穩(wěn)定，總資產(chǎn)達(dá)23.29億元，歸母凈資產(chǎn)22.70億元，同比均有小幅增長(zhǎng)。

圖片來(lái)源：芯導(dǎo)科技年度報(bào)告截圖

作為專注于功率半導(dǎo)體研發(fā)與銷售的企業(yè)，芯導(dǎo)科技主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋功率器件和功率IC兩大類，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，同時(shí)重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品，緊跟行業(yè)高端化、國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)。

年報(bào)顯示，公司在功率器件領(lǐng)域于2025年總計(jì)發(fā)布超過(guò)150款新產(chǎn)品。在保護(hù)器件方面，推出了包括極低容值SCRESD、超強(qiáng)浪涌防護(hù)SCRESD、超小尺寸ESD在內(nèi)的70余款新品，并獲得頭部客戶認(rèn)可。同時(shí)，其創(chuàng)新研發(fā)的超低容值SBD產(chǎn)品在關(guān)鍵參數(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，能充分滿足射頻C/Ku波段應(yīng)用的高頻要求。

在MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS等功率器件領(lǐng)域，公司發(fā)布了80余款新產(chǎn)品，并進(jìn)一步完善了高壓GaN、低壓GaN、高壓平面型SiC MOS及SiC JBS等技術(shù)平臺(tái)。其中，40V低壓雙向GaN產(chǎn)品已達(dá)到國(guó)際前沿水平，并在高端消費(fèi)電子市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目量產(chǎn)出貨。通過(guò)對(duì)小信號(hào)MOSFET、VBUS MOSFET等全線產(chǎn)品的工藝優(yōu)化，產(chǎn)品性價(jià)比顯著提升，在PD快充電源、移動(dòng)電源及家用AI智能機(jī)器人等市場(chǎng)的占有率進(jìn)一步擴(kuò)大。

值得關(guān)注的是，芯導(dǎo)科技在披露年報(bào)的同時(shí)，同步披露重大資產(chǎn)重組預(yù)案。

芯導(dǎo)科技擬通過(guò)發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券及支付現(xiàn)金的方式，購(gòu)買吉瞬科技100%股權(quán)與瞬雷科技17.15%股權(quán)，最終實(shí)現(xiàn)對(duì)瞬雷科技的全資控股，交易總價(jià)格為4.03億元，預(yù)計(jì)構(gòu)成重大資產(chǎn)重組。據(jù)悉，瞬雷科技與芯導(dǎo)科技同屬功率半導(dǎo)體行業(yè)，雙方在業(yè)務(wù)上具有較高協(xié)同性。

圖片來(lái)源：芯導(dǎo)科技公告截圖

資料顯示，瞬雷科技成立于2019年12月，主營(yíng)業(yè)務(wù)包括瞬態(tài)浪涌防護(hù)器件、硅整流二極管、MOSFET、開關(guān)型過(guò)壓防護(hù)器件等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

通過(guò)本次交易，芯導(dǎo)科技可借助標(biāo)的公司的優(yōu)質(zhì)客戶資源，順利切入汽車電子、工業(yè)控制、安防、光伏儲(chǔ)能、網(wǎng)絡(luò)通信等下游應(yīng)用領(lǐng)域，進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)邊界、完善產(chǎn)業(yè)布局，為公司長(zhǎng)期發(fā)展注入新動(dòng)力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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?圖片來(lái)源：企查查信息截圖

公開信息顯示，昆侖芯星成立于2021年1月，前身為深圳昆侖芯星半導(dǎo)體有限公司，現(xiàn)位于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是深圳市芯爍能半導(dǎo)體旗下專注于金剛石基第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)的核心子公司。

昆侖芯星核心聚焦第三代半導(dǎo)體（尤其是氮化鎵）在高功率、高頻應(yīng)用中的散熱瓶頸，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新破解行業(yè)痛點(diǎn)。公司目前已掌握金剛石氮化鎵異質(zhì)集成技術(shù)、氮化鎵外延結(jié)構(gòu)制備方法、氮化鎵HEMT器件外延制備技術(shù)及全流程工藝控制技術(shù)等核心能力，其中金剛石氮化鎵異質(zhì)集成技術(shù)通過(guò)創(chuàng)新的鍵合介質(zhì)層設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了金剛石與氮化鎵外延層的原子級(jí)貼合，有效解決了界面熱阻與應(yīng)力匹配的行業(yè)難題，導(dǎo)熱效率較傳統(tǒng)方案提升50%以上。

產(chǎn)品層面，昆侖芯星的核心產(chǎn)品包括金剛石襯底外延片、金剛石基氮化鎵外延結(jié)構(gòu)、氮化鎵HEMT器件等，可廣泛適配雷達(dá)、衛(wèi)星通信、5G基站等高端射頻功率場(chǎng)景，用于替代傳統(tǒng)碳化硅襯底。

賽道融資持續(xù)升溫 多家企業(yè)密集獲投

昆侖芯星的密集融資并非個(gè)例，2026年1月以來(lái)，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域企業(yè)融資持續(xù)升溫，多家企業(yè)斬獲大額資本注入，彰顯賽道整體景氣度。

其中，同為第三代半導(dǎo)體賽道的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司于1月21日完成超億元A++輪股權(quán)融資，由彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投等多家機(jī)構(gòu)聯(lián)合注資，資金將主要用于6英寸氧化鎵襯底技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)、2-4英寸氧化鎵襯底中試產(chǎn)線建設(shè)及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)?；瘮U(kuò)產(chǎn)，該公司作為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)，此次融資將加速其在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能突破與技術(shù)迭代。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體則于1月8日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投與九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，此次融資是其時(shí)隔5年的新一輪股權(quán)注資，注冊(cè)資本同步增至5.08億元，增幅約26.15%。

作為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻芯片規(guī)模商用的企業(yè)，蘇州能訊高能半導(dǎo)體采用IDM模式，產(chǎn)品覆蓋5G基站、新能源汽車等多場(chǎng)景，此次融資將為其產(chǎn)線擴(kuò)建、新一代器件研發(fā)提供資金支撐，進(jìn)一步鞏固其在氮化鎵賽道的領(lǐng)先地位。

業(yè)內(nèi)人士分析，短期內(nèi)多家第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)密集獲得融資，一方面源于全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體需求隨5G、新能源、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域爆發(fā)式增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化替代需求迫切；另一方面也體現(xiàn)出資本對(duì)高壁壘、高成長(zhǎng)性半導(dǎo)體材料及器件賽道的布局偏好，未來(lái)隨著融資資金的逐步落地，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)成熟度與產(chǎn)能規(guī)模有望持續(xù)提升。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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該刀片最薄厚度達(dá)10微米，僅為普通紙張厚度的七分之一。憑借其極高的硬度與穩(wěn)定性，一片4英寸晶圓可被精準(zhǔn)劃切約2000道，產(chǎn)出約80萬(wàn)顆芯片。此前這類產(chǎn)品完全依賴進(jìn)口，如今已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，公司月出貨量可達(dá)10萬(wàn)片。

公開信息顯示，國(guó)機(jī)金剛石隸屬于世界500強(qiáng)中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司，其依托的三磨所是我國(guó)超硬材料行業(yè)的奠基者和領(lǐng)軍企業(yè)，1963年合成我國(guó)第一顆人造金剛石，在超硬材料及制品研發(fā)領(lǐng)域積累了深厚的技術(shù)底蘊(yùn)。

此次批量生產(chǎn)的超薄金剛石劃片刀，是半導(dǎo)體晶圓劃切環(huán)節(jié)的核心耗材，憑借金剛石“材料之王”的優(yōu)異硬度、耐磨性及精密特性，可適配碳化硅、硅片、鍺片等各類半導(dǎo)體晶圓的精密切切需求。

業(yè)內(nèi)人士分析指出，當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程持續(xù)加速，功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域需求旺盛，帶動(dòng)半導(dǎo)體耗材市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。國(guó)機(jī)金剛石此次實(shí)現(xiàn)超薄金剛石劃片刀批量生產(chǎn)，有望進(jìn)一步強(qiáng)化我國(guó)在超硬材料及半導(dǎo)體配套領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：上交所官網(wǎng)信息截圖

公開信息顯示，中圖科技成立于2013年，專注于氮化鎵（GaN）外延所需的圖形化襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，是全球圖形化襯底行業(yè)產(chǎn)銷規(guī)模領(lǐng)先的主要廠商之一，折合4英寸的圖形化襯底年產(chǎn)能超1800萬(wàn)片，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于Mini/Micro LED等新型顯示及車載應(yīng)用領(lǐng)域，部分產(chǎn)品已進(jìn)入蘋果、三星等知名頭部企業(yè)供應(yīng)體系。

據(jù)悉，這并非中圖科技首次沖擊科創(chuàng)板。公司首次IPO申報(bào)于2020年3月獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為申萬(wàn)宏源證券，歷經(jīng)三輪問(wèn)詢后，于2022年1月主動(dòng)撤回申報(bào)材料，終止上市進(jìn)程。本次申報(bào)于2025年12月31日正式獲上交所受理，相較于首次申報(bào)，保薦機(jī)構(gòu)變更為國(guó)泰海通證券。

本次募資用途明確圍繞主營(yíng)業(yè)務(wù)展開，擬投入“Mini/Micro LED及車用LED芯片圖形化襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“半導(dǎo)體襯底材料工程技術(shù)研究中心項(xiàng)目”建設(shè)及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為32,980.17萬(wàn)元到39,576.20萬(wàn)元，與上年同期相比，增加10,993.39萬(wàn)元到17,589.42萬(wàn)元，同比增加50%到80%。

預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為28,602.64萬(wàn)元到35,198.67萬(wàn)元，與上年同期相比，將增加3,432.61萬(wàn)元到10,028.64萬(wàn)元，同比增加13.64%到39.84%。

圖片來(lái)源：士蘭微公告截圖

深入實(shí)施“一體化”戰(zhàn)略是#士蘭微 業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。報(bào)告期內(nèi)，公司聚焦汽車、新能源、大型白電、工業(yè)、通訊與算力等高門檻市場(chǎng)，通過(guò)高強(qiáng)度研發(fā)投入持續(xù)推出高附加值產(chǎn)品，推動(dòng)功率半導(dǎo)體、高性能電源管理IC、MEMS傳感器等新品在下游批量落地，大客戶及高門檻市場(chǎng)收入占比連續(xù)提升，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收與行業(yè)影響力雙向擴(kuò)容。同時(shí)，公司通過(guò)擴(kuò)大產(chǎn)出、降本增效等舉措，有效應(yīng)對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，產(chǎn)品綜合毛利率與2024年基本保持穩(wěn)定。

關(guān)于士蘭微子公司士蘭明鎵經(jīng)營(yíng)性虧損增加的原因，士蘭微表示，士蘭明鎵6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線處于生產(chǎn)爬坡期，由于前期產(chǎn)出相對(duì)較少，生產(chǎn)成本中分?jǐn)偟墓潭ㄙY產(chǎn)折舊金額較高，且前期采購(gòu)的原材料主材成本較高，而SiC芯片市場(chǎng)價(jià)格下降幅度較大，導(dǎo)致SiC功率器件芯片生產(chǎn)線經(jīng)營(yíng)性虧損較大。公司已開發(fā)了多種規(guī)格的SiC功率器件芯片，可以滿足汽車、新能源、工業(yè)、家電等多樣性的需求。

2025年下半年，士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線產(chǎn)出已經(jīng)逐步增加，預(yù)計(jì)2026年將實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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股權(quán)穿透表明，該公司由晶盛機(jī)電和江蘇美科太陽(yáng)能科技股份有限公司全資子公司包頭美科硅能源有限公司共同持股。

圖片來(lái)源：企查查截圖

資料顯示，晶盛機(jī)電成立于2006年，是一家專注于半導(dǎo)體材料裝備、化合物半導(dǎo)體襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)。其旗下的浙江晶瑞SuperSiC是一家專注于化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與生產(chǎn)的公司。

憑借 “裝備+材料” 協(xié)同模式，晶盛機(jī)電既取得了全尺寸襯底技術(shù)突破、核心設(shè)備自主化等諸多成果，近期在技術(shù)迭代和海外產(chǎn)能布局上也動(dòng)作頻頻。

1月16日，晶盛機(jī)電宣布，浙江晶瑞SuperSiC投建的超瑞馬來(lái)西亞新制造工廠主體結(jié)構(gòu)順利封頂，此次馬來(lái)西亞工廠一期項(xiàng)目建成后，將重點(diǎn)提升8英寸碳化硅襯底的規(guī)模化供應(yīng)能力，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片的高效產(chǎn)能。

1月13日，晶盛機(jī)電宣布，依托自主搭建的12英寸中試線，浙江晶瑞SuperSiC于近日成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵技術(shù)突破，可解決后道光刻、先進(jìn)封裝鍵合等工藝對(duì)襯底精度的嚴(yán)苛需求。

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1、先導(dǎo)極星完成天使輪5000萬(wàn)融資

近期，“先導(dǎo)科技集團(tuán)”官微透露，先導(dǎo)極星（Vital Polestar）完成天使輪5000萬(wàn)元人民幣融資交割。本輪融資由國(guó)元基金、國(guó)元股權(quán)領(lǐng)投，部分資金通過(guò)國(guó)元基金與合肥高新共建的產(chǎn)業(yè)SPV實(shí)施。

先導(dǎo)極星是先導(dǎo)旗下專注于射頻與太空通信的核心業(yè)務(wù)平臺(tái)，聚焦砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、磷化銦（InP）等第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)與系統(tǒng)化落地，面向低軌衛(wèi)星通信、6G、低空經(jīng)濟(jì)、雷達(dá)感知等場(chǎng)景，提供從高性能芯片到系統(tǒng)級(jí)解決方案的全棧能力。

圖片來(lái)源：先導(dǎo)科技官微

先導(dǎo)科技透露，先導(dǎo)極星構(gòu)建了業(yè)內(nèi)稀缺的“芯片—微組裝—組件模塊—系統(tǒng)”全流程垂直整合能力：

在芯片層：布局微波/毫米波 PA、LNA及高集成度 MMIC，確保核心指標(biāo)自主可控；在組件模塊與系統(tǒng)層：形成面向星載與地面通信系統(tǒng)、T/R組件、SAR 相控陣?yán)走_(dá)的射頻模組與關(guān)鍵鏈路組件；在應(yīng)用層：推出適用于無(wú)人機(jī)與eVTOL的高可靠雷達(dá)前端模組與通信前端方案，直接賦能整機(jī)客戶。

在制造與交付模式上，先導(dǎo)極星采用了靈活高效的IDM Lite 模式：在晶圓制造環(huán)節(jié)，采用自主設(shè)計(jì)與國(guó)內(nèi)外一線代工廠協(xié)同，兼顧工藝先進(jìn)性與量產(chǎn)彈性；而在先進(jìn)封裝、微組裝、組件模塊化及整機(jī)級(jí)交付環(huán)節(jié)，則由公司自建并完全掌控。

2、亦盛精密獲得投資

中建材新材料基金完成對(duì)北京亦盛精密半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“亦盛精密”）的投資。本輪融資由中建材新材料基金、國(guó)開科創(chuàng)、超摩啟源、京國(guó)瑞、金合創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)共同投資。

資料顯示，亦盛精密成立于2015年3月，持續(xù)聚焦于為集成電路存儲(chǔ)、邏輯等晶圓制造廠提供硅、石英、碳化硅等脆性材料為基材的零部件研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，為客戶提供一站式腔體零部件綜合解決方案與服務(wù)。

圖片來(lái)源：亦盛精密官網(wǎng)

亦盛精密是國(guó)內(nèi)集成電路存儲(chǔ)、邏輯等晶圓制造頭部客戶的戰(zhàn)略供應(yīng)商，國(guó)內(nèi)主流12寸客戶實(shí)現(xiàn)全覆蓋，核心產(chǎn)品已批量應(yīng)用在先進(jìn)制程，涵蓋零部件材料研發(fā)生產(chǎn)、部件制造及部件再生的貫穿產(chǎn)品全生命周期的制造與服務(wù)能力，應(yīng)用覆蓋LITHO、PVD、CVD、ETCH、DIFF等核心工藝。

中建材新材料基金作為中建材集團(tuán)發(fā)起設(shè)立的專注于新材料領(lǐng)域投資的專業(yè)化基金，依托集團(tuán)強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)背景、技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)資源，致力于投資具有高成長(zhǎng)性和創(chuàng)新性的新材料企業(yè)，助力新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)中國(guó)制造轉(zhuǎn)型升級(jí)。本次投資將進(jìn)一步促進(jìn)雙方在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同、業(yè)務(wù)拓展等方面的深度融合，提高亦盛精密的原材料供應(yīng)穩(wěn)定性，助力公司不斷拓寬業(yè)務(wù)市場(chǎng)空間及國(guó)際市場(chǎng)布局，實(shí)現(xiàn)“技術(shù)+產(chǎn)品”國(guó)際國(guó)內(nèi)雙循環(huán)。

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立昂微：化合物半導(dǎo)體射頻及光電芯片業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)收入3.27億元

立昂微發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)公司2025年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約35.95億元，同比增長(zhǎng)16.26%；預(yù)計(jì)歸母凈利潤(rùn)虧損1.21億元左右，虧損幅度有所減少，上年同期公司凈虧損2.66億元。值得注意的是，公司預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤(rùn)）約11.2億元，同比增長(zhǎng)約75.91%。

圖片來(lái)源：立昂微公告截圖

對(duì)于業(yè)績(jī)連續(xù)虧損的原因，立昂微歸結(jié)為折舊攤銷支出、計(jì)提存貨跌價(jià)準(zhǔn)備、可轉(zhuǎn)債利息費(fèi)用、公允價(jià)值變動(dòng)損失四個(gè)因素所致。根據(jù)公告，2025年公司折舊攤銷支出約11.24億元，計(jì)提存貨跌價(jià)準(zhǔn)備、可轉(zhuǎn)債利息費(fèi)用分別為1.26億元、1.35億元。

對(duì)于業(yè)績(jī)從深度虧損轉(zhuǎn)為大幅減虧的原因，立昂微在公告中明確指出，這得益于半導(dǎo)體硅片板塊盈利能力的復(fù)蘇。

公告披露，2025年公司半導(dǎo)體硅片（按6英寸折算）銷量約1939.41萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)28.20%。其中，12英寸硅片銷量達(dá)到178.57萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)61.90%；半導(dǎo)體功率器件芯片銷量約194.42萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)6.69%，其中FRD芯片銷量22.68萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)87.04%；化合物半導(dǎo)體射頻及光電芯片銷量約4萬(wàn)片，同比持平。

在此情形下，公司預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)主營(yíng)收約35.56億元，同比增長(zhǎng)約16.08%。具體來(lái)看：半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)收入約26.79億元，同比增長(zhǎng)約19.66%，其中12英寸硅片實(shí)現(xiàn)收入約8.59億元，同比增長(zhǎng)約65.63%；半導(dǎo)體功率器件芯片業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)收入8.44億元，同比下降2.16%，其中FRD芯片實(shí)現(xiàn)收入1.78億元，同比增長(zhǎng)96.18%；化合物半導(dǎo)體射頻及光電芯片業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)收入3.27億元，同比增長(zhǎng)10.84%。

芯聯(lián)集成：預(yù)計(jì)2025年年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約為81.90億元

芯聯(lián)集成披露2025年年度業(yè)績(jī)預(yù)告，公司預(yù)計(jì)2025年年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約為81.90億元，與上年同期相比增加約16.81億元，同比增長(zhǎng)約25.83%；預(yù)計(jì)2025年年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈虧損5.77億元，與上年同期相比減虧約3.85億元，同比減虧約40.02%；預(yù)計(jì)2025年年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈虧損10.94億元，與上年同期相比減虧約3.16億元，同比減虧約22.41%。

圖片來(lái)源：芯聯(lián)集成公告截圖

芯聯(lián)集成表示，隨著整體營(yíng)收規(guī)模擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，生產(chǎn)精細(xì)化運(yùn)營(yíng)有效提升，折舊攤銷等固定成本逐步攤薄;疊加產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的不斷優(yōu)化和升級(jí)，公司毛利率預(yù)計(jì)達(dá)到5.92%，同比提升約4.89個(gè)百分點(diǎn)，持續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

芯聯(lián)集成管理層在2025年第四季度舉行的業(yè)績(jī)會(huì)上表示，對(duì)完成股權(quán)激勵(lì)目標(biāo)具有信心，同時(shí)公司在汽車、AI、工控、消費(fèi)四大領(lǐng)域市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)，以及降本增效等管理措施的推動(dòng)，產(chǎn)能效率將不斷提升，折舊占比逐步下降，碳化硅、模擬IC等高附加值業(yè)務(wù)占比也將逐步提升，將持續(xù)改善公司盈利能力，有望在2026年實(shí)現(xiàn)全年盈利。

據(jù)芯聯(lián)集成介紹，其汽車功率模塊、激光雷達(dá)和消費(fèi)類MEMS傳感器等產(chǎn)品需求旺盛，供不應(yīng)求。在產(chǎn)能端，現(xiàn)階段該公司8寸硅基產(chǎn)能17萬(wàn)片/月、12寸硅基產(chǎn)能3萬(wàn)片/月、6寸SiC MOSFET產(chǎn)能8000片/月。

芯聯(lián)集成2025年第四季度表示，該公司8寸硅基、6寸SiC產(chǎn)能利用率穩(wěn)居90%以上，12寸硅基產(chǎn)能目前處于爬坡階段，年底將擴(kuò)充到4萬(wàn)片/月左右。2026年，預(yù)計(jì)8寸硅基、6寸SiC的產(chǎn)能利用率將繼續(xù)保持90%以上，12寸硅基產(chǎn)能隨產(chǎn)品導(dǎo)入上量，有望達(dá)到80%以上。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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