此次合作將大幅增強CGD的供應鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴大其獨有的ICeGaN?單晶片功率器件的全球供應規(guī)模，以滿足電動汽車、數據中心和消費電子等高增長市場對高效能、高可靠性GaN解決方案的迫切需求。

圖片來源：CGD公告截圖

合作焦點：鞏固Fabless戰(zhàn)略，加速規(guī)?；a

此次CGD與GlobalFoundries的合作，是CGD邁向全球規(guī)?；a的關鍵一步。通過與GF合作，CGD將能夠確保其核心ICeGaN?產品的制造能力和供應鏈穩(wěn)定，這對于一家快速擴張的公司至關重要。

CGD首席運營官SimonStacey表示，此次合作將利用GF卓越的代工服務和對GaN技術的投入，能夠將CGD的設計流程與GF的制程設計套件（PDK）相結合，大幅加快下一代GaN功率器件的開發(fā)和上市速度。雙方將利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圓代工平臺，以具備競爭力的成本加速CGD單晶片GaN技術的量產。

公開資料顯示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年創(chuàng)立，其技術根植于劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組（HVMS）。公司的核心競爭力在于其ICeGaN?增強型氮化鎵 (HEMT) 技術，它徹底改變了GaN器件的設計方式。

ICeGaN?最顯著的特點是采用了獨特的單晶片集成架構。它在同一GaN晶片上集成了GaN開關、智能介面和保護電路，與市面上大多數采用多晶片或共封裝的解決方案形成了鮮明對比。這種單晶片設計帶來了前所未有的易用性和高可靠性。

首先，ICeGaN?能夠像標準矽MOSFET一樣，直接由常用的矽MOSFET驅動器驅動，顯著簡化了客戶的設計流程，消除了使用復雜驅動電路的需求。其次，集成的保護電路提升了器件的抗雜訊能力和過壓耐受性，確保了卓越的柵極可靠性。這種整合不僅提高了GaN器件的固有優(yōu)勢——高效率和高功率密度，還解決了其在工業(yè)應用中的易用性和可靠性挑戰(zhàn)。

除了制造端的戰(zhàn)略合作，CGD在技術應用方面也積極布局，瞄準高功率市場。公司最近推出了ComboICeGaN技術，這是一種混合開關解決方案，將智能ICeGaNHEMTIC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成于同一模塊中。該技術旨在為電動汽車逆變器提供一種具成本效益、替代昂貴碳化矽（SiC）的解決方案，是CGD進軍高功率汽車應用的關鍵。

此外，CGD也與工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)先進的高功率密度USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機等應用提供高達140-240W的高效電源解決方案。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：英諾賽科公告截圖

英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協議所載條款并在其條件規(guī)限下購20,700,000股新H股，配售價為每股H股75.58港元。

假設所有配售股份均獲悉數配售，預計配售所得款項總額及所得款項凈額（經扣除傭金及估計開支后）分別為1,564.506百萬港元及約1,550.425百萬港元（15.50億港元）。

英諾賽科披露了關于此次配售所得款項的用途：

約4.82億港元用于產能擴充及產品迭代升級；英諾賽科計劃未來三年將持續(xù)擴充產能，以滿足氮化鎵功率器件市場指數級增長需求，并對產線進行改造，以生產應用于車規(guī)、工業(yè)、數據中心領域的更高等級產品。

此外，約3.76億港元用于償還有息負債；約6.92億港元用于營運資金及一般公司用途，包括：薪金、社會保障、住房公積金及其他人力資源支出、向供應商及服務提供商支付的款項及潛在境內外投資。

英諾賽科配售后，公司注冊資本及股份總數將分別變更為人民幣915,100,653元及915,100,653股。公司將向聯交所申請批準配售股份上市及買賣，并根據中國證監(jiān)會備案規(guī)則進行備案。

資料顯示，英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯合交易所主板上市，成為全球首家實現8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產的IDM上市公司。

作為國內GaN技術的重要推動者，英諾賽科產品涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN）、雙冷卻LGA封裝以及系統級封裝SolidGaN等多個產品系列，覆蓋家電、數據中心、新能源、汽車和機器人等多個關鍵領域，具備在高壓、高功率密度應用方面的技術實力。

與此同時，英諾賽科在氮化鎵領域也在積極瞄準產業(yè)協同，與多家公司實現戰(zhàn)略合作。今年9月29日，英諾賽科便宣布與聯合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統，聯合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關產品。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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1、imec啟動12英寸氮化鎵項目，公布首批合作伙伴

近期，比利時微電子研究中心（imec）宣布，AIXTRON、格芯、科磊、新思科技和維易科成為其300毫米（12英寸）氮化鎵低壓和高壓電力電子應用開放創(chuàng)新計劃的首批合作伙伴。

上述項目是imec氮化鎵電力電子工業(yè)聯盟計劃（IIAP）的組成部分，旨在研發(fā)300毫米氮化鎵外延生長技術，以及低壓、高壓氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）工藝流程。

資料顯示，目前市場上氮化鎵產能主要集中在200毫米規(guī)格，imec依托自身在200毫米氮化鎵領域的技術積累， 推出了300毫米氮化鎵項目，邁出了技術發(fā)展的下一步。

imec表示，向300毫米晶圓轉型的優(yōu)勢不僅限于擴大產能和降低制造成本，而且還將推動更先進電力電子器件的研發(fā)，例如用于CPU和GPU的高效低壓負載點轉換器。

imec在成功完成300毫米晶圓處理測試與掩模版研發(fā)后，正式啟動了此次項目，并計劃于2025年底前在其300毫米潔凈室中全面部署相關技術能力。

2、英諾賽科攜手聯合電子與納芯微，瞄準新能源汽車功率電子領域

近期，英諾賽科宣布與聯合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統，聯合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關產品。

圖片來源：英諾賽科

全新開發(fā)的智能GaN產品將依托三方技術積淀，提供更可靠的驅動及GaN保護集成方案，進一步提升系統功率密度。三方還將協同推動相關解決方案的產業(yè)化落地，助力新能源汽車產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。

英諾賽科表示，此次合作，三方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，以聯合研發(fā)與應用驗證為抓手，突破效率、可靠性與成本等關鍵挑戰(zhàn)，為行業(yè)客戶提供兼具性能與成本優(yōu)勢的創(chuàng)新解決方案。聯合電子擁有豐富的整車及系統集成經驗，納芯微在高性能模擬與混合信號芯片領域積累深厚，英諾賽科則專精于GaN等先進功率器件研發(fā)。三方將攜手構建跨領域協同創(chuàng)新平臺，共同應對未來系統應用的發(fā)展需求。

此次戰(zhàn)略合作標志著英諾賽科、聯合電子與納芯微在新能源汽車功率電子領域的合作邁出了堅實且關鍵的一步。作為第三代半導體氮化鎵的引領者，英諾賽科具備先進的氮化鎵研發(fā)與制造能力，其車規(guī)級GaN已通過驗證并在汽車市場上驗證。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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安費諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場新機遇

安費諾能源（Enphase Energy）近日在加州發(fā)布了其最新的三相微型逆變器IQ9N-3P，專為商用光伏項目設計。這款逆變器首次引入氮化鎵（GaN）技術，氮化鎵是一種高效能半導體材料，有助于提升轉換效率和降低功率損耗，具有97.5%的轉換效率。

據了解，IQ9N-3P適用于480伏的商用項目，能夠承受16安培的直流持續(xù)電流，峰值輸出功率可達427伏安，支持高達600瓦的組件。安費諾表示，該產品不僅適合100千瓦以下的小型商用系統，還能擴展至數百千瓦的大型系統，具備靈活性，未來擴容時無需重新設計。

公開資料顯示，安費諾能源（Enphase Energy）成立于2006年，2012年在納斯達克上市，總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，主要產品包括太陽能微逆變器、電池儲能系統和電動汽車充電站。

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

近日，氮矽科技官微宣布，推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管。

圖片來源：氮矽科技

據介紹，DX65TA030是一款650V, 30mΩ增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術，實現高功率密度。具備開爾文連接，抗干擾能力強，符合工業(yè)標準，具備高可靠性，是高性能電力電子應用的優(yōu)選方案。

氮矽科技成立于2019年，是一家專注于氮化鎵功率半導體研發(fā)與產業(yè)化的高新技術企業(yè)。公司擁有 “E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產品線，其產品廣泛應用于消費電子、工業(yè)市場、新能源汽車、航空航天等領域。

瑞薩發(fā)布用于功率轉換的650V GaN FET

瑞薩電子推出3款新型高壓650V GaN FET，分別為TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。

圖片來源：Renesas瑞薩電子

這三款產品基于第四代增強型SuperGaN?平臺，該平臺采用經實際應用驗證的耗盡型（d-mode）常關斷架構，由Transphorm公司首創(chuàng)，瑞薩電子于2024年6月收購了該公司。與硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN產品相比，基于低損耗耗盡型技術的產品具有更高的效率。

這些第四代增強型（Gen IV Plus）器件專為多千瓦級應用而設計，將高效GaN技術與硅兼容柵極驅動輸入相結合，在保留硅FET操作簡便性的同時，顯著降低了開關功率損耗。

新產品適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器等領域。此外，在工業(yè)電機驅動領域，也能提供高可靠性、高效率的功率轉換，支持設備小型化與能效升級。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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PCIM Asia作為亞太地區(qū)電力電子與可再生能源管理領域的重要盛會，持續(xù)推動寬禁帶半導體技術的創(chuàng)新與應用。本次展會聚焦碳化硅、氮化鎵、電機驅動和運動控制等熱點領域，英諾賽科作為國內GaN技術的重要推動者，帶來了涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN）、雙冷卻LGA封裝以及系統級封裝SolidGaN等多個產品系列，展現了其在高壓、高功率密度應用方面的技術實力。

本次展會上，#英諾賽科 六大創(chuàng)新方案首次亮相，覆蓋家電、數據中心、新能源、汽車和機器人等多個關鍵領域，顯示出GaN技術在提升能效與系統集成度方面的廣泛適用性：

家電領域：推出300W高壓電機解決方案，助力家電能效升級；

數據中心：展示12kW 800-48V DCDC轉換器及8kW 54-12V 16相Buck轉換器，提升服務器電源效率；

新能源應用：700W微逆方案適用于光伏儲能場景；

汽車電子：6.6kW單級車載充電器（OBC）具備高功率密度，支持電動車快速充電；

機器人：3kW電機驅動與關節(jié)模塊，增強機器人動力響應與緊湊化設計。

值得一提的是，6.6kW單級OBC系統峰值效率達97%，體積小巧（224×186×48mm），功率密度為54W/inch3，采用四顆ISG6121BTA與INV650TQ015E芯片，顯示出英諾賽科在整合設計與半導體性能方面的協同優(yōu)勢。

機器人用3kW電機驅動方案同樣表現突出，支持48–72V寬電壓輸入，最高相電流95A，在無風冷條件下仍保持良好溫控，結構緊湊，適用于高關節(jié)負載應用場景。

與此同時，英諾賽科GaN IC設計產品副總陳敏在氮化鎵專題論壇中發(fā)表題為《創(chuàng)新型氮化鎵InnoGaN為下一代電力電子應用賦能》的演講，從技術演進與行業(yè)趨勢角度，解析GaN器件在高頻、高效電能轉換中的核心價值與發(fā)展前景。

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山東鎵數氮化鎵單晶襯底項目全面達產

近期，山東鎵數智能科技有限公司的氮化鎵單晶襯底項目已全面達產，該公司總經理梁如儉介紹道，該項目規(guī)劃50條生產線，年產量可達10萬片氮化鎵單晶襯底。

上述項目位于臨沂電創(chuàng)產業(yè)園，主要生產高亮度、高結晶質量的2英寸GaN襯底，2024年規(guī)模化投產，2025年5月開始試產沖刺，截至目前已建設10條國際領先的生產線。

該項目曾以畝均稅收50萬元、年產值2.3億元的經濟效益榮獲臨沂市2024年度“十大好項目”，產品已于今年6月進入中科院采購目錄，并已形成訂單。

另據山東鎵數董事馬賽賽表示，公司HVPE設備已實現三片同時生長，已具備六片生長的技術儲備，且可以生長出大尺寸的單晶襯底晶片。

東部高科：將推出專屬氮化鎵多項目晶圓（MPW）項目

近期，外媒報道，東部高科DB HiTek宣布，公司650VGaN HEMT工藝開發(fā)已進入最終階段，計劃于10月底推出專屬氮化鎵多項目晶圓（MPW）項目。

與傳統硅基功率器件相比，氮化鎵半導體在高壓、高頻及高溫工作環(huán)境下具備卓越性能，功率效率出眾。特別是650V增強型氮化鎵HEMT，憑借其高速開關性能與穩(wěn)健的運行穩(wěn)定性，成為電動汽車充電設施、超大規(guī)模數據中心電源轉換系統及先進5G網絡設備的理想選擇。

據悉，完成650V工藝開發(fā)后，DB HiTek還計劃在2026年底前推出200V GaN工藝及針對集成電路優(yōu)化的650V GaN工藝，并逐步拓展更廣泛的電壓范圍。

東部高科負責人透露，“通過新增氮化鎵工藝能力，我們將以更廣泛的技術組合增強市場競爭力。”

為支持以上舉措，東部高科還在進一步完善產能建設。媒體報道，東部高科韓國忠清北道Fab2潔凈室設施正在擴建，預計每月將新增約3.5萬片8英寸晶圓產能，用于氮化鎵、BCDMOS和碳化硅工藝的生產。擴建完成后，DB HiTek的晶圓月總產能將提升23%，從15.4萬片增至19萬片。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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東芝電子元件將進軍氮化鎵市場

近期，外媒報道東芝電子元件計劃今年進軍氮化鎵市場，瞄準電力系統與人工智能數據中心等新興需求。

東芝電子元件預計2026年推出“常關型”產品，以簡化驅動設計，提升易用性。為支持上述戰(zhàn)略，東芝計劃在2024至2026財年投入約1000億日元用于半導體設備投資，包括維護與升級生產設備。未來，該公司將重點拓展電動車車載充電器與AI服務器電源市場。

資料顯示，作為#功率半導體?大廠，東芝電子元件公司憑借在半導體等領域的深厚技術積累，持續(xù)為電力能源行業(yè)提供高效可靠的解決方案，其功率半導體產品兼具高功率密度與質量穩(wěn)定性，通過提升功率轉換效率，為減少環(huán)境負荷做出了貢獻。其中，SiC MOSFET兼具低導通電阻與高可靠性，而IGBT則具有大電流與高可靠性，兩者均擁有豐富的市場應用案例。

今年8月，東芝電子元件宣布與基本半導體就功率模塊產品正式簽署戰(zhàn)略合作協議。9月2025 PCIM Asia展會期間，東芝與基本半導體通過聯合展臺，共同展示了雙方在碳化硅領域深度合作的最新產品與解決方案。

圖片來源：東芝半導體芯資訊

憑借東芝先進的碳化硅MOSFET、IGBT芯片、功率模塊設計和封測技術，基本半導體與其聯合開發(fā)了Pcore2 E2B、Pcore2 L3工業(yè)級全碳化硅功率模塊及Pcore6 E3B混碳功率模塊等產品。該系列產品采用了雙方的SiC MOSFET和東芝的RC-IGBT芯片技術，而模塊封裝方面采用高可靠的氮化硅陶瓷（Si3N4）基板、Press-Fit壓接工藝，銅底板散熱結構等技術，在導通電阻、開關損耗、雜散電感、可靠性等方面表現出色，可應用于APF、PCS、DC/DC變換器、大功率充電樁、固態(tài)斷路器、矩陣變換器和電池功化成等領域應用。

氮化鎵未來潛力無限

在碳化硅、IGBT等領域深耕之后，此次東芝電子元件又將目光瞄準氮化鎵，有望借此進一步打開電力系統與人工智能數據中心等新興需求領域。

業(yè)界指出，隨著全球對清潔能源的追求以及智能電網建設的加速推進，電力系統對于高效、可靠的功率半導體元件需求與日俱增。氮化鎵憑借其出色的高頻、高效特性，能夠在電力轉換和傳輸過程中顯著降低能量損耗，提高系統的整體效率，正好契合了電力系統升級換代的需求。

而在人工智能領域，隨著數據爆炸式增長以及計算任務的日益復雜，數據中心的能耗問題愈發(fā)突出。氮化鎵器件可以應用于數據中心的電源供應系統，實現更高的功率密度和更低的能耗，幫助數據中心降低運營成本，同時滿足綠色環(huán)保的發(fā)展趨勢。

以AI服務器電源為例，傳統硅基半導體在應對AI服務器高功率密度需求時逐漸力不從心。單臺機架式AI服務器峰值功耗已突破千瓦，GPU功耗逼近2kW，傳統電源方案在效率、體積和散熱方面難以滿足要求。氮化鎵的出現為這一難題提供了解決方案。氮化鎵電子遷移率是硅的10倍，可支持MHz級高頻開關，動態(tài)損耗降低70%，在相同功率下導通電阻僅為硅基器件的1/5，發(fā)熱量減少50%。這些特性使氮化鎵有望成為AI服務器電源領域的核心材料，為數據中心綠色低碳轉型提供關鍵支撐。

總而言之，電力系統與人工智能數據中心這兩個領域正處于快速發(fā)展階段，市場規(guī)模持續(xù)擴大，有望為東芝的氮化鎵產品提供了廣闊的市場空間和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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與傳統鍵合集成工藝相比，Hybrid Bonding工藝為整個行業(yè)帶來了三個“顯著提升”。

首先，光提取效率顯著提升。煙山科技采用倒梯形三面反射的高出光結構，使得MicroLED芯片的光提取效率提升了數倍，從而保持更高的發(fā)光效率。

其次，加工良率顯著提升。Hybrid Bonding工藝的引入極大地降低了死點數，能夠確保6N以上的連通率，將MicroLED的加工良率提升近乎一倍。

最后，分辨率顯著提升。由于Hybrid Bonding采用了CMOS/LED晶圓的高精度對準鍵合，像素間距下降了超3倍，能夠實現超20000 PPI的高清分辨率。

在最新的樣機中，煙山科技的MicroLED面板表現出色。測試數據顯示，該面板整體點亮良率顯著提升，死點率大幅下降，光電性能穩(wěn)定可靠。更高的光效意味著同等功耗下的亮度提升，而均勻的發(fā)光一致性則為高分辨率顯示奠定了基礎。

對于整個顯示產業(yè)而言，煙山科技率先打通的8英寸硅基MicroLED Hybrid Bonding工藝具有重要意義。高良率和高光效的實現，將推動MicroLED加速走向量產階段，并使其在消費級AR眼鏡、微投影、光通信等領域展現出強大的競爭優(yōu)勢。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：中鎵半導體

這一成果依托于#中鎵半導體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設備（HVPE），不僅填補了國際上HVPE工藝在6英寸及8英寸GaN單晶襯底領域的技術空白，更標志著我國在該領域成功搶占了技術制高點。

氮化鎵（GaN）作為第三代寬禁帶半導體的代表性材料，憑借其寬帶隙、高擊穿場強、高電子遷移率、優(yōu)異的抗輻射能力等電學與物理特性，在消費電子、光電子、電力電子器件、通信與雷達等領域具有重要應用。

大尺寸襯底支撐的同質外延生長優(yōu)勢，將進一步提升器件性能及拓展相關應用。然而，目前業(yè)界主流的GaN單晶襯底仍處在2-4英寸階段，其制約因素主要體現在兩點：一是用于GaN單晶生長的HVPE設備通常只兼容2-4英寸襯底；二是異質襯底（如藍寶石、硅）與GaN間存在晶格失配與熱膨脹系數差異，導致GaN中存在難以解決的晶格應力及伴生的翹曲問題。

圖片來源：中鎵半導體 圖為中鎵半導體2-8英寸GaN單晶襯底

中鎵半導體通過自主研發(fā)的超大型HVPE設備，于2024年初攻克了大尺寸GaN單晶生長中常見的開裂與翹曲難題，成功開發(fā)出6英寸GaN單晶襯底；近期更進一步實現了8英寸GaN單晶襯底的突破性開發(fā)，并通過研磨與粗精拋光工藝獲得完整單晶襯底，其關鍵性能指標已達到國際領先水平，為大尺寸GaN進入半導體制程奠定了堅實基礎。

據悉，中鎵半導體的8英寸GaN單晶襯底具備以下卓越性能指標：

襯底厚度＞450μm；
表面粗糙度Ra＜0.1nm；
位錯密度＜2×10^6 cm^-2；
FWHM＜80 arcsec；
材料本底載流子濃度＜5×10^16 cm^-3；
電子遷移率＞800 cm2/(V·s)。

據悉，中鎵半導體的這一技術突破具有重要的產業(yè)價值。長期以來，大尺寸GaN單晶襯底技術主要由日本企業(yè)主導。此次突破不僅打破了國外技術壟斷，更使我國在該領域掌握關鍵話語權，有望推動8英寸GaN單晶襯底成為國際主流工藝標準，重新定義行業(yè)新規(guī)范。

8英寸GaN單晶襯底可直接適配現有8英寸硅基半導體產線設備，顯著縮短GaN on GaN器件的研發(fā)周期，同時降低產線轉型成本，加速產業(yè)化進程。此外，8英寸GaN單晶襯底能提升材料利用率，單片晶圓可切割的芯片數量顯著增加，從而大幅降低器件單位成本，并提高整體生產效率。

公開資料顯示，中鎵半導體成立于2009年1月，是廣東光大企業(yè)集團在半導體領域布局的重點產業(yè)化項目，致力于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與產業(yè)化的高新技術企業(yè)。公司位于廣東省東莞市松山湖高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)，擁有氮化鎵襯底材料及半導體設備生產基地。中鎵半導體掌握GaN單晶襯底制備、GaN外延生長、GaN器件制造等核心技術，并自主開發(fā)HVPE氮化鎵晶體生長設備，形成核心技術壁壘。

值得注意的是，目前，行業(yè)內多家企業(yè)在6/8英寸GaN襯底制備領域積極布局，展現出良好的發(fā)展態(tài)勢。

鎵仁半導體在今年上半年采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實現8英寸氧化鎵單晶生長，并可加工出相應尺寸的晶圓襯底；西電廣研院已在6英寸、8英寸藍寶石襯底上實現GaN功率器件的關鍵突破，外延片的晶體質量、均勻性均達到商用標準；中電化合物半導體則實現了4英寸、6英寸半絕緣碳化硅襯底上GaN異質結的穩(wěn)定供應；英諾賽 在蘇州建設的8英寸硅基GaN產線已實現量產，月產能達到3萬片；晶湛半導體計劃在未來幾年內將12英寸GaN外延片的年產能提升至100萬片。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

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會上，工業(yè)和信息化部副部長辛國斌提到，“十四五”期間，國家高新區(qū)內先后誕生了全球首臺超導量子計算機、全球首個通用人工智能系統原型等原創(chuàng)技術和產品。今年上半年，全球首個氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正式發(fā)布、全球最快的磁懸浮試驗速度在武漢東湖高新區(qū)被成功刷新，實現了多項全球領先。

資料顯示，今年5月9日，位于成都未來科技城的天府絳溪實驗室與電子科技大學在成都聯合發(fā)布了全球首個氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標志著中國在量子科技領域邁出了重要一步，為量子互聯網的發(fā)展提供了關鍵硬件支撐。

據悉，氮化鎵量子光源芯片的實際尺寸僅有0.14平方毫米，但其發(fā)光范圍、出射亮度、糾纏質量等關鍵指標均處于國際先進水平。

同時，該芯片攻克了高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次運用氮化鎵材料，使芯片的輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并朝著單片集成方向發(fā)展。

電子科技大學教授、天府絳溪實驗室量子互聯網前沿研究中心主任周強表示，包括氮化鎵量子光源芯片在內的量子產品有望在2026年實現多場景技術驗證。

（集邦化合物半導體整理）

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