圖片來源：中科無線半導(dǎo)體

據(jù)官方披露，該芯片依托GaN 2DEG材料的天然優(yōu)勢，重點(diǎn)破解人形機(jī)器人關(guān)節(jié)長期存在的高溫失效、空間狹小、輕量化不足、高精度難以兼顧四大行業(yè)痛點(diǎn)，為工業(yè)機(jī)器人、具身智能、航空航天及特種裝備提供國產(chǎn)化、高可靠、小型化的新一代位置感知核心方案。

核心性能方面，該芯片基于GaN與AlScN技術(shù)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)180℃極端工況下性能無衰減，耐高溫上限可達(dá)250–400℃，角度精度穩(wěn)定在30–100弧秒，溫漂低至0.01–0.03°/℃，可直接貼裝于電機(jī)線圈附近，無需復(fù)雜散熱結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)高密度集成。

同時，芯片搭載21bit超高分辨率、低噪聲高精度ADC與可編程校準(zhǔn)技術(shù)，角度誤差僅±0.1°，響應(yīng)延時＜2μs，帶寬范圍1–5MHz，最高支持30萬轉(zhuǎn)/分鐘檢測，可將機(jī)器人軌跡控制精度從±0.2mm提升至±0.05mm，滿足跑跳、抓取、精密裝配等高動態(tài)、高精度作業(yè)需求。

官方介紹，該芯片具備高溫可靠、微型輕量化、超高精度、低功耗、高集成、高輻照耐受六大核心優(yōu)勢，單芯片多傳感融合設(shè)計使其體積較傳統(tǒng)方案縮減40%–50%，適配超薄、微型、中空關(guān)節(jié)設(shè)計，同時滿足航空航天、特種裝備的抗輻射要求。

據(jù)悉，中科無線半導(dǎo)體長期專注氮化鎵集成電路與機(jī)器人運(yùn)動控制芯片研發(fā)，此次CT-21X芯片的發(fā)布，填補(bǔ)了國內(nèi)高溫高精度GaN磁編碼芯片的市場空白。

該芯片預(yù)計2026年Q3正式量產(chǎn)交付，目前已開放樣品測試與定制開發(fā)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該芯?；?00毫米（12英寸）標(biāo)準(zhǔn)硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研的隱切減薄工藝實(shí)現(xiàn)超薄片化，在極致輕薄的同時，保障了結(jié)構(gòu)完整性與性能穩(wěn)定性。

更關(guān)鍵的是，團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成，將復(fù)雜計算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外搭配獨(dú)立輔助芯片，大幅簡化系統(tǒng)架構(gòu)并降低組件間能量損耗。

性能測試顯示，這款芯粒中的氮化鎵晶體管可承受78伏耐壓，射頻截止頻率超過300吉赫茲，能滿足高頻通信場景需求；集成的數(shù)字電路庫運(yùn)行穩(wěn)定，反相器開關(guān)速度僅33皮秒，且全晶圓范圍內(nèi)表現(xiàn)一致，具備大規(guī)模量產(chǎn)潛力。經(jīng)四項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試驗(yàn)證，該技術(shù)可應(yīng)對高溫、高壓等實(shí)際應(yīng)用場景，符合商用落地要求。

傳統(tǒng)硅基技術(shù)在高功率、高頻場景下已逐漸逼近物理極限，而氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體，具備更高功率密度、更快開關(guān)速度和更低能耗的優(yōu)勢。

英特爾通過300毫米硅基氮化鎵晶圓工藝，可兼容現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施，有望顯著降低量產(chǎn)成本，推動技術(shù)普及。

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三星電子此前于2023年宣布，其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年開始量產(chǎn)，但實(shí)際上已經(jīng)落后于計劃。最新的行業(yè)動態(tài)顯示，三星首條8英寸氮化鎵（GaN）生產(chǎn)線預(yù)計最早將于2026年第二季度投入量產(chǎn)，初期營收預(yù)計低于1000億韓元。

報道指出，三星已建立起一套全面的氮化鎵解決方案生態(tài)系統(tǒng)，涵蓋除芯片設(shè)計以外的所有方面，并能夠獨(dú)立生產(chǎn)氮化鎵外延片。

此外，三星計劃于年內(nèi)啟動其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體代工廠生產(chǎn)線。該公司在SiC領(lǐng)域擁有端到端的能力，包括設(shè)計，使其能夠在不同的電壓范圍內(nèi)與氮化鎵（GaN）技術(shù)形成互補(bǔ)。

此前的報道還透露，三星已投資約1000億至2000億韓元用于先進(jìn)工藝設(shè)備，包括來自Aixtron的MOCVD系統(tǒng)，以支持SiC和GaN晶圓的加工。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：致能半導(dǎo)體
致能8”藍(lán)寶石上氮化鎵晶圓，襯底厚度僅50μm

氮化鎵材料因其高頻率、高耐壓等特性，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域被寄予厚望。但在實(shí)際應(yīng)用中，散熱問題一直是制約其性能發(fā)揮的關(guān)鍵瓶頸之一。不同襯底材料的選擇，直接影響器件的熱管理表現(xiàn)。藍(lán)寶石作為一種襯底材料，具備良好的絕緣性能和高溫穩(wěn)定性，與氮化鎵的熱匹配和晶格匹配也較為理想，外延結(jié)構(gòu)相對簡單。然而，藍(lán)寶石的熱導(dǎo)率偏低，長期以來被認(rèn)為是影響器件散熱的主要短板。通過減薄襯底厚度，可以有效縮短熱流傳導(dǎo)路徑，從而改善器件的整體散熱能力。

致能半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展主要體現(xiàn)在襯底減薄工藝的精細(xì)化控制上。據(jù)該公司介紹，在將襯底厚度從常規(guī)的200微米逐步降至100微米、最終達(dá)到50微米的過程中，器件的熱性能獲得了顯著提升。測試數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)藍(lán)寶石襯底厚度為200微米時，器件的結(jié)殼熱阻約為每瓦1.6攝氏度，與同類硅基氮化鎵器件相當(dāng)；厚度降至100微米時，熱阻下降至每瓦1.1攝氏度，表現(xiàn)明顯優(yōu)于硅基方案；而達(dá)到50微米厚度后，熱阻進(jìn)一步降至每瓦0.8攝氏度，約為同規(guī)格硅基氮化鎵器件的一半。

圖片來源：致能半導(dǎo)體
致能藍(lán)寶石上氮化鎵器件熱阻與同規(guī)格友商硅上氮化鎵器件對比

得益于藍(lán)寶石上氮化鎵器件的優(yōu)異熱阻性能,在應(yīng)用中也展現(xiàn)出相對硅上氮化鎵器件的明顯熱性能優(yōu)勢。下表展示了在大功率應(yīng)用場景下，器件在不同電壓和負(fù)載下的溫升情況。可以看出，在所有條件下，致能的藍(lán)寶石上氮化鎵器件溫升都遠(yuǎn)小于同規(guī)格的友商硅上氮化鎵器件，展現(xiàn)出了卓越的散熱能力。

圖片來源：致能半導(dǎo)體
致能藍(lán)寶石基氮化鎵器件在大功率應(yīng)用中與相似規(guī)格友商硅基氮化鎵器件溫升對比

在實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證中，襯底厚度對器件溫度的影響也得到了量化體現(xiàn)。致能半導(dǎo)體在一款較大功率的圖騰柱PFC電源板上，對100微米和50微米兩種襯底厚度的器件進(jìn)行了對比測試。結(jié)果顯示，在90伏輸入電壓條件下，50微米襯底器件的殼溫比100微米器件降低了13.6攝氏度；在264伏輸入電壓條件下，降幅達(dá)到14.5攝氏度。此外，在多種電壓和負(fù)載工況下，藍(lán)寶石基氮化鎵器件的溫升表現(xiàn)均低于同規(guī)格的硅基氮化鎵器件。

圖片來源：致能半導(dǎo)體
圖騰柱PFC電源測試板及100μm襯底（U79AHST010E）vs.50μm襯底（U79AHSS

值得關(guān)注的是，致能半導(dǎo)體還透露，已完成30微米藍(lán)寶石超薄襯底的技術(shù)儲備。這意味著未來在熱管理性能方面仍有進(jìn)一步提升的空間。對于追求高功率密度和高能效的系統(tǒng)應(yīng)用而言，襯底減薄技術(shù)為解決氮化鎵器件的散熱難題提供了一條可行的技術(shù)路徑。

行業(yè)分析人士認(rèn)為，功率半導(dǎo)體市場對器件效率、可靠性和體積的要求不斷提高，襯底技術(shù)作為產(chǎn)業(yè)鏈上游的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其進(jìn)展直接影響下游應(yīng)用方案的競爭力。藍(lán)寶石上氮化鎵技術(shù)在中高壓領(lǐng)域原本具備耐壓和可靠性方面的優(yōu)勢，散熱瓶頸的逐步突破，有助于拓展其在更多大功率場景中的適用范圍。

總體來看，藍(lán)寶石襯底減薄技術(shù)的推進(jìn)，反映了氮化鎵功率器件在材料與工藝層面的持續(xù)演進(jìn)。隨著相關(guān)技術(shù)在量產(chǎn)階段的進(jìn)一步驗(yàn)證，其在中高壓功率半導(dǎo)體市場中的競爭力有望進(jìn)一步增強(qiáng)。

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此次發(fā)布擴(kuò)展了瑞薩的產(chǎn)品組合，新增了四款基于瑞薩專有零待機(jī)功耗（ZSP）技術(shù)的控制器IC。

其中，核心產(chǎn)品RRW11011是一款集成交錯式功率因數(shù)校正（PFC）與HWLLC的組合控制器，專為實(shí)現(xiàn)高功率密度與高效率而設(shè)計。該組合控制器使設(shè)計人員能在滿足USB擴(kuò)展功率范圍（EPR）及其它可變負(fù)載充電系統(tǒng)所需寬輸出范圍（5V至48V）的同時，有效降低工作溫度。

新方案還包含RRW30120 USB功率傳輸（USB PD）協(xié)議和閉環(huán)控制器（支持最高240W USB功率傳輸）、RRW40120半橋GaN柵極驅(qū)動器，以及RRW43110智能同步整流控制器。在240W USB EPR電源適配器設(shè)計中，該方案實(shí)現(xiàn)了高達(dá)3W/cc的功率密度和96.5%的峰值效率。

該平臺支持500W及以上功率輸出，可廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)及基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)。全新的HWLLC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將超高效、緊湊型電源架構(gòu)從100W級設(shè)計擴(kuò)展至500W級，為電動工具、電動自行車等設(shè)備打造新一代高速充電器。

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三星半導(dǎo)體在2023年曾宣布其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年投產(chǎn)，但實(shí)際進(jìn)度有所滯后。據(jù)最新行業(yè)消息，三星的首條8英寸GaN生產(chǎn)線預(yù)計最快將于2026年第二季度投產(chǎn)，初期營收規(guī)模預(yù)計不超過1000億韓元。

報道稱，三星電子已構(gòu)建了除芯片設(shè)計外的GaN解決方案體系，能夠自主生產(chǎn)GaN外延晶圓。

此外，三星電子還計劃在今年內(nèi)啟動碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓代工生產(chǎn)線的運(yùn)營。三星在SiC領(lǐng)域具備包括設(shè)計在內(nèi)的全流程能力，可與GaN在不同耐壓區(qū)間形成互補(bǔ)。

此前有媒體報道，三星已投資約1000億至2000億韓元引進(jìn)先進(jìn)工藝設(shè)備，其中包括Aixtron的MOCVD設(shè)備，用于碳化硅和氮化鎵（GaN）晶圓的加工。

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雙方將聚焦第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高端電力電子裝備領(lǐng)域的應(yīng)用，開展技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)配套及協(xié)同發(fā)展等全方位深度合作，重點(diǎn)探索高壓氮化鎵功率器件的聯(lián)合開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化落地路徑。

根據(jù)雙方簽署的官方協(xié)議，合作核心圍繞新風(fēng)光變頻器、儲能變頻器（PCS）、SST等核心產(chǎn)品對高頻、高壓元器件的實(shí)際需求，共同研發(fā)定制化GaN器件及功率模塊。

產(chǎn)業(yè)化落地方面，遠(yuǎn)山新材料相關(guān)GaN器件量產(chǎn)后，新風(fēng)光將在同等條件下優(yōu)先采購，遠(yuǎn)山新材料則優(yōu)先保障技術(shù)支持與產(chǎn)能供給，未來?xiàng)l件成熟時，雙方還將探討戰(zhàn)略投資、股權(quán)合作等深化合作可能。

新風(fēng)光成立于2004年8月，是山東能源集團(tuán)控股的國家高新技術(shù)企業(yè)、山東省屬企業(yè)中首家科創(chuàng)板上市公司，專注于電力電子技術(shù)相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心產(chǎn)品涵蓋變頻器、儲能變頻器、靜止無功發(fā)生器等，廣泛應(yīng)用于新能源、電力、工業(yè)等領(lǐng)域，在高壓級聯(lián)儲能、電能質(zhì)量優(yōu)化等場景具備領(lǐng)先優(yōu)勢。

遠(yuǎn)山新材料則是一家專注于第三代半導(dǎo)體材料與器件的高科技企業(yè)，具備了行業(yè)前沿的1200V-3000V藍(lán)寶石基底高壓氮化鎵（GaN）器件的研發(fā)與生產(chǎn)能力。

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展，氮化鎵等核心器件憑借耐高溫、低損耗、高頻高效的特性，成為高端電力電子裝備升級的核心支撐，廣泛應(yīng)用于新能源儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

行業(yè)分析認(rèn)為，目前國內(nèi)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體材料、器件及裝備領(lǐng)域逐步突破，但高端器件與核心裝備的協(xié)同配套仍有短板，雙方的戰(zhàn)略合作實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游互補(bǔ)，既能推動定制化器件研發(fā)量產(chǎn)，也能加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高端電力電子領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，助力行業(yè)國產(chǎn)替代進(jìn)程。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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晶升股份：聚焦碳化硅設(shè)備，市場拓展與業(yè)務(wù)調(diào)整并行

晶升股份在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域表現(xiàn)突出。在中國臺灣市場，作為中國大陸較早進(jìn)入的碳化硅長晶設(shè)備廠商，公司已實(shí)現(xiàn)向臺灣地區(qū)批量交付設(shè)備，替代了此前臺灣地區(qū)客戶依賴的德國、日本等國外廠商設(shè)備。目前，公司與數(shù)家臺灣地區(qū)主要客戶展開緊密合作，定制化能力及技術(shù)支持水平獲認(rèn)可，在當(dāng)?shù)負(fù)碛休^高市場占有率。

經(jīng)營層面，2025年晶升股份受碳化硅及光伏行業(yè)低迷影響，經(jīng)營業(yè)績承壓。但自2025年底起，新增訂單逐步恢復(fù)，2026年碳化硅設(shè)備訂單已呈現(xiàn)好轉(zhuǎn)趨勢，近期已有批量訂單陸續(xù)交付，經(jīng)營低谷已過。

對于8英寸碳化硅需求，晶升股份稱，當(dāng)前需求增速不及2023-2024年6英寸需求爆發(fā)期，但訂單的確定性和可靠性更高。

在2026年業(yè)務(wù)規(guī)劃上，半導(dǎo)體長晶設(shè)備業(yè)務(wù)需求將增長，晶升股份除主營產(chǎn)品外，將持續(xù)推進(jìn)半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備與核心耗材領(lǐng)域的進(jìn)口替代，加速新產(chǎn)品、新材料落地。光伏板塊受行業(yè)產(chǎn)能過剩影響，新增設(shè)備需求疲軟，晶升股份將聚焦存量長晶設(shè)備的系統(tǒng)改造與升級。

芯聯(lián)集成：多元布局，碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)齊頭并進(jìn)

芯聯(lián)集成自成立以來便制定了清晰的發(fā)展路徑，規(guī)劃“三步走”戰(zhàn)略，從傳感器和功率器件基礎(chǔ)起步，逐步拓展至模擬IC、車規(guī)MCU，最終成為一站式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。在功率器件領(lǐng)域，公司深耕硅、碳化硅、氮化鎵等全系列功率器件及模組，為業(yè)務(wù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯聯(lián)集成盈利能力持續(xù)改善，2025年預(yù)計全年毛利率5.56%，歸母凈利潤同比減虧40.31%。展望2026年，公司提出“營業(yè)收入超100億元，實(shí)現(xiàn)有厚度的盈利轉(zhuǎn)正”目標(biāo)，這得益于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，碳化硅等高附加值業(yè)務(wù)占比提升。

在業(yè)務(wù)布局上，芯聯(lián)集成構(gòu)建了汽車、人工智能、高端消費(fèi)、工業(yè)控制四大增長引擎。汽車領(lǐng)域，單車配套價值量持續(xù)攀升，從主驅(qū)功率芯片擴(kuò)展至多個關(guān)鍵系統(tǒng)；人工智能領(lǐng)域，2024年啟動布局，相關(guān)產(chǎn)品已導(dǎo)入超10家機(jī)器人客戶；高端消費(fèi)領(lǐng)域，MEMS業(yè)務(wù)依托完整工藝平臺保持領(lǐng)先；工業(yè)控制領(lǐng)域，持續(xù)拓展高附加值應(yīng)用場景。

在核心業(yè)務(wù)方面，硅基功率器件行業(yè)2026年進(jìn)入景氣上行通道，中低壓MOSFET漲價，芯聯(lián)集成已執(zhí)行新價格體系，有望加速扭虧。AI服務(wù)器電源系統(tǒng)代工方案已導(dǎo)入三類客戶，2026年AI相關(guān)業(yè)務(wù)收入占比預(yù)計超10%。BCD業(yè)務(wù)受汽車電動化智能化和AI算力爆發(fā)驅(qū)動，車規(guī)級高壓BCD工藝平臺優(yōu)勢明顯，2026年高壓BCD業(yè)務(wù)收入有望同比增長三倍。

此外，芯聯(lián)集成與星宇股份、九峰山實(shí)驗(yàn)室合作建設(shè)Micro LED研發(fā)與制造基地，GaN業(yè)務(wù)2024年下半年啟動客戶送樣驗(yàn)證，已進(jìn)入產(chǎn)品導(dǎo)入期，聚焦AI數(shù)據(jù)中心電源和新能源汽車需求。

結(jié)語

芯聯(lián)集成與晶升股份在碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的布局與發(fā)展，反映了第三代半導(dǎo)體材料在多個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景和巨大市場潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的逐步拓展，這兩家公司有望在第三代半導(dǎo)體浪潮中取得更優(yōu)異的成績，推動產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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羅姆和臺積電在技術(shù)轉(zhuǎn)讓完成后將友好結(jié)束雙方在車用GaN領(lǐng)域的合作關(guān)系。同時，兩家公司將繼續(xù)加強(qiáng)合作，致力于開發(fā)更高效率、更緊湊的電源系統(tǒng)。

臺積電已于2025年7月宣布將逐步退出氮化鎵代工業(yè)務(wù)，并預(yù)計在2027年7月31日正式終止該項(xiàng)業(yè)務(wù)。

臺積電退出GaN自有業(yè)務(wù)后，正加速推進(jìn)技術(shù)授權(quán)合作，這一舉動有望為數(shù)據(jù)中心、電動汽車及人形機(jī)器人等前沿應(yīng)用注入了強(qiáng)勁的發(fā)展動能。

除了羅姆之外，格芯于2025年11月與臺積電簽署了氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議，藉由臺積電的技術(shù)加持，格芯旨在強(qiáng)化其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及汽車等關(guān)鍵電源應(yīng)用領(lǐng)域的布局，推動半導(dǎo)體電源技術(shù)邁向高效能的新世代。

今年1月28日，世界先進(jìn)正式宣布與臺積電簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，引入其650V高壓與80V低壓氮化鎵制程技術(shù)。這項(xiàng)合作預(yù)計于2026年初啟動開發(fā)作業(yè)，并計劃在2028年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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01、合肥美鎵傳感獲國新國證領(lǐng)投，加速GaN傳感芯片規(guī)?；涞?/strong>

2026年2月28日，合肥美鎵傳感科技有限公司（下稱“美鎵傳感”）正式宣布完成新一輪股權(quán)融資，本輪融資由國新國證投資領(lǐng)投，這是公司繼合肥市產(chǎn)投資本、合肥高新投戰(zhàn)略注資后的第二輪市場化融資。

圖片來源：企查查截圖

據(jù)悉，國新國證投資是中國國新、國新證券旗下專注于硬科技領(lǐng)域的專業(yè)私募股權(quán)投資平臺，聚焦新能源、新材料、新一代信息技術(shù)等國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，此次領(lǐng)投彰顯了國家級資本對GaN傳感技術(shù)路線及企業(yè)實(shí)力的高度認(rèn)可。

作為全球氮化鎵傳感器芯片行業(yè)的重點(diǎn)企業(yè)，#美鎵傳感 是目前國內(nèi)外唯一擁有多款GaN傳感器芯片產(chǎn)品的公司，構(gòu)建了從GaN材料、MEMS工藝、集成電路設(shè)計到傳感器模組與系統(tǒng)的全鏈條自主可控技術(shù)體系，在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)GaN傳感芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

其產(chǎn)品依托GaN材料高靈敏度、耐高溫高壓、低功耗、抗輻照等特性，性能全面超越傳統(tǒng)硅基傳感器，覆蓋紫外、霍爾、氣體、壓力等多品類，關(guān)鍵指標(biāo)處于行業(yè)領(lǐng)先水平，廣泛應(yīng)用于電力能源、AI、機(jī)器人、航空航天等高精尖領(lǐng)域。

本次融資資金將主要用于產(chǎn)品迭代、規(guī)?；瘧?yīng)用推進(jìn)，同時啟動芯片出海戰(zhàn)略，進(jìn)一步拓展國際市場。

02、湖州鎵奧科技完成A輪融資，聚焦中大功率GaN功率芯片產(chǎn)業(yè)化

企查查顯示，2026年2月13日，湖州鎵奧科技有限公司（下稱“湖州鎵奧”）完成A輪融資，由歐菲光、矢量科學(xué)聯(lián)合投資，具體融資金額未披露。

公開信息顯示，湖州鎵奧成立于2024年11月，注冊于湖州市德清縣，是一家專注于中大功率氮化鎵功率芯片與模組研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)，屬于創(chuàng)新型中小企業(yè)。

公司以自有“負(fù)壓直驅(qū)”專利技術(shù)為核心，其研發(fā)的中大功率GaN功率芯片，相比傳統(tǒng)E-mode和Cascode方案，具備更高的可靠性和效率。

業(yè)務(wù)聚焦新能源、AI兩大賽道，產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動2-4輪車充電電源模組、儲能、AI服務(wù)器/AI PC電源、機(jī)器人電源和無人機(jī)電源等五大場景。

本次融資所獲資金將重點(diǎn)用于研發(fā)投入、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場拓展，助力公司加速中大功率GaN功率芯片的產(chǎn)業(yè)化落地，推動相關(guān)領(lǐng)域的國產(chǎn)替代進(jìn)程。

03、安徽先導(dǎo)極星斬獲5000萬元天使輪，布局空天領(lǐng)域GaN射頻器件

近日，安徽先導(dǎo)極星科技有限公司（下稱“安徽先導(dǎo)極星”）完成5000萬元天使輪融資交割，本輪融資由國元股權(quán)、國元基金領(lǐng)投，部分資金通過國元基金與合肥高新共建的產(chǎn)業(yè)SPV實(shí)施，體現(xiàn)了地方國資與產(chǎn)業(yè)資本對商業(yè)航天與空天射頻關(guān)鍵環(huán)節(jié)的長期戰(zhàn)略共識。

圖片來源：企查查截圖

據(jù)悉，安徽先導(dǎo)極星成立于2025年4月，注冊于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是先導(dǎo)科技集團(tuán)旗下專注于射頻與太空通信的核心業(yè)務(wù)平臺。

公司聚焦第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)與系統(tǒng)化落地，重點(diǎn)布局砷化鎵、氮化鎵、磷化銦等高端射頻器件，致力于破解國內(nèi)高端射頻領(lǐng)域“卡脖子”難題，填補(bǔ)國內(nèi)高端射頻領(lǐng)域的供應(yīng)鏈拼圖。

其業(yè)務(wù)面向低軌衛(wèi)星通信、6G、低空經(jīng)濟(jì)、雷達(dá)感知等前沿場景，構(gòu)建了“芯片設(shè)計—微組裝工藝—組件模塊—系統(tǒng)交付”全鏈條垂直整合能力，采用“IDM Lite”制造模式，兼顧技術(shù)自主與量產(chǎn)彈性，已在商業(yè)衛(wèi)星及防務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)持續(xù)交付驗(yàn)證。

本次融資資金將用于核心技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)能擴(kuò)充及市場拓展，助力公司推進(jìn)GaN等高端射頻器件的迭代升級與規(guī)?；桓?。

GaN細(xì)分賽道多點(diǎn)開花，資本加持推動國產(chǎn)替代提速

從近期三家企業(yè)的融資動態(tài)可以看出，當(dāng)前氮化鎵行業(yè)正處于技術(shù)產(chǎn)業(yè)化加速推進(jìn)的關(guān)鍵階段。

從細(xì)分領(lǐng)域來看，美鎵傳感布局的GaN傳感賽道屬于稀缺賽道，打破了傳統(tǒng)硅基傳感器的性能瓶頸，適配高端裝備領(lǐng)域的精準(zhǔn)感知需求，填補(bǔ)了國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)空白。

湖州鎵奧深耕的中大功率GaN功率芯片，貼合新能源充電、儲能、AI服務(wù)器電源等高增長場景，是當(dāng)前GaN產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用最成熟、市場需求最旺盛的領(lǐng)域之一。

安徽先導(dǎo)極星聚焦的GaN射頻器件，緊扣低軌衛(wèi)星、6G等國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)布局，具備廣闊的發(fā)展前景。

從行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀來看，我國GaN產(chǎn)業(yè)逐步實(shí)現(xiàn)從技術(shù)研發(fā)向產(chǎn)業(yè)化落地的跨越，在部分細(xì)分領(lǐng)域形成了一定的技術(shù)壁壘和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，但同時也面臨著核心材料、高端設(shè)備依賴進(jìn)口、規(guī)模化量產(chǎn)良率有待提升、成本控制難度較大等挑戰(zhàn)。

總體而言，隨著新能源、AI、空天信息等下游應(yīng)用場景的持續(xù)擴(kuò)容，以及國產(chǎn)替代需求的不斷釋放，氮化鎵賽道的長期發(fā)展?jié)摿χ档闷诖?/p>

未來，隨著更多企業(yè)加大研發(fā)投入、完善產(chǎn)業(yè)化布局，疊加資本的持續(xù)加持，我國GaN產(chǎn)業(yè)有望逐步突破核心瓶頸，實(shí)現(xiàn)從“跟跑”向“并跑”“領(lǐng)跑”的轉(zhuǎn)變，進(jìn)一步提升在全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的競爭力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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