圖片來源：杰立方半導體

杰立方半導體的這項申請，是自新型工業(yè)加速計劃于2024年9月推出以來，首個獲得支持的第三代半導體先進制造科技項目，同時也是該計劃批準的第三個項目，凸顯了其戰(zhàn)略意義。

該晶圓廠項目的總預算超過7億港元，其中新型工業(yè)加速計劃將提供2億港元的資助。這筆資金將為香港建設(shè)高端半導體制造能力注入強大動力，加速其在第三代半導體領(lǐng)域的布局。

公開資料顯示，杰立方半導體于2023年10月在香港注冊成立，并于2024年6月正式投入運營，其全球研發(fā)中心也同步啟用。公司位于香港科技園內(nèi)，正規(guī)劃建設(shè)香港首座8英寸碳化硅先進垂直整合晶圓廠（IDM）。目前，廠房設(shè)計工作正有條不紊地進行中，預計將于2027年正式投產(chǎn)。

杰立方半導體的母公司為杰平方半導體（上海）有限公司（以下簡稱“杰平方半導體”），該母公司于2021年10月在上海張江成立，由中國半導體行業(yè)的領(lǐng)軍人物和資深專家共同創(chuàng)建，并吸引了來自半導體及新能源汽車等行業(yè)的戰(zhàn)略投資?；谀腹驹谔蓟韬诵募夹g(shù)和汽車芯片設(shè)計方面的深厚實力，香港杰立方晶圓廠將專注于第三代半導體碳化硅的研發(fā)與制造，致力于成為8英寸車規(guī)級碳化硅垂直整合晶圓廠的行業(yè)標桿。

今年3月，杰平方半導體（上海）有限公司與深圳市#金威源 科技股份有限公司正式簽訂了碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方一致認為，當前國內(nèi)新能源汽車市場發(fā)展迅猛，碳化硅作為關(guān)鍵器件需求持續(xù)攀升。此次合作將共同推動碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的應用和發(fā)展，顯示出杰平方半導體在拓展產(chǎn)業(yè)鏈合作方面的積極姿態(tài)。

圖片來源：杰立方半導體

而在更早之前，杰平方半導體披露，其與漢磊（Episil）的戰(zhàn)略合作取得重大成果，杰平方碳化硅器件已進入量產(chǎn)階段。根據(jù)杰平方半導體官網(wǎng)發(fā)布的信息，截至2024年5月，杰平方已有多款碳化硅MOS和SBD在漢磊的產(chǎn)線順利量產(chǎn)。值得關(guān)注的是，雙方緊密配合下，業(yè)界先進的1200V 8毫歐的SiC MOS流片成功并取得高良率，該產(chǎn)品定位于新能源汽車主驅(qū)應用，屬于當時全球高規(guī)格的SiC MOS產(chǎn)品。

據(jù)悉，上述這項重要項目之所以能獲批，得益于香港特區(qū)政府推出的新型工業(yè)加速計劃。這項計劃的核心目標，是推動香港產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級，吸引更多高科技企業(yè)落戶并深耕。它采用創(chuàng)新的政府與企業(yè)1:2配對資助模式，專門針對在香港設(shè)立新智能生產(chǎn)設(shè)施的企業(yè)。

要獲得該計劃的資助，企業(yè)需滿足一系列條件。首先，它們的投資額必須不少于2億港元，且項目總成本需至少達到3億港元。其次，受資助企業(yè)必須專注于香港特區(qū)政府界定的策略性產(chǎn)業(yè)，這主要包括：生命健康科技、人工智能與數(shù)據(jù)科學，以及先進制造與新能源科技。每家企業(yè)在加速計劃下獲得的政府資助總額上限為2億港元。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

碳化硅作為第三代半導體材料的代表，憑借其寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)異特性，在新能源汽車、光伏儲能、5G通信、軌道交通等眾多戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中展現(xiàn)出巨大的應用潛力。

然而，SiC材料本身硬度高、脆性大的特點，常在研磨步驟遭遇困境，傳統(tǒng)研磨方式使加工效率、質(zhì)量良率面臨瓶頸，不僅耗時、研磨損耗多，且因為機械性加工，容易在晶圓表面留下?lián)p傷痕跡，甚至導致整片晶圓破裂，嚴重影響晶圓良率、提升制造成本，因此業(yè)界普遍視碳化硅晶圓后段制程為量產(chǎn)瓶頸。

國研院國儀中心在精密測量與高端儀器研發(fā)領(lǐng)域底蘊深厚，擁有一支在材料分析、精密加工工藝研究等方面的專業(yè)科研團隊。其在過往項目中積累了大量關(guān)于材料微觀結(jié)構(gòu)分析、精密加工過程監(jiān)測與控制的技術(shù)經(jīng)驗，這些技術(shù)儲備為 SiC 晶圓加工新技術(shù)的開發(fā)提供了堅實基礎(chǔ)。

鼎極科技則深耕半導體設(shè)備制造與工藝優(yōu)化領(lǐng)域，對半導體制造產(chǎn)業(yè)鏈有著深刻理解，在晶圓加工設(shè)備研發(fā)與制造方面具備豐富實踐經(jīng)驗。公司憑借對市場趨勢的敏銳洞察與強大的工程化能力，能夠?qū)⑶把丶夹g(shù)快速轉(zhuǎn)化為實際生產(chǎn)力。

在此次合作中，雙方充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，成功導入紅外線奈秒級脈沖雷射系統(tǒng)，開發(fā)出專為碳化硅晶圓量產(chǎn)需求設(shè)計的「雷射研磨技術(shù)」，透過每秒100,000次擊打使碳化硅表層變軟，可將每片晶圓研磨時間從3小時縮短為2小時，且不會損傷晶圓，晶圓破片率自5%降至1%，大幅提高產(chǎn)品良率，主要改善晶圓研磨/拋光、晶圓減薄與切割這兩段制程。

新技術(shù)能減少研磨過程造成的晶圓損耗，也明顯降低傳統(tǒng)研磨所需耗材（鉆石砂輪、水、油等）與機臺清洗維護成本。 此外新技術(shù)還可將碳化硅晶圓硬度由原本約3000 HV降至60 HV，大幅降低后續(xù)加工時間和成本。

據(jù)悉，目前鼎極科技已與美國芯片制造商安森美半導體公司（ON Semiconductor Corp.）捷克廠合作，準備將機臺推廣至歐洲。

（集邦化合物半導體 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：智新科技

活動現(xiàn)場，智新科技副總經(jīng)理曹永軍介紹，六年來，智新半導體體系能力持續(xù)增強，產(chǎn)品平臺不斷豐富，今年銷量同比大幅增長，兩條產(chǎn)線產(chǎn)能利用率逐步飽滿，開發(fā)的多款領(lǐng)先功率模塊產(chǎn)品填補了東風空白，應用于多款新投放整車，既達成了新能源自主事業(yè)自主可控的戰(zhàn)略目標，也成為東風新能源轉(zhuǎn)型升級的靚麗名片。

資料顯示，智新半導體作為東風汽車與中車時代半導體合資的功率半導體企業(yè)，自2019年成立以來，始終聚焦新能源汽車核心器件國產(chǎn)化。2021年，其首條IGBT產(chǎn)線量產(chǎn)，填補了華中地區(qū)車規(guī)級功率模塊的空白。近年來，隨著高壓平臺需求爆發(fā)，智新于2022年成功研制首款碳化硅（SiC）模塊。

今年6月15日，智新半導體首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標志著該項目取得重大階段性成果，為后續(xù)批量裝車應用奠定了堅實基礎(chǔ)。

圖片來源：智新科技

該模塊產(chǎn)品開關(guān)損耗銳減60%，通過第二代SiC芯片技術(shù)優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計（支持+15~+18V驅(qū)動電壓）和低寄生電感封裝（≤10nH），顯著降低Eon/Eoff損耗。對比傳統(tǒng)IGBT，系統(tǒng)效率從96%躍升至99%，僅效率提升即可為整車續(xù)航延長3%以上。

智新半導體表示，隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)向1000V以上高壓架構(gòu)快速演進，電驅(qū)系統(tǒng)對#功率器件 的性能、效率與可靠性提出了更高要求。1700V電壓等級尤其契合1200V平臺主驅(qū)逆變器的需求，成為突破傳統(tǒng)硅基（IGBT）性能瓶頸、實現(xiàn)電驅(qū)系統(tǒng)高效化、輕量化、長續(xù)航的核心器件。

（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：芯聯(lián)集成公告截圖

此次并購重組的順利完成，標志著芯聯(lián)集成將實現(xiàn)對芯聯(lián)越州的全資控股，此舉將進一步整合資源，優(yōu)化內(nèi)部協(xié)同，從而顯著提升公司在功率半導體，特別是#碳化硅（SiC）領(lǐng)域的整體競爭力與市場影響力。

官方資料顯示，芯聯(lián)越州是芯聯(lián)集成旗下專注8英寸晶圓制造的關(guān)鍵子公司，其核心業(yè)務聚焦于高端功率半導體，包括IGBT和SiC功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)。作為公司重要的車規(guī)級晶圓生產(chǎn)基地，芯聯(lián)越州不僅承載著8英寸SiC產(chǎn)線從工程批到量產(chǎn)的重要任務，更憑借其在車載主驅(qū)SiC MOSFET領(lǐng)域已取得的國內(nèi)市場領(lǐng)先地位，成為芯聯(lián)集成服務新能源汽車頭部客戶、實現(xiàn)垂直整合戰(zhàn)略目標的核心支柱。

芯聯(lián)集成在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)取得突破，官方披露，2024年，公司實現(xiàn)了中國首條、全球第二條8英寸SiC工程批通線。2025年，公司預計在第三季度實現(xiàn)8英寸SiC芯片及模組的量產(chǎn)。此外，芯聯(lián)集成還在同步研發(fā)8英寸溝槽柵碳化硅技術(shù)，以推出附加值更高、性能更好的新一代產(chǎn)品。

芯聯(lián)集成與多家知名企業(yè)建立了深度合作關(guān)系。公司已成為中國本土市場SiC MOSFET出貨量居前的制造基地，并協(xié)助上市公司獲得比亞迪、理想、蔚來、小鵬、埃安等頭部新能源車企的合作。2024年，芯聯(lián)集成的SiC MOS芯片及模組在新能源汽車主驅(qū)系統(tǒng)上的出貨量已穩(wěn)居中國本土供應商中處于領(lǐng)先地位。

考慮到SiC襯底供應的戰(zhàn)略重要性，芯聯(lián)集成在加強內(nèi)部研發(fā)的同時，也積極與國內(nèi)外領(lǐng)先的SiC襯底供應商建立穩(wěn)定的合作關(guān)系，確保原材料的供應安全和多元化，以應對市場波動和地緣政治風險。

圖片來源：芯聯(lián)集成

除了汽車，芯聯(lián)集成也在積極拓展SiC在光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源等領(lǐng)域的應用。通過與相關(guān)系統(tǒng)廠商的合作，共同開發(fā)適用于特定場景的SiC器件，進一步拓寬了其市場邊界。

從財報數(shù)據(jù)看，芯聯(lián)集成的業(yè)績持續(xù)向好。2024年，公司的整體營業(yè)收入達到65.09億元，同比增長22.25%，并實現(xiàn)了年度毛利率轉(zhuǎn)正（1.03%）。其中，碳化硅業(yè)務收入表現(xiàn)亮眼，突破10億元人民幣，同比增長超過100%。

進入2025年，公司延續(xù)了高速增長勢頭。2025年第一季度，芯聯(lián)集成實現(xiàn)營業(yè)收入17.34億元，同比增長28.14%，歸母凈利潤同比減虧24.71%。特別值得一提的是，其車規(guī)功率模塊收入同比增長超過100%，凸顯了公司系統(tǒng)級代工模式的強大競爭力。

公司預計2025年碳化硅需求將繼續(xù)保持強勁勢頭，有望超過10億元；未來三年（2025-2027年），碳化硅晶圓及模組累計需求預計將超過100億元，預示著芯聯(lián)集成在功率半導體市場，特別是SiC領(lǐng)域，擁有廣闊的增長前景。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：備案公示截圖

公開資料顯示，該項目投資15億元，改造利用現(xiàn)有廠房，購置切磨拋設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測設(shè)備等。項目建成達產(chǎn)后，預計年新增收入39億，利稅總額6億。晶瑞電子此次擴建實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)能的跨越式提升，進一步強化其在全球化合物半導體材料市場的競爭優(yōu)勢。

晶瑞電子是#晶盛機電 的子公司，晶盛機電成立于2006年，是一家專注于半導體材料裝備、化合物半導體襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)，在行業(yè)內(nèi)占據(jù)重要地位。晶瑞電子是晶盛機電旗下的全資子公司，成立于2014年，專注于化合物半導體材料的研發(fā)與生產(chǎn)，依托晶盛機電的技術(shù)底蘊與資源支持，晶瑞電子不斷推進技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品迭代。

在技術(shù)研發(fā)與人才培養(yǎng)方面，晶盛機電注重校企合作。6月24日，晶盛機電、浙江大學集成電路學院、浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司（簡稱“浙江創(chuàng)芯”）三方正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，共建“先進集成電路裝備與工藝聯(lián)合研發(fā)中心”“集成電路人才培養(yǎng)與技術(shù)創(chuàng)新校企協(xié)同中心”，致力于通過產(chǎn)學研深度融合，加速集成電路裝備與制造領(lǐng)域新技術(shù)、新產(chǎn)品的研發(fā)突破，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的健康、快速發(fā)展提供科技和人才支撐。

晶盛機電子公司除晶瑞電子外，浙江晶瑞SuperSiC和求是創(chuàng)芯亦在化合物半導體領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。

6月24日，晶盛機電宣布其下屬公司浙江#求是創(chuàng)芯半導體 設(shè)備有限公司（簡稱“求是創(chuàng)芯”）順利交付12英寸減壓外延設(shè)備。據(jù)悉，本次交付的12英寸減壓外延設(shè)備廣泛適用于功率器件、存儲芯片、邏輯芯片、硅光芯片中的各項制程。設(shè)備采用單溫區(qū)、多溫區(qū)閉環(huán)控溫模式，結(jié)合多真空區(qū)間精準控壓技術(shù)，確保外延生長過程的高度穩(wěn)定性。

圖片來源：晶盛機電

公開資料顯示，求是創(chuàng)芯自2021年成立以來，始終專注于8-12英寸先進制程用CVD類半導體設(shè)備開發(fā)，致力于面向先進制程的高端芯片制造裝備國產(chǎn)化。

5月12日，晶盛機電子公司#浙江晶瑞SuperSiC 宣布，成功實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅(SiC)單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好。此次突破不僅實現(xiàn)了6-12英寸全尺寸長晶技術(shù)自主可控，更將大幅降低芯片成本，加速SiC產(chǎn)業(yè)鏈完善，推動國產(chǎn)SiC材料在多領(lǐng)域規(guī)模化應用。

公開資料顯示，浙江晶瑞SuperSiC作為晶盛機電子公司，成立于2014年，始終專注于碳化硅和藍寶石拋光片等化合物半導體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。目前，公司自主研發(fā)的8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方案。

羅姆的Si MOSFET代表產(chǎn)品“RY7P250BM”被全球云平臺企業(yè)認證為推薦器件。該產(chǎn)品作為一款為AI服務器必備的熱插拔電路專門設(shè)計的48V電源系統(tǒng)用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實現(xiàn)業(yè)界超寬的SOA（安全工作區(qū)），并實現(xiàn)僅1.86mΩ的超低導通電阻。在要求高密度和高可用性的云平臺中，有助于降低電力損耗并提升系統(tǒng)的可靠性。

圖片來源：羅姆官網(wǎng)——圖為羅姆產(chǎn)品RY7P250BM

此外，羅姆介紹，SiC元器件的優(yōu)勢在于可降低工業(yè)等領(lǐng)域中高電壓、大電流應用的損耗。英偉達800V HVDC架構(gòu)旨在為功率超過1MW的服務器機架供電，這對于推進其大規(guī)模部署計劃也起著至關(guān)重要的作用。這一新型基礎(chǔ)設(shè)施的核心在于可將電網(wǎng)的13.8kV交流電直接轉(zhuǎn)換為800V的直流電。而傳統(tǒng)的54V機架電源系統(tǒng)除了受物理空間限制（要滿足小型化需求）外，還存在銅材使用量大、電力轉(zhuǎn)換損耗高等問題。

羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大功率環(huán)境下可發(fā)揮出卓越性能，不僅能通過降低開關(guān)損耗和導通損耗來提高效率，還以超小體積實現(xiàn)了滿足高密度系統(tǒng)設(shè)計要求的高可靠性。這些特性恰好與英偉達800V HVDC架構(gòu)所追求“減少銅材使用量”、“將能量損耗最小化”以及“簡化數(shù)據(jù)中心整體的電力轉(zhuǎn)換”等需求相契合。

作為對SiC產(chǎn)品的補充，羅姆同時還積極推進GaN技術(shù)研發(fā)，現(xiàn)已推出EcoGaN系列產(chǎn)品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT、柵極驅(qū)動器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應用中表現(xiàn)出色，而GaN則在100V~650V電壓范圍內(nèi)性能優(yōu)異，具有出色的介電擊穿強度、低導通電阻以及超高速開關(guān)特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control技術(shù)的加持下，其開關(guān)性能得到進一步提升，脈沖寬度可縮短至最低2ns。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：LG化學

LG 化學創(chuàng)立于 1947 年，總部位于韓國首爾，是韓國規(guī)模最大的化學企業(yè)。其業(yè)務多元，石化領(lǐng)域，是 ABS、SAN 等常見塑料的大型生產(chǎn)商；在 IT 與電子材料方面，提供光學顯示材料、印刷電路材料等。1999 年開發(fā)出韓國首款鋰離子電池，截至 2011 年底已成為全球第三大電池制造商，為多品牌電動汽車供應電池，在電池與材料領(lǐng)域優(yōu)勢顯著。

Noritake 則始于 1876 年，前身為 “日本陶器合資會社”，1981 年正式更名。其憑借百年陶瓷技術(shù)，從知名西式餐具品牌，逐步拓展業(yè)務版圖。如今在先進陶瓷領(lǐng)域深耕超 120 年，是日本頂尖研磨拋光企業(yè)，為汽車、電子、半導體等行業(yè)提供砂輪、工具等產(chǎn)品，還將陶瓷工藝技術(shù)應用于電子元件和電池材料制造，是多元化技術(shù)型企業(yè)。

雙方聯(lián)合開發(fā)的銀漿采用納米級銀（Ag）顆粒，結(jié)合了LG化學的粒子工程技術(shù)與Noritake的粒子分散技術(shù)，展現(xiàn)出卓越的耐熱性和導熱性。與傳統(tǒng)銀漿相比，這種新產(chǎn)品在室溫下能夠保持長期穩(wěn)定性，避免了冷藏和短保質(zhì)期帶來的庫存管理復雜性。這一創(chuàng)新不僅提升了運輸和存儲效率，還延長了客戶在生產(chǎn)過程中的可用時間，最終減少了材料損失。

LG化學依托電極材料、電池隔膜等成熟業(yè)務，向半導體封裝材料延伸，構(gòu)建電動車材料“全鏈條解決方案；Noritake發(fā)揮120年陶瓷工藝積淀（砂輪、窯爐等），切入高增長半導體封裝賽道，轉(zhuǎn)型高附加值電子材料供應商。雙方計劃基于此次合作，繼續(xù)開發(fā)支持更高功率密度與超高速散熱的下一代粘合材料，應用于自動駕駛激光雷達、氫燃料電池電堆等前沿領(lǐng)域。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

1、漢京半導體基地項目今年10月試投產(chǎn)

6月19日，據(jù)遼寧日報消息，占地面積9.6萬平方米的遼寧漢京半導體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導體”）產(chǎn)業(yè)基地已展露形象，預計今年10月試投產(chǎn)。

據(jù)悉，漢京半導體產(chǎn)業(yè)基地作為集成電路裝備產(chǎn)業(yè)集群重點項目，由遼寧漢京半導體材料有限公司投資建設(shè)，項目總投資10億元，主要生產(chǎn)集成電路產(chǎn)業(yè)專用材料及設(shè)備，包括石英、陶瓷、爐管碳化硅零部、半導體設(shè)備先進零部件的開發(fā)等，建成后將吸引集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)加速聚集，推動遼寧省成為半導體設(shè)備重要材料供應基地。

公開資料顯示，漢京半導體是一家半導體材料研發(fā)商，專業(yè)從事SiC燒結(jié)、CVD涂層、精加工生產(chǎn)、檢驗、銷售業(yè)務，其自主研發(fā)的半導體設(shè)備用碳化硅制品在客戶端已正式通過客戶測試認證。

圖片來源：漢京半導體

漢京半導體副董事長李英龍披露，新廠將建成全球半導體石英精密度最高的生產(chǎn)線，也是國內(nèi)第一條極高純石英生產(chǎn)線，其對應的是10納米以下工藝的先進制程。

而聚焦爐管碳化硅零部件而言，目前，全球能做同類產(chǎn)品的企業(yè)只有3家，產(chǎn)品交付周期在36個月左右。漢京半導體新廠建設(shè)國內(nèi)第一條半導體爐管碳化硅零部件生產(chǎn)線投產(chǎn)后，產(chǎn)品交付周期預計從36個月縮短至12個月，極大緩解行業(yè)面臨的長交期困境。

不僅如此，新廠的研發(fā)中心還將專注于半導體設(shè)備先進零部件的開發(fā)，以期盡快取得技術(shù)突破，助力我國半導體產(chǎn)業(yè)延鏈補鏈強鏈。

2、重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項目已封頂

6月4日，據(jù)重慶中建西部建設(shè)有限公司官微透露，重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項目主體結(jié)構(gòu)已圓滿封頂，標志著項目建設(shè)取得重要階段性成果。

圖片來源：中建西部建設(shè)集團第一有限公司

據(jù)重慶市發(fā)展改革委5月14日消息，重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項目由重慶奕能電子有限公司負責建設(shè)，其主要股東為北京奕斯偉科技集團有限公司，占地面積約300畝，總投資達18億元人民幣。

項目規(guī)劃分三期建設(shè)。一期工程主要建設(shè)碳化硅晶圓制造車間、封裝測試中心及研發(fā)實驗室，設(shè)計年產(chǎn)能為12萬片6英寸碳化硅晶圓。項目規(guī)劃的月產(chǎn)能為73萬個碳化硅模組，產(chǎn)品將廣泛應用于電動汽車、新能源、工業(yè)等領(lǐng)域。

項目采用國際領(lǐng)先的物理氣相傳輸法（PVT）晶體生長技術(shù)，晶片良品率目標設(shè)定為85%，較行業(yè)平均水平提升15個百分點。此外，項目還引入了摻雜鈧元素等創(chuàng)新技術(shù)，以提升碳化硅晶格穩(wěn)定性，使器件擊穿場強達到3.5MV/cm。

項目自2024年12月5日取得建設(shè)用地規(guī)劃許可證以來進展順利，于2025年1月正式開工。目前，主體施工階段的推進標志著項目正按計劃穩(wěn)步實施。預計項目達產(chǎn)后，年產(chǎn)值將超過80億元，并有望帶動本地配套企業(yè)形成50億元規(guī)模的產(chǎn)業(yè)集群。

3、賽美特碳化硅模組CIM項目啟動

近日，賽美特官方披露，其與國內(nèi)某碳化硅模組工廠達成項目合作，為其構(gòu)建CIM解決方案，護航客戶填補國內(nèi)高端碳化硅器件產(chǎn)能空白。

圖片來源：賽美特

此次項目聚焦打造高端碳化硅模組智慧產(chǎn)線，通過國產(chǎn)化智能制造系統(tǒng)解決方案，助力客戶實現(xiàn)順利量產(chǎn)、產(chǎn)能爬坡、良率管控的全流程精細化管理。

公開資料顯示，碳化硅材料作為第三代半導體核心器件，對生產(chǎn)工藝和質(zhì)量管理要求極高。此次合作中，賽美特提供整套CIM解決方案，系統(tǒng)涵蓋MES、EAP、SPC、WMS等，助力工廠實現(xiàn)生產(chǎn)全流程的自動化、標準化與智能化管理，提升產(chǎn)能效率與產(chǎn)品良率。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：JLAE鈞聯(lián)電子

鈞聯(lián)電子自2023年底開始與廣汽高域合作，針對eVTOL航空器的特殊需求，共同開發(fā)了這款高可靠性#SiC 控制器。經(jīng)過多輪技術(shù)驗證，該產(chǎn)品于2024年底獲得GOVY AirCab適航量產(chǎn)機型的正式應用。作為飛行汽車動力系統(tǒng)的核心控制單元，該控制器采用了第三代半導體碳化硅技術(shù)。

這款SiC控制器具備高功率密度與超低損耗的特性。其能量轉(zhuǎn)化效率達到99.8%，有助于顯著提升航空器的續(xù)航能力。輕量化設(shè)計則有效釋放了航空器的有效載荷空間。同時，控制器支持800V高壓平臺以及400V至900V的寬電壓范圍。這些技術(shù)特性為GOVY AirCab實現(xiàn)高效的垂直起降與巡航飛行提供了關(guān)鍵支撐。

在量產(chǎn)能力方面，鈞聯(lián)電子于2025年2月在合肥建成了安徽省首條車規(guī)級SiC功率模塊產(chǎn)線，年產(chǎn)能規(guī)劃達到百萬只。該產(chǎn)線采用自動化測試工藝，以滿足航空級功能安全標準，為飛行汽車核心部件的穩(wěn)定供應提供了保障。

今年6月初，鈞聯(lián)電子完成了近億元人民幣的A輪融資，由國元股權(quán)領(lǐng)投。所募資金將重點用于SiC產(chǎn)線的擴產(chǎn)以及電驅(qū)產(chǎn)品在新能源汽車與eVTOL領(lǐng)域的應用拓展。目前，鈞聯(lián)電子的800V高壓電驅(qū)產(chǎn)品已在新能源汽車領(lǐng)域獲得超過10家頭部車企的項目定點。

隨著GOVY AirCab進入量產(chǎn)階段，鈞聯(lián)電子成為國內(nèi)實現(xiàn)航空級碳化硅控制器量產(chǎn)應用的企業(yè)之一。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：中電化合物

作為國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體材料供應商，中電化合物專注于碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）材料的研發(fā)與生產(chǎn)，其產(chǎn)品廣泛應用于電力電子、射頻通信、光電子等領(lǐng)域。

甬江實驗室則作為省市共建的浙江省新材料實驗室，致力于材料前沿科學研究，突破材料關(guān)鍵核心技術(shù)，貫通材料創(chuàng)新全鏈條。甬江實驗室在新型顯示、光學器件及AR/VR技術(shù)領(lǐng)域具有深厚的研究積累，是浙江省重點打造的高能級創(chuàng)新平臺。

雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，共同推動SiC晶片在AR顯示中的規(guī)模化應用，助力AR行業(yè)實現(xiàn)更清晰、更沉浸的視覺體驗。

此次戰(zhàn)略合作不僅聚焦于光學級SiC晶片的研發(fā)，還涵蓋了SiC材料制備所需的熱場涂層、專用原料等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域。通過產(chǎn)學研的深度結(jié)合，雙方將共同攻克SiC材料在光學應用中的技術(shù)難題，推動SiC材料的產(chǎn)業(yè)化進程。

近年來，隨著增強現(xiàn)實（AR）技術(shù)的快速發(fā)展，AR眼鏡作為下一代智能穿戴設(shè)備的核心產(chǎn)品，對光學材料提出了更高的要求。光學碳化硅（SiC）晶片憑借其高硬度、高熱導率、高透光性等優(yōu)異特性，成為AR眼鏡光學晶片的理想材料之一。相較于傳統(tǒng)玻璃或樹脂鏡片，SiC晶片能夠顯著提升光學性能、優(yōu)化散熱能力，并實現(xiàn)輕薄設(shè)計，為用戶帶來更清晰、更沉浸的視覺體驗。

隨著光學碳化硅（SiC）晶片在AR眼鏡領(lǐng)域的應用受到越來越多企業(yè)的關(guān)注，相關(guān)合作案例不斷涌現(xiàn)。

2月27日，晶盛機電與龍旗科技、XREAL、鯤游光電四家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)正式簽署《AI/AR產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略合作協(xié)議》。晶盛機電子公司SuperSiC浙江晶瑞憑借在碳化硅領(lǐng)域的全鏈條設(shè)備和工藝優(yōu)勢，將提供碳化硅襯底的產(chǎn)能、品質(zhì)和成本保障，推動AR眼鏡的普及和應用。此次合作旨在通過“技術(shù)標準+產(chǎn)業(yè)閉環(huán)+國家品牌”的三重戰(zhàn)略，打造AI/AR產(chǎn)業(yè)鏈深度協(xié)同。

2月21日，天科合達宣布與慕德微納簽署了投資合同，共同出資成立合資公司。雙方將在AR衍射光波導鏡片技術(shù)研發(fā)與市場推廣方面展開深度合作，共同推動AR行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與應用落地。

此外，三安光電的碳化硅襯底在AI/AR眼鏡領(lǐng)域與國內(nèi)外終端廠商、光學元件廠商緊密合作，已向多家客戶送樣驗證。這表明碳化硅材料在AR眼鏡領(lǐng)域的應用正在加速推進，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)正在積極布局。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。