01、保定1900噸/年碳化硅陶瓷項目投產(chǎn)

1月20日，據(jù)唐縣人民政府發(fā)布消息顯示，唐縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)堯錦新型建材有限公司反應燒結碳化硅工程陶瓷項目完成竣工驗收，正式投產(chǎn)運營。

圖片來源：唐縣人民政府政務信息截圖

該項目總投資16491萬元，規(guī)劃年產(chǎn)反應燒結碳化硅制品1900噸。作為唐縣重點推進的產(chǎn)業(yè)升級項目，它依托反應燒結碳化硅材料耐高溫、耐磨損、抗熱震的優(yōu)異性能，產(chǎn)品可廣泛應用于冶金、化工、新能源等高端制造領域，市場前景廣闊。

項目建成投產(chǎn)后，預計可帶動當?shù)?20人就業(yè)，年均實現(xiàn)營業(yè)收入16858萬元，年納稅額達1652萬元，將有力拉動區(qū)域經(jīng)濟增長，提升唐縣在先進陶瓷材料領域的產(chǎn)業(yè)競爭力。

保定堯錦新型建材有限公司成立于2020年12月03日，注冊地位于河北省保定市唐縣唐縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)白合工業(yè)園。經(jīng)營范圍包括一般項目：固體廢物治理，特種陶瓷制品、建筑砌塊、機制砂、水泥制品制造、銷售。

02、300噸重結晶碳化硅陶瓷項目落地湖北

1月14日，湖北省投資項目在線監(jiān)管平臺發(fā)布了年產(chǎn)300噸高密度重結晶碳化硅陶瓷項目的備案公示。

圖片來源：湖北省投資項目在線監(jiān)管平臺截圖

該項目選址于湖北省咸寧市赤壁市陸水湖街道玄素洞村玄素洞路142號，總投資1500萬元。項目規(guī)劃租用800平方米場地，新建700平方米標準化廠房，并購置3條破管爐生產(chǎn)線，專業(yè)生產(chǎn)高密度重結晶碳化硅陶瓷產(chǎn)品。

資料顯示，湖北省#創(chuàng)晶新材料有限公司 成立于2026年1月13日，企業(yè)經(jīng)營范圍涵蓋特種陶瓷、新型陶瓷、金屬基/陶瓷基復合材料、超導材料、電子專用材料等材料的生產(chǎn)與銷售。

重結晶碳化硅陶瓷是一種具備高強度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)異性能的新型工業(yè)材料，廣泛應用于光伏、半導體、冶金、化工等高端制造領域。此次項目落地，既是湖北省創(chuàng)晶新材料有限公司在先進陶瓷賽道的重要布局，也將為赤壁市乃至咸寧市的新材料產(chǎn)業(yè)注入新動能。

項目建成達產(chǎn)后，預計可實現(xiàn)年產(chǎn)300噸高密度重結晶碳化硅陶瓷的產(chǎn)能，不僅能有效填補區(qū)域內(nèi)高端陶瓷材料的產(chǎn)能缺口，還將帶動當?shù)厣舷掠萎a(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，創(chuàng)造更多就業(yè)崗位與技術升級機會。

03、結語

當前，全球新能源、半導體、高端裝備制造等產(chǎn)業(yè)正加速迭代，碳化硅陶瓷作為戰(zhàn)略級先進材料，已成為支撐產(chǎn)業(yè)鏈升級的核心基石。其兼具超高熔點、優(yōu)異導熱性、抗腐蝕與抗熱震性，在光伏熱場組件、半導體外延爐腔體、冶金高溫爐襯、化工耐腐設備等關鍵場景中不可或缺，是替代傳統(tǒng)金屬與陶瓷材料、提升終端產(chǎn)品性能的“剛需核心材料”。

從行業(yè)格局看，全球碳化硅陶瓷市場正迎來爆發(fā)式增長，我國雖在中低端領域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；叨水a(chǎn)品仍存在部分進口依賴，國產(chǎn)化替代空間廣闊且緊迫性突出。

從河北保定的產(chǎn)能釋放到湖北赤壁的項目落地，兩大碳化硅陶瓷項目的推進不僅展現(xiàn)了國內(nèi)新材料產(chǎn)業(yè)的蓬勃活力，更將為光伏、半導體、高端制造等下游產(chǎn)業(yè)提供堅實的材料支撐。未來，隨著更多優(yōu)質(zhì)項目的落地與投產(chǎn)，我國先進陶瓷產(chǎn)業(yè)有望進一步夯實技術優(yōu)勢。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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其中，位于臨港新片區(qū)東方芯港地塊的“半導體核心零部件及系統(tǒng)項目”正式開工。該項目由上海#元創(chuàng)科芯半導體 有限公司投資50億元，占地約108畝，總建筑面積15萬平方米。

該項目計劃用18個月建成投產(chǎn)，投產(chǎn)后3年達產(chǎn)，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值約93.5億元 。項目主要建設MFC（氣體質(zhì)量流量控制器）、氣柜、氣體工程以及真空計、電源、靜電卡盤、SiC邊緣環(huán)、泵閥、精密量測、科學儀器、泛半導體特殊零部件等標準生產(chǎn)線。

該項目單位母公司系先導科技集團，資料顯示，先導科技集團于1995年開始涉足稀散金屬行業(yè)，2003年在廣東清遠正式成立，其半導體科技事業(yè)部在一至四代半導體領域均有布局，擁有完整的半導體生產(chǎn)工藝及提純技術，具備從材料、襯底、外延、到芯片、器件、模組的生產(chǎn)能力。據(jù)介紹，此次在臨港新開工的項目將助力提升我國半導體設備國產(chǎn)化率。

（集邦化合物半導體整理）

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近日，捷捷微電、藍箭電子、國聯(lián)萬眾、晶升股份、精進電動、時代電氣等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)密集披露最新進展，涵蓋8英寸產(chǎn)線升級、核心設備量產(chǎn)、終端產(chǎn)品出口及先進技術定型等關鍵領域。

1、藍箭電子氮化鎵與碳化硅產(chǎn)品送樣，量產(chǎn)節(jié)奏待評估

1月22日，藍箭電子在互動平臺回答投資者提問時表示，公司的氮化鎵GaN產(chǎn)品和碳化硅Sic已成功完成了多款相關產(chǎn)品的研發(fā)和客戶送樣，該業(yè)務的具體推進節(jié)奏與戰(zhàn)略規(guī)劃，將主要依據(jù)市場需求動態(tài)、客戶反饋及后續(xù)訂單情況等因素綜合評估后確定。公司將密切關注市場情況，保持技術儲備和產(chǎn)品迭代的靈活性，以穩(wěn)健、務實的策略推動相關業(yè)務的可持續(xù)發(fā)展。

圖片來源：互動平臺截圖

資料顯示，藍箭電子主要從事半導體封裝測試業(yè)務，為半導體行業(yè)及下游領域提供分立器件和集成電路產(chǎn)品。在在碳化硅與氮化鎵領域以封測為核心，同步推進 SiC/GaN 器件封測技術研發(fā)、產(chǎn)品送樣與客戶拓展。

2、捷捷微電：與高校合作研發(fā)碳化硅，產(chǎn)品未量產(chǎn)市場待拓展

1月20日，捷捷微電在互動平臺稱，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，截至目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關發(fā)明專利5件和實用新型專利6件，此外，公司還有8個發(fā)明專利尚在申請受理中。

圖片來源：互動平臺截圖

公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中，尚未進入量產(chǎn)階段。公司下游客戶眾多并分散，且應用領域廣泛，新能源汽車、光伏及儲能等新能源行業(yè)市場空間巨大，公司重點拓展汽車電子、電源類及工業(yè)類市場，努力提高這幾個領域的產(chǎn)品占比，目前在新能源汽車領域應用的產(chǎn)品銷售占比正逐步提升。

資料顯示，捷捷微電1995年成立、2017年創(chuàng)業(yè)板上市，公司專注功率半導體分立器件，覆蓋芯片到器件全流程，產(chǎn)品分四大類，應用于消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、新能源等領域。

3、國聯(lián)萬眾碳化硅芯片晶圓工藝線升級為8英寸

1月20日，中瓷電子在互動平臺回答投資者提問時表示，子公司#國聯(lián)萬眾 碳化硅芯片晶圓工藝線經(jīng)過升級改造由6英寸升級為8英寸，目前已通線，處于產(chǎn)品升級及客戶導入階段，今后將有效提升國聯(lián)萬眾碳化硅功率產(chǎn)品的市場競爭力。

圖片來源：互動平臺截圖

中瓷電子是擁有氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應用、電子陶瓷等核心業(yè)務能力的高科技企業(yè)。

此外，中瓷電子還透露，子公司博威公司正在進行兩項募投項目，分別是氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設項目和通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設項目。這些項目目前處于建設階段，主要服務于5G通信、微波通信和衛(wèi)星通信等領域。公司表示，投資者可以通過其指定的信息披露平臺獲取項目的最新進展。

4、晶升股份8英寸碳化硅長晶設備業(yè)務增長趨勢明確

1月19日，晶升股份在回答投資者提問時表示，隨著半導體行業(yè)的復蘇，目前公司業(yè)務整體情況較去年呈現(xiàn)逐步改善的態(tài)勢。碳化硅方面的新增批量需求已由6英寸轉為8英寸，8英寸碳化硅長晶設備業(yè)務增長趨勢明確，已簽訂單及意向性訂單均有增加。

同時，AR眼鏡和先進封裝中介層等其他下游新興應用為12英寸碳化硅設備帶來了新的增量需求。另外，半導體硅方面推出多款產(chǎn)品，意向性訂單正與客戶緊密溝通并積極推動中。

圖片來源：互動平臺截圖

資料顯示，晶升股份成立于2012年，2023年科創(chuàng)板上市，專注半導體級晶體生長設備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心為半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐。

晶升股份自2017年啟動碳化硅單晶爐研發(fā)，2018年首臺產(chǎn)品交付客戶，產(chǎn)品矩陣覆蓋6-12英寸，核心包括JSSD、SCET420、SCMP等系列PVT法碳化硅單晶爐及SCMP/LP系列TSSG法設備，適配導電型、半絕緣型襯底生長，8英寸SCMP系列已批量供應三安光電、天岳先進、比亞迪等頭部客戶。

5、精進電動已向歐洲批量出口碳化硅控制器

1月19日，精進電動在互動平臺回答投資者提問時表示，公司已向歐洲批量出口碳化硅控制器，用于歐洲重卡市場。另外公司有出口至歐洲的三合一產(chǎn)品配套客戶多個車型。為歐洲客戶開發(fā)的乘用車緊湊型三合一電驅(qū)動系統(tǒng)的開發(fā)工作進展順利，預計2027年投產(chǎn)。

圖片來源：互動平臺截圖

資料顯示，精進電動成立于2008年，專注電驅(qū)動系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，自主掌握驅(qū)動電機、控制器、傳動總成及軟件控制核心技術，提供“三合一”電驅(qū)動總成等系統(tǒng)級解決方案，覆蓋乘用車、商用車及非汽車新能源領域。

在碳化硅領域，精進電動核心聚焦800V高壓平臺SiC控制器研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，自主掌握全棧技術并采用國產(chǎn)自主可控車規(guī)級芯片，推出功率可達300kW、最高效率99.6%的SiC控制器及集成化三合一電驅(qū)系統(tǒng)。

產(chǎn)能方面，山東菏澤基地二期年產(chǎn)30萬臺碳化硅及硅基控制器項目于2025年啟動建設并分階段投產(chǎn)，2025年8月已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

6、時代電氣：當前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設計定型

1月16日，時代電氣在互動平臺回答投資者提問時表示，當前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設計定型，達行業(yè)先進水平，第五代SiC技術也已完成布局。

目前SiC重點產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。

公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領域。

圖片來源：互動平臺截圖

7、結語

此次國聯(lián)萬眾8英寸碳化硅芯片晶圓工藝線通線、晶升股份8英寸長晶設備批量供應頭部客戶、精進電動實現(xiàn)碳化硅控制器歐洲批量出口，以及時代電氣第四代溝槽柵產(chǎn)品完成設計定型，集中展現(xiàn)了國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從設備、芯片到終端應用的階段性突破。

未來，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將逐步夯實規(guī)?；偁幓A，進一步銜接新能源汽車、通信等下游市場需求，推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)同升級。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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圖片來源：歌爾股份——圖為50°大視場角碳化硅光波導模組F50Se

據(jù)介紹，F(xiàn)50Se模組創(chuàng)新采用高折射率的碳化硅光波導材料，突破傳統(tǒng)玻璃基底30°視場角的物理限制，達到50°超大視場角。

同時，通過創(chuàng)新光柵設計與干法刻蝕工藝，有效消除AR光波導顯示中常見的殘影和彩虹紋干擾，顯著提升視覺純凈度；搭配全彩小型化LCoS光機，可實現(xiàn)1500尼特以上入眼亮度。通過系列創(chuàng)新，為輕薄型AR眼鏡提供兼具虛擬大屏、全彩色與高亮度的關鍵光學解決方案，提升觀影和娛樂場景體驗。

作為第三代半導體核心材料，碳化硅憑借高折射率、高熱導率的雙重優(yōu)勢，正成為破解AR眼鏡顯示瓶頸的關鍵材料，為行業(yè)技術迭代提供核心支撐。

其折射率可達2.6以上，遠高于傳統(tǒng)玻璃（最高約1.9）與樹脂材料（最高約1.74），能有效約束光線傳播、擴大視場角；同時，高折射率特性可壓縮光的有效波長、降低光柵周期，將環(huán)境光衍射角度移出人眼觀察范圍，從根源上緩解全彩顯示中常見的彩虹紋色散問題。

此外，碳化硅熱導率約490W/m·K，遠超玻璃（約1W/m·K），可快速傳導光機模塊熱量，支持高亮度顯示與長時間穩(wěn)定運行，還能簡化設備散熱設計、降低整機重量復雜度，為AR眼鏡輕薄化、高性能化升級奠定基礎。

歌爾光學在2025年9月CIOE展會上首發(fā)刻蝕全彩衍射光波導模組，厚度0.65mm、重量3.5g，采用全貼合技術消除空氣層，30°視場角內(nèi)無彩虹紋，透過率表現(xiàn)優(yōu)異；此次SPIE大會首發(fā)的F50Se模組，進一步將視場角提升至50°，形成消費級與專業(yè)級全覆蓋的產(chǎn)品矩陣。

除歌爾光學外，碳化硅光波導技術也在行業(yè)內(nèi)形成多點落地態(tài)勢。

秋果計劃Wigain Omnision XR眼鏡于2025年11月上市，據(jù)稱這是國內(nèi)首款深度整合大模型的消費級碳化硅AR設備，搭載全彩碳化硅波導光學模組，視場角50°、入眼亮度900nit。

2025年2月，天科合達與慕德微納在徐州簽署投資合同并共同出資成立合資公司，聚焦AR衍射光波導鏡片的技術研發(fā)與市場推廣。雙方于同年3月的Semicon China展會上，共同展示了搭載碳化硅光波導技術的AR眼鏡演示機，標志著合作成果進入場景化驗證階段。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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圖片來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術戰(zhàn)略聯(lián)盟

資料顯示，早在2010年，格力電器便建立了IPM功率模塊生產(chǎn)線，2018年格力零邊界公司成立，聚焦芯片設計業(yè)務。2023年，格力電器設立珠海格力電子元器件有限公司，主要負責第三代半導體碳化硅晶圓制造、功率器件封裝測試、半導體檢測及相關產(chǎn)品服務，產(chǎn)品可廣泛應用于商業(yè)空調(diào)、家用空調(diào)、生活家電、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領域。

珠海格力電子元器件有限公司擁有全球領先的全自動化第三代半導體碳化硅芯片生產(chǎn)線，并配套建設行業(yè)首座超級能源站，工廠核心設備國產(chǎn)化率超70%，集成AI缺陷檢測系統(tǒng)，實現(xiàn)“外延片-晶圓-封裝”全流程自主可控。

2025年，珠海格力電子元器件有限公司完成SiC二極管和MOSFET的AEC-Q101認證(含高溫反偏測試、功率溫度循環(huán)等)，工廠通過ISO9001質(zhì)量體系認證、ANSI/ESD、S20.20-2021靜電防護管理體系IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認證，已具備生產(chǎn)高可靠性家電芯片和車規(guī)級芯片的能力。

目前，格力碳化硅芯片已經(jīng)裝機出貨超過200萬臺空調(diào)，可以實現(xiàn)溫度降低和能效提升。格力用在光伏、儲能產(chǎn)品上的碳化硅器件，也可助力溫度降低和能效提升，2026年將量產(chǎn)。此外，格力用于中央空調(diào)冷水機組、物流車的碳化硅器件，也能實現(xiàn)能效提升，2026年也將陸續(xù)量產(chǎn)。

馮尹表示，格力的碳化硅工廠建設了6英寸、8英寸兼容機臺，具備全自動化天車系統(tǒng)，提供滿足車規(guī)級要求的測試服務。同時，格力碳化硅芯片工廠提供對外的代工流片服務。

針對當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，馮尹表示公司還面臨行業(yè)低價競爭、芯片推廣過程中客戶認為公司產(chǎn)品價格高、以及機臺設備配件仍依賴進口等痛點，對此其表示希望加強對外合作，協(xié)助更多芯片設計公司流片、與供應商一起打通行業(yè)堵點。

值得一提的是，媒體此前報道，格力電器董事長董明珠在接待廣汽集團董事長馮興亞時笑言，未來廣汽的汽車芯片中一半由格力產(chǎn)品替代。

上述言論很快在業(yè)界掀起熱議，對此廣汽集團迅速給出回應。

圖片來源：廣汽集團官方微博

廣汽集團發(fā)布官方微博表示，近期不少朋友關注廣汽與格力的合作動態(tài)，針對網(wǎng)傳“未來廣汽集團的汽車芯片中一半由格力芯片替代”內(nèi)容，相關網(wǎng)傳表述并非事實。

廣汽集團稱，2026年1月15日，廣汽集團董事長馮興亞率隊訪問格力電器，與董事長董明珠及管理團隊共商“人車家”智慧生態(tài)融合發(fā)展，探討產(chǎn)業(yè)協(xié)同。后續(xù)如有合作的具體進展，公司會第一時間通過官方渠道發(fā)布。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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圖片來源：三菱電機官網(wǎng)新聞稿

相關產(chǎn)品將于1月21-23日在東京第40屆Nepcon Japan R&D and Manufacturing展首次公開亮相，并計劃在北美、歐洲、中國、印度等核心市場展會持續(xù)展出。

作為第三代半導體材料的核心應用方向，SiC MOSFET憑借耐高溫、低損耗、高效率的特性，已成為新能源汽車及可再生能源領域的關鍵器件。

三菱電機自2010年起布局SiC功率半導體模塊業(yè)務，產(chǎn)品廣泛應用于空調(diào)、工業(yè)設備及鐵路車輛逆變系統(tǒng)，此次推出的溝槽型裸片則是對其現(xiàn)有技術體系的重要升級。據(jù)官方資料顯示，四款新品均采用750V額定電壓設計，導通電阻覆蓋20mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ四個檔位，型號分別為WF0020P-0750AA、WF0040P-0750AA、WF0060P-0750AA及WF0080P-0750AA，可滿足不同功率等級器件的封裝需求。

據(jù)悉，在封裝適配性與環(huán)保性方面，新品表面電極支持焊接連接，背電極兼容焊接鍵合與銀燒結鍵合兩種工藝，為下游廠商提供靈活的封裝解決方案，可廣泛集成于各類功率器件中。產(chǎn)品嚴格符合RoHS指令（2011/65/EU，(EU) 2015/863）要求，在性能提升的同時實現(xiàn)綠色環(huán)保設計，契合全球新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：天域半導體

基于此次合作，雙方將整合各自優(yōu)勢資源——天域半導體在碳化硅材料領域的深厚積累，以及青禾晶元在鍵合設備定制與優(yōu)化方面的專長，攜手推進鍵合材料（涵蓋鍵合碳化硅（bonded SiC）、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上壓電基板（POI）以及超大尺寸（12英寸及以上）SiC復合散熱基板等）的工藝研發(fā)與技術革新。

根據(jù)合作協(xié)議，天域半導體將負責bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC復合散熱基板及中介層等鍵合材料的工藝開發(fā)及規(guī)模化生產(chǎn)導入工作。青禾晶元則承諾為天域半導體提供離子注入、晶圓級鍵合、精密拋光、晶體修復及剝離等關鍵設備，并給予相應的技術支持。此次攜手，旨在充分發(fā)揮雙方在各自領域的專長，助力天域半導體在鍵合材料領域的技術實力再上新臺階，從而穩(wěn)固并擴大其市場版圖。

此次合作，不僅是技術層面的深度融合，更是天域半導體順應產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流，進行的一次前瞻性戰(zhàn)略布局。近年來，全球半導體行業(yè)的競爭焦點正逐步從傳統(tǒng)硅材料向碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料轉移。新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對高性能功率器件的需求日益增長，而這些器件的核心材料正是碳化硅及其復合基板。天域半導體與青禾晶元的合作，正是對這一行業(yè)趨勢的精準把握。

鍵合技術，作為一種將不同材料緊密結合的工藝，正成為推動新一代芯片性能躍升的關鍵因素。以SOI（絕緣體上硅）為例，其獨特的“三明治”結構能有效減少漏電流和寄生電容，使芯片運行更快、更節(jié)能、更抗輻射，廣泛應用于人工智能、5G通信、汽車電子及航空航天等領域。而POI（絕緣體上壓電基板）則在聲學和光學器件中發(fā)揮著重要作用，如噪聲監(jiān)測、TWS耳機主動降噪、醫(yī)學成像及高分辨率顯示等。

至于Bonded SiC（鍵合碳化硅），其優(yōu)勢尤為突出：一方面，它能顯著提高高質(zhì)量碳化硅單晶的利用率，一片標準厚度的單晶拋光片可制造出50片以上的鍵合拋光片；另一方面，它能降低功率器件的導通電阻，優(yōu)化電學性能。更值得一提的是，鍵合技術有望成為解決AI芯片散熱難題的關鍵工藝，臺積電、英偉達等行業(yè)巨頭已在此領域展開探索，未來或?qū)⒋呱f片級的市場需求。天域半導體已在金剛石、GaN、AlN等前沿材料上實現(xiàn)了鍵合晶片的制備，進一步拓寬了技術應用的邊界。

展望未來，天域半導體將繼續(xù)以技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級為核心驅(qū)動力，在保持碳化硅外延片領先優(yōu)勢的同時，積極探索更廣泛的材料應用與解決方案。隨著與青禾晶元合作的不斷深入，天域半導體有望在先進鍵合材料領域構建起新的技術壁壘，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈的升級發(fā)展，為中國半導體材料產(chǎn)業(yè)的崛起貢獻重要力量。

（集邦化合物半導體整理）

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1、芯元基半導體B+輪融資

根據(jù)天眼查APP于1月7日公布的信息整理，上海芯元基半導體科技有限公司B+輪融資，融資額未披露，參與投資的機構包括金橋基金，泥藕資本，創(chuàng)谷資本。

圖片來源：天眼查信息截圖

資料顯示，芯元基半導體是一家半導體元件研發(fā)生產(chǎn)商，主要從事以GaN為主的第三代半導體材料和電子器件的生產(chǎn)、銷售，擁有LED芯片DPSS復合襯底、藍寶石襯底化學剝離和WLP晶圓級封裝等系列LED芯片生產(chǎn)技術。

2、能訊半導體完成D輪融資

蘇州能訊高能半導體有限公司（以下簡稱“能訊半導體”）近日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投和九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，融資額未披露。

圖片來源：企查查信息截圖

能訊半導體創(chuàng)立于2011年，總部位于江蘇昆山，是一家射頻氮化鎵芯片制造服務商。目前，能訊半導體已構建了覆蓋氮化鎵外延生長、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、可靠性與應用電路的全產(chǎn)業(yè)鏈技術體系，包括：外延生長、工藝開發(fā)、晶圓制造、封裝測試及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、0.15μm、0.1μm工藝制程能力。

2025年12月，能訊半導體8英寸氮化鎵晶圓制造項目簽約落戶安徽池州經(jīng)開區(qū)。2026年1月，西安電子科技大學聯(lián)合能訊半導體在IEDM發(fā)布超高功率密度GaN射頻器件技術，在10GHz工作頻率、115V高漏壓條件下，實驗器件輸出了41W/mm的飽和功率密度。

3、序輪科技完成A3、A4輪戰(zhàn)略融資

近期，北京序輪科技有限公司（以下簡稱“序輪科技”）于近日完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資，投資機構包括北方華創(chuàng)旗下產(chǎn)業(yè)基金諾華資本、北京電控產(chǎn)投基金與前海方舟基金投資。

資金將重點投入于產(chǎn)線與配套體系的升級，以把握市場規(guī)?；狭康年P鍵機遇；同時，也將在研發(fā)創(chuàng)新與人才建設上持續(xù)加碼，為長期競爭力提供堅實支撐。

資料顯示，序輪科技專注于半導體先進封裝工藝所需的高分子膠膜/膠帶材料，包括UV減粘膜、DAF（芯片貼裝膠膜）、IBF絕緣堆積膜，新能源汽車用功能膠帶、以及液體和薄膜類集成電路塑封料等，產(chǎn)品已全面覆蓋晶圓減薄、切割、芯片貼裝與堆疊、2.5D/3D封裝等關鍵工藝，廣泛應用于射頻、算力、存儲芯片等高端制造領域。

目前，序輪科技產(chǎn)能可達對應約5億元銷售額的規(guī)模。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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8英寸導電型碳化硅襯底研發(fā)取得新進展，將加速產(chǎn)能建設與釋放

露笑科技表示，公司已全面掌握8英寸導電型碳化硅晶體生長工藝參數(shù)之間的耦合關系，成功生長出高質(zhì)量的8英寸碳化硅晶體。晶體結晶質(zhì)量高，晶型控制穩(wěn)定，確保了襯底的高性能和一致性。

圖片來源：露笑科技

公司在8英寸導電型碳化硅襯底的關鍵參數(shù)，包括微管密度、表面粗糙度、位錯密度、電阻率分布均勻性等，均已達到或優(yōu)于行業(yè)主流標準。其中，微管密度極低，表面質(zhì)量滿足客戶要求，為下游客戶制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了堅實基礎。

同時，公司擁有自主知識產(chǎn)權的生長設備和核心技術，實現(xiàn)了從原料合成、晶體生長、到襯底加工的全產(chǎn)業(yè)鏈技術布局。公司已建立起可重復的8英寸碳化硅襯底制造工藝體系，技術成熟度高。

目前，露笑科技合肥基地一期項目已順利投產(chǎn)，為公司提供了堅實的基礎產(chǎn)能。在此基礎上，公司正積極籌劃二期擴產(chǎn)項目。二期項目將重點聚焦于8英寸襯底及外延片的產(chǎn)線建設，旨在快速形成規(guī)?；a(chǎn)能力，以滿足新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能及工業(yè)控制等領域?qū)Ω咝阅?英寸碳化硅襯底日益增長的市場需求。

未來，露笑科技將前瞻性地布局下一代碳化硅技術，積極探索更大尺寸襯底的研發(fā)，致力于保持在行業(yè)內(nèi)的技術領先地位，鞏固公司的核心競爭優(yōu)勢。

“第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額下調(diào)

1月16日，露笑科技發(fā)布公告表示，公司擬將“第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額，從19.4億元下調(diào)至9.9億元，由此節(jié)余的9.5億元募集資金，將用于永久補充公司的流動資金。

圖片來源：露笑科技公告截圖

2020年8月，露笑科技與合肥市長豐縣人民政府簽署《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，擬在長豐縣共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，主要建設國際領先的第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地

根據(jù)最新公告，公司董事會會議已審議通過議案，同意對“第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”（一期）的投資規(guī)模進行調(diào)整。擬將總投資金額由21億元調(diào)整為11.50億元，募集資金計劃投資總額由19.40億元調(diào)整為9.90億元。

對此，露笑科技在公告中表示，該項目自規(guī)劃以來，行業(yè)總體競爭格局、市場環(huán)境發(fā)生了較大變化。首先，6英寸導電型碳化硅襯底市場競爭日趨激烈。在國家產(chǎn)業(yè)政策支持和下游市場發(fā)展預期的驅(qū)動下，全球碳化硅襯底廠商產(chǎn)能擴張速度加快，導致6英寸產(chǎn)品的產(chǎn)能快速釋放。

然而，自2024年以來，受宏觀經(jīng)濟環(huán)境、歐美新能源政策調(diào)整等因素影響，全球新能源汽車市場增速放緩，下游汽車廠商需求疲軟，并持續(xù)利用議價優(yōu)勢壓低產(chǎn)品價格。同時，光伏逆變、軌道交通等其他應用領域雖然需求增長，但短期內(nèi)難以消化龐大的襯底產(chǎn)能。此外，8英寸等更大尺寸的碳化硅襯底片陸續(xù)面世，也對6英寸產(chǎn)品形成了技術和市場上的沖擊。

露笑科技認為，在此背景下，如果繼續(xù)按照原計劃大規(guī)模投入建設，將大幅增加公司的固定成本和經(jīng)營風險，不符合公司長遠利益。公司判斷，調(diào)整投資規(guī)模后的產(chǎn)能，預計已能夠滿足現(xiàn)階段的發(fā)展需求，無需再按照原計劃進行投入。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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雷軍表示，現(xiàn)在小米反小字營銷，力求每一個事情都準確。新一代小米SU7汽車的“碳化硅高壓平臺”都明確到了752V、897V等具體數(shù)字，沒有叫800V或者900V。

雷軍認為，以前的350V叫400V是“行業(yè)陋習”，小米愿意接受更高標準的要求，不應該開玩笑，也不應該發(fā)牢騷，能用大字說明用大字說明、能寫完整的寫完整、能寫準確的寫準確，不要講行業(yè)過去怎么說。

資料顯示，小米新一代SU7車型即將于同年4月上市。新車在三電系統(tǒng)、智能駕駛等核心領域?qū)崿F(xiàn)全維升級，其中“全系標配碳化硅高壓平臺”的配置策略，成為碳化硅半導體技術在中端豪華純電市場規(guī)模化應用的重要里程碑。

具體而言，新車標準版、Pro版配備752V碳化硅高壓平臺，Max版升級為897V碳化硅高壓平臺；依托碳化硅材料高導熱、低損耗的優(yōu)異特性，新車形成梯度化超長續(xù)航矩陣，其中標準版CLTC續(xù)航720km、Pro版902km、Max版835km，最低能耗僅11.7kWh/100km。補能效率方面，Max版車型在常溫環(huán)境下自營充電樁實測可實現(xiàn)15分鐘最快補能CLTC續(xù)航670km的高效表現(xiàn)，大幅緩解用戶充電焦慮。

（集邦化合物半導體整理）

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