安意法8英寸SiC項(xiàng)目一期一階段試產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 11 月 24 日 17:39 | 分類 碳化硅SiC

近期,據(jù)重慶眾致環(huán)保有限公司披露的環(huán)保驗(yàn)收文件顯示,安意法半導(dǎo)體位于重慶的8英寸碳化硅(SiC)外延與芯片項(xiàng)目一期一階段已通過竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收,并于2025年5月進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

圖片來源:環(huán)保驗(yàn)收文件截圖

目前,該條生產(chǎn)線已具備年產(chǎn)2萬片車規(guī)級(jí)MOSFET芯片的能力,產(chǎn)品將主要面向新能源汽車、光伏儲(chǔ)能及充電樁等高壓高功率應(yīng)用場(chǎng)景。

根據(jù)投資方案,安意法8英寸SiC項(xiàng)目總體分兩期建設(shè),每期設(shè)計(jì)年產(chǎn)能26萬片車規(guī)級(jí)MOSFET芯片,全面達(dá)產(chǎn)后合計(jì)年產(chǎn)52萬片。一期一階段先行釋放2萬片年產(chǎn)能,后續(xù)產(chǎn)能將根據(jù)市場(chǎng)需求與設(shè)備搬入節(jié)奏逐年爬坡。項(xiàng)目總占地約30.8萬平方米,總建筑面積約25.5萬平方米,涵蓋芯片廠房、外延廠房、動(dòng)力中心、廢水處理站及配套辦公樓等完整生產(chǎn)與輔助設(shè)施。

據(jù)悉,重慶三安意法半導(dǎo)體碳化硅項(xiàng)目包含2個(gè)工廠:安意法8英寸SiC晶圓制造廠(由三安光電和意法半導(dǎo)體共同成立),以及8英寸SiC襯底制造廠(由三安獨(dú)立運(yùn)營)。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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