文章分類： 碳化硅SiC

合盛硅業(yè)子公司擬增資2億，加快碳化硅業(yè)務發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 17:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月15日，合盛硅業(yè)發(fā)布公告稱，為加快公司碳化硅業(yè)務的發(fā)展、擴大業(yè)務規(guī)模，確保滿足子公司正常運作所需資金需求，公司全資子公司合盛新材擬進行增資，注冊資本由10,000萬元增加至12,500萬元，新增注冊資本由外部投資者寧波聯江、厚一投資、孟擎實業(yè)以及公司關聯方暨公司副董事長羅燚...  [詳內文]

SiC相關企業(yè)燕東微上市，市值超270億元

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 17:13 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月16日，燕東微在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，發(fā)行價格21.98元/股，發(fā)行市盈率為68.39倍。 截至成文，燕東微上漲3.64%，報22.78元/股，總市值272.9億元。 圖片來源：同花順 燕東微是一家集芯片設計、晶圓制造和封裝測試于一體的半導體企業(yè)，主營業(yè)務包括產品與方...  [詳內文]

近16億，功率器件龍頭加購SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 17:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月15日，Wolfspeed宣布擴大與一家功率器件廠商的SiC襯底多年長期供貨協議，在原本已簽訂協議的基礎上，合同金額增加至2.25億美金（約合人民幣15.68億元），按照新簽的協議，Wolfspeed將向這家功率器件廠供應6英寸SiC襯底及外延片。 SiC有利于實現小型化...  [詳內文]

吉光半導體激光技術創(chuàng)新中心產線建設項目竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:16 |
| 分類: 碳化硅SiC
據報道，近日，吉光半導體激光技術創(chuàng)新中心產線建設項目如期竣工，潔凈實驗室廠房及動力配套系統(tǒng)投入使用，第一款產品實現量產出貨。 “我們擁有國際先進的半導體激光芯片量產線及研發(fā)線，大部分工藝環(huán)節(jié)實現自動化，具備多款高速、高功率半導體激光芯片的產品化能力，可提供芯片流片及中試驗證等創(chuàng)新...  [詳內文]

8英寸碳化硅量產，加速中國臺灣第三代化合物半導體發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:11 |
| 分類: 碳化硅SiC
據中國臺灣資策會產業(yè)情報研究所(MIC)于昨日舉行《2023年臺灣資通訊產業(yè)前景》記者會，會中公布2023產業(yè)十大前景趨勢，隨著凈零轉型、永續(xù)ESG重視性提升，資策會預測隨著國際大廠于8吋碳化硅量產，將加速中國臺灣第三代化合物半導體發(fā)展。 資策會MIC表示，國際大廠Wolfspe...  [詳內文]

青銅劍第三代半導體產業(yè)基地順利封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 15 日 11:02 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，深圳青銅劍科技股份有限公司（以下簡稱“深圳青銅劍”）科技大廈順利封頂。 青銅劍第三代半導體產業(yè)基地是深圳市年度重大項目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地逾8000平方米，總建筑面積近50000平方米。 該基地于2021年1月正式開工，將作為青銅劍科技集團總部，...  [詳內文]

SiC MOSFET新動態(tài)：意法半導體上車起亞，羅姆用于日立

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 14 日 17:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
新能源電動汽車是碳化硅應用最火熱的賽道，碳化硅應用在新能源汽車系統(tǒng)中，擁有顯著提高電動汽車的行駛里程，節(jié)約動力電子設備冷卻成本、減輕電動汽車自身的重量等諸多優(yōu)勢。 而在汽車電動化趨勢下，碳化硅功率器件市場需求龐大。 目前SiC功率元件市場主要由歐美日IDM大廠掌控，關鍵供貨商ST...  [詳內文]

意法半導體CEO Jean-Marc Chery近三年來首次訪華

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 14 日 17:29 |
| 分類: 碳化硅SiC
據意法半導體官方消息，司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery和全球市場營銷總裁Jerome Roux于2022年11月重啟了對中國的客戶的拜訪。 在此次的中國之行中，Jean-Marc Chery、Jerome Roux、意法半導體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平等ST高管...  [詳內文]

中國科大在氧化鎵半導體器件領域取得新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:17 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）成功被IEDM大會接收，這也是中國科大首次以第一作者單位在IEEE IEDM上發(fā)表論文。 高功率氧化鎵肖特基二極管 如何開發(fā)出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基...  [詳內文]

東風汽車碳化硅功率模塊將于明年實現量產裝車

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 13 日 17:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，東風汽車宣布智新半導體碳化硅功率模塊項目將于2023年實現量產裝車。 同時，東風汽車與中國信科共建的汽車芯片聯合實驗室，正在推進車規(guī)級MCU芯片在漢落地，預計2024年實現量產；與中芯國際合作，已完成設計首款MCU芯片。 據悉，智新半導體成立于2019年6月，由東風公司與中...  [詳內文]