該超級充電站配備了6個充電樁和11把充電槍，可同時滿足11輛車的充放電需求。其充電速度極快，最快可達1秒1公里，同時還能根據(jù)車型需求精準控制充電速度和電量，如同 “智能水龍頭” 般自動調(diào)節(jié)，從而更好地保護電池。該系統(tǒng)采用一體式充電站和10千伏直掛式設計，具備占地面積小、低能量損耗、充電功率大和電網(wǎng)支撐強等優(yōu)勢，系統(tǒng)效率由傳統(tǒng)的91%提升至96%，能滿足200伏至1000伏范圍內(nèi)電動汽車充電平臺自適應匹配的需求。

值得關注的是，該系統(tǒng)是國網(wǎng)湖南電科院聯(lián)合中車株洲所攻關，全碳化硅構(gòu)網(wǎng)型10千伏直掛超級充電系統(tǒng)實現(xiàn)從主控芯片到嵌入式操作系統(tǒng)的全國產(chǎn)化，是全國產(chǎn)化中壓碳化硅器件首次實現(xiàn)商業(yè)化應用，成本可降低20%。

碳化硅材料具備更高的擊穿電場、更快的開關速度與更低的導通損耗，這使得電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗大幅降低，系統(tǒng)整體效率從傳統(tǒng)充電設備的91%提升至96%，從而實現(xiàn)了更快的充電速度，如該系統(tǒng)最快可達1秒1公里的充電速度。

此外，由于長期以來中壓碳化硅功率器件及充電系統(tǒng)核心控制組件被國外企業(yè)壟斷，成本居高不下。此次全國產(chǎn)化中壓碳化硅器件的應用，擺脫了對進口器件的依賴，且國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈具備規(guī)?；a(chǎn)優(yōu)勢，使系統(tǒng)整體建設成本較采用進口器件的同類設備降低20%。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：納微芯球

該實驗室將納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產(chǎn)品優(yōu)勢與兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領域的深厚積累相結(jié)合，面向AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、儲能等新興市場，提供智能、高效的數(shù)字能源解決方案。

自籌備以來，數(shù)字能源聯(lián)合實驗室已取得一系列成果，先后推出4.5kW、12kW服務器電源，以及500W單級微型逆變器等解決方案。這些方案以先進拓撲，滿足行業(yè)“高效率、高功率密度”等需求演進方向。方案的落地不僅展現(xiàn)了納微半導體 與兆易創(chuàng)新在數(shù)字能源領域的創(chuàng)新實力，也凸顯了雙方技術融合所帶來的獨特優(yōu)勢與市場競爭力。

比如4.5kW和12kW AI服務器電源方案，基于納微GaNSafe氮化鎵功率芯片與第三代快速碳化硅MOSFETs產(chǎn)品，結(jié)合兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU打造的4.5kW和12kW AI服務器電源方案，專為AI和傳統(tǒng)服務器以及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心設計。其中的12kW方案不僅符合開放計算項目（OCP）、開放機架v3（ORv3）及CRPS規(guī)范，更以極簡元器件布局，超越80 PLUS紅寶石“Ruby”標準，實現(xiàn)97.8%峰值效率。

（集邦化合物半導體整理）

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此次合作將大幅增強CGD的供應鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴大其獨有的ICeGaN?單晶片功率器件的全球供應規(guī)模，以滿足電動汽車、數(shù)據(jù)中心和消費電子等高增長市場對高效能、高可靠性GaN解決方案的迫切需求。

圖片來源：CGD公告截圖

合作焦點：鞏固Fabless戰(zhàn)略，加速規(guī)?；a(chǎn)

此次CGD與GlobalFoundries的合作，是CGD邁向全球規(guī)?；a(chǎn)的關鍵一步。通過與GF合作，CGD將能夠確保其核心ICeGaN?產(chǎn)品的制造能力和供應鏈穩(wěn)定，這對于一家快速擴張的公司至關重要。

CGD首席運營官SimonStacey表示，此次合作將利用GF卓越的代工服務和對GaN技術的投入，能夠?qū)GD的設計流程與GF的制程設計套件（PDK）相結(jié)合，大幅加快下一代GaN功率器件的開發(fā)和上市速度。雙方將利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圓代工平臺，以具備競爭力的成本加速CGD單晶片GaN技術的量產(chǎn)。

公開資料顯示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年創(chuàng)立，其技術根植于劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組（HVMS）。公司的核心競爭力在于其ICeGaN?增強型氮化鎵 (HEMT) 技術，它徹底改變了GaN器件的設計方式。

ICeGaN?最顯著的特點是采用了獨特的單晶片集成架構(gòu)。它在同一GaN晶片上集成了GaN開關、智能介面和保護電路，與市面上大多數(shù)采用多晶片或共封裝的解決方案形成了鮮明對比。這種單晶片設計帶來了前所未有的易用性和高可靠性。

首先，ICeGaN?能夠像標準矽MOSFET一樣，直接由常用的矽MOSFET驅(qū)動器驅(qū)動，顯著簡化了客戶的設計流程，消除了使用復雜驅(qū)動電路的需求。其次，集成的保護電路提升了器件的抗雜訊能力和過壓耐受性，確保了卓越的柵極可靠性。這種整合不僅提高了GaN器件的固有優(yōu)勢——高效率和高功率密度，還解決了其在工業(yè)應用中的易用性和可靠性挑戰(zhàn)。

除了制造端的戰(zhàn)略合作，CGD在技術應用方面也積極布局，瞄準高功率市場。公司最近推出了ComboICeGaN技術，這是一種混合開關解決方案，將智能ICeGaNHEMTIC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成于同一模塊中。該技術旨在為電動汽車逆變器提供一種具成本效益、替代昂貴碳化矽（SiC）的解決方案，是CGD進軍高功率汽車應用的關鍵。

此外，CGD也與工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)先進的高功率密度USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機等應用提供高達140-240W的高效電源解決方案。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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發(fā)布會上，上海市科委副主任屈煒透露，上海圍繞未來制造、未來信息、未來材料、未來能源、未來空間、未來健康六大方向，分近、中、遠三個層次，合理規(guī)劃、分層推進、精準培育。其中包括加快培育硅光、6G、第四代半導體、類腦智能等領域，重點支持優(yōu)化產(chǎn)品設計、拓展應用場景、驗證市場價值。

第四代半導體是繼第一代硅（Si）、鍺（Ge），第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）之后的新型半導體材料體系。主要包括氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等超寬禁帶半導體材料，以及銻化鎵（GaSb）、銻化銦（InSb）等超窄禁帶半導體材料。

此前5月，上海在臨港新片區(qū)宣布建設上海超寬禁帶半導體未來產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，同時，上海市寬禁帶與超寬禁帶半導體材料重點實驗室正式揭牌，臨港新片區(qū)發(fā)布了十條支持寬禁帶與超寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，超寬禁帶半導體概念驗證中心、集成電路材料概念驗證中心也啟動建設，寬禁帶與超寬禁帶產(chǎn)業(yè)基金矩陣正式發(fā)布，超寬禁帶半導體創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟也發(fā)起成立。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：南海融媒

項目總投資10億元，將建設云潼科技華南總部，打造成專用集成電路芯片及器件創(chuàng)新封裝產(chǎn)品技術研發(fā)基地，為佛山乃至粵港澳大灣區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁“芯”動力。

資料顯示，云潼科技成立于2018年，是一家基于電機驅(qū)動和電源逆變場景，擁有應用技術方案輸出能力，提供車規(guī)級功率半導體和ASIC芯片、產(chǎn)品、模塊，全鏈條自主可控的半導體Fablite（輕晶圓廠）公司。

截至2025年6月，云潼科技累計申請知識產(chǎn)權(quán)301項，已獲授權(quán)140項，展現(xiàn)出強勁的創(chuàng)新能力。累計交付超過4億顆芯片，且保持“零質(zhì)量事故”記錄。

未來，云潼科技華南總部將聚焦新能源汽車、無人機、機器人和電力系統(tǒng)應用領域的四大特色封裝系列模塊產(chǎn)品及板級解決方案的研發(fā)與量產(chǎn)。

同時，依托大灣區(qū)的人才和供應鏈優(yōu)勢，云潼科技華南總部將重點開展專用集成電路芯片及器件創(chuàng)新封裝產(chǎn)品技術研發(fā)工作。

（集邦化合物半導體整理）

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01、芯聯(lián)集成全新碳化硅產(chǎn)品開啟量產(chǎn)交付

近期，芯聯(lián)集成與理想汽車舉辦理想&芯聯(lián)集成合作伙伴交流會暨BAREDIE晶圓下線儀式。

圖片來源：芯聯(lián)集成

自2024年3月正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議以來，兩家公司在碳化硅技術上展開了全面且深入的合作。歷經(jīng)一年多的緊密協(xié)作，由理想汽車設計開發(fā)、芯聯(lián)集成代工量產(chǎn)的碳化硅產(chǎn)品現(xiàn)已開啟量產(chǎn)交付。

芯聯(lián)集成是國內(nèi)領先的一站式芯片系統(tǒng)代工企業(yè)，在車規(guī)級碳化硅領域擁有深厚技術積累；而理想汽車作為新能源汽車市場的領軍企業(yè)，近年來持續(xù)加碼純電賽道。

此次量產(chǎn)交付的碳化硅產(chǎn)品，標志著雙方戰(zhàn)略協(xié)同邁入新階段，也是理想純電戰(zhàn)略落地的關鍵一環(huán)。未來，該產(chǎn)品將在理想i系列純電車型上搭載。

芯聯(lián)集成表示，這款碳化硅產(chǎn)品在綜合性能方面表現(xiàn)卓越，尤其是在導通電阻、應用結(jié)溫等方面較市場主流產(chǎn)品展現(xiàn)出更大優(yōu)勢，有助于提升車輛補能效率及續(xù)航里程。

02、悉智科技第10萬顆SiC車載電驅(qū)模塊順利下線

近日，悉智科技第10萬顆SiC車載電驅(qū)模塊順利下線。未來，該公司將向100萬顆交付目標沖刺。

圖片來源：悉智科技

悉智科技CEO劉波表示，從0到10萬交付，這只是第一階段的跨越，接下來悉智不會只滿足于明年突破50萬的交付里程碑，更要全力與客戶、供應商和全體員工攜手并進，早日達成100萬交付目標，夯實新能源汽車市場SiC電驅(qū)模塊、SiC電源模塊的高端制造能力，同時為進軍AIDC市場SiC電源模塊領域奠定堅實基礎。

資料顯示，悉智科技于2022年1月1日正式運營，目前研發(fā)人員約100人，占比50%，蘇州和上海兩個辦公地點，已投資超3億元，獲得TüV 16949體系認證。

其中，蘇州建設一個車規(guī)級封裝工廠，具備失效分析、可靠性、測試開發(fā)能力；上海建設一個技術中心，具備測試開發(fā)能力。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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會上，東湖高新區(qū)相關負責人表示，位于東湖高新區(qū)光谷一路的先進封裝綜合實驗平臺二期及產(chǎn)業(yè)化基地項目，計劃10月開工，明年10月通線試運行，建設國內(nèi)高端芯片先進封裝量產(chǎn)線，將中試平臺創(chuàng)新成果直接導入量產(chǎn)，構(gòu)建以實驗室為引領，貫穿先進封裝“基礎研究—概念驗證—研發(fā)—小試—中試—產(chǎn)業(yè)化”全鏈條的創(chuàng)新閉環(huán)。

東湖高新區(qū)相關負責人介紹，該項目將與人工智能芯片、光芯片、化合物半導體、硅光等創(chuàng)新載體聯(lián)動，在未來10年內(nèi)推動超50家產(chǎn)業(yè)鏈上下游創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊落戶武漢光谷。

2023年，武漢提出打造全球化合物半導體創(chuàng)新燈塔和產(chǎn)業(yè)高地。如今，武漢已成為全國重要的化合物半導體創(chuàng)新高地。

2025年5月28日，長飛先進武漢基地首片晶圓下線，該項目總投資超200億元，一期建設內(nèi)容包括年產(chǎn)36萬片外延廠、年產(chǎn)36萬片6寸碳化硅晶圓廠等。與長飛先進武漢基地相距不遠的先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地已全部封頂，計劃年底前實現(xiàn)部分投產(chǎn)，該項目投資120億元，建成后將填補武漢光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導體襯底、外延材料的空白。

圖片來源：長飛先進

此外，作為湖北省十大實驗室之一的九峰山實驗室，2023年正式投入運營，聚焦化合物半導體的研發(fā)與創(chuàng)新，已建成全球化合物半導體產(chǎn)業(yè)最先進、規(guī)模最大的科研及中試平臺，接連突破全球首片硅光鈮酸鋰集成晶圓、全球首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底等關鍵核心技術，迄今已吸引500多家企業(yè)和科研機構(gòu)尋求合作，30多家上下游企業(yè)比鄰而居。

在武漢東湖高新區(qū)建設的化合體半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)，目前主體結(jié)構(gòu)已封頂，預計于2026年建成投用。該基地總投資17億元，其中2/3以上用于打造千級/百級超凈潔凈室、高效冷卻設備、超純水處理系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)等半導體生產(chǎn)公共基礎設施。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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揚杰科技報告期內(nèi)，半導體行業(yè)景氣度持續(xù)攀升，汽車電子、人工智能、消費類電子等領域需求旺盛，帶動公司主營業(yè)務顯著增長。

資料顯示，揚杰科技專業(yè)致力于功率半導體硅片、芯片及器件設計、制造、封裝測試等中高端領域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。該公司2025年上半年業(yè)績表現(xiàn)亮眼，實現(xiàn)營業(yè)總收入34.55億元，同比增長20.58%；歸母凈利潤6.01億元，同比增長41.55%。

今年9月，揚杰科技發(fā)布公告稱，公司擬支付現(xiàn)金22.18億元購買東莞市貝特電子科技股份有限公司100%股權(quán)。本次交易完成后，貝特電子將成為揚杰科技的全資子公司。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：英諾賽科公告截圖

英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購20,700,000股新H股，配售價為每股H股75.58港元。

假設所有配售股份均獲悉數(shù)配售，預計配售所得款項總額及所得款項凈額（經(jīng)扣除傭金及估計開支后）分別為1,564.506百萬港元及約1,550.425百萬港元（15.50億港元）。

英諾賽科披露了關于此次配售所得款項的用途：

約4.82億港元用于產(chǎn)能擴充及產(chǎn)品迭代升級；英諾賽科計劃未來三年將持續(xù)擴充產(chǎn)能，以滿足氮化鎵功率器件市場指數(shù)級增長需求，并對產(chǎn)線進行改造，以生產(chǎn)應用于車規(guī)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心領域的更高等級產(chǎn)品。

此外，約3.76億港元用于償還有息負債；約6.92億港元用于營運資金及一般公司用途，包括：薪金、社會保障、住房公積金及其他人力資源支出、向供應商及服務提供商支付的款項及潛在境內(nèi)外投資。

英諾賽科配售后，公司注冊資本及股份總數(shù)將分別變更為人民幣915,100,653元及915,100,653股。公司將向聯(lián)交所申請批準配售股份上市及買賣，并根據(jù)中國證監(jiān)會備案規(guī)則進行備案。

資料顯示，英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。

作為國內(nèi)GaN技術的重要推動者，英諾賽科產(chǎn)品涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN）、雙冷卻LGA封裝以及系統(tǒng)級封裝SolidGaN等多個產(chǎn)品系列，覆蓋家電、數(shù)據(jù)中心、新能源、汽車和機器人等多個關鍵領域，具備在高壓、高功率密度應用方面的技術實力。

與此同時，英諾賽科在氮化鎵領域也在積極瞄準產(chǎn)業(yè)協(xié)同，與多家公司實現(xiàn)戰(zhàn)略合作。今年9月29日，英諾賽科便宣布與聯(lián)合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關產(chǎn)品。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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圖片來源：格力電子元器件

此次成立聯(lián)合研究中心，雙方將圍繞碳化硅全鏈條難題攻關，推動科研成果轉(zhuǎn)化，挖掘新應用場景，還將建立常態(tài)化溝通、定期技術研討、人才聯(lián)合培養(yǎng)三大機制，共同挖掘碳化硅器件的藍海市場，為碳化硅技術創(chuàng)新與我國功率半導體產(chǎn)業(yè)崛起貢獻力量。

過去兩年，雙方合作已取得扎實進展，學校科研團隊與元器件技術專家緊密協(xié)作，在平面器件、溝槽技術、超結(jié)等多個領域開展深入研究并攻克一系列技術難題；未來，雙方將以聯(lián)合研究中心為基地，在車規(guī)級可靠性、先進模塊封裝、IPM驅(qū)動等方面進一步全面深入拓展合作。

珠海格力電器股份有限公司總裁助理兼珠海格力電子元器件有限公司總經(jīng)理馮尹表示，在“共創(chuàng)”層面，格力電器已發(fā)展成為多元化、科技型的全球工業(yè)制造集團，通過芯片制造、工藝與設計閉環(huán)實現(xiàn)核心技術自主可控，內(nèi)部碳化硅需求量巨大。雙方理念契合，可依托聯(lián)合研究中心共同攻克技術瓶頸，推動科研成果快速落地。

在“共拓”層面，雙方可攜手拓展市場邊界，聚焦于卷技術、卷質(zhì)量、卷應用，整合雙方優(yōu)勢攻克碳化硅技術瓶頸，挖掘藍海市場，推動科研成果轉(zhuǎn)化與人才協(xié)同。

最后馮尹提出要以自驅(qū)力突破自我，跳出局限共謀創(chuàng)新，承載格力發(fā)展使命，助力產(chǎn)業(yè)騰飛，實現(xiàn)共創(chuàng)共拓共贏。

（集邦化合物半導體整理）

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