source：SK hynix

公開資料顯示，SK Keyfoundry是一家8英寸晶圓代工廠，于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來(lái)，并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身則為Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收購(gòu)，以其在設(shè)計(jì)和制造碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體方面的專業(yè)知識(shí)而聞名。

值得注意的是，SK集團(tuán)此前已構(gòu)建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動(dòng)汽車充電器）”的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。此次收購(gòu)后，SK Keyfoundry將進(jìn)一步強(qiáng)化該鏈條，推動(dòng)SiC技術(shù)在新能源汽車、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的應(yīng)用落地。

此前2023年SK Powertech通過(guò)釜山新工廠將SiC產(chǎn)能擴(kuò)大近三倍，年產(chǎn)能達(dá)2.9萬(wàn)片150mm晶圓，但受新能源汽車市場(chǎng)需求短期放緩影響，其營(yíng)收不及預(yù)期。為緩解財(cái)務(wù)壓力，SK Powertech于2024年底計(jì)劃通過(guò)業(yè)務(wù)重組優(yōu)化資源配置。

SK?keyfoundry表示，此次收購(gòu)旨在加速推進(jìn)其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力構(gòu)建。公司強(qiáng)調(diào)：“這一戰(zhàn)略性股權(quán)收購(gòu)將顯著增強(qiáng)我們?cè)谙乱淮衔锇雽?dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力?！辈⑦M(jìn)一步闡述：“憑借我們?cè)诎雽?dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)方面的專業(yè)技術(shù)，與SK Powertech在碳化硅（SiC）基功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累相結(jié)合，雙方將實(shí)現(xiàn)顯著的協(xié)同效應(yīng)?！?/p>

目前，韓國(guó)政府正在與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合力推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)升級(jí)。除SK集團(tuán)外，三星電子已組建SiC團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃2025年啟動(dòng)第三代半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)；LG、現(xiàn)代等企業(yè)也在積極布局相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。此外，韓國(guó)政府計(jì)劃投資5.22億元人民幣在釜山建設(shè)8英寸SiC示范基地，并通過(guò)政策支持全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，包括襯底材料、外延片、器件設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

為精進(jìn)電動(dòng)全國(guó)戰(zhàn)略布局的重要支點(diǎn)，菏澤基地自2018年啟動(dòng)建設(shè)以來(lái)持續(xù)擴(kuò)容。首期投資20億元打造的智能化生產(chǎn)基地，已建成覆蓋研發(fā)、測(cè)試、制造全流程的新能源電驅(qū)動(dòng)總成產(chǎn)線。其中一期工程于2019年4月提前兩個(gè)月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，形成年產(chǎn)30萬(wàn)套電驅(qū)動(dòng)動(dòng)力總成和百萬(wàn)級(jí)齒輪組件的生產(chǎn)能力。

目前該基地已躍升為公司規(guī)模最大的研發(fā)制造中心，二期項(xiàng)目的實(shí)施將進(jìn)一步完善”電機(jī)-電池-電控”三電系統(tǒng)垂直整合能力。

在區(qū)域布局方面，精進(jìn)電動(dòng)已形成”北研南產(chǎn)”的產(chǎn)業(yè)格局。位于上海嘉定的首個(gè)量產(chǎn)基地自2015年投產(chǎn)以來(lái)，年產(chǎn)能已提升至20萬(wàn)臺(tái)套，持續(xù)承擔(dān)核心技術(shù)研發(fā)與高端產(chǎn)品試制任務(wù)。河北正定生產(chǎn)基地作為技術(shù)標(biāo)桿，通過(guò)11億元投資打造的智能化工廠，在2022年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)50萬(wàn)臺(tái)套電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其技術(shù)指標(biāo)與生產(chǎn)效率均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

公開資料顯示，這家成立于2008年的科技企業(yè)，始終專注于碳化硅電控、高效電機(jī)及系統(tǒng)集成技術(shù)研發(fā)。2021年登陸科創(chuàng)板后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年財(cái)報(bào)顯示其上海、河北基地實(shí)現(xiàn)營(yíng)收13億元，同比增長(zhǎng)50%，彰顯新能源汽車核心部件領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此次山東二期項(xiàng)目的啟動(dòng)，標(biāo)志著公司在碳化硅技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面取得突破性進(jìn)展，將進(jìn)一步鞏固其在新能源三電系統(tǒng)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該實(shí)驗(yàn)室的成立旨在聚焦半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，通過(guò)產(chǎn)學(xué)研深度融合，推動(dòng)我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

公開消息顯示，揚(yáng)杰科技中央研究院按照國(guó)內(nèi)一流電子實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，總建筑面積達(dá)5000平方米，分為可靠性實(shí)驗(yàn)室、失效分析實(shí)驗(yàn)室、模擬仿真實(shí)驗(yàn)室和綜合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室已通過(guò)CNAS（中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)）認(rèn)證，具備芯片設(shè)計(jì)模擬仿真、環(huán)境測(cè)試、物理化學(xué)失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機(jī)械應(yīng)力模擬仿真等多項(xiàng)功能。

中央研究院整合了揚(yáng)杰科技的多個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個(gè)領(lǐng)域。此外，該公司還與東南大學(xué)共建“寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實(shí)驗(yàn)室的成立將進(jìn)一步推動(dòng)公司在高端功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

揚(yáng)杰科技中央研究院獲批省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室后，將重點(diǎn)解決大功率半導(dǎo)體器件的前沿技術(shù)和共性關(guān)鍵技術(shù)，助力我國(guó)在IGBT等新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。此外，實(shí)驗(yàn)室還將為揚(yáng)杰科技新產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)瓶頸突破以及市場(chǎng)版圖擴(kuò)展提供強(qiáng)有力的保障。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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近期，市場(chǎng)傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動(dòng)態(tài)。

元芯推出高性能氮化鎵功率器件

近日，元芯半導(dǎo)體正式發(fā)布全新一代集成化GaN功率芯片ezGaN系列，采用全集成設(shè)計(jì)，將高壓GaN晶體管、智能驅(qū)動(dòng)電路、多重保護(hù)功能（過(guò)壓/過(guò)流/過(guò)溫）及無(wú)損電流監(jiān)測(cè)模塊整合于單一封裝內(nèi)。

上述產(chǎn)品具備如下特點(diǎn)：精準(zhǔn)無(wú)損電流采樣；超寬范圍VCC供電 （5V to 40V）；可配置驅(qū)動(dòng)速度，優(yōu)化EMI設(shè)計(jì)；超短驅(qū)動(dòng)延時(shí)（5ns)；超短有效PWM脈寬（1.4ns)；支持更高頻率工作(50MHz)；集成溫度采樣和過(guò)溫保護(hù)；200V/ns dv/dt耐受能力。

‍資料顯示，元芯半導(dǎo)體以高性能高可靠性模擬芯片解決方案和第三代半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)為核心，面向光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通訊等領(lǐng)域，提供硅基高性能模擬芯片和第三代半導(dǎo)體功率芯片一站式系統(tǒng)整體解決方案，推動(dòng)低能耗高性能高可靠性功率電子技術(shù)的發(fā)展以滿足節(jié)能減碳的迫切需求。

比亞迪&大疆：車載無(wú)人機(jī)采用氮化鎵技術(shù)

近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無(wú)人機(jī)系統(tǒng)——靈鳶。

靈鳶系統(tǒng)采用雙側(cè)對(duì)夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補(bǔ)電60%。

這不是大疆無(wú)人家首次采用氮化鎵技術(shù)，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avinox 電助力系統(tǒng)兩大產(chǎn)品，后者就支持氮氮化鎵3倍快充技術(shù)，其采用的12A/508W 快充充電器的充電速度是 4A/168W普通充電器的 3 倍，800瓦時(shí)電池電量從0%充到75%僅需約1.5小時(shí)。

貝爾金發(fā)布11合1 Pro GaN擴(kuò)展塢

近期，貝爾金（Belkin）推出升級(jí)版移動(dòng)電源、頭戴式耳機(jī)以及11 合 1 Pro GaN 擴(kuò)展塢等多款新品。

這款擴(kuò)展塢內(nèi)置電源適配器，供電方面，僅需一根電源線連接插座。該擴(kuò)展塢最大供電功率150W，單個(gè)USB-C端口支持96W，滿足16英寸MacBook Pro 需求，此外提供7.5W、15W和20W充電端口，適用于iPhone、iPad等設(shè)備。

同時(shí)，該款擴(kuò)展塢配備 11 個(gè)端口，包括10Gb/s USB-A、10Gb/s USB-C、5Gb/s USB-C、96W PD USB-C、3.5mm音頻輸入/輸出、SD卡槽、micro SD卡槽、兩個(gè)HDMI 2.0端口和千兆以太網(wǎng)端口。

賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段

近期，賽微電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露了相關(guān)產(chǎn)線進(jìn)展情況，其表示：

深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中；MEMS先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段。

在試驗(yàn)線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運(yùn)營(yíng)，與客戶需求對(duì)接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動(dòng)已在公司現(xiàn)有條件下展開，工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì)搭建持續(xù)進(jìn)行，與項(xiàng)目相關(guān)的設(shè)備采購(gòu)已大規(guī)模實(shí)施，該項(xiàng)目實(shí)施主體賽積國(guó)際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內(nèi)租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗(yàn)線。

在商業(yè)線層面，基于產(chǎn)線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量，公司仍在謹(jǐn)慎商討決策具體建設(shè)方案，有可能是在現(xiàn)有廠房中推進(jìn)建設(shè)；基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段，還需要時(shí)間；公司已持續(xù)開發(fā)、量產(chǎn)各自不同型號(hào)類別的濾波器；公司與武漢敏聲保持長(zhǎng)期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體flora整理）

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01新疆北屯40億元半導(dǎo)體材料項(xiàng)目簽約，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

據(jù)第十師北屯市公眾號(hào)消息，近日，新疆第十師北屯市與北京卓融和遠(yuǎn)科技發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“北京卓融和遠(yuǎn)科技”）正式簽約總投資40億元的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，標(biāo)志著該地區(qū)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)了解，新疆北屯卓融和遠(yuǎn)半導(dǎo)體材料項(xiàng)目位于北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資40億元。項(xiàng)目選址北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，將依托當(dāng)?shù)刎S富的礦產(chǎn)資源、區(qū)位優(yōu)勢(shì)及政策環(huán)境，重點(diǎn)發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及材料研發(fā)制造，涵蓋碳化硅（SiC）、金剛石等核心材料。

企查查顯示，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司間接持有北京卓融和遠(yuǎn)科技30%股權(quán)。江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體成立于2018年，是一家以創(chuàng)新開發(fā)為主導(dǎo)，以先進(jìn)技術(shù)為基石的第三代半導(dǎo)體高新科技企業(yè)。公司自成立以來(lái)一直專注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營(yíng)業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)裝備、金剛石與碳化硅SiC晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

02廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體

3月5日，廣西梧州市長(zhǎng)洲區(qū)舉行重大項(xiàng)目集中開竣工活動(dòng)，其中龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目總投資約50億元，占地面積250畝，聚焦合成立方氧化鋯與合成碳化硅晶體材料生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)1萬(wàn)噸合成立方氧化鋯晶體及30噸合成碳化硅晶體，建成后將形成集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)加工、銷售貿(mào)易于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

作為長(zhǎng)洲區(qū)寶石產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心項(xiàng)目，產(chǎn)業(yè)園將引入智能化生產(chǎn)設(shè)備，推動(dòng)傳統(tǒng)珠寶加工向綠色化、高端化轉(zhuǎn)型。同時(shí)，項(xiàng)目將聯(lián)動(dòng)京東科技等企業(yè)，深化數(shù)字經(jīng)濟(jì)與實(shí)體經(jīng)濟(jì)融合，預(yù)計(jì)帶動(dòng)就業(yè)超千人，并為村級(jí)集體經(jīng)濟(jì)增收提供新路徑。長(zhǎng)洲區(qū)政府表示，將通過(guò)“專班推進(jìn)+要素保障”模式，確保項(xiàng)目2025年內(nèi)投產(chǎn)見效。

03元山電子啟動(dòng)二期車規(guī)級(jí)SiC項(xiàng)目，加速國(guó)產(chǎn)碳化硅模組量產(chǎn)

據(jù)“濟(jì)南報(bào)業(yè)時(shí)政融媒”報(bào)道，2月24日，元山（濟(jì)南）電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“元山電子”）投資建設(shè)的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組自動(dòng)化產(chǎn)線”已取得新的進(jìn)展。該項(xiàng)目的一期試線建設(shè)已全面完成，二期正加快建設(shè)，今年一季度完成自動(dòng)化產(chǎn)線搭建并開始投產(chǎn)。

此前2024年12月，元山電子宣布車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷，標(biāo)志著其二期項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)沖刺階段。該項(xiàng)目總投資3億元，規(guī)劃建設(shè)60萬(wàn)只碳化硅功率模塊產(chǎn)線，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值超5億元，可滿足新能源汽車、儲(chǔ)能、光伏等領(lǐng)域的高功率需求。

在2024年12月元山電子車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷的同時(shí)，晶能微電子的車規(guī)級(jí) Si/SiC 封測(cè)產(chǎn)線擴(kuò)建項(xiàng)目（總投資超億元）也在同期推進(jìn)，雙方通過(guò)技術(shù)互補(bǔ)與產(chǎn)能協(xié)同，加速國(guó)產(chǎn)碳化硅模組的規(guī)?；瘧?yīng)用。

公開資料顯示，元山電子成立于2020年，專注于碳化硅模組研發(fā)，其產(chǎn)品性能已達(dá)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。此次二期項(xiàng)目將進(jìn)一步優(yōu)化工藝，引入全自動(dòng)封裝技術(shù)，提升車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的可靠性與一致性。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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source：博世半導(dǎo)體
（圖為碳化硅功率模塊本地化生產(chǎn)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)）

據(jù)悉，該基地總投資約70億人民幣，聚焦新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品、智能制動(dòng)系統(tǒng)及高階自動(dòng)駕駛技術(shù)研發(fā)。首期工程建筑面積超7萬(wàn)平方米，配備先進(jìn)無(wú)塵車間，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能達(dá)百萬(wàn)級(jí)模塊單元。

值得注意的是，博世項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，僅用兩個(gè)月實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn)，首批產(chǎn)品于2025年1月下線，較原計(jì)劃提前半年，展現(xiàn)了博世對(duì)中國(guó)市場(chǎng)需求的快速響應(yīng)能力。

博世碳化硅功率模塊憑借其寬禁帶特性，在800V高壓平臺(tái)中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)：開關(guān)損耗降低50%，效率提升至96%，系統(tǒng)散熱需求減少30%，從而使電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程延長(zhǎng)6%，充電速度提升30%。其第二代產(chǎn)品覆蓋750V和1200V電壓等級(jí)，采用200毫米晶圓制造工藝，單晶圓芯片產(chǎn)出量較150毫米工藝提升約1.8倍，規(guī)?；?yīng)顯著。目前，博世已實(shí)現(xiàn)碳化硅芯片從材料制備到模塊封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，并通過(guò)溝槽刻蝕工藝優(yōu)化，保障了產(chǎn)品的高可靠性和長(zhǎng)壽命。

全球產(chǎn)能布局：德國(guó)、美國(guó)、中國(guó)協(xié)同發(fā)力

從全球布局來(lái)看，博世目前正在三地工廠發(fā)力。

1德國(guó)羅伊特林根工廠：作為博世碳化硅研發(fā)中心，該工廠于2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，2024年啟動(dòng)200毫米晶圓產(chǎn)線升級(jí)，計(jì)劃2025年全面切換至新一代工藝，年產(chǎn)能提升至億級(jí)芯片。
2美國(guó)加州羅斯維爾工廠：該工廠在2023年獲美國(guó)《芯片法案》2.25億美元資金支持，投資15億美元改造為8英寸晶圓廠，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)，初期產(chǎn)能將達(dá)30萬(wàn)片/年，進(jìn)一步強(qiáng)化北美市場(chǎng)供應(yīng)能力。

3中國(guó)蘇州基地：博世該工廠定位為亞太區(qū)核心生產(chǎn)樞紐，依托本地完整產(chǎn)業(yè)鏈配套，重點(diǎn)服務(wù)中國(guó)新能源車企，未來(lái)將與德國(guó)、美國(guó)工廠形成全球產(chǎn)能網(wǎng)絡(luò)，滿足年均30%的市場(chǎng)增長(zhǎng)需求。

該公司最新財(cái)報(bào)顯示，2024年，博世集團(tuán)銷售額達(dá)905億歐元，同比微降1%，息稅前利潤(rùn)率3.5%，主要受電動(dòng)出行市場(chǎng)增速放緩及產(chǎn)能利用率不足影響。其中，智能出行業(yè)務(wù)占比61.8%，銷售額559億歐元，成為增長(zhǎng)核心。
為應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，博世加速戰(zhàn)略調(diào)整，一方面通過(guò)收購(gòu)江森自控和日立暖通空調(diào)業(yè)務(wù)（交易金額80億美元）拓展增長(zhǎng)型市場(chǎng)；另一方面剝離非核心資產(chǎn)，聚焦碳化硅、氫能及AI技術(shù)研發(fā)。

2025年，博世計(jì)劃通過(guò)成本優(yōu)化與產(chǎn)能利用率提升，推動(dòng)利潤(rùn)率回升至5%以上，并在碳化硅領(lǐng)域追加投資20億歐元，目標(biāo)2026年全球市占率突破25%。

聚焦中國(guó)市場(chǎng)，博世與比亞迪、蔚來(lái)等車企建立深度合作，其碳化硅模塊已搭載于多款高端電動(dòng)車型。同時(shí)，通過(guò)戰(zhàn)略投資中國(guó)第三代半導(dǎo)體企業(yè)（如基本半導(dǎo)體），強(qiáng)化供應(yīng)鏈本地化。

在國(guó)際層面，博世與Stellantis、大眾等車企簽署長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，并參與歐盟“IPCEI微電子”項(xiàng)目，獲德國(guó)政府技術(shù)研發(fā)支持。未來(lái)，其碳化硅產(chǎn)品將以芯片、模塊及電橋系統(tǒng)解決方案三種形式交付，覆蓋主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)等核心部件。

博世提出，到2030年實(shí)現(xiàn)軟件及服務(wù)收入超60億歐元，其中三分之二來(lái)自智能出行領(lǐng)域。在碳化硅技術(shù)上，計(jì)劃2027年推出第三代產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低40%，并探索1200V以上高壓模塊應(yīng)用。

同時(shí)，其美國(guó)工廠將率先實(shí)現(xiàn)200毫米晶圓量產(chǎn)，配合德國(guó)工廠技術(shù)迭代，形成“研發(fā)-中試-量產(chǎn)”全鏈條優(yōu)勢(shì)。公司目標(biāo)在2025-2030年間，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張，將碳化硅業(yè)務(wù)打造為集團(tuán)第三大增長(zhǎng)極，支撐電動(dòng)出行戰(zhàn)略的全面落地。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

村田表示，利用GaN HEMT的高速開關(guān)工作、低寄生電容以及零反向恢復(fù)特性，可將對(duì)開關(guān)損耗的影響控制到最小，還可提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競(jìng)爭(zhēng)力，且可靠性也很高，用在村田的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來(lái)，公司將通過(guò)繼續(xù)與在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其高頻、高效、高功率密度等特性，正在AI服務(wù)器市場(chǎng)中扮演越來(lái)越重要的角色。

氮化鎵在AI服務(wù)器中主要用于電源管理系統(tǒng)，特別是DC-DC（直流-直流）轉(zhuǎn)換器。隨著AI服務(wù)器功率密度從300W提升至1700W，傳統(tǒng)硅基器件難以滿足高效能需求，而氮化鎵可將能耗降低50%，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率。

AI服務(wù)器對(duì)機(jī)柜功率要求從30-40kW增至100kW，氮化鎵的高功率密度特性使其能在更小體積下實(shí)現(xiàn)更高性能，降低散熱需求，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心空間利用率。

此外，氮化鎵的快速開關(guān)速度（比硅基快10倍以上）可提升服務(wù)器響應(yīng)速度，滿足AI推理場(chǎng)景的實(shí)時(shí)性需求，例如圖像識(shí)別和自然語(yǔ)言處理。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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3月2日，利普思半導(dǎo)體發(fā)文宣布，他們位于江蘇揚(yáng)州的SiC模塊封裝測(cè)試基地建設(shè)正式啟動(dòng)。據(jù)悉，3月1日，利普思車規(guī)級(jí)第三代功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目在揚(yáng)州市江都區(qū)正式啟動(dòng)，該項(xiàng)目總投資額高達(dá)10億元人民幣，占地面積32畝。該項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC模塊300萬(wàn)只，年銷售收入10億元，年稅收5000萬(wàn)元。

建設(shè)規(guī)劃在具體建設(shè)規(guī)劃方面，利普思半導(dǎo)體SiC模塊封裝測(cè)試基地將分階段推進(jìn)。

一期工程預(yù)計(jì)耗時(shí) 18 個(gè)月，重點(diǎn)建設(shè)高潔凈度的封裝車間，配備先進(jìn)的自動(dòng)化封裝生產(chǎn)線。這些生產(chǎn)線將引入高精度的芯片貼裝設(shè)備，確保芯片在封裝過(guò)程中的精準(zhǔn)定位，同時(shí)采用先進(jìn)的引線鍵合工藝，保障電氣連接的穩(wěn)定性與可靠性。

? 二期工程計(jì)劃在一期基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充與技術(shù)升級(jí)。屆時(shí)，將引入更先進(jìn)的封裝材料和工藝，如采用新型的陶瓷封裝材料，提升模塊的散熱性能和電氣絕緣性能。同時(shí)，加大對(duì)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的投入。

公司背景官方資料顯示，利普思半導(dǎo)體自2019年11月成立以來(lái)，便專注于第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊的封裝設(shè)計(jì)、制造與銷售，產(chǎn)品廣泛滲透至新能源汽車、工業(yè)控制、新能源發(fā)電及儲(chǔ)能等多個(gè)熱門領(lǐng)域。公司總部位于江蘇無(wú)錫，除了此次開工的揚(yáng)州生產(chǎn)基地外，在無(wú)錫和日本也分別設(shè)有研發(fā)中心與生產(chǎn)線。

目前，利普思的無(wú)錫制造基地裝備了兩條生產(chǎn)線，分別用于生產(chǎn)SiC模塊和IGBT模塊，總年產(chǎn)能為90萬(wàn)個(gè)模塊。其中，無(wú)錫工廠的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊封裝測(cè)試產(chǎn)線于2022年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)30萬(wàn)個(gè)SiC模塊。此外，利普思的日本子公司生產(chǎn)線主要生產(chǎn)SiC模塊，年產(chǎn)能為30萬(wàn)個(gè)模塊。

技術(shù)研發(fā)

在技術(shù)研發(fā)方面，利普思不斷取得新進(jìn)展。公司匯聚了涵蓋芯片設(shè)計(jì)、封裝材料、模塊封裝設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝以及模塊應(yīng)用等各領(lǐng)域的專家團(tuán)隊(duì)。其模組方案采用自研的芯片表面連接ArcBonding專利技術(shù)，不僅能夠出色地實(shí)現(xiàn)電流均流，還顯著提升了模組的電流能力、功率密度與可靠性。

合作進(jìn)展

在合作方面，2024年9月5日，公司具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅sic模塊在經(jīng)過(guò)一年多的海外客戶端評(píng)價(jià)測(cè)試后，正式獲得北美知名新能源汽車tier1項(xiàng)目定點(diǎn)，預(yù)計(jì)于2025年第三季度正式量產(chǎn)。該產(chǎn)品基于800v電壓平臺(tái)，峰值功率可達(dá)250kw，2026年目標(biāo)需求為6萬(wàn)只。

融資情況

融資層面，在2023年11月，公司完成近億元A輪融資，時(shí)隔僅3個(gè)月，在2024年初該公司又宣布完成數(shù)千萬(wàn)人民幣A+輪融資，投資方為上海聯(lián)新資本、軟銀中國(guó)。這些資金將主要用于增強(qiáng)研發(fā)力量，加大其在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的推廣力度。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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source：鎵仁半導(dǎo)體（圖為鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶）

據(jù)悉，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會(huì)顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。

第四代半導(dǎo)體材料

在半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程中，每一代新材料的出現(xiàn)都推動(dòng)著行業(yè)邁向新的高度。從第一代硅（Si）、鍺（Ge），到第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），再到第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），如今，第四代半導(dǎo)體材料正嶄露頭角，其中氧化鎵（Ga?O?）備受矚目。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體的代表，具有諸多令人矚目的特性。它擁有超寬帶隙，范圍在4.-4.9eV，這一數(shù)值遠(yuǎn)高于第三代半導(dǎo)體碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，使得氧化鎵具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。其超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導(dǎo)通電阻更低。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，氧化鎵展現(xiàn)出了廣泛的潛力。在功率電子器件領(lǐng)域，它可用于數(shù)據(jù)中心，助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能；在軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場(chǎng)景中，能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

其中值得注意的是，在新能源汽車領(lǐng)域，隨著汽車高壓化趨勢(shì)日益明顯，從400V逐步提升至800V，甚至未來(lái)可能采用1200V及更高的電壓平臺(tái)架構(gòu)，氧化鎵制備的功率器件有望大顯身手，將新能源汽車的充電時(shí)間大幅縮短，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗(yàn)。
然而，盡管氧化鎵前景廣闊，但目前在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。其中，降低成本是關(guān)鍵問(wèn)題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導(dǎo)體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進(jìn)一步降低，以提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此前，氧化鎵襯底主要通過(guò)EFG法生產(chǎn)，該方法需在約1800℃的高溫且含氧環(huán)境中進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，對(duì)生長(zhǎng)環(huán)境要求極高，坩堝需使用耐高溫、耐氧且不污染晶體的材料，綜合性能與成本考量，只有貴金屬銥適合用于氧化鎵熔體，這使得成本居高不下。

行業(yè)項(xiàng)目/技術(shù)進(jìn)展

從當(dāng)前行業(yè)進(jìn)展看，除了鎵仁半導(dǎo)體以外，在更早之前的2024年9月，富加鎵業(yè)打造的國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線在杭州富陽(yáng)開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年年初投入使用。

另外，在2024年8月末，鴻海科技集團(tuán)旗下的鴻海研究院前瞻技術(shù)研發(fā)取得重要成果。鴻海研究院半導(dǎo)體所所長(zhǎng)暨國(guó)立陽(yáng)明交通大學(xué)講座教授郭浩中及半導(dǎo)體所研究團(tuán)隊(duì)，攜手陽(yáng)明交大電子所洪瑞華教授團(tuán)隊(duì)，在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得突破。

他們以創(chuàng)新的離子布植技術(shù)成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵pn二極管（pndiode）。通過(guò)磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體p型Ga?O?的制造，并在其上重新生長(zhǎng)n型和n?型Ga?O?，形成了pnGa?O?二極管。這一突破性技術(shù)不僅大幅提升了元件的穩(wěn)定性和可靠性，顯著降低電阻，更為未來(lái)高功率電子元件開辟了新的可能性，推動(dòng)了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。

資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過(guò)與環(huán)境的互動(dòng)，利用身體的感知和運(yùn)動(dòng)能力來(lái)實(shí)現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理的能力。這種智能形式強(qiáng)調(diào)身體在認(rèn)知過(guò)程中的重要性，認(rèn)為智能不僅僅是腦部的活動(dòng)，還包括身體的運(yùn)動(dòng)和感知。它強(qiáng)調(diào)智能體（如機(jī)器人）與其物理形態(tài)和所處環(huán)境之間的密切聯(lián)系，認(rèn)為智能行為是通過(guò)身體與環(huán)境的交互而產(chǎn)生的，且在實(shí)踐過(guò)程中通過(guò)循環(huán)的感知、決策、行動(dòng)和反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)“智能增長(zhǎng)”。

隨著人工智能和機(jī)器人技術(shù)的飛速發(fā)展，具身智能逐漸成為人工智能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，未來(lái)前景廣闊。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究，2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場(chǎng)產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)154%。

業(yè)界指出，正如AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，具身智能也可以為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)助力，尤其是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。此前，特斯拉的Optimus人形機(jī)器人搭載了28個(gè)關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，而每個(gè)電機(jī)則需要1~2顆IGBT等功率器件。

除IGBT之外，氮化鎵在具身智能產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用潛力也不斷凸顯。

此前，英飛凌詳細(xì)介紹了氮化鎵在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，該公司認(rèn)為氮化鎵在提升能效與縮小體積方面具備優(yōu)勢(shì)，將推動(dòng)人行機(jī)器人、護(hù)理機(jī)器人和送貨無(wú)人機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)。

英飛凌認(rèn)為，隨著機(jī)器人技術(shù)集成自然語(yǔ)言處理（NLP）和計(jì)算機(jī)視覺(jué)等AI先進(jìn)技術(shù)，氮化鎵將為打造更高效、更緊湊的設(shè)計(jì)帶來(lái)必要的能效?；贕aN的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能提供優(yōu)異能效和性能、更高功率密度、更少電機(jī)損耗和更高速的開關(guān)能力。這些技術(shù)帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)，比如無(wú)需笨重的電解電容器、縮小尺寸并提高了可靠性。將逆變器集成到電機(jī)機(jī)箱中，可減少散熱器的需求，同時(shí)優(yōu)化關(guān)節(jié)/軸的布線，并簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。更高效的控制頻率可改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。

具有高開關(guān)頻率的GaN基電機(jī)控制設(shè)計(jì)還支持在緊湊的密封外殼中實(shí)現(xiàn)更高的功率，在高頻下，GaN能夠提供優(yōu)異的性能，這進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的效率（包括逆變器和電機(jī)的損耗），并保持較低工作溫度。

國(guó)內(nèi)應(yīng)用方面，近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出了首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片，縮短了具身機(jī)器人開發(fā)成本和姿態(tài)學(xué)習(xí)時(shí)間，有望加速具身機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的商用化步伐。

該款芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標(biāo)，通過(guò)芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號(hào)控制上100條仿真肌肉及伺服電機(jī)系統(tǒng)來(lái)完成復(fù)雜的原子操作，單個(gè)姿態(tài)運(yùn)動(dòng)達(dá)32個(gè)自由度。通過(guò)“邊緣物理模型”輸出PWM信號(hào)控制物理量信號(hào)，使機(jī)器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動(dòng)作和物理質(zhì)量的約束。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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