2025年第四季度，Navitas營(yíng)收約為730萬(wàn)美元，同比下降 59.44%，本季度高功率市場(chǎng)收入首次占季度營(yíng)收的絕大部分，消費(fèi)電子與移動(dòng)業(yè)務(wù)收入占比降至25%以下。

展望本季（1-3月），Navitas預(yù)測(cè)公司營(yíng)收將介于800~850萬(wàn)美元之間，遠(yuǎn)優(yōu)于分析師預(yù)期的734.5萬(wàn)美元，主要受到高功率市場(chǎng)貢獻(xiàn)增加影響。

Navitas總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre指出，2025年Q4期間，公司加速朝「Navitas 2.0」進(jìn)行戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，并運(yùn)用旗下領(lǐng)先業(yè)界的氮化鎵與高壓碳化硅（SiC）解決方案，滿足高功率市場(chǎng)的需求。

Navitas把重點(diǎn)放在增長(zhǎng)快速的領(lǐng)域，包括AI數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)與能源基礎(chǔ)設(shè)施、高效能運(yùn)算以及工業(yè)電氣化等。業(yè)界預(yù)計(jì)，到2030年，這些領(lǐng)域的可用市場(chǎng)規(guī)?？傆?jì)將達(dá)到35億美元。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次IPO，臻寶科技擬募集資金119,752.30萬(wàn)元，用于半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體精密零部件及材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目、臻寶科技研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、上海臻寶半導(dǎo)體裝備零部件研發(fā)中心項(xiàng)目。

依托多年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐，臻寶科技在硬脆材料精密加工、核心材料自主制備等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，核心產(chǎn)品矩陣全面覆蓋半導(dǎo)體刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，硅上部電極、曲面硅上部電極、石英環(huán)、碳化硅環(huán)等拳頭產(chǎn)品性能已達(dá)到國(guó)際主流水平。

該公司打通了從核心材料到終端產(chǎn)品的全流程生產(chǎn)鏈路，自主量產(chǎn)大直徑單晶硅棒、陶瓷造粒粉、CVD-SiC等關(guān)鍵原材料，實(shí)現(xiàn)了硅、石英、工程塑料、碳化硅及其他陶瓷材料零部件的規(guī)模化生產(chǎn)。

其中，臻寶科技自主研發(fā)的CVD-SiC材料制備技術(shù)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)碳化硅材料、碳化硅環(huán)到后段表面處理一體化制備的技術(shù)空白，為碳化硅氣體分配盤等更前沿產(chǎn)品的研發(fā)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、中微公司八寸碳化硅外延設(shè)備付運(yùn)客戶驗(yàn)證

中微公司2月27日發(fā)布2025年度業(yè)績(jī)快報(bào)。

公告顯示，中微公司2025年?duì)I業(yè)收入約123.85億元，較2024年增加約33.19億元，同比增長(zhǎng)約36.62%；實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)約為21.11億元，與上年同期相比，增加約4.96億元，同比增加約30.69%。

圖片來(lái)源：中微公司業(yè)績(jī)公告截圖

公告中提到，中微公司新型八寸碳化硅外延設(shè)備已付運(yùn)至國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗(yàn)證，目前進(jìn)展順利。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、電力電子、5G通信等高端領(lǐng)域，而八寸碳化硅外延設(shè)備的研發(fā)與落地，是推動(dòng)碳化硅器件規(guī)?；?、低成本生產(chǎn)的關(guān)鍵支撐，也是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代的重要突破方向。

在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，中微公司以碳化硅、氮化鎵為核心布局方向，形成了多元化的產(chǎn)品體系。

除此次進(jìn)入驗(yàn)證階段的八寸碳化硅外延設(shè)備外，公司推出的用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoPD5，已交付國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗(yàn)證，并取得了重復(fù)訂單。

除此之外，中微公司近期在產(chǎn)業(yè)鏈布局與產(chǎn)能建設(shè)上也持續(xù)發(fā)力。公司擬發(fā)行股份收購(gòu)國(guó)產(chǎn)CMP設(shè)備廠商杭州眾硅電子科技有限公司控股權(quán)，完善半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品矩陣，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)。

在產(chǎn)能布局方面，南昌約14萬(wàn)平方米以及上海臨港約18萬(wàn)平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地均已投入使用，同時(shí)在成都布局的研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項(xiàng)目正在推進(jìn)中，計(jì)劃2027年正式投入生產(chǎn)。

2、北方高科碳化硅材料訂單排至6月

近日，據(jù)銀川日?qǐng)?bào)、賀蘭發(fā)布等媒體報(bào)道，寧夏北方高科工業(yè)有限公司（下稱“北方高科”）碳化硅材料訂單持續(xù)火爆，目前訂單已排至2026年6月，企業(yè)生產(chǎn)車間滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，全力保障訂單交付。

報(bào)道稱，新春假期期間，北方高科并未停工停產(chǎn)，生產(chǎn)車間內(nèi)機(jī)器轟鳴、秩序井然，燒制、切割、包裝等工序有條不紊推進(jìn)，工人們堅(jiān)守崗位全力趕制訂單，以“不停工、不打烊”的奮斗姿態(tài)保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

北方高科部分碳化硅陶瓷產(chǎn)品市場(chǎng)需求旺盛，訂單已排至今年6月，即便年產(chǎn)碳化硅陶瓷數(shù)百噸，仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，供需缺口顯著。

北方高科專注于碳化硅深度加工，已實(shí)現(xiàn)從碳化硅粉體到耐磨陶瓷結(jié)構(gòu)件、防彈裝甲陶瓷的全產(chǎn)業(yè)鏈自主生產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋亞微米級(jí)碳化硅粉、導(dǎo)電陶瓷、陶瓷軸承等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、航天、無(wú)人機(jī)等多個(gè)高端領(lǐng)域，憑借穩(wěn)定的產(chǎn)品品質(zhì)獲得市場(chǎng)高度認(rèn)可。

公開信息顯示，公司“亞微米級(jí)”碳化硅粉年產(chǎn)能超1500噸，制品陶瓷年產(chǎn)能突破500噸，產(chǎn)品不僅暢銷國(guó)內(nèi)沿海地區(qū)，還出口歐美，同時(shí)進(jìn)入臺(tái)積電、華為、大疆等知名企業(yè)供應(yīng)鏈。

3、揚(yáng)帆半導(dǎo)體首臺(tái)12寸SiC全自動(dòng)RCA刷洗一體機(jī)順利出貨

2月27日，揚(yáng)帆半導(dǎo)體（江蘇）有限公司（下稱“揚(yáng)帆半導(dǎo)體”）正式宣布，公司全自主研發(fā)的首臺(tái)12寸SiC（碳化硅）全自動(dòng)RCA刷洗一體機(jī)順利裝車出貨。

據(jù)介紹，該設(shè)備核心技術(shù)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，打破日、美廠商壟斷。碳化硅廣泛應(yīng)用于新能源汽車等高端領(lǐng)域，高端清洗設(shè)備直接影響芯片性能，此前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，是產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”瓶頸。

具體來(lái)看，針對(duì) SiC材料的高硬度與特殊表面特性的關(guān)系使表面的顆粒及金屬離子不易去除，該設(shè)備創(chuàng)新突破技術(shù)瓶頸，領(lǐng)先業(yè)界提供專業(yè)先進(jìn)的清洗制程解決方案，具備12寸全兼容制程。同時(shí)搭載高精度循環(huán)控制系統(tǒng)，支持智能化整線對(duì)接，適配規(guī)?；a(chǎn)，同時(shí)大幅降低能耗，踐行綠色發(fā)展理念。該設(shè)備出貨前已完成驗(yàn)證，獲得國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)認(rèn)可及訂單支持。

揚(yáng)帆半導(dǎo)體科技成立于2018年3月，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，深耕半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，已構(gòu)建起涵蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料加工的全方位產(chǎn)品矩陣。

多環(huán)節(jié)交付進(jìn)度提速，國(guó)產(chǎn)碳化硅景氣度上行

從行業(yè)來(lái)看，三家企業(yè)的交付突破，是國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成熟度提升的體現(xiàn)，也反映出當(dāng)前產(chǎn)業(yè)發(fā)展的真實(shí)態(tài)勢(shì)。

當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)向大尺寸、規(guī)?；较虻?英寸、12英寸設(shè)備及材料成為市場(chǎng)主流，中微公司八寸外延設(shè)備、揚(yáng)帆半導(dǎo)體12寸清洗設(shè)備的交付，精準(zhǔn)契合行業(yè)迭代需求，也印證了國(guó)產(chǎn)設(shè)備在大尺寸領(lǐng)域的技術(shù)突破已具備落地能力。

北方高科訂單飽和，本質(zhì)是下游新能源汽車、半導(dǎo)體等領(lǐng)域需求激增的縮影，但其產(chǎn)能仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，也暴露國(guó)內(nèi)碳化硅材料領(lǐng)域供需失衡的現(xiàn)狀。

隨著更多企業(yè)加大研發(fā)投入、完善產(chǎn)品矩陣，國(guó)產(chǎn)碳化硅在全球市場(chǎng)的話語(yǔ)權(quán)將持續(xù)提升，同時(shí)也將為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控提供重要支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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本次發(fā)行募集資金將用于特色高壓功率半導(dǎo)體器件及功率集成電路晶圓代工項(xiàng)目，項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)新增月產(chǎn)能6萬(wàn)片，產(chǎn)線將重點(diǎn)聚焦高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)景，投產(chǎn)IGBT、特高壓VDMOS及700V高壓BCD等產(chǎn)品，主要匹配AI數(shù)據(jù)中心大功率電源、特高壓電力設(shè)施、光儲(chǔ)及工業(yè)逆變器、汽車電子和大型工控電機(jī)等下游領(lǐng)域?qū)Ω邏骸⒋蠊β势骷男枨?，進(jìn)一步豐富公司產(chǎn)品線矩陣，拓寬客戶覆蓋范圍。

民德電子介紹，公司已通過(guò)控股子公司廣芯微和廣微集成、參股公司晶睿電子和芯微泰克等，完成了功率半導(dǎo)體晶圓材料、芯片設(shè)計(jì)和晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的布局。

目前，廣芯微的量產(chǎn)規(guī)模與客戶數(shù)量均穩(wěn)步增長(zhǎng)，產(chǎn)出從2025年初的6000片/月快速提升至年末的4萬(wàn)片/月，工藝成熟度及產(chǎn)品良率均獲得下游客戶的廣泛認(rèn)可，為業(yè)務(wù)進(jìn)一步拓展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

同時(shí)，民德電子指出，當(dāng)前廣芯微的產(chǎn)能規(guī)模較小，既難以形成顯著的規(guī)模成本優(yōu)勢(shì)，也在一定程度上制約了其承接下游優(yōu)質(zhì)客戶訂單的能力，產(chǎn)能瓶頸已成為業(yè)務(wù)升級(jí)的核心制約因素，急需通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張突破發(fā)展瓶頸，進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)影響力與盈利水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、晶升股份：碳化硅行業(yè)調(diào)整，設(shè)備產(chǎn)品需求減少

報(bào)告期內(nèi)，晶升股份2025年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入22,722.34萬(wàn)元，較上年同期減少46.53%；歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)-3,509.73萬(wàn)元，較上年同期減少165.30%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)-5,742.65萬(wàn)元，較上年同期減少289.99%。

圖片來(lái)源：晶升股份業(yè)績(jī)公告截圖

報(bào)告期末，公司總資產(chǎn)176,234.82萬(wàn)元，較期初減少5.51%；歸屬于母公司的所有者權(quán)益151,106.77萬(wàn)元，較期初減少4.12%；歸屬于母公司所有者的每股凈資產(chǎn)10.92元，較期初減少4.12%。

晶升股份指出，2025年度公司營(yíng)業(yè)總收入、歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)、歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)等主要財(cái)務(wù)指標(biāo)較上年同期有較大幅度的減少，主要系由于：受碳化硅行業(yè)調(diào)整，設(shè)備產(chǎn)品需求減少，同時(shí)光伏及碳化硅行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格下滑，導(dǎo)致銷售毛利和利潤(rùn)整體下降。同時(shí)本期公司對(duì)于風(fēng)險(xiǎn)事項(xiàng)基于謹(jǐn)慎性原則增加了減值計(jì)提金額。

2、銀河微電：半導(dǎo)體景氣呈現(xiàn)明顯結(jié)構(gòu)性分化態(tài)勢(shì)

報(bào)告期內(nèi)，銀河微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入104,956.25萬(wàn)元，同比增加15.46%；實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)8,038.59萬(wàn)元，同比增加11.84%；實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)6,152.84萬(wàn)元，同比增加28.05%。

報(bào)告期末，該公司財(cái)務(wù)狀況良好，總資產(chǎn)232,874.60萬(wàn)元，較報(bào)告期初增加5.57%；歸屬于母公司的所有者權(quán)益137,995.57萬(wàn)元，較報(bào)告期初增加4.00%。

圖片來(lái)源：銀河微電業(yè)績(jī)公告截圖

銀河微電指出，2025年，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度呈現(xiàn)明顯結(jié)構(gòu)性分化態(tài)勢(shì)，下游各應(yīng)用領(lǐng)域需求差異顯著。

公司立足行業(yè)發(fā)展格局，聚焦大客戶、大產(chǎn)品、大業(yè)務(wù)核心方向，以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，持續(xù)深化與高價(jià)值客戶的戰(zhàn)略合作，優(yōu)化產(chǎn)品規(guī)劃與市場(chǎng)定位。得益于近年來(lái)在車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的持續(xù)布局，以及在新產(chǎn)品推廣、市場(chǎng)銷售及綜合服務(wù)能力方面的不斷強(qiáng)化，公司營(yíng)業(yè)收入、凈利潤(rùn)等核心經(jīng)營(yíng)指標(biāo)同比實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)，整體經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)保持良好發(fā)展態(tài)勢(shì)。與此同時(shí)，公司進(jìn)一步拓展光電產(chǎn)品、IPM智能功率模塊及IGBT單管與模塊等前沿產(chǎn)品線，成功構(gòu)建起多元化、系統(tǒng)化的產(chǎn)品矩陣，為公司長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

2026年，公司將持續(xù)聚焦大客戶、大產(chǎn)品、大業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，統(tǒng)籌推進(jìn)各項(xiàng)經(jīng)營(yíng)工作。在2025年市場(chǎng)推廣的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步加大大功率TVS及MOS產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣力度；重點(diǎn)圍繞汽車、儲(chǔ)能、家電三大核心市場(chǎng)，持續(xù)深耕細(xì)分應(yīng)用場(chǎng)景，挖掘市場(chǎng)增長(zhǎng)潛力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來(lái)源：晶科電子公告截圖

本次設(shè)立的基金總認(rèn)繳規(guī)模為6.68億元，晶科電子作為產(chǎn)業(yè)出資方，承諾出資2.68億元，占基金總出資額的40.12%，資金來(lái)源于公司內(nèi)部資源?；鹌胀ê匣锶藶槿f(wàn)聯(lián)天澤，其他有限合伙人包括廣州市產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金、上市公司高質(zhì)量發(fā)展基金、南沙科金集團(tuán)、南沙人工同智等國(guó)資及專業(yè)投資機(jī)構(gòu)。

該基金聚焦半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域，重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，貼合廣州市“12218”現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系戰(zhàn)略方向，優(yōu)先投向政府支持的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，明確擬投資廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司?；鸫胬m(xù)期為7年，其中前4年為投資期，后3年為退出期，可根據(jù)運(yùn)作情況延長(zhǎng)2年。

晶科電子2006年在廣州南沙成立，主營(yíng)汽車智能視覺、新型顯示、高端照明三大板塊，產(chǎn)品覆蓋車規(guī)級(jí)LED器件、汽車電子模組、MiniLED顯示方案、大功率半導(dǎo)體器件等，服務(wù)全球20余個(gè)國(guó)家和地區(qū)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件規(guī)模化交付能力的企業(yè)之一。

近年來(lái)晶科電子向第三代半導(dǎo)體光電器件、功率器件延伸，開發(fā)適配新能源汽車的智能視覺光源、車規(guī)級(jí)功率模塊，同步推進(jìn)Mini/MicroLED與氮化鎵（GaN）技術(shù)融合，提升顯示與照明產(chǎn)品能效與可靠性。

據(jù)公開資料查詢，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司（以及廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司）為晶科電子實(shí)控人肖國(guó)偉控制的企業(yè)，其專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅功率芯片、器件、模塊等的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。

晶科電子表示，參與設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金是公司完善產(chǎn)業(yè)鏈布局的重要舉措。通過(guò)資本聯(lián)動(dòng)，公司將進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，為新能源汽車、新型顯示、光伏、儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心等核心應(yīng)用場(chǎng)景提供技術(shù)與產(chǎn)品支撐。同時(shí)，借助基金平臺(tái)整合上下游資源，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、協(xié)同客戶開發(fā)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)聚集，強(qiáng)化公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力與長(zhǎng)期發(fā)展?jié)摿Α?/p>

多類型基金助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍

事實(shí)上，當(dāng)前國(guó)內(nèi)聚焦第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN，碳化硅/氮化鎵）的基金已形成多元化布局態(tài)勢(shì)，涵蓋國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略基金、地方政府引導(dǎo)基金、產(chǎn)業(yè)資本基金等多個(gè)類型，為產(chǎn)業(yè)技術(shù)突破與規(guī)?；l(fā)展注入強(qiáng)勁資本動(dòng)能。

國(guó)家級(jí)基金發(fā)揮“壓艙石”作用，精準(zhǔn)布局產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

其中，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期（大基金三期）重點(diǎn)聚焦半導(dǎo)體“卡脖子”環(huán)節(jié)，包括第三代半導(dǎo)體材料、功率器件等領(lǐng)域，有望加速推動(dòng)關(guān)鍵領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

與此同時(shí)，國(guó)調(diào)基金（中國(guó)誠(chéng)通）作為國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略基金，已戰(zhàn)略投資山西爍科晶體，爍科晶體在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)6英寸、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的自主制備。

地方政府引導(dǎo)基金多點(diǎn)開花，結(jié)合區(qū)域產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)打造特色集群。

除上述晶科電子攜廣州國(guó)資重倉(cāng)第三代半導(dǎo)體外，深圳于2025年10月正式揭牌賽米產(chǎn)業(yè)私募基金，總規(guī)模50億元，首期出資36億元，由深創(chuàng)投聯(lián)合深重投擔(dān)任管理人，主要投向半導(dǎo)體裝備和零部件、芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入“耐心資本”。

此外，西安于2026年1月落地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展基金，總規(guī)模50億元，首期10億元，聚焦半導(dǎo)體核心材料、關(guān)鍵器件等領(lǐng)域。

產(chǎn)業(yè)資本基金深度綁定產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)生態(tài)協(xié)同發(fā)展。

除晶科電子外，三安光電、聞泰科技、華潤(rùn)微等半導(dǎo)體龍頭企業(yè)均發(fā)起設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金，圍繞第三代半導(dǎo)體全鏈條布局。

其中，三安光電聚焦GaN射頻、SiC功率領(lǐng)域，覆蓋材料、芯片、模組全環(huán)節(jié)；聞泰科技重點(diǎn)布局車規(guī)級(jí)SiC/GaN功率器件，服務(wù)新能源汽車、光伏等下游場(chǎng)景；華潤(rùn)微則聚焦SiC MOSFET、GaN功率芯片，強(qiáng)化IDM生態(tài)建設(shè)，通過(guò)資本聯(lián)動(dòng)打通上下游資源，推動(dòng)技術(shù)協(xié)同與產(chǎn)品迭代。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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韓國(guó)計(jì)劃到2030年，將本國(guó)下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%提升至20%，標(biāo)志著韓國(guó)半導(dǎo)體政策從單純支持技術(shù)研發(fā)，轉(zhuǎn)向?qū)⑵涮嵘羾?guó)家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施高度進(jìn)行系統(tǒng)性布局。

按照規(guī)劃，該推進(jìn)小組將分階段推進(jìn)戰(zhàn)略落地：

2026年上半年：完成下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖的編制，系統(tǒng)梳理各重點(diǎn)需求行業(yè)所需的功率半導(dǎo)體性能指標(biāo)，明確涵蓋材料研發(fā)、生產(chǎn)工藝、芯片設(shè)計(jì)、代工制造等全產(chǎn)業(yè)鏈的中長(zhǎng)期研發(fā)方向。

2026年下半年：?jiǎn)?dòng)大規(guī)模研發(fā)項(xiàng)目的規(guī)劃布局，并開展相關(guān)制度建設(shè)的專題討論。

除此之外，小組還在積極研究通過(guò)法律修訂、制度完善等方式，保障國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體能夠順利進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)、人工智能數(shù)據(jù)中心、武器系統(tǒng)等公共關(guān)鍵領(lǐng)域，同時(shí)加大人才培養(yǎng)力度，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢人才支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：新潔能公告截圖

新潔能在漲價(jià)函中明確說(shuō)明，此次調(diào)價(jià)的核心原因是近期全球上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價(jià)格大幅攀升，導(dǎo)致公司晶圓代工成本與封測(cè)成本持續(xù)上漲，目前已無(wú)法獨(dú)自承擔(dān)持續(xù)增加的綜合成本。為保障公司可持續(xù)運(yùn)營(yíng)，確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)及服務(wù)質(zhì)量，經(jīng)公司慎重研究后決定實(shí)施本次價(jià)格調(diào)整。

據(jù)悉，新潔能專注于功率半導(dǎo)體分立器件，核心聚焦MOSFET、IGBT及其模塊，其MOSFET產(chǎn)品覆蓋從負(fù)壓器件到1050V的寬電壓段，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、新能源與工業(yè)應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。

此次漲價(jià)并非個(gè)例，近期英飛凌、士蘭微、宏微科技等多家國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商均發(fā)布了漲價(jià)通知，漲價(jià)產(chǎn)品多集中于MOSFET、IGBT等品類，核心原因均與原材料成本上漲、市場(chǎng)需求激增相關(guān)，行業(yè)漲價(jià)共識(shí)逐步形成。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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陳茂波同時(shí)披露，特區(qū)政府“新型工業(yè)加速計(jì)劃”已支持兩家專注半導(dǎo)體芯片技術(shù)及設(shè)備的企業(yè)，相關(guān)項(xiàng)目總投資超15億港元；截至目前，該計(jì)劃累計(jì)支持4個(gè)項(xiàng)目，總投資約25億港元，私人投資占比超七成，有效撬動(dòng)社會(huì)資本參與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

香港微電子研發(fā)院于2024年正式成立，是特區(qū)政府布局微電子與半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研發(fā)平臺(tái)，而第三代半導(dǎo)體中試線則是其重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，該中試線的建設(shè)聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）兩大主流第三代半導(dǎo)體材料，核心目的是補(bǔ)齊香港從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)到小規(guī)模試產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，破解研發(fā)成果“落地難”的痛點(diǎn)。

此前2024年7月，香港微電子研發(fā)院將設(shè)立碳化硅、氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)/中小企業(yè)試產(chǎn)、測(cè)試與認(rèn)證。同月首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線啟動(dòng)，該中試線是香港科技園與麻省光子技術(shù)合作，投資約2億港元，聚焦GaN外延片工藝。

本次微電子研發(fā)院中試線投運(yùn)后，將與現(xiàn)有中試線形成互補(bǔ)協(xié)同，進(jìn)一步完善香港第三代半導(dǎo)體中試能力。

全鏈條布局發(fā)力 香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步前行

近年來(lái)，香港將第三代半導(dǎo)體列為國(guó)際創(chuàng)新科技中心建設(shè)的重點(diǎn)領(lǐng)域，依托自身雄厚的科研優(yōu)勢(shì)與持續(xù)的政策支持，穩(wěn)步推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條布局，以香港微電子研發(fā)院為核心，逐步建成多條第三代半導(dǎo)體中試線，其中元朗微電子中心8英寸碳化硅襯底良率已提升至85%，接近國(guó)際先進(jìn)水平，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的硬件支撐。

特區(qū)政府通過(guò)“新型工業(yè)加速計(jì)劃”“創(chuàng)新香港研發(fā)平臺(tái)”等一系列專項(xiàng)政策，持續(xù)加大對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、設(shè)備制造與企業(yè)落戶的支持力度，不斷強(qiáng)化資金與產(chǎn)業(yè)的精準(zhǔn)對(duì)接。

2025年6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局轄下的創(chuàng)新科技署宣布，#杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計(jì)劃”申請(qǐng)已獲評(píng)審委員會(huì)支持。該項(xiàng)目計(jì)劃在香港興建一座第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓生產(chǎn)設(shè)施。該晶圓廠項(xiàng)目的總預(yù)算超過(guò)7億港元，其中新型工業(yè)加速計(jì)劃將提供2億港元的資助。

如今，香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已逐步從研發(fā)、中試向設(shè)計(jì)、設(shè)備、應(yīng)用等環(huán)節(jié)延伸，成功吸引海內(nèi)外相關(guān)企業(yè)集聚，在功率半導(dǎo)體、射頻器件等領(lǐng)域形成了自身特色優(yōu)勢(shì)，能夠有效服務(wù)新能源、通信、汽車電子等下游市場(chǎng)，朝著產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；姆较蚍€(wěn)步邁進(jìn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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該項(xiàng)目聚焦6/8英寸大尺寸氧化鎵單晶襯底的規(guī)?；a(chǎn)，是富加鎵業(yè)在氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化布局中的重要落地項(xiàng)目。從6英寸氧化鎵晶體研制成功，到8英寸VB法氧化鎵晶體的國(guó)際首發(fā)，再到本次萬(wàn)片級(jí)產(chǎn)線完成環(huán)保驗(yàn)收，企業(yè)完成了從核心技術(shù)研發(fā)到規(guī)模化生產(chǎn)布局的關(guān)鍵推進(jìn)，后續(xù)該產(chǎn)線將正式釋放產(chǎn)能，供應(yīng)大尺寸氧化鎵單晶襯底相關(guān)產(chǎn)品。

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的核心品類，氧化鎵是第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，相較硅、碳化硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，其擁有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、介電常數(shù)低、電子遷移率高以及制備成本相對(duì)可控等特性，是制作高壓、高頻、高功率、低損耗半導(dǎo)體器件的理想材料。

在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用層面，氧化鎵材料可廣泛適配新能源汽車高壓快充、光伏逆變器、智能電網(wǎng)輸配電、軌道交通供電、深紫外光電探測(cè)、微波射頻器件等多個(gè)領(lǐng)域的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求，能夠有效提升相關(guān)器件的能量轉(zhuǎn)換效率、降低能耗、縮小器件體積，契合新能源、新一代信息技術(shù)、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)與發(fā)展需求。

同時(shí)，氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破傳統(tǒng)材料性能瓶頸、向更高端化方向發(fā)展提供了新的技術(shù)路徑，是全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方向。

此次項(xiàng)目完成竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，意味著國(guó)內(nèi)氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化在規(guī)?；a(chǎn)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)重要進(jìn)展，將進(jìn)一步提升國(guó)內(nèi)大尺寸氧化鎵單晶襯底的市場(chǎng)供給能力，完善國(guó)內(nèi)超寬禁帶半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)鏈布局。富加鎵業(yè)方面表示，后續(xù)將依托該產(chǎn)線的產(chǎn)能保障，加速6/8英寸氧化鎵產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣，為市場(chǎng)提供相關(guān)氧化鎵材料解決方案。

據(jù)公開信息，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日，主營(yíng)超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化相關(guān)業(yè)務(wù)，核心產(chǎn)品包含氧化鎵單晶襯底、氧化鎵外延片、晶體生長(zhǎng)裝備等，目前已形成覆蓋氧化鎵設(shè)備、襯底、外延片的產(chǎn)品體系，可提供“襯底-外延”一體化解決方案，同時(shí)牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，承擔(dān)并參與多項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)相關(guān)科研項(xiàng)目。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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