欧美Aⅴ一区二区三区,91视频爱爱 http://mewv.cn 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Mon, 30 Dec 2024 06:33:06 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 英諾賽科敲鐘上市 http://mewv.cn/Company/newsdetail-70488.html Mon, 30 Dec 2024 06:33:06 +0000 http://mewv.cn/?p=70488 12月30日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”,股票代碼02577.HK)在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

source:英諾賽科

本次英諾賽科向全球發(fā)售4536.4萬(wàn)股H股,每股發(fā)行價(jià)為30.86港元。此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及應(yīng)用研發(fā)等。

據(jù)悉,英諾賽科成立于2017年,是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。截至2023年末,以折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì),英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場(chǎng)份額排名第一,市占率高達(dá)42.4%。

01、搶先駛?cè)?英寸氮化鎵領(lǐng)域

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體代表材料,與硅及其他半導(dǎo)體材料相比,氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、導(dǎo)通電阻低、無(wú)反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢(shì)。氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低能量損耗,提升能源轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本,實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸。

在制造方面,氮化鎵(GaN)晶體可以在各種襯底上生長(zhǎng),包括藍(lán)寶石、碳化硅(SiC)和硅(Si)。在硅上生長(zhǎng)氮化鎵外延層(GaN-on-Si)可以使用現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體設(shè)備,而且可采用低成本、大直徑的硅晶片。

此外,目前8英寸硅的設(shè)備及流程較6英寸硅更為成熟高效,8英寸氮化鎵的生產(chǎn)更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。在全球其他氮化鎵功率半導(dǎo)體公司如EPC、英飛凌、納微半導(dǎo)體、Power Integrations等公司提供6英寸產(chǎn)品為主時(shí),英諾賽科已切入8英寸領(lǐng)域。

早在2017年底,英諾賽科珠海制造工廠建成投產(chǎn),成為中國(guó)首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。

2021年10月,英諾賽科位于蘇州的制造廠建成投產(chǎn),該制造廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。

source:英諾賽科

在招股說(shuō)明書中,英諾賽科表示其已成為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)。受益于先進(jìn)的8英寸工藝,其每片晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%,單顆芯片成本降低30%,且良率超過(guò)95%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢報(bào)告顯示,2023年全球氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。

2024年上半年,英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能提升至7.3萬(wàn)片。其中,蘇州生產(chǎn)基地產(chǎn)能為4.9萬(wàn)片/年,利用率為71.8%;珠海生產(chǎn)基地2.4萬(wàn)片/年,利用率為74.8%。

source:英諾賽科招股書

本次公開募資,資金主要也將用于氮化鎵產(chǎn)能擴(kuò)張,其中約60%用來(lái)擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。約20%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合,以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場(chǎng)(如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心)的滲透率。

02、企業(yè)盈利能力不斷增強(qiáng)

眾所周知,IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中耗資最多、難度最大的一種商業(yè)模式。英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,目標(biāo)實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試的整個(gè)過(guò)程的自主控制。

短期來(lái)看,IDM模式在產(chǎn)能提升階段經(jīng)歷需投入大量資本及研發(fā)支出的周期過(guò)程,可能會(huì)導(dǎo)致業(yè)績(jī)的短期虧損。

但從長(zhǎng)期看,相較于無(wú)晶圓廠設(shè)計(jì)公司,英諾賽科的設(shè)計(jì)與制造過(guò)程協(xié)同度更高、產(chǎn)能供應(yīng)鏈更為穩(wěn)定、工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)更具成本優(yōu)勢(shì)以及工藝技術(shù)可持續(xù)升級(jí)。

據(jù)招股書顯示,2021年、2022年和2023年,英諾賽科的營(yíng)收分別約為6821.5萬(wàn)元、1.36億元和5.93億元,經(jīng)調(diào)整凈虧損分別約為10.81億元、12.77億元和10.16億元。

2024上半年,英諾賽科營(yíng)收約為3.86億元,較2023年同期的3.08億元增長(zhǎng)25.22%,經(jīng)調(diào)整凈虧損約為3.78億元,相較于2023年同期減少虧損1.71億元。

source:英諾賽科招股書

營(yíng)收快速成長(zhǎng),虧損逐年收窄,從側(cè)面體現(xiàn)出市場(chǎng)對(duì)英諾賽科產(chǎn)品的認(rèn)可度正在逐步增強(qiáng)。

英諾賽科的快速成長(zhǎng)也吸引了資本市場(chǎng)的青睞。2018年至2024年,英諾賽科累計(jì)進(jìn)行了5輪融資,融資總額達(dá)到62.3億元。投資方包含鈦信資本、毅達(dá)資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團(tuán)、國(guó)民創(chuàng)投、招銀國(guó)際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國(guó)、ARM等機(jī)構(gòu)和企業(yè)。

在開啟全球招股之后,英諾賽科與基石投資者意法半導(dǎo)體、江蘇國(guó)有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金(有限合伙)及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司訂立基石投資協(xié)議,基石投資者們將購(gòu)入總金額為1億美元的股票。

03、全球氮化鎵行業(yè)加速洗牌

氮化鎵功率半導(dǎo)體從2018年正式進(jìn)入消費(fèi)電子,在實(shí)現(xiàn)了一定規(guī)模的商業(yè)化之后迎來(lái)了高速發(fā)展期。隨著市場(chǎng)逐漸成型,競(jìng)爭(zhēng)開始白熱化,一些企業(yè)放棄了獨(dú)立運(yùn)行,選擇倚靠行業(yè)巨頭。

從2023年至今,氮化鎵功率半導(dǎo)體頭部玩家 GaN Systems、Transphorm分別被英飛凌、瑞薩電子收購(gòu)。此外,還有一些小型氮化鎵企業(yè)被頭部企業(yè)吞并,如Power Integrations收購(gòu)美國(guó)垂直氮化鎵晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey、格芯收購(gòu)Tagore氮化鎵技術(shù)和相關(guān)團(tuán)隊(duì)。

這些企業(yè)之間的并購(gòu)有利于氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈資源的整合,也重塑了市場(chǎng)格局。面對(duì)全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局的加速洗牌,英諾賽科有希望通過(guò)本次上市來(lái)獲取資金和資源,增強(qiáng)自身實(shí)力以抵抗外界壓力。

04、結(jié)語(yǔ)

英諾賽科此次成功上市,對(duì)企業(yè)自身和產(chǎn)業(yè)都有著重大意義。從產(chǎn)業(yè)來(lái)看,英諾賽科的成功上市,為氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)注入信心與動(dòng)力。從企業(yè)自身出發(fā),隨著英諾賽科在港交所主板的成功上市,有望借助國(guó)際資本市場(chǎng)的力量進(jìn)一步提升其在全球氮化鎵市場(chǎng)的地位。

展望未來(lái),英諾賽科將進(jìn)一步加速技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)拓展的步伐,提升品牌影響力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,鞏固其作為全球龍頭的地位。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty)

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廣東天域半導(dǎo)體向港交所提交上市申請(qǐng) http://mewv.cn/Company/newsdetail-70458.html Tue, 24 Dec 2024 06:56:04 +0000 http://mewv.cn/?p=70458 12月23日,港交所披露文件,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司(下文簡(jiǎn)稱“天域半導(dǎo)體”)向港交所遞交了上市申請(qǐng),其獨(dú)家保薦方為中信證券。

source:港交所

據(jù)了解,天域半導(dǎo)體成立于2009年,是我國(guó)最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。2010年,天域半導(dǎo)體與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作,共同創(chuàng)建了碳化硅研究所,成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。

融資方面,天眼查顯示,從2021年7月至今,天域半導(dǎo)體共完成四輪融資,每次均收獲重量級(jí)投資方。其中,2021年7月獲華為哈勃投資天使輪融資;2022年6月獲比亞迪、上汽集團(tuán)入股。目前,天域半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本、晨道資本、東莞大中和申能欣銳等。

在業(yè)務(wù)方面,天域半導(dǎo)體指出,2024年公司開始量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片,并與海外領(lǐng)先的整合器件制造商(IDM)汽車客戶就8英寸碳化硅外延片達(dá)成戰(zhàn)略合作。source:天域半導(dǎo)體產(chǎn)能方面,截止到2024年10月31日,天域半導(dǎo)體6英寸及8英寸外延片的年度產(chǎn)能約為42萬(wàn)片。

據(jù)悉,天域半導(dǎo)體現(xiàn)有的東莞生產(chǎn)基地,主要專注于生產(chǎn)6英寸碳化硅外延片。公司還購(gòu)置了位于東莞市生態(tài)園生產(chǎn)工廠的一塊土地,并已開始在該地塊上興建新生產(chǎn)基地,未來(lái)將包括辦公區(qū)、工廠、研發(fā)樓、宿舍及其他配套設(shè)施。天域半導(dǎo)體預(yù)計(jì)其正在擴(kuò)產(chǎn)的新生態(tài)園生產(chǎn)基地將于2025年內(nèi)增加約38萬(wàn)片碳化硅外延片的年度計(jì)劃產(chǎn)能,使公司的年度計(jì)劃總產(chǎn)能達(dá)至約800,000片碳化硅外延片。

此外,天域半導(dǎo)體還表示,根據(jù)實(shí)際需求,其初步計(jì)劃在東南亞擴(kuò)大產(chǎn)能,以更好地服務(wù)公司的海外客戶。營(yíng)收方面,天域半導(dǎo)體的收入由2021年的人民幣月1.55億元增長(zhǎng)至2022年的人民幣4.37億元元,并進(jìn)一步增長(zhǎng)至2023年的人民幣11.71億元。

此外,公司的毛利由2021年的人民幣2420萬(wàn)元增長(zhǎng)至2022年的人民幣8750萬(wàn)元,并進(jìn)一步增長(zhǎng)至2023年的人民幣2.17億元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為199.2%。

本次申請(qǐng)港股上市,天域半導(dǎo)體計(jì)劃將IPO募集所得資金凈額將有以下用途:

1.一部分預(yù)計(jì)將于未來(lái)五年內(nèi)用于擴(kuò)張公司的整體產(chǎn)能,從而提升天域半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額及產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,包括:采購(gòu)設(shè)備,擴(kuò)張產(chǎn)線;完成基地建設(shè);招聘人才。

2.一部分預(yù)計(jì)將于未來(lái)五年內(nèi)用于提升公司的自主研發(fā)及創(chuàng)新能力,以提高產(chǎn)品質(zhì)量及縮短新產(chǎn)品的開發(fā)周期,從而更迅速地回應(yīng)市場(chǎng)需求。

3.一部分預(yù)計(jì)將用于戰(zhàn)略投資及/或收購(gòu),以擴(kuò)大客戶群豐富公司的產(chǎn)品組合及補(bǔ)充公司的技術(shù),從而實(shí)現(xiàn)天域半導(dǎo)體的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展策略。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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華為持股,云南鍺業(yè)子公司再獲融資 http://mewv.cn/Company/newsdetail-70432.html Mon, 23 Dec 2024 06:30:32 +0000 http://mewv.cn/?p=70432 12月19日,云南鍺業(yè)發(fā)布公告稱,同意控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱““鑫耀半導(dǎo)體”)以增資擴(kuò)股方式引入新的投資者:深創(chuàng)投制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)新材料基金(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱“深創(chuàng)投基金”)、深圳市遠(yuǎn)致星火私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱“遠(yuǎn)致星火”)。

據(jù)悉,深創(chuàng)投基金與遠(yuǎn)致星火將分別出資3億及1億元,認(rèn)購(gòu)本次鑫耀半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本1.6億元,增資完成后,深創(chuàng)投基金、遠(yuǎn)致星火將分別持有鑫耀半導(dǎo)體25%、8.3333%的股權(quán)。

對(duì)于本次增資擴(kuò)股原因,云南鍺業(yè)表示,是基于鑫耀半導(dǎo)體當(dāng)前的實(shí)際情況和經(jīng)營(yíng)發(fā)展的考慮,符合公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展規(guī)劃,融入資金鑫耀半導(dǎo)體可以用于研發(fā)、生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)、廠房和設(shè)備設(shè)施購(gòu)置等。

鑫耀半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體材料砷化鎵晶片及磷化銦晶片的生產(chǎn)與銷售。目前在云南國(guó)家鍺材料基地建成一條年產(chǎn)砷化鎵拋光晶片30萬(wàn)片4英寸(或12萬(wàn)片6英寸)的單晶材料生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)5萬(wàn)片磷化銦襯底生產(chǎn)線。

據(jù)企查查顯示,鑫耀半導(dǎo)體目前的主要股東為云南鍺業(yè)、哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司(下文簡(jiǎn)稱“哈勃科技”)和惠峰,三者分別持股84.5%、9.3%、6.1%。值得一提的是,哈勃投資為華為投資有限公司全資子公司。

本次增資完成后,云南鍺業(yè)所持有的鑫耀半導(dǎo)體股權(quán)由之前的84.5294%下降至56.3529%,公司對(duì)其控制地位不變,合并報(bào)表范圍不會(huì)發(fā)生變更。鑫耀半導(dǎo)體二股東哈勃科技持股比例由9.3454%下降至6.2303%,位列深創(chuàng)投基金、遠(yuǎn)致星火之后,為第四大股東。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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環(huán)球晶圓碳化硅外延在美國(guó)擴(kuò)產(chǎn) http://mewv.cn/Company/newsdetail-70417.html Thu, 19 Dec 2024 09:21:10 +0000 http://mewv.cn/?p=70417 當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月17日,美國(guó)商務(wù)部宣布向環(huán)球晶圓美國(guó)子公司GlobalWafers America(GWA)及MEMC LLC(MEMC)最高可達(dá)4.06億美元(約人民幣29.63億元)的直接補(bǔ)助。

環(huán)球晶圓表示,補(bǔ)助將用于支持公司位于德州謝爾曼市(Texas)及密蘇里州圣彼得斯市( Missouri)的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計(jì)劃。美國(guó)商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項(xiàng)專案里程碑的情況,于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項(xiàng)補(bǔ)助。

此外,作為獎(jiǎng)勵(lì)條款的一部分,環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線,制造6英寸(150mm)或8英寸(200mm)碳化硅外延。

環(huán)球晶圓

source:環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面,環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面,環(huán)球晶圓在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)碳化硅襯底,在美國(guó)德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉,其碳化硅產(chǎn)品已通過(guò)一線大廠認(rèn)證。針對(duì)碳化硅襯底,公司的制造產(chǎn)能主要在中國(guó)臺(tái)灣。

環(huán)球晶圓此前表示,待該地滿載后,出于對(duì)美國(guó)德州電費(fèi)和土地成本的考量,公司不排除在德州進(jìn)行長(zhǎng)晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面,環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購(gòu),環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺(tái) http://mewv.cn/power/newsdetail-70404.html Wed, 18 Dec 2024 08:47:53 +0000 http://mewv.cn/?p=70404 12月17日,碳化硅(SiC)晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺(tái)XSICM03。該平臺(tái)可推進(jìn)SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用,并顯著降低單元間距,從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。

source:X-fab

X-fab介紹,XbloX整合了經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊,簡(jiǎn)化了入門流程,并顯著降低了設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間。

通過(guò)將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)規(guī)則、控制計(jì)劃和失效模式及影響分析(FMEA)相結(jié)合,XbloX實(shí)現(xiàn)了更快的原型制作、更簡(jiǎn)便的設(shè)計(jì)評(píng)估和更短的市場(chǎng)上市時(shí)間。該平臺(tái)為客戶提供了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),允許設(shè)計(jì)師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合,同時(shí)比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達(dá)九個(gè)月實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺(tái)在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時(shí),減小了活動(dòng)區(qū)域設(shè)計(jì)單元尺寸。XSICM03平臺(tái)憑借穩(wěn)健的設(shè)計(jì)規(guī)則,允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的工藝模塊,平臺(tái)確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫(kù)和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)支持使得客戶能夠快速流片,從而加速產(chǎn)品開發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評(píng)論道:“通過(guò)其簡(jiǎn)化的方法,我們的下一代工藝平臺(tái)滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對(duì)高性能SiC器件日益增長(zhǎng)的需求。公司通過(guò)加速原型制作和設(shè)計(jì)評(píng)估,使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合,顯著縮短上市時(shí)間。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)

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英諾賽科開啟全球招股 http://mewv.cn/Company/newsdetail-70401.html Wed, 18 Dec 2024 08:46:11 +0000 http://mewv.cn/?p=70401 12月18日,英諾賽科發(fā)布公告,公司擬全球發(fā)售4536.4萬(wàn)股H股,發(fā)售價(jià)將為每股發(fā)售股份30.86-33.66港元,最高募資約15.26億港幣(折合人民幣約14.31億元)。

2024年12月18日至12月23日招股,預(yù)期定價(jià)日為12月24日,預(yù)期股份將于12月30日開始在聯(lián)交所買賣。

英諾賽科

source:英諾賽科

文件顯示,英諾賽科已與基石投資者意法半導(dǎo)體(“ST”)、江蘇國(guó)有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)(“江蘇國(guó)企混改基金”)、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金(有限合伙)(蘇州高端裝備)及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司(“東方創(chuàng)聯(lián)”)訂立基石投資協(xié)議。

基石投資者已同意在若干條件規(guī)限下,按發(fā)售價(jià)認(rèn)購(gòu)或促使其指定實(shí)體認(rèn)購(gòu)(視情況而定)有關(guān)數(shù)目的發(fā)售股份,購(gòu)入總金額為1億美元(折合人民幣約7.28億元)。

目前,公司主要股東有深圳市招銀成長(zhǎng)拾柒號(hào)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)、Inno Holding、SK China、蘇州市吳江產(chǎn)業(yè)投資有限公司、深圳華業(yè)天成投資有限公司、駱薇薇、JAY HYUNG SON。

據(jù)悉,英諾賽科此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及研發(fā)等,具體如下:

一、約60%用來(lái)擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能(從截至2024年6月30日的每月12,500片晶圓增加至未來(lái)五年的每月70,000片晶圓)、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。

二、約20.0%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合,以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場(chǎng)(如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心)的滲透率。英諾賽科計(jì)劃推出新產(chǎn)品,包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

三、約10%將用于擴(kuò)大英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。四、約10.0%將用于公司運(yùn)營(yíng)資金及其他一般企業(yè)用途。集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

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蘇州芯辰化合物半導(dǎo)體外延片量產(chǎn) http://mewv.cn/Company/newsdetail-70381.html Mon, 16 Dec 2024 08:32:22 +0000 http://mewv.cn/?p=70381 據(jù)“勢(shì)能資本”官微消息,芯辰半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(下文簡(jiǎn)稱“芯辰半導(dǎo)體”)外延設(shè)備已于近日投產(chǎn),覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。

據(jù)介紹,芯辰半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn),外延均勻性為激射中心波長(zhǎng)外2nm之內(nèi)。其中典型波長(zhǎng)的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗(yàn)證。

source:芯辰半導(dǎo)體

此外,相關(guān)外延片已獲客戶長(zhǎng)期合作訂單,其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓,同時(shí)配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備。公開資料顯示,芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。

其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)、生物醫(yī)學(xué)和先進(jìn)裝備等多個(gè)領(lǐng)域。公司采用IDM模式,致力于在太倉(cāng)打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。

今年9月初,芯辰半導(dǎo)體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線完成試運(yùn)行。該產(chǎn)線包含了從芯片設(shè)計(jì)、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測(cè)試的完整工藝研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)品生產(chǎn)線。同月,公司光芯片封測(cè)平臺(tái)建設(shè)完成并對(duì)外開放。

10月底,總投資達(dá)8億元的芯辰半導(dǎo)體項(xiàng)目一期在江蘇太倉(cāng)實(shí)現(xiàn)了投產(chǎn),預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)8000萬(wàn)顆光芯片、產(chǎn)值10億元。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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16.8億,福建晶旭半導(dǎo)體氧化鎵芯片項(xiàng)目即將投產(chǎn) http://mewv.cn/power/newsdetail-70364.html Fri, 13 Dec 2024 11:59:37 +0000 http://mewv.cn/?p=70364 12月9日,龍巖市融媒體中心發(fā)布消息稱,福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱:晶旭半導(dǎo)體)二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目,已完成主體廠房建設(shè),正在進(jìn)行內(nèi)外墻的裝修,預(yù)計(jì)年后進(jìn)入機(jī)電暖通、安裝工程及精裝修工程。

據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資16.8億元,建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū),于2023年12月開工建設(shè)。據(jù)稱項(xiàng)目將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線,建成后將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息,截至日前,福建晶旭半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)能75萬(wàn)片氧化鎵外延生產(chǎn)基地,主體結(jié)構(gòu)已全部封頂,預(yù)計(jì)明年可以達(dá)到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開資料顯示,晶旭半導(dǎo)體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片(BAW)全鏈條技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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2.3億,合肥碳化硅設(shè)備項(xiàng)目開業(yè)運(yùn)營(yíng) http://mewv.cn/Company/newsdetail-70366.html Fri, 13 Dec 2024 11:57:21 +0000 http://mewv.cn/?p=70366 據(jù)“合肥新站區(qū)”官微消息,12月12日,合肥賽美泰克科技有限公司在新站高新區(qū)開業(yè)運(yùn)營(yíng)。

據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資約2.3億元,采用租賃芯屏高科技產(chǎn)業(yè)園廠房形式,用于建設(shè)IGBT及碳化硅(SiC)產(chǎn)線核心設(shè)備項(xiàng)目,生產(chǎn)智能測(cè)試分選機(jī)設(shè)備、甲酸真空焊接爐、SiC芯片測(cè)試分選機(jī)及晶圓老化測(cè)試設(shè)備等,達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約2.8億元。

項(xiàng)目于今年7月正式簽約,10月企業(yè)順利投產(chǎn),11月產(chǎn)品交付客戶端,截至目前訂單已超5000萬(wàn)元。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解,近期,第三代半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)投產(chǎn)、出貨等消息不斷。除賽美泰克之外,近兩月還有多個(gè)設(shè)備企業(yè)項(xiàng)目有新進(jìn)展。

·晶馳機(jī)電

11月2日,晶馳機(jī)電在河北石家莊投建半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資2億元,占地約50.26畝,總建筑面積約20000平方米,項(xiàng)目分兩期建設(shè),一期建設(shè)計(jì)劃時(shí)間為2025年—2026年。項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心,專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

11月26日,晶馳機(jī)電在浙江嘉興投建的半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目也實(shí)現(xiàn)了投產(chǎn)。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元。

·廣州粵升

11月18日,廣州粵升實(shí)現(xiàn)碳化硅(SiC)外延設(shè)備的大批量出貨。

·中導(dǎo)光電

11月20日,中導(dǎo)光電宣布獲得國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8英寸碳化硅(SiC)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備訂單。

·芯谷半導(dǎo)體

11月20日,芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項(xiàng)目?jī)纱毖邪l(fā)樓主體結(jié)構(gòu)正式封頂,預(yù)計(jì)明年12月底即可交付使用。

該項(xiàng)目占地面積110.9畝,建筑面積約30萬(wàn)平方米,計(jì)劃總投資16.8億元,規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。項(xiàng)目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)。

·弗昂元

11月28日,上海弗昂元科技有限公司(簡(jiǎn)稱“弗昂元”)投建的SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約江蘇姜堰。項(xiàng)目總投資1.15億元,租用廠房約9200㎡ ,主要從事SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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為對(duì)抗英飛凌,三菱電機(jī)擬在日本組功率半導(dǎo)體聯(lián)盟 http://mewv.cn/Company/newsdetail-70368.html Fri, 13 Dec 2024 11:54:02 +0000 http://mewv.cn/?p=70368 日本三菱電機(jī)執(zhí)行長(zhǎng)漆間啟對(duì)彭博社表示,三菱電機(jī)正在與日本國(guó)內(nèi)的同業(yè)對(duì)手洽商共組功率半導(dǎo)體聯(lián)盟,促進(jìn)在這個(gè)驅(qū)動(dòng)全球各種電子裝置的關(guān)鍵半導(dǎo)體制造方面的合作。

漆間啟表示,日本相關(guān)公司管理層廣泛支持彼此合作,但在行政階層卻進(jìn)展不多。面對(duì)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者、德國(guó)的英飛凌科技(Infineon Technologies),日本相關(guān)企業(yè)與之差距逐步拉開,壓力增大。

漆間啟在彭博的訪談中強(qiáng)調(diào),日本國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)者太多,而功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要不斷創(chuàng)新技術(shù),在現(xiàn)在還有機(jī)會(huì)贏得市占時(shí),企業(yè)合作是有依據(jù)的,“我們不應(yīng)該一直彼此爭(zhēng)斗,我們需要團(tuán)結(jié)”。

目前,全球的工業(yè)技術(shù)公司競(jìng)相研發(fā)出更小、更輕、效能更佳的半導(dǎo)體,供應(yīng)給電動(dòng)汽車或是其他需要高電壓的電子設(shè)備。

日本是個(gè)汽車生產(chǎn)大國(guó),但在電動(dòng)汽車推廣方面卻還在掙扎。日本政府現(xiàn)在提供2000億日?qǐng)A補(bǔ)貼,助力公司規(guī)劃、研發(fā)新一代使用碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體。該投資計(jì)劃,帶動(dòng)了一些日本半導(dǎo)體大廠之間合作。

漆間啟認(rèn)為,日商的結(jié)盟不僅是在產(chǎn)能方面,也要在研發(fā)和銷售上合作,才能取得一定優(yōu)勢(shì)。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到,在碳化硅領(lǐng)域,已有日本大企開展合作。

·日本電裝與富士電機(jī)

2024年11月29日,日本電裝與富士電機(jī)共同投資的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得補(bǔ)貼,該項(xiàng)目投資額達(dá)2116億日元(折合人民幣約102億元),補(bǔ)助金額最高達(dá)705億日元(折合人民幣約34億元)。

據(jù)悉,在該合作項(xiàng)目中,電裝將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC襯底,而富士電機(jī)將負(fù)責(zé)制造SiC功率器件,并將擴(kuò)建所需設(shè)施。項(xiàng)目預(yù)計(jì)產(chǎn)能為每年31萬(wàn)片/年,并計(jì)劃從2027年5月開始供貨。

·羅姆與東芝

5月,羅姆宣布將與東芝就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面進(jìn)行業(yè)務(wù)談判,預(yù)計(jì)談判將持續(xù)一年左右。兩家公司旨在加強(qiáng)旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)全方面合作,涵蓋技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、采購(gòu)和物流等領(lǐng)域。

同月,羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導(dǎo)體器件,這一計(jì)劃還得到了日本政府的支持。

合作項(xiàng)目總投資為3883億日元(折合人民幣約180億元),其中政府將支持1294億日元(折合人民幣約60億元),占比高達(dá)三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓,而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

·日裝與三菱電機(jī)

2023年10月,Coherent宣布成立一家子公司獨(dú)立運(yùn)營(yíng)SiC業(yè)務(wù),該子公司已獲得日裝和三菱電機(jī)共計(jì)10億美元的投資(分別投資5億美元)。此外,三方還簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議,Coherent將為這兩家日本公司供應(yīng)6/8英寸SiC襯底和外延片。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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