圖片來(lái)源：思銳智能

作為山東省2024年度及2025年度連續(xù)兩年的重大項(xiàng)目，以及青島市的重點(diǎn)項(xiàng)目，思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心由思銳智能與青島城投集團(tuán)聯(lián)合打造。該中心總占地約95畝，總建筑面積達(dá)8.6萬(wàn)平方米，計(jì)劃總投資逾12億元人民幣。其核心任務(wù)聚焦于原子層沉積鍍膜（ALD）和離子注入機(jī)（IMP）兩大關(guān)鍵半導(dǎo)體前道設(shè)備的研發(fā)與規(guī)?；a(chǎn)。

該中心的投產(chǎn)，有效填補(bǔ)了青島市在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域的空白，標(biāo)志著青島在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新和高端裝備制造領(lǐng)域邁出了里程碑式的一步。

思銳智能董事長(zhǎng)聶翔強(qiáng)調(diào)，該中心不僅僅是一個(gè)年產(chǎn)百臺(tái)設(shè)備的生產(chǎn)基地，更是構(gòu)建“技術(shù)-制造-生態(tài)”閉環(huán)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，公司將依托此中心加速突破ALD、IMP等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，深化在集成電路、功率化合物等領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。

資本市場(chǎng)加持：思銳智能估值躍升，A股IPO啟動(dòng)

思銳智能業(yè)務(wù)的快速發(fā)展，離不開(kāi)其在資本市場(chǎng)的持續(xù)賦能與有力支撐。公司于2025年2月成功完成數(shù)億元人民幣的B輪及B+輪融資，估值躍升至41億元人民幣。此輪融資獲得了包括上汽集團(tuán)、尚頎資本、鼎暉投資、招商局創(chuàng)投、上海金浦、新鼎資本等在內(nèi)的多家機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略投資。

伴隨融資的完成，思銳智能已于2025年2月正式啟動(dòng)A股IPO進(jìn)程，并已向中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)青島監(jiān)管局進(jìn)行輔導(dǎo)備案。據(jù)悉，為進(jìn)一步優(yōu)化公司治理結(jié)構(gòu)并為后續(xù)上市鋪平道路，思銳智能已完成股份制改制，正式更名為“青島思銳智能科技股份有限公司”（原用名“青島四方思銳智能技術(shù)有限公司”）。此外，公司的注冊(cè)資本也已由約9.5億元人民幣增至約11.2億元人民幣。

公開(kāi)資料顯示，思銳智能由中國(guó)中車集團(tuán)及旗下基金通過(guò)深度“產(chǎn)融結(jié)合”方式聯(lián)合發(fā)起設(shè)立，是一家高科技企業(yè)。值得一提的是，官方資料顯示，思銳智能是目前國(guó)內(nèi)唯一一家能夠同時(shí)提供離子注入機(jī)和原子層沉積設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主突破的企業(yè)。

公司主要聚焦半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，旨在提供具有自主可控關(guān)鍵核心技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。其ALD和IMP設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路、以功率與化合物為代表的第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等諸多高精尖領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：思銳智能

圖為思銳智能Transform系列ALD設(shè)備產(chǎn)品

自2018年9月成功收購(gòu)ALD技術(shù)發(fā)源地——芬蘭倍耐克公司（BENEQ）100%股權(quán)以來(lái)，思銳智能開(kāi)啟了ALD技術(shù)國(guó)內(nèi)外聯(lián)合研發(fā)與本土產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。此后，思銳智能進(jìn)一步布局IMP設(shè)備業(yè)務(wù)，通過(guò)自主研發(fā)逐步完成面向硅基及化合物半導(dǎo)體的全系列機(jī)型布局，成為國(guó)內(nèi)首家全自主研發(fā)、實(shí)現(xiàn)工業(yè)級(jí)量產(chǎn)并通過(guò)多家客戶量產(chǎn)驗(yàn)證的全系列離子注入機(jī)供應(yīng)商。

公開(kāi)資料顯示，IMP設(shè)備是《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》要求重點(diǎn)發(fā)展的三種設(shè)備之一，難度僅次于光刻機(jī)，而思銳智能首先研發(fā)的便是難度最大的高能離子注入機(jī)，已于2023年9月交付國(guó)內(nèi)頭部客戶。

目前，思銳智能及其子公司BENEQ在全球范圍內(nèi)擁有近480余項(xiàng)專利，在ALD和IMP技術(shù)及應(yīng)用方面積累了雄厚的技術(shù)實(shí)力。

據(jù)悉，思銳智能已成功備案設(shè)立國(guó)家級(jí)博士后科研工作站，成為青島自貿(mào)片區(qū)首家國(guó)家級(jí)博士后科研工作站，這預(yù)示著公司在高端人才引進(jìn)和科技創(chuàng)新方面將邁上新的臺(tái)階。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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自20世紀(jì)晶體管誕生以來(lái)，作為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心元件，它在控制和放大電子信號(hào)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，隨著科技的飛速發(fā)展，電子設(shè)備不斷朝著更小尺寸和更高速度邁進(jìn)，傳統(tǒng)硅基晶體管逐漸遭遇物理極限帶來(lái)的瓶頸，難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能計(jì)算需求。在此背景下，尋找能夠替代硅材料的新型半導(dǎo)體成為科研人員的重要任務(wù)。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)

東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)選用摻鎵氧化銦作為構(gòu)建晶體管的基礎(chǔ)材料。這種材料具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，能夠形成高度有序的晶體結(jié)構(gòu)，極大地促進(jìn)了電子遷移效率的提升。與此同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)為新晶體管設(shè)計(jì)了環(huán)繞式柵極（gate-all-around；GAA）結(jié)構(gòu)，使柵極完全包裹住電流通道。相較于傳統(tǒng)柵極，這種結(jié)構(gòu)不僅大幅提高了電子遷移率，還顯著增強(qiáng)了器件長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性。

項(xiàng)目核心研究人員陳安蘭介紹，團(tuán)隊(duì)通過(guò)在#氧化銦?中巧妙地加入#鎵?元素，成功優(yōu)化了材料的電學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)表明，摻鎵后的氧化銦能夠有效減少氧缺陷問(wèn)題，從而顯著提升晶體管的整體穩(wěn)定性。在具體制備過(guò)程中，研究人員利用原子層沉積工藝，逐層構(gòu)建InGaOx薄膜，并通過(guò)精確的加熱手段將其轉(zhuǎn)化為目標(biāo)晶體結(jié)構(gòu)，最終成功制成高性能金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。

測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，這款環(huán)繞式MOSFET表現(xiàn)出色，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)44.5cm2/Vs的遷移率，并且在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試下能夠連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，展現(xiàn)出了卓越的可靠性。與此前報(bào)道的類似器件相比，該晶體管在性能上實(shí)現(xiàn)了重大超越。

此項(xiàng)突破性研究成果，為滿足高運(yùn)算需求的應(yīng)用提供了高效且密集的電子元件設(shè)計(jì)方案，有助于推動(dòng)AI和大數(shù)據(jù)處理等領(lǐng)域進(jìn)一步發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，賽英電子是國(guó)內(nèi)專業(yè)從事研發(fā)和生產(chǎn)大功率半導(dǎo)體器件用陶瓷管殼系列的企業(yè)，主要產(chǎn)品是晶閘管用陶瓷管殼、平板壓接式IGBT用陶瓷管殼、平底型散熱基板、針齒型散熱基板，是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省民營(yíng)科技企業(yè)、無(wú)錫市瞪羚企業(yè)。

賽英電子于2025年4月14日登陸新三板，目前屬于基礎(chǔ)層，交易方式為集合競(jìng)價(jià)轉(zhuǎn)讓。6月25日賽英電子發(fā)布公告稱，公司將于6月26日（星期四)開(kāi)市起停牌，公司披露相關(guān)事項(xiàng)后恢復(fù)轉(zhuǎn)讓交易。停牌原因?yàn)椋合蚓硟?nèi)證券交易所申請(qǐng)公開(kāi)發(fā)行股票并上市。

6月27日，賽英電子發(fā)布2024年全年業(yè)績(jī)報(bào)告。2024年1月1日-2024年12月31日，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.57億元，同比增長(zhǎng)42.65%，盈利7390.15萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)34.20%，基本每股收益為2.4500元。

業(yè)界表示，賽英電子若成功上市，有望成為北交所功率半導(dǎo)體部件第一股。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：上海證券之星

今年一季度，聞泰科技公司歸母凈利潤(rùn)2.61億元，同比增長(zhǎng)82.29%，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收37.11億元，同比增長(zhǎng)8.40%，凈利潤(rùn)5.78億元，經(jīng)營(yíng)性凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)65.14%，毛利率38.32%，同比上升超7個(gè)百分點(diǎn)，持續(xù)驗(yàn)證行業(yè)領(lǐng)先地位與盈利能力。此外，公司經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流量?jī)纛~達(dá)25.23億元，同比增長(zhǎng)29.58%；截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物余額增加至94.53億元，較去年同期翻倍增長(zhǎng)，為半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁﹫?jiān)實(shí)資金保障。

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)遵循“低壓向高壓，功率向模擬”的產(chǎn)品拓展戰(zhàn)略，模擬芯片研發(fā)加速，同時(shí)該公司緊跟AI、機(jī)器人趨勢(shì)，產(chǎn)品在AI數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器、AIPC/手機(jī)中增長(zhǎng)較快。在工業(yè)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人、家居機(jī)器人等領(lǐng)域，公司已積累深厚的客戶資源。依托車規(guī)半導(dǎo)體的高可靠性與安全標(biāo)準(zhǔn)，公司將有望助力更多機(jī)器人新興應(yīng)用更廣泛、安全地落地。

供應(yīng)鏈方面，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具備海內(nèi)外“雙供應(yīng)鏈”，保障產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定高效。

產(chǎn)能方面，聞泰科技后端封測(cè)廠位于廣東東莞、江蘇無(wú)錫（在建）。同時(shí)，聞泰科技積極通過(guò)外部工廠強(qiáng)化產(chǎn)能布局，由大股東先行代建的臨港 12 吋車規(guī)級(jí)晶圓廠已實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)晶圓量產(chǎn)出貨，將成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中國(guó)區(qū)產(chǎn)能提升、工藝升級(jí)和成本控制的有力支撐，幫助公司在中國(guó)區(qū)市場(chǎng)積極開(kāi)拓市場(chǎng)份額。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：福建集成電路

公開(kāi)資料顯示，福聯(lián)集成成立于2015年，是福建省電子信息集團(tuán)控股的國(guó)有控股企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)，覆蓋第二代（砷化鎵）和第三代（氮化鎵）半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。公司目前擁有國(guó)內(nèi)首條量產(chǎn)級(jí)6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)3000片，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信、衛(wèi)星通訊、國(guó)防軍工等高端領(lǐng)域。

作為福建省“增芯強(qiáng)屏”戰(zhàn)略的核心企業(yè)，福聯(lián)集成自成立以來(lái)承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)專項(xiàng)項(xiàng)目，并獲批建設(shè)“福建省射頻與功率芯片制造工程研究中心”。公司通過(guò)與臺(tái)聯(lián)電（UMC）的技術(shù)合作，已實(shí)現(xiàn)砷化鎵HBT/pHEMT工藝的自主研發(fā)，產(chǎn)品良率穩(wěn)定在98%以上，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的空白。

本輪融資領(lǐng)投方興證創(chuàng)新資本表示，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)及新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展，化合物半導(dǎo)體需求持續(xù)增長(zhǎng)。福聯(lián)集成作為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備量產(chǎn)能力的化合物半導(dǎo)體代工廠，其技術(shù)積累與產(chǎn)能布局符合國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的戰(zhàn)略方向。

跟投方卓勝微等產(chǎn)業(yè)資本的加入，則體現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)對(duì)福聯(lián)集成技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可。卓勝微作為國(guó)內(nèi)射頻前端芯片龍頭企業(yè)，與福聯(lián)集成在砷化鎵器件代工領(lǐng)域存在協(xié)同空間，此次投資有望加速雙方在5G射頻芯片領(lǐng)域的聯(lián)合創(chuàng)新。

據(jù)福聯(lián)集成披露，融資資金將主要用于三方面：一是擴(kuò)建現(xiàn)有砷化鎵生產(chǎn)線，目標(biāo)將月產(chǎn)能提升至6000片；二是啟動(dòng)氮化鎵晶圓廠建設(shè)，布局第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)；三是加大研發(fā)投入，推進(jìn)更高頻段毫米波芯片及功率器件的工藝開(kāi)發(fā)。

目前，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)正處于高速增長(zhǎng)期，氮化鎵在快充、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的滲透率亦快速提升。福聯(lián)集成通過(guò)本輪融資強(qiáng)化產(chǎn)能與技術(shù)壁壘，有望提高在化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公司治理與組織架構(gòu)優(yōu)化

士蘭微的董事會(huì)近期迎來(lái)調(diào)整。在6月25日，公司發(fā)布公告稱，獨(dú)立董事何樂(lè)年先生因連續(xù)任職已滿六年而提交辭職報(bào)告。根據(jù)規(guī)定，其辭職將在公司股東大會(huì)選出新任獨(dú)立董事后生效，在此期間何樂(lè)年先生會(huì)繼續(xù)履行職責(zé)，確保董事會(huì)人數(shù)符合法規(guī)要求。

與此同時(shí)，士蘭微積極拓展其半導(dǎo)體制造版圖。近期，廈門(mén)士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊(cè)資本1000萬(wàn)元。這家由士蘭微全資持股的新公司，經(jīng)營(yíng)范圍涵蓋集成電路芯片及產(chǎn)品制造、集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件制造以及半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售等，此舉無(wú)疑將進(jìn)一步強(qiáng)化士蘭微在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的垂直整合能力。

圖片來(lái)源：企查查截圖

8英寸SiC產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)通線，6英寸SiC產(chǎn)線產(chǎn)能持續(xù)釋放

據(jù)悉，士蘭微在碳化硅（SiC）領(lǐng)域已構(gòu)建起涵蓋從襯底、外延到芯片制造、器件封裝以及模塊應(yīng)用的全方位產(chǎn)業(yè)鏈，形成了以廈門(mén)為核心基地的產(chǎn)業(yè)集群。

截至目前，由士蘭微全資子公司廈門(mén)#士蘭集宏 半導(dǎo)體有限公司主導(dǎo)的8英寸SiC mini line已成功實(shí)現(xiàn)通線。該項(xiàng)目總投資120億元人民幣，其中一期投資70億元，預(yù)計(jì)在2025年第四季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，目標(biāo)年產(chǎn)2萬(wàn)片。士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，正進(jìn)行凈化裝修，計(jì)劃達(dá)產(chǎn)后可滿足國(guó)內(nèi)40%以上的車規(guī)級(jí)SiC芯片需求。

圖片來(lái)源：士蘭微

技術(shù)進(jìn)展上，士蘭微Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上成功試流片，其性能參數(shù)與6英寸產(chǎn)品匹配，良品率顯著優(yōu)于6英寸產(chǎn)品。

而由士蘭明鎵負(fù)責(zé)的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線已形成月產(chǎn)9,000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

值得注意的是，目前基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在4家國(guó)內(nèi)汽車廠家累計(jì)出貨量達(dá)5萬(wàn)只，實(shí)現(xiàn)了大批量生產(chǎn)和交付。

士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)，其性能指標(biāo)已接近溝槽柵SiC器件水平，相關(guān)芯片與模塊已送客戶進(jìn)行評(píng)測(cè)，預(yù)計(jì)基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊將于2025年上量。

公司計(jì)劃于2027年推出溝槽柵碳化硅芯片，進(jìn)一步豐富其碳化硅產(chǎn)品線，以滿足新能源汽車等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躍iC器件日益增長(zhǎng)的需求。

根據(jù)士蘭微今年第一季度財(cái)報(bào)披露，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收30.00億元，同比增長(zhǎng)21.70%?？鄯莾衾麧?rùn)1.45億元，同比小幅增長(zhǎng)8.96%。士蘭微2025年第一季度凈利潤(rùn)8,953.23萬(wàn)元，業(yè)績(jī)扭虧為盈。這表明公司在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的背景下，通過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化和成本控制，實(shí)現(xiàn)了盈利能力的顯著提升。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：杰立方半導(dǎo)體

杰立方半導(dǎo)體的這項(xiàng)申請(qǐng)，是自新型工業(yè)加速計(jì)劃于2024年9月推出以來(lái)，首個(gè)獲得支持的第三代半導(dǎo)體先進(jìn)制造科技項(xiàng)目，同時(shí)也是該計(jì)劃批準(zhǔn)的第三個(gè)項(xiàng)目，凸顯了其戰(zhàn)略意義。

該晶圓廠項(xiàng)目的總預(yù)算超過(guò)7億港元，其中新型工業(yè)加速計(jì)劃將提供2億港元的資助。這筆資金將為香港建設(shè)高端半導(dǎo)體制造能力注入強(qiáng)大動(dòng)力，加速其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。

公開(kāi)資料顯示，杰立方半導(dǎo)體于2023年10月在香港注冊(cè)成立，并于2024年6月正式投入運(yùn)營(yíng)，其全球研發(fā)中心也同步啟用。公司位于香港科技園內(nèi)，正規(guī)劃建設(shè)香港首座8英寸碳化硅先進(jìn)垂直整合晶圓廠（IDM）。目前，廠房設(shè)計(jì)工作正有條不紊地進(jìn)行中，預(yù)計(jì)將于2027年正式投產(chǎn)。

杰立方半導(dǎo)體的母公司為杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“杰平方半導(dǎo)體”），該母公司于2021年10月在上海張江成立，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍人物和資深專家共同創(chuàng)建，并吸引了來(lái)自半導(dǎo)體及新能源汽車等行業(yè)的戰(zhàn)略投資?；谀腹驹谔蓟韬诵募夹g(shù)和汽車芯片設(shè)計(jì)方面的深厚實(shí)力，香港杰立方晶圓廠將專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅的研發(fā)與制造，致力于成為8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅垂直整合晶圓廠的行業(yè)標(biāo)桿。

今年3月，杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司與深圳市#金威源 科技股份有限公司正式簽訂了碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方一致認(rèn)為，當(dāng)前國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)發(fā)展迅猛，碳化硅作為關(guān)鍵器件需求持續(xù)攀升。此次合作將共同推動(dòng)碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展，顯示出杰平方半導(dǎo)體在拓展產(chǎn)業(yè)鏈合作方面的積極姿態(tài)。

圖片來(lái)源：杰立方半導(dǎo)體

而在更早之前，杰平方半導(dǎo)體披露，其與漢磊（Episil）的戰(zhàn)略合作取得重大成果，杰平方碳化硅器件已進(jìn)入量產(chǎn)階段。根據(jù)杰平方半導(dǎo)體官網(wǎng)發(fā)布的信息，截至2024年5月，杰平方已有多款碳化硅MOS和SBD在漢磊的產(chǎn)線順利量產(chǎn)。值得關(guān)注的是，雙方緊密配合下，業(yè)界先進(jìn)的1200V 8毫歐的SiC MOS流片成功并取得高良率，該產(chǎn)品定位于新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用，屬于當(dāng)時(shí)全球高規(guī)格的SiC MOS產(chǎn)品。

據(jù)悉，上述這項(xiàng)重要項(xiàng)目之所以能獲批，得益于香港特區(qū)政府推出的新型工業(yè)加速計(jì)劃。這項(xiàng)計(jì)劃的核心目標(biāo)，是推動(dòng)香港產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)，吸引更多高科技企業(yè)落戶并深耕。它采用創(chuàng)新的政府與企業(yè)1:2配對(duì)資助模式，專門(mén)針對(duì)在香港設(shè)立新智能生產(chǎn)設(shè)施的企業(yè)。

要獲得該計(jì)劃的資助，企業(yè)需滿足一系列條件。首先，它們的投資額必須不少于2億港元，且項(xiàng)目總成本需至少達(dá)到3億港元。其次，受資助企業(yè)必須專注于香港特區(qū)政府界定的策略性產(chǎn)業(yè)，這主要包括：生命健康科技、人工智能與數(shù)據(jù)科學(xué)，以及先進(jìn)制造與新能源科技。每家企業(yè)在加速計(jì)劃下獲得的政府資助總額上限為2億港元。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信、軌道交通等眾多戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

然而，SiC材料本身硬度高、脆性大的特點(diǎn)，常在研磨步驟遭遇困境，傳統(tǒng)研磨方式使加工效率、質(zhì)量良率面臨瓶頸，不僅耗時(shí)、研磨損耗多，且因?yàn)闄C(jī)械性加工，容易在晶圓表面留下?lián)p傷痕跡，甚至導(dǎo)致整片晶圓破裂，嚴(yán)重影響晶圓良率、提升制造成本，因此業(yè)界普遍視碳化硅晶圓后段制程為量產(chǎn)瓶頸。

國(guó)研院國(guó)儀中心在精密測(cè)量與高端儀器研發(fā)領(lǐng)域底蘊(yùn)深厚，擁有一支在材料分析、精密加工工藝研究等方面的專業(yè)科研團(tuán)隊(duì)。其在過(guò)往項(xiàng)目中積累了大量關(guān)于材料微觀結(jié)構(gòu)分析、精密加工過(guò)程監(jiān)測(cè)與控制的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，這些技術(shù)儲(chǔ)備為 SiC 晶圓加工新技術(shù)的開(kāi)發(fā)提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

鼎極科技則深耕半導(dǎo)體設(shè)備制造與工藝優(yōu)化領(lǐng)域，對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈有著深刻理解，在晶圓加工設(shè)備研發(fā)與制造方面具備豐富實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。公司憑借對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的敏銳洞察與強(qiáng)大的工程化能力，能夠?qū)⑶把丶夹g(shù)快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力。

在此次合作中，雙方充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，成功導(dǎo)入紅外線奈秒級(jí)脈沖雷射系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)出專為碳化硅晶圓量產(chǎn)需求設(shè)計(jì)的「雷射研磨技術(shù)」，透過(guò)每秒100,000次擊打使碳化硅表層變軟，可將每片晶圓研磨時(shí)間從3小時(shí)縮短為2小時(shí)，且不會(huì)損傷晶圓，晶圓破片率自5%降至1%，大幅提高產(chǎn)品良率，主要改善晶圓研磨/拋光、晶圓減薄與切割這兩段制程。

新技術(shù)能減少研磨過(guò)程造成的晶圓損耗，也明顯降低傳統(tǒng)研磨所需耗材（鉆石砂輪、水、油等）與機(jī)臺(tái)清洗維護(hù)成本。 此外新技術(shù)還可將碳化硅晶圓硬度由原本約3000 HV降至60 HV，大幅降低后續(xù)加工時(shí)間和成本。

據(jù)悉，目前鼎極科技已與美國(guó)芯片制造商安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor Corp.）捷克廠合作，準(zhǔn)備將機(jī)臺(tái)推廣至歐洲。

（集邦化合物半導(dǎo)體 整理）

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圖片來(lái)源：天眼查截圖

中山火炬開(kāi)發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金長(zhǎng)期聚焦戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在推動(dòng)區(qū)域科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)方面發(fā)揮著重要作用，此次投資基本半導(dǎo)體，是其助力優(yōu)質(zhì)企業(yè)發(fā)展、完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的關(guān)鍵舉措。中山金控作為中山投資控股集團(tuán)有限公司下屬企業(yè)，注冊(cè)資本達(dá)28.34億元，在金融投資領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，業(yè)務(wù)涵蓋政策性普惠金融、金融與類金融等多元領(lǐng)域。

基本半導(dǎo)體于2016年成立，是中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的頭部企業(yè)，長(zhǎng)期專注于碳化硅功率器件的全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。其產(chǎn)品覆蓋碳化硅二極管、MOSFET芯片、汽車級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

數(shù)據(jù)顯示，截至2024年末，基本半導(dǎo)體新能源汽車產(chǎn)品出貨量累計(jì)超過(guò)9萬(wàn)件。從具體的上車情況來(lái)看，截至2024年末，基本半導(dǎo)體獲得design-win的新能源汽車車型數(shù)量為20款，而已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)上車的車型有8款。

近期，基本半導(dǎo)體在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域動(dòng)作頻繁，發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁。5月27日，基本半導(dǎo)體正式向港交所遞交A1申請(qǐng)表，開(kāi)啟港股#IPO 之路，目標(biāo)直指港交所 “中國(guó)碳化硅芯片第一股”。

圖片來(lái)源：基本半導(dǎo)體上市申請(qǐng)書(shū)截圖

招股書(shū)顯示，2022-2024年公司營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)59.9%，其中碳化硅功率模塊營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)434.3%。此次上市申請(qǐng)，不僅是基本半導(dǎo)體發(fā)展歷程中的重要里程碑，也將為公司進(jìn)一步拓寬融資渠道，吸引更多資源，助力其在技術(shù)研發(fā)、市場(chǎng)拓展和產(chǎn)業(yè)整合等方面實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，同時(shí)有望提升中國(guó)碳化硅芯片企業(yè)在國(guó)際資本市場(chǎng)的影響力。

此外，在6月4日，基本半導(dǎo)體迎來(lái)另一重大利好，廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺(tái)發(fā)布了基本半導(dǎo)體年產(chǎn)100萬(wàn)只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目備案公示。該項(xiàng)目擬在中山市火炬開(kāi)發(fā)區(qū)民眾街道沿江村建設(shè)碳化硅模塊封裝基地?；景雽?dǎo)體在深圳設(shè)有晶圓廠，封裝產(chǎn)線則位于無(wú)錫，中山成為其擴(kuò)大封裝產(chǎn)能的下一陣地。

基本半導(dǎo)體計(jì)劃購(gòu)置先進(jìn)封裝設(shè)備，并建設(shè)相關(guān)實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地。主要產(chǎn)品將是車規(guī)級(jí)碳化硅半橋模塊、三相全橋模塊和塑封半橋模塊。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)100萬(wàn)只碳化硅功率模塊。

據(jù)悉，基本半導(dǎo)體目標(biāo)是將中山基地打造成華南最大的#碳化硅 模塊封裝工廠，遠(yuǎn)期設(shè)計(jì)產(chǎn)能高達(dá)300萬(wàn)只/年。這將使基本半導(dǎo)體擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的SiC模塊封裝能力。

隨著此次D++輪融資的完成，基本半導(dǎo)體有望加速其IPO進(jìn)程，并在碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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圖片來(lái)源：智新科技

活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，智新科技副總經(jīng)理曹永軍介紹，六年來(lái)，智新半導(dǎo)體體系能力持續(xù)增強(qiáng)，產(chǎn)品平臺(tái)不斷豐富，今年銷量同比大幅增長(zhǎng)，兩條產(chǎn)線產(chǎn)能利用率逐步飽滿，開(kāi)發(fā)的多款領(lǐng)先功率模塊產(chǎn)品填補(bǔ)了東風(fēng)空白，應(yīng)用于多款新投放整車，既達(dá)成了新能源自主事業(yè)自主可控的戰(zhàn)略目標(biāo)，也成為東風(fēng)新能源轉(zhuǎn)型升級(jí)的靚麗名片。

資料顯示，智新半導(dǎo)體作為東風(fēng)汽車與中車時(shí)代半導(dǎo)體合資的功率半導(dǎo)體企業(yè)，自2019年成立以來(lái)，始終聚焦新能源汽車核心器件國(guó)產(chǎn)化。2021年，其首條IGBT產(chǎn)線量產(chǎn)，填補(bǔ)了華中地區(qū)車規(guī)級(jí)功率模塊的空白。近年來(lái)，隨著高壓平臺(tái)需求爆發(fā)，智新于2022年成功研制首款碳化硅（SiC）模塊。

今年6月15日，智新半導(dǎo)體首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標(biāo)志著該項(xiàng)目取得重大階段性成果，為后續(xù)批量裝車應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

圖片來(lái)源：智新科技

該模塊產(chǎn)品開(kāi)關(guān)損耗銳減60%，通過(guò)第二代SiC芯片技術(shù)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)（支持+15~+18V驅(qū)動(dòng)電壓）和低寄生電感封裝（≤10nH），顯著降低Eon/Eoff損耗。對(duì)比傳統(tǒng)IGBT，系統(tǒng)效率從96%躍升至99%，僅效率提升即可為整車?yán)m(xù)航延長(zhǎng)3%以上。

智新半導(dǎo)體表示，隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)向1000V以上高壓架構(gòu)快速演進(jìn)，電驅(qū)系統(tǒng)對(duì)#功率器件 的性能、效率與可靠性提出了更高要求。1700V電壓等級(jí)尤其契合1200V平臺(tái)主驅(qū)逆變器的需求，成為突破傳統(tǒng)硅基（IGBT）性能瓶頸、實(shí)現(xiàn)電驅(qū)系統(tǒng)高效化、輕量化、長(zhǎng)續(xù)航的核心器件。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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