01、納微半導(dǎo)體：營收承壓，聚焦氮化鎵

5月5日，納微半導(dǎo)體 公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。

公告顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。本季度的GAAP運營虧損為2,530萬美元，相比2024年同期的3,160萬美元虧損和2024年第四季度的3,900萬美元虧損有所減少。非GAAP運營虧損為1,180萬美元，與2024年同期持平，低于2024年第四季度的1,270萬美元。截至2025年3月31日，現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物為7,510萬美元。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

在業(yè)務(wù)展望上，納微半導(dǎo)體表示預(yù)計2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計為38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運營費用預(yù)計約為1,550萬美元。

此外，納微半導(dǎo)體表示，在未來的12月里，納微氮化鎵將在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能微逆和電動汽車等新主流市場實現(xiàn)應(yīng)用增長。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“納微在第一季度取得了多個行業(yè)首創(chuàng)成果，包括全球首款量產(chǎn)級雙向氮化鎵功率芯片、一款12kW AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計，以及氮化鎵和碳化硅技術(shù)達到了前所未有的可靠性標準?！?br /> 納微半導(dǎo)體成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。

此前3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

source：納微芯球

02、天岳先進：營收微降，加碼研發(fā)

4月30日，天岳先進 發(fā)布了2025年一季度財報。財報顯示，2025年第一季度公司營業(yè)總收入4.08億元，同比下降4.25%；歸母凈利潤851.82萬元，同比降幅達81.52%；扣非凈利潤359.58萬元，同比下降91.75%?；久抗墒找?.02元，加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.16%，同比下降0.72個百分點。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

天岳先進在報告中強調(diào)，業(yè)績波動主要受大尺寸產(chǎn)品研發(fā)費用增加、管理費用中介費增加以及其他收益進項稅加計抵扣減少所致。

據(jù)2025年一季報，天岳先進加大了研發(fā)投入，一季度研發(fā)支出4494萬元，同比激增101.67%，占營收比例達11.02%，重點投向12英寸碳化硅襯底、光學(xué)級碳化硅材料等前沿領(lǐng)域。

市場布局方面，天岳先進碳化硅襯底出貨量持續(xù)增長，公司同步推進碳化硅材料在新能源汽車800V高壓平臺、AI算力基礎(chǔ)設(shè)施及AR眼鏡等新興場景的應(yīng)用。

作為全球碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)，天岳先進專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。

此前在SEMICON China2025展會上，天岳先進全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

近期，南京日報深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)始人袁振洲，揭秘我國8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)背后的“晶體種植術(shù)”。

袁振洲指出，“種”晶體的主要材料就是籽晶和高純度碳化硅粉料。籽晶是形成晶體的‘種子’，當溫度升至2300℃以上時，高純度碳化粉料升華，傳輸至籽晶附近，達到過飽和狀態(tài)后重新結(jié)晶，逐漸形成完美的晶體。隨后通過精細的切割、研磨和拋光工序，這些晶體被轉(zhuǎn)化為光滑的單晶襯底，襯底尺寸越大，所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多。

隨著尺寸的增大，內(nèi)部晶體缺陷的風(fēng)險也相應(yīng)增加。面對這些挑戰(zhàn)，袁振洲帶領(lǐng)團隊不斷攻克難關(guān)，先后突破了低應(yīng)力晶體生長、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術(shù)等多項關(guān)鍵技術(shù)難點，形成了一整套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的工藝。如今，超芯星已成為國內(nèi)少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一，同時也是江蘇省內(nèi)唯一一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司。

展望未來，袁振洲表示公司近期目標是推動8英寸碳化硅襯底的大規(guī)模量產(chǎn)，同時，致力于打造品牌影響力，為南京的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新貢獻力量。

02、重投天科6&8吋產(chǎn)品已推向市場

深圳特區(qū)報消息，深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱：“北京天科合達”）和市屬國企深重投集團兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。

該公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道，這里曾經(jīng)是一片荒蕪的土地，經(jīng)過五年的發(fā)展，如今已建起大片廠房，總建筑面積達到179045平方米，深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園從藍圖變?yōu)楝F(xiàn)實。

source：深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會

報道指出，重投天科高質(zhì)量的6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場。據(jù)悉，按照正常設(shè)計、施工工期，產(chǎn)業(yè)園建設(shè)工期需要約28個月，面對市場對于產(chǎn)能的迫切需求，重投天科最終僅用了19個月實現(xiàn)產(chǎn)線順利投產(chǎn)。

03、晶升股份8英寸設(shè)備持續(xù)推進

近期，晶升股份發(fā)布2024年報和2025年一季報，公司2024年實現(xiàn)營業(yè)收入4.25億元，同比增長4.78%；2025Q1實現(xiàn)營業(yè)收入0.71億元，同比減少12.69%。

晶升股份是國內(nèi)晶體生長設(shè)備領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一，碳化硅單晶爐領(lǐng)域，晶升股份是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)8英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)的企業(yè)。

此外，該公司還前瞻性布局8英寸碳化硅長晶設(shè)備，自主研發(fā)的SCMP系列單晶爐已實現(xiàn)批量供應(yīng)，為未來3年至5年碳化硅襯底向大尺寸迭代提供設(shè)備保障。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

該設(shè)備專為砷化物/磷化物應(yīng)用設(shè)計，采用創(chuàng)新的注入器和先進溫控技術(shù)，使關(guān)鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時，具備全自動盒到盒操作能力，并通過原位清洗確保工藝穩(wěn)定性，為高質(zhì)量PIC生產(chǎn)提供了可靠保障。

愛思強成立于1983年，其技術(shù)解決方案廣泛應(yīng)用于激光/LED、顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、電源管理等前沿領(lǐng)域。

SMART Photonics是愛思強的長期合作伙伴，成立于2012年，依托埃因霍溫理工大學(xué)的技術(shù)支持，已成為歐洲領(lǐng)先的InP PIC代工廠。

此次設(shè)備交付，標志著兩家公司在磷化銦光子集成電路制造領(lǐng)域的合作進入新階段，將為全球光電子產(chǎn)業(yè)鏈提供更強大的技術(shù)支持。

業(yè)界指出，近年，得益于5G/6G通信、醫(yī)療健康、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及汽車激光雷達等傳感技術(shù)的廣泛應(yīng)用，基于磷化銦的光子集成電路市場需求快速上升。愛思強G10-AsP系統(tǒng)有望提升SMART Photonics在GaAs/InP材料領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)能力，助力其應(yīng)對快速增長的市場需求。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求；英飛凌則將基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)（TSJ）引入其CoolSiC產(chǎn)品線，實現(xiàn)器件性能與能效的雙重躍升。兩項技術(shù)進展顯示，碳化硅功率器件正朝著提升集成度和降低損耗的方向發(fā)展，有助于下游應(yīng)用實現(xiàn)能效提升。

1、基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

5月6日，#基本半導(dǎo)體?官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。

據(jù)基本半導(dǎo)體介紹，其中的650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級下實現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。

這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟的功率器件解決方案。

source：基本半導(dǎo)體（圖為新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表）

2、英飛凌推出基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)

5月6日，#英飛凌?科技股份公司宣布，其CoolSiC產(chǎn)品線正式引入基于溝槽的碳化硅超結(jié)技術(shù)（TSJ），將電壓覆蓋范圍擴展至400V至3.3kV，全面覆蓋汽車電驅(qū)動、電動汽車充電、光伏逆變、儲能系統(tǒng)及工業(yè)牽引等核心領(lǐng)域。

英飛凌此次技術(shù)升級延續(xù)了其在硅基超結(jié)技術(shù)（CoolMOS）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，通過將溝槽柵極結(jié)構(gòu)與超結(jié)電荷平衡原理結(jié)合，實現(xiàn)了器件性能的突破性提升。

英飛凌表示，英飛凌正在利用 SiC TSJ 技術(shù)逐步擴展其 CoolSiC 產(chǎn)品組合。此次擴展將涵蓋多種封裝類型，包括分立器件、模制和基于框架的模塊，以及裸片。擴展后的產(chǎn)品組合將滿足廣泛的應(yīng)用需求，同時針對汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

3、結(jié)語

當前碳化硅技術(shù)突破正推動器件性能與能效持續(xù)提升，基本半導(dǎo)體與英飛凌的技術(shù)進展為新能源汽車、光伏儲能等場景提供了更優(yōu)的功率解決方案。隨著工藝成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，碳化硅器件的規(guī)?；瘧?yīng)用進程有望進一步加速。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車時代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時代半導(dǎo)體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時代半導(dǎo)體則將提供先進的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項目，優(yōu)化芯片設(shè)計與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時代半導(dǎo)體的國內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應(yīng)用。

客戶服務(wù)：通過雙方的技術(shù)支持與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應(yīng)用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們在為中國客戶提供先進、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時代半導(dǎo)體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗，優(yōu)化 GaN 功率器件的應(yīng)用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用，提升市場認可度。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

相關(guān)論文以《4H-SiC 超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)》（4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation）為題發(fā)表在 Advanced Materials 上 。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

相較于常規(guī)商用物鏡，該超透鏡在保持衍射極限聚焦性能的同時，展現(xiàn)出卓越的熱穩(wěn)定性，能夠在長時間高功率激光輻照下維持性能穩(wěn)定，幾乎不受熱吸收影響。這一成果得益于4H-SiC材料的優(yōu)異特性，包括高光學(xué)透過率與折射率、高熱導(dǎo)率以及高硬度和抗劃傷能力，使其成為高性能光學(xué)器件的理想材料。

新型超透鏡充分利用了4H-SiC的高熱導(dǎo)率和低損耗特性，有效抑制了熱漂移效應(yīng)，從而擺脫了對復(fù)雜冷卻系統(tǒng)的依賴。該技術(shù)突破不僅為高功率激光系統(tǒng)提供了關(guān)鍵支持，還為精密儀器制造、極地探險、航空航天等多個領(lǐng)域帶來了新的可能性，特別是在對加工精度和表面質(zhì)量要求極高的領(lǐng)域，4H-SiC超透鏡 將發(fā)揮重要作用，為高功率激光應(yīng)用提供更加高效、緊湊的解決方案。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

圖為4H-SiC超透鏡（左）與傳統(tǒng)物鏡（右）的熱漂移效應(yīng)示意圖

稍早之前，西湖大學(xué)還公布了另一項碳化硅技術(shù)突破：由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功開發(fā)12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術(shù)，解決超大尺寸碳化硅襯底切片難題。通過激光在材料內(nèi)部形成數(shù)億個極細小“爆破點”，實現(xiàn)晶錠逐層自動剝離，出片速度較傳統(tǒng)切割提升顯著，材料損耗降低50%。

這兩項突破標志著西湖大學(xué)在碳化硅材料應(yīng)用與技術(shù)研發(fā)方面處于國際領(lǐng)先地位，為高功率激光系統(tǒng)、精密制造、航空航天及新能源產(chǎn)業(yè)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

調(diào)整后每股盈利方面，安森美半導(dǎo)體表現(xiàn)尚可，為0.55美元，高于市場預(yù)期的0.5美元。同時，公司對當前季度（2025年第二財季）的業(yè)績展望相對樂觀，預(yù)計調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元，營收為14億至15億美元，其中值略高于市場預(yù)期的14.1億美元。

2025財年第一季度，各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)如下：電源方案部（PSG）營收6.451億美元，同比下降26%；模擬與混合信號部（AMG）營收5.664億美元，同比下降19%；智能感知部（ISG）營收2.342億美元，同比下降20%。這表明公司各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)不一，部分業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

安森美半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 表示，盡管面臨經(jīng)濟下行和市場需求疲軟的挑戰(zhàn)，公司仍保持財務(wù)紀律并推進長期戰(zhàn)略。他認為，當前的財報體現(xiàn)了公司穩(wěn)健的執(zhí)行力。

盡管首財季業(yè)績不佳，安森美半導(dǎo)體仍在積極采取措施應(yīng)對挑戰(zhàn)，尋求新的增長機遇。公司計劃在2025年將股份回購增至自由現(xiàn)金流的100%，顯示其對自身業(yè)務(wù)的信心。此外，安森美半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)強勁勢頭，尤其在中國電動汽車市場，其碳化硅技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。公司預(yù)計，隨著碳化硅技術(shù)的進一步推廣和應(yīng)用，這將為公司帶來新的收入增長點。

據(jù)悉，近期安森美推出了基于碳化硅的智能功率模塊，旨在降低能耗和整體系統(tǒng)成本。公司在捷克的碳化硅工廠擴建項目也在穩(wěn)步推進中，預(yù)計將顯著提升其碳化硅晶圓的產(chǎn)能。

對于2025財年第二季度，安森美半導(dǎo)體預(yù)計營收為14億至15億美元，經(jīng)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元。這一預(yù)期反映了公司對市場環(huán)境的謹慎態(tài)度，并表明公司正努力調(diào)整業(yè)務(wù)策略以適應(yīng)不斷變化的市場需求。

此外，公司上月終止了對小型競爭對手Allegro MicroSystems高達69億美元的收購案，原因是對方董事會未能充分回應(yīng)其并購提案。

總體而言，安森美半導(dǎo)體首財季業(yè)績不佳，收入下滑并由盈轉(zhuǎn)虧，反映了當前半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)，尤其是在汽車需求疲軟和關(guān)稅政策變化的影響下。盡管公司對下一季度的業(yè)績展望相對樂觀，但其能否在復(fù)雜的市場環(huán)境中持續(xù)復(fù)蘇仍有待觀察。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

source：星曜半導(dǎo)體

據(jù)悉，星曜半導(dǎo)體此次戰(zhàn)略收購涵蓋該工廠生產(chǎn)設(shè)備、軟件、成熟的封裝體系及運營和技術(shù)團隊，標志著星曜半導(dǎo)體在射頻濾波器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“研發(fā)設(shè)計-晶圓制造-封裝測試”全產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)，徹底打通5G射頻前端核心器件的國產(chǎn)化命脈。

官方資料顯示，韓國威盛（Wisol）自1992年起深耕聲表面波濾波器（SAW）領(lǐng)域，于2009年在中國天津設(shè)立首家海外生產(chǎn)基地，其SAW濾波器市場占有率曾長期位居世界前列，其威盛天津工廠具備大規(guī)模封裝量產(chǎn)能力和本土化供應(yīng)鏈體系。

去年年末消息，星曜半導(dǎo)體的5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項目迎來投產(chǎn)，原計劃于今年2月實現(xiàn)產(chǎn)品交付客戶。該項目填補了溫州集成電路產(chǎn)業(yè)鏈制造領(lǐng)域的空白，總投資7.5億元，預(yù)計投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片高性能射頻濾波器晶圓片。

移動通信中常用的射頻濾波器可分為聲表面波（SAW）和體聲波（BAW）濾波器，作為無線通信系統(tǒng)的核心部件，是實現(xiàn)無線模擬信號和數(shù)字信號互相轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)部件。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，全球射頻濾波器市場主要由國外廠商占據(jù)。其中Murata、TDK、Taiyo Yuden（太陽誘電）、Skyworks四大廠商合計占據(jù)全球SAW市場約95%的份額，Broadcom、Qorvo等廠商占據(jù)全球BAW市場95%以上的份額。目前中國射頻濾波器本土產(chǎn)品市占率不足5%。

據(jù)悉，中國本土射頻濾波器代表企事業(yè)單位主要包括中電26所、中電55所、好達電子、德清華瑩、卓勝微、立昂微、信維通信、麥捷科技等企業(yè)。

星曜半導(dǎo)體表示，依托全產(chǎn)業(yè)鏈整合優(yōu)勢，伴隨溫州晶圓制造基地和天津封裝工廠產(chǎn)能和效能的提升，公司預(yù)計將實現(xiàn)濾波器量產(chǎn)規(guī)模的突破性增長，顯著提升國產(chǎn)射頻芯片的市場競爭力。

公開資料顯示，星曜半導(dǎo)體成立于2020年11月，在短短四年半時間內(nèi)，已構(gòu)建起完整的射頻前端技術(shù)開發(fā)能力，發(fā)展速度創(chuàng)下行業(yè)紀錄，已成為國內(nèi)射頻濾波器和射頻模組領(lǐng)域的中堅力量。基于各類SAW、BAW、IPD等技術(shù)，目前已開發(fā)100多款成熟發(fā)射/接收濾波器、雙工器、四工器等芯片產(chǎn)品；基于SOI、GaAs、CMOS等工藝，已開發(fā)全套射頻接收模組產(chǎn)品和部分發(fā)射模組產(chǎn)品；絕大多數(shù)產(chǎn)品性能達到國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流水平，多款產(chǎn)品已量產(chǎn)交付國內(nèi)外知名客戶。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

Octric Semiconductors，這家位于達勒姆郡牛頓艾克利夫的晶圓廠前身為美國Coherent公司旗下砷化鎵（GaAs）生產(chǎn)基地，2024年9月被英國防部以2700萬英鎊收購并更名。

據(jù)悉，此次注資將專項用于擴建軍用砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)線，兩類化合物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于軍用雷達系統(tǒng)、電力電子設(shè)備及先進航空平臺。為推進產(chǎn)能擴張，Octric正面向全球招募具備磷化銦（InP）等化合物半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗的工程師團隊。

此次投資標志著英國加速半導(dǎo)體自主化進程的重要舉措，旨在降低對海外供應(yīng)鏈的依賴，確保從5G通信到高超音速武器等尖端裝備的芯片供應(yīng)安全。

資料顯示，英國正通過多維度的戰(zhàn)略部署，加速構(gòu)建化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球競爭力，其布局涵蓋政策扶持、技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈整合及國際合作等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

英國政府將化合物半導(dǎo)體列為半導(dǎo)體戰(zhàn)略的核心方向，2023年啟動10億英鎊國家半導(dǎo)體支持計劃，明確聚焦化合物半導(dǎo)體、芯片設(shè)計及研發(fā)創(chuàng)新。

同時，英國在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域具備深厚的科研底蘊并形成了產(chǎn)業(yè)集群?？ǖ戏虼髮W(xué)化合物半導(dǎo)體研究所專注GaAs、GaN等材料的基礎(chǔ)研究，其技術(shù)已應(yīng)用于5G通信、國防雷達等領(lǐng)域。威爾士CS Connected集群聚集IQE、Microsemi等龍頭企業(yè)，覆蓋從外延片生產(chǎn)到封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈；東北部NEAME集群：以氮化鎵（GaN）材料為特色，服務(wù)電動汽車、5G基站等高增長市場。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會在無錫組織召開科技成果評價會。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團周旗鋼教授以及來自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項科技成果進行了評價。

專家組一致認為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項目，獨創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機驅(qū)動并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國際發(fā)明展金獎

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長劉凱教授攜項目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項目面向極端服役環(huán)境對高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項目相關(guān)成果已獲得多項國家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語

在“雙碳”目標與智能制造升級的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領(lǐng)域，推動能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）