中科光智成都子公司主要聚焦研發(fā)與制造高精度貼片機(jī)、光通信封裝關(guān)鍵設(shè)備以及用于顯示封裝等領(lǐng)域的設(shè)備，解決高端封裝領(lǐng)域尤其是第三代半導(dǎo)體（如碳化硅）的工藝難題，致力于成為國(guó)產(chǎn)高端封裝裝備的領(lǐng)先供應(yīng)商。

資料顯示，中科光智成立于2021年，專注于半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域。憑借多年研發(fā)積累，公司率先在國(guó)內(nèi)推出用于高可靠性SiC芯片封裝的預(yù)貼片和納米銀燒結(jié)設(shè)備，并于2024年陸續(xù)導(dǎo)入客戶SiC模塊產(chǎn)線。

2025年末，媒體報(bào)道中科光智已經(jīng)完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬(wàn)元投資，碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補(bǔ)區(qū)域半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)空白。

根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目不僅涵蓋高精度全自動(dòng)貼片機(jī)及納米銀壓力燒結(jié)機(jī)等核心設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與結(jié)算，還將同步打造半導(dǎo)體封裝測(cè)試驗(yàn)證公共服務(wù)平臺(tái)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，其性能優(yōu)化直接決定下游器件的可靠性與應(yīng)用上限。近期公開(kāi)的兩項(xiàng)襯底相關(guān)專利，分別從絕緣層設(shè)計(jì)與光學(xué)結(jié)構(gòu)制備兩大方向?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)新。

騰云創(chuàng)芯半導(dǎo)體材料（上海）有限公司于2026年1月2日公開(kāi)的“一種六方氮化硼絕緣體上碳化硅襯底結(jié)構(gòu)的制備方法”（CN121262882A），創(chuàng)新性采用六方氮化硼作為絕緣層材料。該方案通過(guò)精準(zhǔn)控制頂層SiC薄膜厚度，有效減少電荷散射現(xiàn)象，顯著提升器件穩(wěn)定性，可精準(zhǔn)匹配高壓功率器件對(duì)絕緣層均勻性與薄膜質(zhì)量的嚴(yán)苛要求，為新能源汽車(chē)電控、光伏逆變器等高壓場(chǎng)景提供了高性能襯底解決方案。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

北京阿法龍科技有限公司于2026年1月6日公開(kāi)的“基于碳化硅襯底的連續(xù)深度漸變的光柵結(jié)構(gòu)及其制備方法”（CN121276675A），實(shí)現(xiàn)了碳化硅在光學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破。該專利采用漸變犧牲層+兩步等離子刻蝕+等離子拋光的集成工藝，在碳化硅襯底上成功制備出高精度連續(xù)深度漸變光柵，可精準(zhǔn)匹配RGB三色波長(zhǎng)的衍射需求。據(jù)專利摘要顯示，該技術(shù)有效消除了傳統(tǒng)刻蝕工藝中的微溝槽缺陷，解決了單層全彩光波導(dǎo)制備中深寬比與表面質(zhì)量難以兼顧的行業(yè)痛點(diǎn)，同時(shí)降低了光波導(dǎo)傳輸損耗，提升了產(chǎn)品良率。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

在功率器件領(lǐng)域，結(jié)構(gòu)優(yōu)化與制備工藝升級(jí)成為近期專利創(chuàng)新的核心方向，旨在實(shí)現(xiàn)器件性能提升與制造成本降低的雙重目標(biāo)。

廣東芯粵能半導(dǎo)體于2025年12月26日公開(kāi)的“碳化硅功率器件及其制備方法”（CN121218646A），采用條狀MPS與條狀柵極交替的復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，融合PiN與肖特基器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，不僅實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻（Ron）、低正向壓降（Vf）的性能表現(xiàn)，還增強(qiáng)了器件的抗浪涌能力。該技術(shù)方案有效降低了制造成本，可廣泛適配新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景，契合當(dāng)前功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝?、低成本器件的市?chǎng)需求。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

江蘇集芯先進(jìn)材料于2026年1月6日公開(kāi)的“碳化硅制備裝置和碳化硅的制備方法”（CN121266460A），通過(guò)底部補(bǔ)氣組件的特殊設(shè)計(jì)，在加熱過(guò)程中通入氫氣形成由上至下的氣相雜質(zhì)排出通道，顯著提升了碳化硅材料的合成純度。同時(shí)，該設(shè)計(jì)有效避免了氫氣對(duì)爐體的腐蝕，延長(zhǎng)了設(shè)備使用壽命，進(jìn)一步降低了規(guī)?；a(chǎn)的綜合成本。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

單晶生長(zhǎng)質(zhì)量與加工精度是制約碳化硅產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵瓶頸，近期授權(quán)及公開(kāi)的多項(xiàng)專利聚焦這一領(lǐng)域展開(kāi)技術(shù)創(chuàng)新。

湖南頂立科技于2026年1月6日獲得授權(quán)的“帶晶體換熱裝置的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備”（CN223766475U），通過(guò)可滑動(dòng)的晶體換熱裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)籽晶溫度的精準(zhǔn)控制，有效優(yōu)化了單晶生長(zhǎng)過(guò)程中的熱場(chǎng)均勻性，減少了晶體缺陷，為高品質(zhì)碳化硅單晶的穩(wěn)定制備提供了設(shè)備保障。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

紹興自遠(yuǎn)磨具于2026年1月8日公開(kāi)的“基于多模態(tài)分散技術(shù)的碳化硅研磨漿料及其制備方法”（CN121271506A），采用化學(xué)改性與多物理分散相結(jié)合的技術(shù)路徑，有效抑制了碳化硅微粉的團(tuán)聚現(xiàn)象，通過(guò)改性層緩沖研磨過(guò)程中的剛性碰撞，減少了材料表面的深劃痕與亞表面損傷，可適配高端光通信、功率器件襯底等領(lǐng)域的超精密研磨需求。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

連云港沃鑫高新材料于2026年1月9日獲得授權(quán)的“一種用于碳化硅微粉生產(chǎn)的多級(jí)研磨設(shè)備及其使用方法”（CN120790336B），則通過(guò)多級(jí)研磨工藝的設(shè)計(jì)，可適配不同粒徑碳化硅微粉的生產(chǎn)需求，顯著提升了研磨效率與粒度分布均勻性，能夠滿足先進(jìn)封裝、陶瓷材料等領(lǐng)域?qū)ξ⒎奂兌扰c粒徑的差異化要求。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

除核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)外，碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域也在持續(xù)拓展。

泰州晶澤路新材料于2026年1月9日獲得授權(quán)的“一種碳化硅節(jié)能型的電阻絲”（CN223786206U），采用多基體并聯(lián)結(jié)構(gòu)降低總電阻，配合雙層防護(hù)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了節(jié)能與抗機(jī)械沖擊的雙重效果，成功將碳化硅材料應(yīng)用于高溫工業(yè)加熱場(chǎng)景，進(jìn)一步豐富了碳化硅的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用生態(tài)。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

結(jié)語(yǔ)

結(jié)合行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，隨著8英寸碳化硅產(chǎn)線的逐步通線與產(chǎn)能爬坡，以及12英寸襯底技術(shù)的持續(xù)推進(jìn)，碳化硅材料的規(guī)?；瘧?yīng)用成本將進(jìn)一步降低。而此次多項(xiàng)專利技術(shù)的落地，將與產(chǎn)能擴(kuò)張形成協(xié)同效應(yīng)，加速推動(dòng)碳化硅在新能源、AR顯示、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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01、威兆半導(dǎo)體沖刺港股IPO

近期，深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱：威兆半導(dǎo)體)已向港交所主板遞交上市申請(qǐng)，廣發(fā)證券為其保薦人。

圖片來(lái)源：威兆半導(dǎo)體上市申請(qǐng)書(shū)截圖

威兆半導(dǎo)體是領(lǐng)先的中國(guó)功率半導(dǎo)體器件提供商，專注于高性能功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售，尤其是WLCSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）產(chǎn)品，該產(chǎn)品為公司主要產(chǎn)品之一。

功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)而言，威兆半導(dǎo)體的中低壓產(chǎn)品主要包括Trench MOSFET及SGT MOSFET，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。在中低壓產(chǎn)品中，公司的WLCSP產(chǎn)品憑借其產(chǎn)品尺寸小、散熱性能高、抗沖擊性強(qiáng)等特點(diǎn)，是智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴電子設(shè)備等鋰電池保護(hù)應(yīng)用的關(guān)鍵元件。公司的高壓產(chǎn)品主要包括IGBT、 SJ MOSFET及Planar MOSFET，專為滿足嚴(yán)苛環(huán)境下對(duì)高耐壓、高功率密度和可靠性能的需求而設(shè)計(jì)，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源等應(yīng)用場(chǎng)景。

招股書(shū)披露，公司營(yíng)收保持持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2023年?duì)I收5.75億元，2024年增至6.24億元，2025年前9個(gè)月已實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.15億元，接近 2024年全年水平。盈利能力方面，2023年期內(nèi)利潤(rùn)1397,7萬(wàn)元，2024年增至1935.3萬(wàn)元，2025年前9個(gè)月已達(dá)4025.4萬(wàn)元，凈利潤(rùn)率達(dá)6.5%，毛利率23.8%，同比實(shí)現(xiàn)顯著提升，盈利質(zhì)量持續(xù)優(yōu)化。

作為公司核心增長(zhǎng)引擎，WLCSP產(chǎn)品的收入貢獻(xiàn)持續(xù)擴(kuò)大。2025年前 9個(gè)月，該產(chǎn)品收入占比已達(dá)42%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)55.1%，成為驅(qū)動(dòng)公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心動(dòng)力。此次IPO募集資金擬主要用于新建生產(chǎn)基地、研發(fā)投入、戰(zhàn)略投資與并購(gòu)以及營(yíng)運(yùn)資金補(bǔ)充，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能規(guī)模。

02、芯朋微2025年預(yù)盈1.85億增66%

近期，芯朋微發(fā)布2025年年度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)2025年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.4億元左右，同比增長(zhǎng)18%左右；歸母凈利潤(rùn)為1.85億元左右，同比大幅增長(zhǎng)66%左右。

圖片來(lái)源：芯朋微官網(wǎng)公告截圖

資料顯示，芯朋微聚焦功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，于2005年成立，2020年7月在上交所科創(chuàng)板上市。經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，芯朋微已基于半導(dǎo)體高壓器件、高低壓集成工藝、數(shù)字電源等五大核心技術(shù)，打造了AC-DC、DC-DC、Driver、Digital PMIC、Power Device、Power Module六大具備協(xié)同效應(yīng)的產(chǎn)品線架構(gòu)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于家電、通信、工業(yè)、新能源等多個(gè)領(lǐng)域，形成了覆蓋多場(chǎng)景的電源解決方案能力。

業(yè)界指出，新興市場(chǎng)與新品類產(chǎn)品促成了此次芯朋微業(yè)績(jī)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)。2025年，芯朋微在新興市場(chǎng)（服務(wù)器/通信/工業(yè)電機(jī)/光儲(chǔ)充/新能源車(chē)）營(yíng)收同比大幅增長(zhǎng)50%左右，針對(duì)性推出的通信二次電源用高集成數(shù)?；旌闲酒⑿履茉从眉沈?qū)動(dòng)芯片及800V—1700V超高壓工業(yè)電源芯片等創(chuàng)新產(chǎn)品順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，形成了新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。

與此同時(shí)，2025年，芯朋微DC-DC、Driver、Digital PMIC等新品類產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)39%左右，六大產(chǎn)品線協(xié)同發(fā)展的架構(gòu)優(yōu)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，非AC-DC產(chǎn)品線成長(zhǎng)速度顯著高于傳統(tǒng)核心產(chǎn)品線，推動(dòng)公司業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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圖片來(lái)源：招股書(shū)截圖

資料顯示，芯邁半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于杭州，采用Fab-Lite集成器件制造商（IDM）業(yè)務(wù)模式，核心業(yè)務(wù)涵蓋電源管理集成電路和功率器件的研發(fā)、銷售，產(chǎn)品覆蓋移動(dòng)技術(shù)、顯示技術(shù)和功率器件三大領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、電信設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應(yīng)用及消費(fèi)電子產(chǎn)品等多個(gè)場(chǎng)景。

在功率器件領(lǐng)域，芯邁半導(dǎo)體構(gòu)建了涵蓋硅基和碳化硅（SiC）基的完備產(chǎn)品組合。公司的核心技術(shù)涵蓋了超結(jié)MOSFET和屏蔽柵溝槽型MOSFET（SGT MOSFET）。

值得關(guān)注的是，公司近期推出了專為新能源汽車(chē)電池管理系統(tǒng)（BMS）優(yōu)化的40V車(chē)規(guī)級(jí)SGT MOSFET（SDA系列），該系列產(chǎn)品在提升BMS系統(tǒng)的安全性與轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)卓越。

同時(shí)，公司在碳化硅（SiC）技術(shù)上的布局也已進(jìn)入收獲期，其SiC MOSFET產(chǎn)品正逐步滲透至數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器及高性能新能源汽車(chē)等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)方面，招股書(shū)披露了芯邁半導(dǎo)體近年的經(jīng)營(yíng)情況。2022年至2024年，公司營(yíng)業(yè)收入分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈連續(xù)小幅下滑態(tài)勢(shì)；同期凈虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，累計(jì)虧損超13億元；毛利率同步下滑，從2022年的37.4%降至2024年的29.4%。

2025年前三季度，公司經(jīng)營(yíng)狀況呈現(xiàn)積極變化，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入14.58億元，同比增長(zhǎng)；凈虧損收窄至2.36億元，毛利率持穩(wěn)于29.1%。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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因應(yīng)電動(dòng)車(chē)智能化與高效化目標(biāo)，車(chē)廠持續(xù)提高底盤(pán)的電驅(qū)系統(tǒng)整合度，以降低布線及相關(guān)硬件成本，同時(shí)提高通信效率及續(xù)航力。在2025年第三季整體逆變器裝機(jī)量中，與減速器、馬達(dá)等其他零件以“3 in 1”(含)以上型態(tài)整合的裝機(jī)占比已突破70%?！? in 1”(含)以上整合的占比更從2024年同期的16%，上升至23%。

TrendForce集邦咨詢表示，SiC功率半導(dǎo)體因具備更緊湊的尺寸，以及更高的電壓耐受力，成為電驅(qū)系統(tǒng)整合的關(guān)鍵零件。2025年第三季全球SiC逆變器裝機(jī)量突破150萬(wàn)臺(tái)，創(chuàng)下歷史新高。其在電動(dòng)車(chē)的滲透率從2024同期的14%，成長(zhǎng)至18%；若只算新能源車(chē)，滲透率達(dá)到22%。

進(jìn)一步分析SiC逆變器裝機(jī)車(chē)型，高達(dá)84%由BEV貢獻(xiàn)，其余則來(lái)自PHEV及增程式電動(dòng)車(chē)(REEV)。目前中國(guó)市場(chǎng)仍是SiC逆變器最大裝機(jī)市場(chǎng)，占據(jù)約75%的裝機(jī)量，而歐美市場(chǎng)需求持續(xù)疲軟。此結(jié)構(gòu)特性在地緣國(guó)際局勢(shì)中，成為IDM廠難以移轉(zhuǎn)的風(fēng)險(xiǎn)。

盡管逆變器裝機(jī)量受整車(chē)市場(chǎng)帶動(dòng)而持續(xù)成長(zhǎng)，2025年第三季市場(chǎng)總值卻較2024年同期下降10%，反映出即便市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，相關(guān)供應(yīng)鏈仍承受來(lái)自車(chē)廠的降價(jià)壓力也日益加重。

備注:
[1] 新能源車(chē): 包括純電動(dòng)車(chē)(BEV)、插電混合式電動(dòng)車(chē)(PHEV)、增程式電動(dòng)車(chē)(REEV)、燃料電池車(chē)(FCV)
[2] 電動(dòng)車(chē): 包括油電混合車(chē)(HEV)、純電動(dòng)車(chē)(BEV)、插電混合式電動(dòng)車(chē)(PHEV)、增程式電動(dòng)車(chē)(REEV)、燃料電池車(chē)(FCV)

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根據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目將分階段推進(jìn)建設(shè)，全面達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)每年可實(shí)現(xiàn)百萬(wàn)只#車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊 的生產(chǎn)規(guī)模，為基本半導(dǎo)體在車(chē)規(guī)半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)拓展提供產(chǎn)能支撐。

圖片來(lái)源：無(wú)錫高新區(qū)在線

基本半導(dǎo)體表示，項(xiàng)目建成后將進(jìn)一步加大投入，深化產(chǎn)業(yè)鏈整合能力。未來(lái)將與無(wú)錫本地產(chǎn)業(yè)伙伴展開(kāi)深度協(xié)同，共同構(gòu)建覆蓋材料、設(shè)計(jì)、制造與封測(cè)等環(huán)節(jié)的完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為綠色能源、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域提供關(guān)鍵半導(dǎo)體產(chǎn)品支持。

基本半導(dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵提到，此次項(xiàng)目落地將進(jìn)一步完善公司從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試到驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。特別是在新能源汽車(chē)主驅(qū)、超充樁等核心應(yīng)用領(lǐng)域，將為下游客戶提供更穩(wěn)定的產(chǎn)能保障和技術(shù)支持。

公開(kāi)資料顯示，基本半導(dǎo)體成立于2016年，專注于碳化硅功率器件領(lǐng)域，業(yè)務(wù)覆蓋材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。2025年12月上旬，在首版招股書(shū)失效之后，基本半導(dǎo)體再次向香港聯(lián)交所遞交主板上市申請(qǐng)。

圖片來(lái)源：基本半導(dǎo)體招股書(shū)

據(jù)招股書(shū)，基本半導(dǎo)體本次赴港上市募集資金將主要用于擴(kuò)大晶圓及模塊的生產(chǎn)能力以及購(gòu)買(mǎi)及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器，對(duì)新碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)工作以及技術(shù)創(chuàng)新，以及拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。其余募集資金將作為營(yíng)運(yùn)資金及其他一般公司用途。

業(yè)績(jī)方面，基本半導(dǎo)體近年來(lái)營(yíng)收實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，但尚未實(shí)現(xiàn)盈利。具體來(lái)看，2022年至2024年，公司營(yíng)業(yè)收入從1.17億元增長(zhǎng)至2.99億元，復(fù)合年增長(zhǎng)率59.9%；2025年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.04億元，同比增長(zhǎng)52.74%。但公司同期持續(xù)虧損，凈虧損分別為2.42億元、3.42億元、2.37億元和1.77億元，三年半累計(jì)虧損達(dá)9.98億元。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，2024年，公司碳化硅功率模塊貢獻(xiàn)48.7%的收入，碳化硅分立器件及功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)分別占17.4%和26.8%。

由于行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，基本半導(dǎo)體部分產(chǎn)品的價(jià)格呈下降趨勢(shì)。2023年，公司碳化硅功率模塊的平均銷售價(jià)格較2022年大幅下滑，2024年繼續(xù)小幅下降；功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)的價(jià)格2024年同比降了70.96%；碳化硅分立器件的平均售價(jià)也呈波動(dòng)趨勢(shì)。

融資方面，招股書(shū)顯示，基本半導(dǎo)體成立至今已完成超十輪融資，投資方包括聞泰科技、廣汽集團(tuán)、博世創(chuàng)投等知名企業(yè)和機(jī)構(gòu)。2025年4月完成D輪融資后，公司估值達(dá)51.60億元。

在產(chǎn)能建設(shè)上，2021年12月末，基本半導(dǎo)體官方宣布國(guó)內(nèi)首條車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率模塊專線正式通線，2022年25萬(wàn)只模塊，2025年前提升至150萬(wàn)只；此外，2024年無(wú)錫封裝產(chǎn)線全年產(chǎn)量12萬(wàn)件，產(chǎn)能利用率52.6%；深圳光明6英寸SiC晶圓廠2024年產(chǎn)能利用率45.2%。去年6月，基本半導(dǎo)體（中山）有限公司年產(chǎn)100萬(wàn)只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已通過(guò)備案，擬在中山市火炬開(kāi)發(fā)區(qū)建設(shè)碳化硅模塊封裝基地，主要產(chǎn)品包括車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅半橋模塊、三相全橋模塊和塑封半橋模塊等。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：英諾賽科

據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實(shí)現(xiàn)了跨越式增長(zhǎng)：2019年累計(jì)出貨量尚不足500萬(wàn)顆，到2024年已突破12億顆，2025年便攀升至20億顆，較2024年同比增長(zhǎng)超66%，較2019年更是實(shí)現(xiàn)了400倍的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

英諾賽科的出貨量爆發(fā)，離不開(kāi)全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的時(shí)代浪潮。從市場(chǎng)需求端來(lái)看，下游應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)張為氮化鎵產(chǎn)業(yè)提供了廣闊增長(zhǎng)空間。

在消費(fèi)電子領(lǐng)域，氮化鎵快充憑借體積小、效率高的優(yōu)勢(shì)，已成為主流手機(jī)廠商及安克、綠聯(lián)等頭部配件品牌的標(biāo)配，推動(dòng)低壓與高壓快充芯片需求持續(xù)攀升。

在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，車(chē)載充電機(jī)（OBC）、激光雷達(dá)電源等核心部件對(duì)高效功率器件的需求激增，氮化鎵器件憑借輕量化、高效率特性，正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。

在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英偉達(dá)推動(dòng)的800V直流電源架構(gòu)轉(zhuǎn)型，對(duì)氮化鎵芯片的高頻、高效特性提出迫切需求，單機(jī)柜功率密度提升至300kW的技術(shù)升級(jí)，進(jìn)一步放大了氮化鎵的應(yīng)用價(jià)值。

此外，光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域在全球“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，對(duì)高效節(jié)能功率器件的需求也持續(xù)釋放，共同構(gòu)成了氮化鎵產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的核心動(dòng)力。

在全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局中，成立于2015年的英諾賽科已成長(zhǎng)為不容忽視的頭部力量。作為全球率先布局8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線的企業(yè)之一，英諾賽科自成立之初已確立了“全產(chǎn)業(yè)鏈模式+8英寸規(guī)?；慨a(chǎn)”的戰(zhàn)略定位。

目前，英諾賽科已建成兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用先進(jìn)的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，實(shí)現(xiàn)了從外延、器件設(shè)計(jì)到芯片制造、封裝測(cè)試的全流程自主可控。
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2025年上半年英諾賽科營(yíng)收達(dá)到5.53億元，同比增長(zhǎng)43.4%，毛利率實(shí)現(xiàn)6.8%的正向突破，結(jié)束了此前的虧損狀態(tài)，標(biāo)志著企業(yè)已進(jìn)入規(guī)模化盈利的關(guān)鍵拐點(diǎn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：湖南三安

公開(kāi)資料顯示，三安光電成立于2000年，2008年登陸上海證券交易所，是國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，核心戰(zhàn)略定位為“LED+化合物半導(dǎo)體”雙主業(yè)協(xié)同發(fā)展。在SiC業(yè)務(wù)板塊，三安光電以湖南三安為核心運(yùn)營(yíng)主體，已建成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC襯底、外延及芯片產(chǎn)線。

梳理三安光電近期動(dòng)態(tài)可見(jiàn)，自2025年12月底以來(lái)，公司在核心業(yè)務(wù)突破、資本運(yùn)作、產(chǎn)能建設(shè)等多個(gè)維度動(dòng)作頻頻。

除此次SiC MOSFET批量供貨外，公司2026年1月8日同步披露，其砷化鎵多結(jié)太陽(yáng)能電池已成功應(yīng)用于商用衛(wèi)星電源領(lǐng)域，供應(yīng)多家國(guó)內(nèi)外客戶，進(jìn)一步鞏固了在太空光伏賽道的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
值得關(guān)注的是，在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，公司1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片已成功搭載理想汽車(chē)高壓平臺(tái)車(chē)型，實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)模化裝車(chē)的里程碑突破。

圖片來(lái)源：三安半導(dǎo)體

2025年12月29日，公司董事會(huì)審議通過(guò)為全資及控股子公司提供不超過(guò)183億元擔(dān)保額度的議案，以支持各子公司在SiC、光通信等核心業(yè)務(wù)的產(chǎn)能建設(shè)與市場(chǎng)拓展，該議案將于2026年1月14日提交臨時(shí)股東會(huì)審議。同期，公司控股股東三安電子完成部分股份質(zhì)押，累計(jì)質(zhì)押5.99億股，占其持股比例的49.38%；三安集團(tuán)及三安電子合計(jì)質(zhì)押7.66億股，占其合計(jì)持股的52.11%，質(zhì)押融資全部用于生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)，未觸發(fā)平倉(cāng)風(fēng)險(xiǎn)，公司控制權(quán)及經(jīng)營(yíng)穩(wěn)定性不受影響。

產(chǎn)能布局上，湖南三安二期6/8英寸兼容產(chǎn)線正在加緊建設(shè)，規(guī)劃年產(chǎn)能36萬(wàn)片（6英寸等效），預(yù)計(jì)2026年第二季度正式投產(chǎn)，屆時(shí)將進(jìn)一步提升公司SiC業(yè)務(wù)的規(guī)模優(yōu)勢(shì)。

行業(yè)分析人士指出，三安光電近期在SiC、砷化鎵等核心業(yè)務(wù)領(lǐng)域的密集突破，疊加產(chǎn)能擴(kuò)張與資本運(yùn)作的穩(wěn)步推進(jìn)，正推動(dòng)公司從傳統(tǒng)LED龍頭向全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)型。

隨著8英寸SiC產(chǎn)線良率提升、1.6T光芯片客戶驗(yàn)證推進(jìn)及車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品滲透率提升，公司有望在2026年迎來(lái)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的關(guān)鍵拐點(diǎn)，同時(shí)為我國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的崛起提供支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源： 廣州市人民政府辦公廳文件截圖

《規(guī)劃》中明確，廣州將聚焦第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造，加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、高密度封裝基板等關(guān)鍵材料研發(fā)生產(chǎn)，培育壯大化合物半導(dǎo)體IDM（集成器件制造）、寬禁帶半導(dǎo)體材料、電子級(jí)多晶硅及硅片企業(yè)。支持開(kāi)展射頻、傳感器、電力電子等器件研發(fā)轉(zhuǎn)化，推動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。

廣州加速打造中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地

廣州的第三代半導(dǎo)體布局并非憑空起勢(shì)，早在2022年3月，廣州市工業(yè)和信息化局發(fā)布《廣州市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》，明確提出以黃埔區(qū)、南沙區(qū)為核心載體，重點(diǎn)發(fā)展以碳化硅為主的寬禁帶半導(dǎo)體，建設(shè)12英寸研發(fā)中試線和第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心。此后，一系列重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目相繼落地。

2024年，廣州集成電路制造行業(yè)產(chǎn)值達(dá)262.75億元，同比增長(zhǎng)7.19%，其中第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)值占比超30%；南沙區(qū)作為核心承載區(qū)，半導(dǎo)體與集成電路規(guī)上企業(yè)產(chǎn)值同比增長(zhǎng)34%，2025年1-7月廣州集成電路制造業(yè)工業(yè)增加值增速進(jìn)一步攀升至32.3%，產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)能持續(xù)釋放。

當(dāng)前，廣州已集聚一批第三代半導(dǎo)體核心企業(yè)。

其中，芯聚能成立于2018年，是國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)模塊量產(chǎn)的標(biāo)桿企業(yè)。公司核心產(chǎn)品涵蓋車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率器件及模塊、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊與半橋及單管等。2021年，芯聚能作為主要股東投資成立廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司，投建6/8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片生產(chǎn)線。該項(xiàng)目總投資75億元，被列為廣東省“強(qiáng)芯工程”重點(diǎn)項(xiàng)目，僅用15個(gè)月就完成近20萬(wàn)平方米芯片生產(chǎn)基地建設(shè)。

南砂晶圓成立于2018年，現(xiàn)已構(gòu)建廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成從碳化硅單晶爐制造、粉料制備到單晶生長(zhǎng)、襯底制備的完整產(chǎn)業(yè)鏈條。公司主打6英寸、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底，其中6英寸產(chǎn)品已切入國(guó)際供應(yīng)鏈，8英寸產(chǎn)品于2022年實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量制備，可滿足新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料的需求，且能根據(jù)市場(chǎng)需求靈活拓展產(chǎn)品線。

芯粵能成立于2021年，由芯聚能、威睿電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)等企業(yè)合資組建。公司碳化硅芯片制造項(xiàng)目總投資75億元（分一、二期），打造的制造平臺(tái)占地150畝，僅用15個(gè)月就完成近20萬(wàn)平方米芯片生產(chǎn)基地建設(shè)并通線。項(xiàng)目一期規(guī)劃年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓芯片，可滿足100多萬(wàn)輛新能源車(chē)需求，2023年正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，當(dāng)前月產(chǎn)能達(dá)1萬(wàn)片；一期達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值預(yù)計(jì)40億元，一、二期全部達(dá)產(chǎn)后合計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)100億元，后續(xù)暫無(wú)三期項(xiàng)目明確規(guī)劃。

此外，廣州已構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，尤其在南沙萬(wàn)頃沙集成電路產(chǎn)業(yè)園形成“芯片一條街”，聚集31家核心企業(yè)，覆蓋“襯底制備—芯片制造—封裝測(cè)試—設(shè)備材料—終端應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為全國(guó)少數(shù)以“車(chē)規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體”為核心的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

除了企業(yè)主體的快速成長(zhǎng)，廣州還著力構(gòu)建高水平的創(chuàng)新平臺(tái)。

2023年9月22日，西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試線正式通線，該中心落地于黃埔區(qū)，聚焦GaN（氮化鎵）射頻與電力電子器件的研發(fā)與中試，填補(bǔ)了大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域中試平臺(tái)的空白，強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新。與此同時(shí)，南沙靈山島規(guī)劃建設(shè)的“芯片大樓”正吸引一批設(shè)計(jì)企業(yè)與封測(cè)項(xiàng)目集聚；黃埔區(qū)則依托粵芯半導(dǎo)體二期、三期項(xiàng)目，拓展12英寸硅基與化合物半導(dǎo)體兼容制造能力，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供共性技術(shù)支撐。

面向2035年“再造新廣州”的宏偉目標(biāo)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅是重要的技術(shù)賽道，更是城市能級(jí)躍升的關(guān)鍵支點(diǎn)。在這場(chǎng)關(guān)乎未來(lái)產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)的競(jìng)速中，廣州正以系統(tǒng)性布局、全鏈條協(xié)同和市場(chǎng)化機(jī)制，奮力打造國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)“第三極”的核心承載區(qū)，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自立自強(qiáng)貢獻(xiàn)不可替代的“廣州力量”。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：富士電機(jī)官網(wǎng)新聞稿截圖?

這一舉措主要針對(duì)處于爆發(fā)增長(zhǎng)期的電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器市場(chǎng)，旨在通過(guò)制定統(tǒng)一的物理封裝標(biāo)準(zhǔn)，打破長(zhǎng)期以來(lái)困擾車(chē)企的單一供應(yīng)商依賴?yán)Ь帧?/p>

在此次合作的核心框架下，雙方將聚焦于下一代eAxle（電驅(qū)橋）系統(tǒng)的關(guān)鍵需求。盡管富士電機(jī)與博世在芯片層面的制造工藝各有千秋——前者以其獨(dú)有的溝槽柵（Trench Gate）SiC技術(shù)著稱，后者則在平面型SiC及車(chē)規(guī)級(jí)封裝工藝上擁有深厚積淀——但雙方?jīng)Q定在模塊的外部封裝尺寸、引腳布局及安裝接口上實(shí)現(xiàn)完全統(tǒng)一。

這意味著，對(duì)于汽車(chē)制造商（OEM）而言，未來(lái)同一款逆變器設(shè)計(jì)將能夠無(wú)縫適配來(lái)自兩家公司的SiC模塊，無(wú)需更改機(jī)械結(jié)構(gòu)或電路板設(shè)計(jì)即可實(shí)現(xiàn)靈活切換。

這一“機(jī)械兼容性”策略被行業(yè)分析師視為對(duì)現(xiàn)有SiC供應(yīng)鏈模式的重大修正。在過(guò)去幾年中，SiC功率模塊往往由各家大廠采用私有標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致車(chē)企在面臨產(chǎn)能瓶頸或地緣政治風(fēng)險(xiǎn)時(shí)難以尋找替代方案。富士電機(jī)與博世的聯(lián)手，實(shí)質(zhì)上為全球車(chē)企提供了一套標(biāo)準(zhǔn)化的“雙源（Dual Sourcing）”解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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