第13屆中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會半導體設備年會、第13屆半導體設備與核心部件及材料展 將于9月4日-6日在無錫太湖國際博覽中心舉行。
大會將開展包括展覽展示、主旨論壇、專題論壇、圓桌對話、產(chǎn)業(yè)上下游對接會、人才招聘會、高??蒲谐晒埂⑵髽I(yè)人力資源宣講會等活動。20+場論壇、200+位演講嘉賓、1130+展商、預計8w+觀眾人次到場,展會面積6萬平方米。
本文含展位圖、展商名單以及所有同期論壇議程,建議收藏~
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*現(xiàn)場如遇到其他情況請走人工通道。
入場時間 :9月4日 08:30-17:00;9月5日 09:00-17:00;9月6日 09:00-14:00
地點 :無錫太湖國際博覽中心 C 館登錄大廳
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預登記觀眾參與抽獎規(guī)則如下:
轉(zhuǎn)發(fā): 朋友圈所有人可見/5個以上行業(yè)社群
抽獎: 共兩輪,首輪已開獎,請把握末輪大獎機會
領獎: 憑有效轉(zhuǎn)發(fā)頁,本人現(xiàn)場領取
5人成團,享專屬接待
以及現(xiàn)場快速通道、定制攝影等權(quán)益。
詳詢:avian.zhang@cseac.org.cn
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展商報名: 8月9日前報名(已截止)
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獎品有限,先到先得!獎品/禮品領取地點:A6-495、B3-409A、A1-59A、A4-749B
歡迎晚宴(憑晚宴券入場)
時間:9月4日 18:00-20:00 地點:B6 館
自助午餐(憑自助餐券入場)
時間:每日11:30-13:30 地點:B6 館
商務套餐(憑券兌換或現(xiàn)場購買35元/份)
時間:每日 11:30-13:30
地點:B4館及各館序廳(近上下行扶梯)
接駁車安排
A線 途經(jīng):亞朵海岸城一太湖華邑酒店一太湖博覽中心
B線 途經(jīng):維也納酒店一太湖博覽中心
注:接駁車往返以現(xiàn)場指引牌時間為準。
自駕停車須知
半小時內(nèi)免費,2小時內(nèi)6元,超出2小時每小時4元,24小時22元封頂
行李寄存服務 寄存地點:A2廳
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]]>本輪融資將用于第三代半導體及新能源測試設備產(chǎn)線擴建、晶圓級檢測設備研發(fā)攻堅,高端飛針測試機批量交付,并加速推進全球化戰(zhàn)略布局。
據(jù)介紹,國科測試成立于2019年8月,位于蘇州市。公司專注于第三代半導體領域光電檢測系統(tǒng)及機器視覺設備的智能制造。公司在蘇州總部、臺灣、西安和青島設有研發(fā)中心及實驗室,在蘇州總部有6000多平米的現(xiàn)代化高標準生產(chǎn)基地,并在廣東東莞設立全資子公司,作為另一個生產(chǎn)基地。
2024年10月,國科測試完成數(shù)千萬元人民幣A輪融資,由鑫霓資產(chǎn)獨家投資。本輪融資主要用于批量產(chǎn)業(yè)化、人才建設、晶圓AOI研發(fā)和市場開拓。
(集邦化合物半導體整理)
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]]>湖南三安Trench MOSFET技術(shù)平臺導通電阻最低達1.75 mΩ·cm2,擊穿電壓超過1400V,核心靜態(tài)性能處于行業(yè)領先。此外,湖南三安計劃將下一代產(chǎn)品導通電阻再降低20%以上。
據(jù)悉,目前上述技術(shù)平臺已通過電性能篩選與可靠性測試,柵氧品質(zhì)等核心數(shù)據(jù)表現(xiàn)優(yōu)異,可滿足新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)電源等高要求應用場景。
未來,湖南三安將持續(xù)深化碳化硅技術(shù)研發(fā),加速推進第三代半導體在能源轉(zhuǎn)型與高端制造領域的規(guī)?;瘧?。
(集邦化合物半導體整理)
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]]>2025年上半年,晶盛機電實現(xiàn)營業(yè)收入57.99 億元,歸屬于上市公司股東的凈利潤6.39億元。
圖片來源:晶盛機電公告截圖
化合物半導體領域,在設備方面,晶盛機電報告期內(nèi)晶盛機電重點加強8英寸碳化硅外延設備、6-8英寸碳化硅減薄設備的市場推廣,加速商業(yè)化落地;同時,該公司碳化硅氧化爐、激活爐、離子注入設備等關(guān)鍵裝備正推進客戶驗證,進展順利,為后續(xù)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)?;慨a(chǎn)提供設備支撐。
襯底材料領域,晶盛機電成功長出12英寸導電型碳化硅晶體,打破大尺寸碳化硅襯底的技術(shù)壁壘;同時,8英寸碳化硅襯底的全球客戶驗證范圍大幅擴大,產(chǎn)品性能獲客戶認可,已成功獲取部分國際客戶的批量訂單。
此外,為匹配全球碳化硅市場需求,公司在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目,同時在銀川投建8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目,進一步強化技術(shù)與規(guī)模雙重優(yōu)勢,提升全球供應鏈響應能力。
2025年上半年,斯達半導體實現(xiàn)營業(yè)收入約19.36億元,同比上升26.25%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤約2.75億元,較去年同期上升0.26%。
圖片來源:斯達半導體公告截圖
報告期內(nèi),斯達半導體碳化硅、氮化鎵業(yè)務實現(xiàn)較快發(fā)展。
斯達半導體SiC產(chǎn)品已經(jīng)在汽車、儲能、數(shù)據(jù)中心、低空飛行等多個行業(yè)得到應用,其中該公司自主研發(fā)的車規(guī)級第二代SiC MOSFET芯片開始批量出貨,平臺電壓覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個電壓等級,將對應配套400V、800V、1000V等電壓平臺主電驅(qū)項目。
氮化鎵領域,今年上半年,斯達半導體車規(guī)級GaN驅(qū)動模塊獲得了主電機控制器平臺定點,預計2026年進入裝車應用階段。今年6月,斯達半導體發(fā)布公告表示,計劃發(fā)行總額不超過15億元的可轉(zhuǎn)換公司債券,將募資資金用于建設車規(guī)級GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項目、車規(guī)級SiC MOSFET模塊制造項目等。其中,車規(guī)級GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項目投資總額約3億元,擬投入募集資金2億元。
(集邦化合物半導體 Flora 整理)
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]]>湖南三安的8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線從建設到通線僅用了不到一年時間,項目進展快于預期。截至2025年8月,湖南三安已形成較完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈配套能力:6英寸碳化硅產(chǎn)能達16,000片/月,8英寸襯底與外延產(chǎn)能分別為1,000片/月和2,000片/月。此外,公司還擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。
據(jù)悉,湖南三安SiC項目總投資高達160億元,旨在打造6吋/8吋兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達產(chǎn)后,將具備年產(chǎn)36萬片6吋SiC晶圓、48萬片8吋SiC晶圓的制造能力。
圖片來源:湖南三安
此外,今年2月27日,三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓廠也正式通線。該項目預計將在今年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn),將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)?;慨a(chǎn)線。據(jù)悉,該項目規(guī)劃全面達產(chǎn)后,每周可以生產(chǎn)約1萬片#車規(guī)級晶圓。
總體來看,三安光電通過在湖南和重慶的雙線布局,構(gòu)建了完整的寬禁帶半導體材料矩陣,分別對應高壓(SiC)和高頻(GaN)應用場景。湖南三安側(cè)重于打造自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈,滿足光伏、消費電子、工業(yè)控制等多元化市場需求;而重慶合資項目則直接瞄準技術(shù)壁壘極高的電動汽車市場。
湖南三安的快速發(fā)展也得益于地方政府的強力支持。在湖南湘江新區(qū),一個圍繞三安半導體的完整產(chǎn)業(yè)集群正在加速形成,已成功引入15家上下游配套企業(yè),簽約總金額達80億元,涵蓋設備、材料、封裝測試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
(集邦化合物半導體 Emma 整理)
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]]>圖片來源:派瑞股份公告截圖
派瑞股份表示,受國家相關(guān)政策調(diào)整影響,募投項目被迫延期?,F(xiàn)階段碳化硅(SiC)市場已被國際先進半導體企業(yè)占據(jù)較大份額,產(chǎn)品價格競爭及關(guān)鍵資源競爭激烈,公司缺乏足夠競爭優(yōu)勢。同時,SiC項目投入高、募集資金有限、難以達到預期投資回報率,因此公司擬取消SiC的研發(fā)及生產(chǎn)等相關(guān)建設內(nèi)容。
此次變更后,項目名稱和實施主體不變,選址仍在西安市高新區(qū)長安通訊產(chǎn)業(yè)園。建設內(nèi)容取消了SiC器件,計劃總投資調(diào)整為53,532.23萬元,其中擬優(yōu)先使用募集資金26,931.19萬元用于固定資產(chǎn)投資,不足部分通過銀行貸款或其他自籌資金解決。
該公司表示,本次募集資金投資項目變更,僅取消碳化硅器件相關(guān)產(chǎn)線,減少年產(chǎn)碳化硅0.4萬片的產(chǎn)能,不會對公司募投項目的產(chǎn)能及收益產(chǎn)生重大影響。后續(xù)公司將深耕現(xiàn)有優(yōu)勢業(yè)務,增加產(chǎn)品種類,擴大產(chǎn)能,并積極拓展新業(yè)務。
據(jù)派瑞股份2025年半年度報告,公司營業(yè)收入為8452.1萬元,同比下降30.12%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為3012.51萬元,同比下降35.6%;扣非歸母凈利潤為2155.15萬元,同比下降51.26%。不過,公司經(jīng)營現(xiàn)金流凈額為1406萬元,同比增長135.5%。
(集邦化合物半導體 竹子 整理)
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]]>近日,連科半導體在官微宣布,采用中宜創(chuàng)芯提供的7N高純碳化硅粉體,依托完全自主研發(fā)的12吋碳化硅長晶爐及其熱場,成功生長出高品質(zhì)12吋(304mm)碳化硅晶錠。
圖片來源:連城數(shù)控
公開資料顯示,連科半導體成立于2023年,是連城數(shù)控的控股子公司,在半導體晶體生長設備領域有較強的研發(fā)實力。中宜創(chuàng)芯則是中國平煤神馬集團控股子公司,其在碳化硅粉體純度提升方面取得了顯著成果。不久前,中宜創(chuàng)芯將碳化硅粉體純度提升至8N8(99.999998%),相當于1噸材料中雜質(zhì)不超過0.2克。
12吋(304mm)碳化硅晶錠是第三代半導體材料的重要成果。一方面,12吋SiC能顯著提升器件單位面積的產(chǎn)出效率,降低芯片制造的成本,另一方面,12吋對設備熱場均勻性、長晶穩(wěn)定性、缺陷控制精度的要求更是呈現(xiàn)指數(shù)級提升。
在應用場景方面,12吋碳化硅晶錠制成的高純半絕緣襯底,憑借其光學性能優(yōu)勢,可以成為下一代“AR+AI”智能眼鏡的核心材料。此外,在新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領域的應用也具有重要意義。
正如連科半導體總經(jīng)理胡動力博士表示:按照預測,12吋襯底片成本大致為10000元,能切出10-11副眼鏡,對應單副眼鏡碳化硅襯底成本大概1000元左右,大大降低AR眼鏡成本及售價,并加速在消費市場的滲透。
12吋碳化硅晶錠有望解決了AR眼鏡的 “材料供應與成本難題”,那么碳化硅衍射光波導的突破則直擊AR眼鏡的 “佩戴體驗與顯示效果痛點”。
近日,據(jù)西湖大學工學院SOE官微宣布,西湖大學聯(lián)合慕德微納(杭州)科技有限公司發(fā)布了一種顛覆性的解決方案,采用碳化硅(SiC)材料成功研發(fā)出超輕、超薄的衍射光波導,相關(guān)研究成果已發(fā)布在《eLight》期刊上。
圖片來源:《eLight》期刊截圖
據(jù)了解,該方案首次實現(xiàn)了單層碳化硅衍射光波導的設計、量產(chǎn)級制造與封裝,為基于SiC的AR技術(shù)路線奠定了開創(chuàng)性基礎。并且該技術(shù)與大規(guī)模量產(chǎn)的超薄菲涅爾處方鏡片兼容,為近視用戶提供了“一站式”的輕便AR視覺解決方案。
研究團隊總結(jié)道,該研究展示了一個基于碳化硅(SiC)波導的全新AR顯示平臺,它同時解決了輕薄化、全彩無彩虹偽影顯示和規(guī)?;慨a(chǎn)三大核心難題。團隊通過創(chuàng)新的材料應用、光學設計和制造工藝,打造出一款重量僅3.795克、厚度0.75毫米、光效高達1238.10nit/lm的AR衍射光波導,并集成了超薄視力矯正功能。
值得關(guān)注的是,據(jù)慕德微納測算,未來碳化硅光波導的成本將低至650元左右。目前,該技術(shù)方案已供應給多家業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)。
03、碳化硅 x AR眼鏡:加速消費級普及
碳化硅技術(shù)的突破是AR眼鏡的前提條件之一,碳化硅的材料特性能歐滿足AR眼鏡在輕薄化、顯示效果、性能穩(wěn)定性等多方面的需求。
一方面,碳化硅具有較高的硬度和強度,這使得它在保持良好性能的同時,可以被加工成更薄的鏡片。西湖大學與慕德微納研發(fā)的碳化硅AR鏡片,單片重量僅2.7克,厚度僅0.55毫米,相比傳統(tǒng)AR鏡片大大減輕了重量和厚度,提升了佩戴的舒適性。
另一方面,碳化硅具有高導熱性,AR眼鏡中的投影光機和傳感、計算單元等會產(chǎn)生熱量。通過碳化硅的導熱特性,可以改善AR眼鏡的散熱問題,從而增強使用穩(wěn)定性。
再一方面,碳化硅的折射率遠高于傳統(tǒng)玻璃等光學材料,可以實現(xiàn)大視場角的全彩成像,也可以消除光學偽影,從而帶來沉浸的現(xiàn)實效果。
此外,隨著12吋碳化硅襯底材料的大規(guī)模應用,生產(chǎn)成本也或降低,有利于AR眼鏡的規(guī)模化普及。
(集邦化合物半導體 金水 整理)
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]]>圖片來源:珂瑪科技公告截圖
其中,結(jié)構(gòu)功能模塊化陶瓷部件產(chǎn)品擴建項目旨在建設靜電卡盤生產(chǎn)線并擴建陶瓷加熱器產(chǎn)能,以滿足半導體設備領域關(guān)鍵零部件國產(chǎn)替代需求。半導體設備用碳化硅材料及部件項目將在安徽現(xiàn)有工廠基礎上,租賃廠房購置設備,擴建碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件全流程生產(chǎn)工廠。補充流動資金項目將用于滿足公司業(yè)務擴張對營運資金的需求。
資料顯示,珂瑪科技主要從事先進陶瓷材料零部件的研發(fā)、制造、銷售、服務以及泛半導體設備表面處理服務。
8月26日,珂瑪科技披露2025年半年度報告。2025年上半年,該公司實現(xiàn)營業(yè)總收入5.2億元,同比增長35.34%;歸母凈利潤1.72億元,同比增長23.52%;扣非凈利潤1.71億元,同比增長25.04%;經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額為1.41億元,同比增長2.46%;報告期內(nèi),珂瑪科技基本每股收益為0.3942元,加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率為10.70%。
(集邦化合物半導體整理)
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]]>這一業(yè)績的取得,得益于公司在大型白電、汽車、新能源等高門檻市場的持續(xù)拓展,以及子公司士蘭集成、士蘭集昕等生產(chǎn)線的滿負荷生產(chǎn)。據(jù)悉,士蘭微功率半導體和分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入達到30.08億元,同比增長約25%,其中應用于汽車、光伏的IGBT和SiC(模塊、器件)的營收同比增長80%以上。
圖片來源:士蘭微財務報告截圖
公司財報數(shù)據(jù)顯示,2025年上半年,士蘭微基于Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊出貨量累計達2萬顆,客戶端反饋良好,客戶數(shù)量持續(xù)增加。
另外,該公司新一代產(chǎn)品即將上量,士蘭微第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測,基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊將于2025年下半年上量。這將有助于提升公司在碳化硅領域的技術(shù)競爭力,滿足市場對高性能碳化硅產(chǎn)品的需求。
目前,士蘭明鎵已形成月產(chǎn)1萬片6寸SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力,為滿足市場需求提供了有力的產(chǎn)能支持。
圖片來源:士蘭微財務報告截圖
在8英寸碳化硅產(chǎn)線上,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目進展順利。2025年6月底,士蘭集宏已實現(xiàn)首臺工藝設備搬入,預計今年四季度將實現(xiàn)8英寸SiC大線通線。
產(chǎn)業(yè)鏈最新消息顯示,近兩個月,士蘭微正積極與國內(nèi)多家頭部新能源車企和Tier 1供應商就下一代車型進行更深度的合作洽談。焦點主要集中在其即將量產(chǎn)的第四代SiC功率模塊以及車規(guī)級MCU、高壓驅(qū)動芯片等產(chǎn)品。
(集邦化合物半導體 Emma 整理)
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]]>圖片來源:納微半導體新聞稿截圖
此次任命標志著公司管理層順利交接,聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan將于2025年8月31日卸任總裁兼CEO及董事會成員,其離職非因與公司運營、政策存在分歧。董事會主席 Richard J. Hendrix 高度肯定 Sheridan 過去十年的貢獻,稱其打造了專注下一代功率半導體的卓越企業(yè)。
據(jù)悉,Chris Allexandre擁有法國里爾高等電子與數(shù)字學院的電子工程碩士學位,并擁有超25年的半導體行業(yè)經(jīng)驗,管理覆蓋云、工業(yè)、汽車等多領域模擬與功率產(chǎn)品。
Chris Allexandre此前在瑞薩電子擔任一系列高級管理職務,包括2024年6月主導瑞薩收購氮化鎵解決方案供應商Transphorm,并完成后續(xù)整合工作。2019年至2023年期間,他還曾擔任瑞薩電子首席銷售與營銷官。
在加盟瑞薩之前,Chris Allexandre已在多家半導體企業(yè)擔任高管職務,包括曾于艾迪悌科技(IDT,于2019年被瑞薩收購)任銷售與營銷高級副總裁,在恩智浦半導體負責大眾市場全球銷售業(yè)務,擔任高級副總裁,還曾仙童半導體出任全球銷售、營銷及業(yè)務運營高級副總裁。
除任命新CEO外,在5月14 日,納微半導體任命 Cristiano Amoruso 為公司董事會成員,即刻生效。Cristiano Amoruso 此前曾擔任美國私營太陽能光伏半導體制造商 Suniva 的首席執(zhí)行官,以及投資公司 Lion Point Capital 的合伙人。
6月30日,納微半導體宣布與力積電建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,正式啟動并持續(xù)推進業(yè)內(nèi)領先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。力積電將為納微半導體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合,以滿足48V基礎設施對氮化鎵日益增長的需求,首批器件預計于2025年第四季度完成認證。
8月6日,納微半導體公布2025年第二季度財報,數(shù)據(jù)顯示,納微半導體2025年第二季度營收為1450萬美元,與分析師預期一致,但同比下降約29.3%。納微半導體稱主要是受到渠道庫存調(diào)整、消費電子疲軟與競爭加劇等因素影響。
在財報中,納微半導體也提到了和英偉達的合作。此前5月,納微半導體宣布已與英偉達進行開發(fā)合作,以支持下一代800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導體將在固態(tài)變壓器(SST)、800V DC/DC以及48V DC/DC等功率轉(zhuǎn)換階段提供超高壓(UHV)SiC和80-200V GaN,每個階段的初步客戶評估均已完成,預計在第四季度提供最終工程樣品,最終供應商選擇和系統(tǒng)設計將于2026年完成,并于2027年實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
并且納微半導體同時宣布將進一步聚焦AI數(shù)據(jù)中心及其能源基建領域,通過與生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的領軍企業(yè)開展戰(zhàn)略合作,并利用新增1億美元融資,攜手全新的低成本制造合作伙伴。
(集邦化合物半導體 金水 整理)
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