圖片來(lái)源：CEFOC中電四公司

據(jù)悉，石家莊通合電子高功率充電模塊產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目（一期）坐落于石家莊市裕華區(qū)，項(xiàng)目總投資5.2億元，占地85畝，一期建筑面積5.4萬(wàn)平方米。項(xiàng)目擬研制高功率充電模塊系列產(chǎn)品。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)68萬(wàn)臺(tái)高功率充電模塊的生產(chǎn)能力。

公開資料顯示，通合電子成立于1998年，業(yè)務(wù)范圍主要包括智能電網(wǎng)、新能源汽車及軍工裝備三大業(yè)務(wù)領(lǐng)域。在智能電網(wǎng)領(lǐng)域，涉及電力操作電源、電力用UPS/逆變電源等；在新能源汽車領(lǐng)域，包括充換電站充電模塊、車載電源等；在軍工裝備領(lǐng)域，子公司霍威電源主要產(chǎn)品為中小功率電源模塊、電源組件及定制電源。

高功率充電模塊產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目是通合電子為把握新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇、擴(kuò)充高功率充電模塊產(chǎn)品生產(chǎn)能力而實(shí)施的項(xiàng)目。此次項(xiàng)目（一期）主體結(jié)構(gòu)封頂，意味著項(xiàng)目建設(shè)取得了重要階段性成果，為后續(xù)的設(shè)備安裝、調(diào)試及正式投產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，將有助于通合電子進(jìn)一步鞏固和提升其在新能源充電模塊行業(yè)的地位，滿足市場(chǎng)對(duì)高功率充電模塊不斷增長(zhǎng)的需求。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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SuperQ是硅MOSFET架構(gòu)的重大突破，首次采用專利不對(duì)稱RESURF結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)能讓MOSFET在高電壓下均勻分散電場(chǎng)，避免能量集中造成損耗，因此能在保持高耐壓的同時(shí)，大幅降低導(dǎo)通電阻與切換損耗。

根據(jù)官方新聞稿，導(dǎo)通電阻相較傳統(tǒng)硅降低最高2.7倍，切換損耗減少2.1倍。目前，首批150V與200V產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)，后續(xù)將擴(kuò)展至300V與400V應(yīng)用。Polar也正擴(kuò)建明尼蘇達(dá)州的200mm晶圓廠，以支援美國(guó)本土需求。

公開資料顯示，iDEAL Semiconductor Devices, Inc.總部位于美國(guó)賓夕法尼亞州里海谷是一家行業(yè)領(lǐng)先的下一代硅功率器件開發(fā)商。公司成立的使命是將硅推向其感知極限。其專利SuperQ技術(shù)使用常規(guī)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)突破性能效，而不偏離硅的可靠?jī)?yōu)勢(shì)。該平臺(tái)技術(shù)適用于廣泛的產(chǎn)品、應(yīng)用和半導(dǎo)體材料，專為減輕每個(gè)應(yīng)用的功率損耗而設(shè)計(jì)，并將為下一代提供更環(huán)保的能源使用。

功率半導(dǎo)體是支撐電動(dòng)車馬達(dá)、AI資料中心服務(wù)器、再生能源電網(wǎng)的關(guān)鍵元件，因具備承受高電壓與大電流的特性，能有效控制與轉(zhuǎn)換電能。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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英飛凌與羅姆達(dá)成碳化硅領(lǐng)域合作

近期，英飛凌宣布與羅姆就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

圖片來(lái)源：英飛凌官微

雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動(dòng)彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。

這意味著，未來(lái)客戶可同時(shí)從英飛凌與羅姆采購(gòu)兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升客戶在設(shè)計(jì)與采購(gòu)環(huán)節(jié)的便利性。

羅姆將采用英飛凌創(chuàng)新的SiC頂部散熱平臺(tái)（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝）。

英飛凌將采用羅姆的半橋結(jié)構(gòu)SiC模塊“DOT-247”，并開發(fā)兼容封裝。這將使英飛凌新發(fā)布的Double TO-247 IGBT產(chǎn)品組合新增SiC半橋解決方案。

英飛凌與羅姆計(jì)劃未來(lái)擴(kuò)大合作范圍，將涵蓋采用硅基及碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶功率技術(shù)的更多封裝形式。此舉也將進(jìn)一步深化雙方的合作關(guān)系，為客戶提供更廣泛的解決方案與采購(gòu)選擇。

爍科晶體與韓國(guó)EYEQ Lab、NAMUGA達(dá)成戰(zhàn)略合作

近期，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“爍科晶體”）與韓國(guó)知名半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab、模塊制造商N(yùn)AMUGA在釜山達(dá)成戰(zhàn)略合作，并受邀出席韓國(guó)首座可實(shí)現(xiàn)8英寸SiC功率半導(dǎo)體全流程本土化生產(chǎn)的標(biāo)桿工廠，EYEQ Lab 8英寸SiC生產(chǎn)設(shè)施的落成儀式。

圖片來(lái)源：電科材料

依托爍科晶體SiC襯底方面領(lǐng)先的技術(shù)水平和穩(wěn)定的供應(yīng)能力，結(jié)合EYEQ Lab在韓國(guó)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局優(yōu)勢(shì)，雙方將圍繞SiC襯底展開深度綁定和廣域協(xié)同，共促行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與下游應(yīng)用領(lǐng)域拓展，實(shí)現(xiàn)雙向賦能和生態(tài)共建。

據(jù)悉，當(dāng)前爍科晶體已向EYEQ Lab實(shí)現(xiàn)批量產(chǎn)品供應(yīng)，雙方在SiC領(lǐng)域的跨國(guó)合作取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，并持續(xù)為全球新能源、5G通信及AR光波導(dǎo)等高增長(zhǎng)賽道注入強(qiáng)勁動(dòng)能。

期間，爍科晶體還亮相寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)與產(chǎn)業(yè)會(huì)議——2025年第22屆國(guó)際碳化硅及相關(guān)先進(jìn)材料會(huì)議（ICSCRM），并在會(huì)上展出了12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品，吸引了全球客戶、專家學(xué)者的高度關(guān)注與深度互動(dòng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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東芝電子元件將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)

近期，外媒報(bào)道東芝電子元件計(jì)劃今年進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)電力系統(tǒng)與人工智能數(shù)據(jù)中心等新興需求。

東芝電子元件預(yù)計(jì)2026年推出“常關(guān)型”產(chǎn)品，以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，提升易用性。為支持上述戰(zhàn)略，東芝計(jì)劃在2024至2026財(cái)年投入約1000億日元用于半導(dǎo)體設(shè)備投資，包括維護(hù)與升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備。未來(lái)，該公司將重點(diǎn)拓展電動(dòng)車車載充電器與AI服務(wù)器電源市場(chǎng)。

資料顯示，作為#功率半導(dǎo)體?大廠，東芝電子元件公司憑借在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，持續(xù)為電力能源行業(yè)提供高效可靠的解決方案，其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品兼具高功率密度與質(zhì)量穩(wěn)定性，通過(guò)提升功率轉(zhuǎn)換效率，為減少環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。其中，SiC MOSFET兼具低導(dǎo)通電阻與高可靠性，而IGBT則具有大電流與高可靠性，兩者均擁有豐富的市場(chǎng)應(yīng)用案例。

今年8月，東芝電子元件宣布與基本半導(dǎo)體就功率模塊產(chǎn)品正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。9月2025 PCIM Asia展會(huì)期間，東芝與基本半導(dǎo)體通過(guò)聯(lián)合展臺(tái)，共同展示了雙方在碳化硅領(lǐng)域深度合作的最新產(chǎn)品與解決方案。

圖片來(lái)源：東芝半導(dǎo)體芯資訊

憑借東芝先進(jìn)的碳化硅MOSFET、IGBT芯片、功率模塊設(shè)計(jì)和封測(cè)技術(shù)，基本半導(dǎo)體與其聯(lián)合開發(fā)了Pcore2 E2B、Pcore2 L3工業(yè)級(jí)全碳化硅功率模塊及Pcore6 E3B混碳功率模塊等產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用了雙方的SiC MOSFET和東芝的RC-IGBT芯片技術(shù)，而模塊封裝方面采用高可靠的氮化硅陶瓷（Si3N4）基板、Press-Fit壓接工藝，銅底板散熱結(jié)構(gòu)等技術(shù)，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、雜散電感、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可應(yīng)用于APF、PCS、DC/DC變換器、大功率充電樁、固態(tài)斷路器、矩陣變換器和電池功化成等領(lǐng)域應(yīng)用。

氮化鎵未來(lái)潛力無(wú)限

在碳化硅、IGBT等領(lǐng)域深耕之后，此次東芝電子元件又將目光瞄準(zhǔn)氮化鎵，有望借此進(jìn)一步打開電力系統(tǒng)與人工智能數(shù)據(jù)中心等新興需求領(lǐng)域。

業(yè)界指出，隨著全球?qū)η鍧嵞茉吹淖非笠约爸悄茈娋W(wǎng)建設(shè)的加速推進(jìn)，電力系統(tǒng)對(duì)于高效、可靠的功率半導(dǎo)體元件需求與日俱增。氮化鎵憑借其出色的高頻、高效特性，能夠在電力轉(zhuǎn)換和傳輸過(guò)程中顯著降低能量損耗，提高系統(tǒng)的整體效率，正好契合了電力系統(tǒng)升級(jí)換代的需求。

而在人工智能領(lǐng)域，隨著數(shù)據(jù)爆炸式增長(zhǎng)以及計(jì)算任務(wù)的日益復(fù)雜，數(shù)據(jù)中心的能耗問(wèn)題愈發(fā)突出。氮化鎵器件可以應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的電源供應(yīng)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的能耗，幫助數(shù)據(jù)中心降低運(yùn)營(yíng)成本，同時(shí)滿足綠色環(huán)保的發(fā)展趨勢(shì)。

以AI服務(wù)器電源為例，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體在應(yīng)對(duì)AI服務(wù)器高功率密度需求時(shí)逐漸力不從心。單臺(tái)機(jī)架式AI服務(wù)器峰值功耗已突破千瓦，GPU功耗逼近2kW，傳統(tǒng)電源方案在效率、體積和散熱方面難以滿足要求。氮化鎵的出現(xiàn)為這一難題提供了解決方案。氮化鎵電子遷移率是硅的10倍，可支持MHz級(jí)高頻開關(guān)，動(dòng)態(tài)損耗降低70%，在相同功率下導(dǎo)通電阻僅為硅基器件的1/5，發(fā)熱量減少50%。這些特性使氮化鎵有望成為AI服務(wù)器電源領(lǐng)域的核心材料，為數(shù)據(jù)中心綠色低碳轉(zhuǎn)型提供關(guān)鍵支撐。

總而言之，電力系統(tǒng)與人工智能數(shù)據(jù)中心這兩個(gè)領(lǐng)域正處于快速發(fā)展階段，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，有望為東芝的氮化鎵產(chǎn)品提供了廣闊的市場(chǎng)空間和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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1、揚(yáng)杰科技與星宇股份正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

據(jù)揚(yáng)杰科技官微消息，9月15日，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(下稱：揚(yáng)杰科技）與常州星宇車燈股份有限公司(下稱：星宇股份）正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將整合在汽車視覺(jué)系統(tǒng)、半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，共同為市場(chǎng)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力與高附加值的產(chǎn)品及服務(wù)。

圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技成立于2000年，是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的半導(dǎo)體企業(yè)。公司專注于分立器件芯片、MOSFET、IGBT & 功率模塊、SiC 等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造、封裝測(cè)試及銷售服務(wù)，產(chǎn)品線廣泛覆蓋了從基礎(chǔ)元件到高端功率器件的多個(gè)類別。其產(chǎn)品應(yīng)用于汽車電子、新能源、工控、電源、家電、照明、安防、網(wǎng)通、消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。

星宇股份成立于1993年，是一家汽車燈具制造商，專注于汽車燈具的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售，產(chǎn)品線涵蓋汽車前照燈、后組合燈、霧燈、轉(zhuǎn)向燈等全系列車燈產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于乘用車和商用車領(lǐng)域。

據(jù)了解，揚(yáng)杰科技和星宇股份的合作始于 2025 年初，揚(yáng)杰科技已為星宇股份提供一系列穩(wěn)定、高效的半導(dǎo)體技術(shù)解決方案，精準(zhǔn)匹配汽車行業(yè)對(duì)智能化、節(jié)能化照明的需求。

此次功率半導(dǎo)體企業(yè)和汽車照明企業(yè)的合作，聚焦車規(guī)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，融入數(shù)字化應(yīng)用，持續(xù)提升半導(dǎo)體高端技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)價(jià)值協(xié)同增長(zhǎng)。

此外，揚(yáng)杰科技近年來(lái)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)投入，其SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目已于今年5月開工，總投資達(dá)10億元，旨在提升公司在汽車電子功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。此次與星宇股份的合作，有望加速車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體在汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用落地。

2、芯邁半導(dǎo)體與晶能簽署戰(zhàn)略合作

據(jù)晶能官微9月13日消息，芯邁半導(dǎo)體技術(shù)（杭州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯邁”）與浙江晶能微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶能”）正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。

圖片來(lái)源：晶能

雙方將在車規(guī)級(jí)與工控級(jí)芯片的研發(fā)、制造、先進(jìn)封裝、市場(chǎng)應(yīng)用及人才培養(yǎng)等多個(gè)領(lǐng)域展開全面合作，共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)圍繞汽車、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、二輪車等新能源應(yīng)用領(lǐng)域，合作開發(fā)包括車規(guī)芯片、功率模塊、電池管理系統(tǒng)等創(chuàng)新產(chǎn)品。

公開資料顯示，#芯邁半導(dǎo)體?成立于2019年，是一家專注于功率半導(dǎo)體、采用Fab-Lite模式的集成設(shè)備制造商（IDM），具備芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全鏈條服務(wù)能力。芯邁半導(dǎo)體的股東包括海邦投資、高瓴、紅杉資本、君聯(lián)資本、小米基金、寧德時(shí)代等。

晶能成立于2022年，是吉利旗下功率半導(dǎo)體平臺(tái)，聚焦于新能源領(lǐng)域的芯片設(shè)計(jì)與模塊創(chuàng)新，通過(guò)場(chǎng)景驅(qū)動(dòng)、應(yīng)用牽引，為電動(dòng)汽車、可持續(xù)能源、綠氫甲醇、航空航天、船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。晶能的客戶目前已涵蓋華潤(rùn)微電子、積塔半導(dǎo)體、捷捷微電、中車時(shí)代半導(dǎo)體等企業(yè)。

此外，2025年6月30日，芯邁半導(dǎo)體向港交所遞交了招股書，擬主板掛牌上市，華泰國(guó)際為其獨(dú)家保薦人。隨后7月14日，邁半導(dǎo)體宣布，在華泰金控基礎(chǔ)上，進(jìn)一步委任香港上海匯豐銀行、海通國(guó)際證券、星展亞洲融資及興證國(guó)際融資為整體協(xié)調(diào)人，擴(kuò)大IPO陣容。

3、結(jié)語(yǔ)

隨著新能源汽車、智能駕駛、智能汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體作為汽車電子的核心部件，市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)，全球汽車產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入向新能源智能化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵期， “半導(dǎo)體 + 汽車” 的合作或?qū)⒊蔀橐环N新合作方向。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技公告截圖

揚(yáng)杰科技成立于2000年，是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。產(chǎn)品線涵蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等。

貝特電子成立于2003年，是一家專注于電力電子保護(hù)元器件及相關(guān)配件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司定位為全面電路保護(hù)元件制造商和方案顧問(wèn)，主要產(chǎn)品涵蓋電力熔斷器、電子熔斷器、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲、一次性熱熔斷體溫度保險(xiǎn)絲及可復(fù)位溫控器等。

數(shù)據(jù)顯示，貝特電子2024年?duì)I收8.37億元，歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)1.13億元；2025年一季度營(yíng)收2.18億元，歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)4170.73萬(wàn)元。截至3月末，公司總資產(chǎn)10.24億元，所有者權(quán)益5.90億元。

今年3月份，揚(yáng)杰科技披露稱，公司擬通過(guò)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買貝特電子100%股份，并募集配套資金。因交易對(duì)方數(shù)量較多，交易雙方未能就發(fā)行股份并支付現(xiàn)金交易條件達(dá)成一致等因素，該筆交易最終未能成行，在今年7月份宣告終止。彼時(shí)，揚(yáng)杰科技宣告，公司將繼續(xù)磋商以現(xiàn)金方式購(gòu)買貝特電子的全部或部分股份。

對(duì)于該項(xiàng)收購(gòu)，揚(yáng)杰科技在公告中披露稱，標(biāo)的公司的主要產(chǎn)品為電力電子保護(hù)元器件，與上市公司的過(guò)壓保護(hù)產(chǎn)品同屬于電力電子保護(hù)元器件大類，和上市公司目前的功率器件產(chǎn)品既有功能交叉，又能夠共同為用電場(chǎng)景和設(shè)備提供電流電壓處理服務(wù)，具有很好的終端應(yīng)用場(chǎng)景協(xié)同效應(yīng)，是上市公司未來(lái)戰(zhàn)略發(fā)展的主要方向之一。

揚(yáng)杰科技：加速布局碳化硅

揚(yáng)杰科技的核心業(yè)務(wù)主要在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，覆蓋硅片制造、芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試全鏈條，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、光伏逆變器、工業(yè)控制等場(chǎng)景。

隨著汽車電子、人工智能等產(chǎn)業(yè)需求增加，揚(yáng)杰科技迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)揚(yáng)杰科技2025年半年報(bào)披露，上半年公司營(yíng)業(yè)總收入達(dá)到34.55億元，與去年同期相比，實(shí)現(xiàn)了20.58%的增長(zhǎng) ，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約為6.01億元，同比增長(zhǎng)41.55%。

圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技半年報(bào)截圖

碳化硅業(yè)務(wù)作為揚(yáng)杰科技未來(lái)重要的增長(zhǎng)引擎，也取得了顯著進(jìn)展。公司投資的SiC芯片工廠通過(guò)IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)650V/1200V/1700V的SiC MOS產(chǎn)品從第二代升級(jí)到第三代，所有SiC MOS型號(hào)實(shí)現(xiàn)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ，并不斷拓展模塊產(chǎn)品布局。其各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域，市場(chǎng)份額持續(xù)增加。

報(bào)告期內(nèi)， MOSFET、IGBT、SiC 等產(chǎn)品整體訂單和出貨量較去年同期快速提升，上半年度營(yíng)收同比增長(zhǎng)20.58%。車載模塊方面，IGBT模塊/SiC模塊目前在多家汽車客戶完成送樣，并且已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測(cè)試及合作意向。

產(chǎn)能建設(shè)方面，2025年上半年，揚(yáng)杰科技首條SiC芯片產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)爬坡，有效提升了芯片供應(yīng)能力。同年5月，備受矚目的SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工。據(jù)了解，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，占地62畝，規(guī)劃建筑面積約11.2萬(wàn)平米 ，項(xiàng)目聚焦車規(guī)級(jí)框架式、塑封式IGBT模塊，SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：臺(tái)基股份公告截圖

臺(tái)基股份此次投資設(shè)立的新公司，將專注于半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，進(jìn)一步拓展公司在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的布局。新公司的設(shè)立將有助于公司整合資源，提升在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)也為公司在碳化硅等新興半導(dǎo)體材料的研發(fā)和應(yīng)用提供更廣闊的空間。

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，臺(tái)基股份在持續(xù)發(fā)展傳統(tǒng)業(yè)務(wù)的同時(shí)，也正加速布局以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)。

公開資料顯示，臺(tái)基股份成立于2004年，并于2010年在深交所上市，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋大功率半導(dǎo)體器件及其功率組件的研發(fā)、制造和銷售。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于感應(yīng)加熱、電力傳輸、工業(yè)控制、新能源等多個(gè)領(lǐng)域。

根據(jù)公司在互動(dòng)平臺(tái)上的回應(yīng)，臺(tái)基股份目前正持續(xù)跟蹤和研發(fā)碳化硅和氮化鎵等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)。雖然目前相關(guān)技術(shù)尚未形成成熟產(chǎn)品，但公司已將第三代半導(dǎo)體作為重要的技術(shù)儲(chǔ)備和未來(lái)發(fā)展方向。

最新消息顯示，臺(tái)基股份也積極推進(jìn)碳化硅技術(shù)研發(fā)，其SiC MOSFET中試線已于2024年投產(chǎn)，目前正研發(fā)1200V/1700V規(guī)格產(chǎn)品，目標(biāo)是在2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，主要應(yīng)用于光伏逆變器、快充等領(lǐng)域。此外，該公司的6英寸超高壓晶圓線已量產(chǎn)，8英寸晶圓產(chǎn)線即將投產(chǎn)，產(chǎn)能瓶頸的突破將有助于滿足市場(chǎng)對(duì)碳化硅和氮化鎵等高端半導(dǎo)體器件的旺盛需求。

另外值得注意的是，臺(tái)基股份近期發(fā)布了關(guān)于董事辭職及聘任高管的公告。公司董事朱玉德先生因工作調(diào)整原因辭去公司董事、董事會(huì)戰(zhàn)略委員會(huì)委員職務(wù)，原定任期至第六屆董事會(huì)屆滿。朱玉德先生辭去上述職務(wù)后，將繼續(xù)在公司任職，并被聘任為公司副總經(jīng)理。

圖片來(lái)源：臺(tái)基股份公告截圖

臺(tái)基股份還發(fā)布了2025年半年度報(bào)告。報(bào)告顯示，公司在報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1.79億元，同比增長(zhǎng)4.18%；歸母凈利潤(rùn)3972.84萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)3789.41%。這一業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)主要得益于公司在傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，以及在新興半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的積極布局。公司在報(bào)告中強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能半導(dǎo)體器件的不斷增長(zhǎng)的需求。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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華潤(rùn)微電子：12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線達(dá)月產(chǎn)3萬(wàn)片目標(biāo)

近日，在重慶園區(qū)召開的12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)品上量專題會(huì)上，華潤(rùn)微電子 宣布其重慶12英寸項(xiàng)目已于2025年8月達(dá)成月產(chǎn)出30000片項(xiàng)目目標(biāo)，較原規(guī)劃節(jié)點(diǎn)提前達(dá)成。

圖片來(lái)源：華潤(rùn)微電子芯聞號(hào)

華潤(rùn)微電子重慶12英寸項(xiàng)目總投資75.5億元，一年完成產(chǎn)線通線，兩年半實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)出30000片目標(biāo)。項(xiàng)目規(guī)劃設(shè)計(jì)4個(gè)產(chǎn)品平臺(tái)，據(jù)此前估計(jì)，除30000片產(chǎn)能外，還將配套12英寸外延及薄片工藝能力，產(chǎn)品覆蓋中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結(jié)SJ MOS等，滿足車規(guī)級(jí)需求。

公開資料顯示，重慶12英寸項(xiàng)目的全新業(yè)界主流機(jī)臺(tái)占比達(dá)95%，并引進(jìn)全球頂尖品牌天車系統(tǒng)及自動(dòng)化排產(chǎn)系統(tǒng)，以及匹配了自動(dòng)化立體倉(cāng)儲(chǔ)，旨在打造無(wú)人化工廠。此外，其產(chǎn)品布局對(duì)標(biāo)全球最新工藝代次，SGT G6、SJ G4、IGBT G7等核心技術(shù)平臺(tái)全面服務(wù)汽車、AI、算力中心等高端應(yīng)用領(lǐng)域。

該項(xiàng)目還建立全流程車規(guī)級(jí)質(zhì)量體系，配備投資超2億元、面積超4000平米，并通過(guò)30余項(xiàng)CNAS認(rèn)可的車規(guī)級(jí)實(shí)驗(yàn)室，產(chǎn)品在線良率穩(wěn)定在99.65%以上。

隨著汽車電動(dòng)化、智能化的發(fā)展，對(duì)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體芯片的需求不斷增加。華潤(rùn)微電子的12英寸晶圓制造項(xiàng)目作為重慶集成電路產(chǎn)業(yè)的重要項(xiàng)目，將推動(dòng)重慶市汽車電子產(chǎn)業(yè)強(qiáng) “芯” 補(bǔ)鏈，助力智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車、新一代電子信息制造業(yè)等高能級(jí)產(chǎn)業(yè)集群的發(fā)展。

士蘭微：士蘭集宏8英寸SiC項(xiàng)目竣工

9月5日，廈門舉行了重大項(xiàng)目集中開竣工活動(dòng)，活動(dòng)上總投資783億元的70個(gè)重大項(xiàng)目集中開竣工。其中包括士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）竣工儀式。

圖片來(lái)源：今日海滄

根據(jù)海滄區(qū)融媒體中心的報(bào)道，士蘭集宏項(xiàng)目分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡。一期投資70億元，目前已初步通線，2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片。

二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線，項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域，士蘭集宏項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可滿足國(guó)內(nèi)40%以上的車規(guī)級(jí)SiC芯片需求。據(jù)悉，項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超120億元。

此外，士蘭微已實(shí)現(xiàn)第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產(chǎn)其主驅(qū)模塊已獲國(guó)內(nèi)知名車企批量采購(gòu)。

士蘭微電子方面表示、投產(chǎn)后，項(xiàng)目可以較好地滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲(chǔ)能、充電樁、Ai服務(wù)器電源、大型白電智能功率模塊等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時(shí)促進(jìn)國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目多點(diǎn)開花

功率半導(dǎo)體作為電能變換與控制的核心器件，是新能源汽車、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn) “高效能、高可靠、低損耗” 運(yùn)行的基礎(chǔ)支撐，重要性不斷凸顯。

除了華潤(rùn)微電子和士蘭微的兩大功率半導(dǎo)體項(xiàng)目外，還有多個(gè)具有影響力的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目，正從不同維度為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入活力。

9月1日，據(jù)涪陵高新區(qū)綜保區(qū)消息，重慶新陵微電子有限公司6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)施項(xiàng)目施工現(xiàn)場(chǎng)，工人們正緊鑼密鼓地進(jìn)行室內(nèi)裝修與設(shè)備安裝。該項(xiàng)目的潔凈裝修及配套工程預(yù)計(jì)于10月底全面完工并投入使用。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資規(guī)模約20億元，目前，芯片正面生產(chǎn)設(shè)備正在安裝中，預(yù)計(jì)今年實(shí)現(xiàn)正面工藝通線，屆時(shí)將完成整線貫通。項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，最終實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)120萬(wàn)片6寸晶圓。

此外，8月25日，江西芯誠(chéng)微電子車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約落地湖州市練市鎮(zhèn)，總投資10億元，該項(xiàng)目整合主控芯片設(shè)計(jì)、解決方案開發(fā)與產(chǎn)品測(cè)試全鏈條資源，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)車規(guī)芯片在智能汽車、機(jī)器人等前沿領(lǐng)域的應(yīng)用。

8月21日，悉智科技寬禁帶功率模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶杭州城東智造大走廊臨平片區(qū)。該項(xiàng)目總投資約20億元，主要用于建設(shè)寬禁帶模組生產(chǎn)基地，新建的電驅(qū)產(chǎn)線、高端工業(yè)殼封塑封產(chǎn)線和汽車電源產(chǎn)線。

5月20日，啟明芯半導(dǎo)體科技項(xiàng)目簽約啟東，該項(xiàng)目專注硅基和第三代半導(dǎo)體功率產(chǎn)品一站式服務(wù)，覆蓋研發(fā)設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試、銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈。主要產(chǎn)品包括 MOSFET、IGBT、IPM 等功率器件，并提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器方案研發(fā)銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、通信電源等領(lǐng)域。項(xiàng)目計(jì)劃分兩期投資11億元，一期投資3億元，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值2.7億元；二期設(shè)備投資8億元，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值12億元 ，逐步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

結(jié)語(yǔ)

從西南重慶到東南廈門，從華東杭州到長(zhǎng)三角啟東，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正呈現(xiàn) “多點(diǎn)開花、全域發(fā)展” 的態(tài)勢(shì)。這些項(xiàng)目從車規(guī)級(jí)應(yīng)用到工業(yè)、儲(chǔ)能領(lǐng)域覆蓋，全方位推動(dòng)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化、國(guó)產(chǎn)化、規(guī)?；~進(jìn)，為新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展與國(guó)家半導(dǎo)體戰(zhàn)略實(shí)施提供堅(jiān)實(shí)保障。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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資料顯示，重慶新陵微成立于2022年7月，由寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司與涪陵區(qū)新城區(qū)開發(fā)（集團(tuán)）有限公司共同投資設(shè)立，是一家專注于功率半導(dǎo)體芯片制造的高科技企業(yè)，總投資規(guī)模約20億元。

今年6月重慶新陵微已實(shí)現(xiàn)芯片背面生產(chǎn)工藝通線，并已達(dá)到小批量生產(chǎn)水平。目前，芯片正面生產(chǎn)設(shè)備正在安裝中，預(yù)計(jì)今年實(shí)現(xiàn)正面工藝通線，屆時(shí)將完成整線貫通。項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，最終實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)120萬(wàn)片6寸晶圓，有力緩解國(guó)內(nèi)對(duì)高端功率半導(dǎo)體芯片的迫切需求。

下一步，該公司將以重慶新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈為依托，以新能源汽車為主攻市場(chǎng)，致力于打造國(guó)內(nèi)一流的功率半導(dǎo)體芯片制造基地，填補(bǔ)涪陵區(qū)在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的空白，助力區(qū)域先進(jìn)制造業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：基本半導(dǎo)體

通過(guò)將東芝電子元件擁有的先進(jìn)SiC及IGBT芯片技術(shù)，與基本半導(dǎo)體擁有的高性能、高可靠性模塊技術(shù)相結(jié)合，致力于在全球范圍內(nèi)提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，以滿足車載及工業(yè)領(lǐng)域快速發(fā)展的需求。

資料顯示，東芝電子元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品兼具高功率密度與質(zhì)量穩(wěn)定性，通過(guò)提升功率轉(zhuǎn)換效率，為減少環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。其中，SiC MOSFET兼具低導(dǎo)通電阻與高可靠性，而IGBT則具有大電流與高可靠性，兩者均擁有豐富的市場(chǎng)應(yīng)用案例。

基本半導(dǎo)體是中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，積極推進(jìn)SiC芯片及功率模塊的技術(shù)研發(fā)，已向市場(chǎng)推出多款符合車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。通過(guò)此次戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)雙方的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，有助于推出更多創(chuàng)新的解決方案。

稍早之前，東芝電子元件已與天岳先進(jìn)宣布，就天岳先進(jìn)開發(fā)制造的SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議。雙方將針對(duì)SiC功率半導(dǎo)體特性提升與品質(zhì)改善的技術(shù)協(xié)作，以及運(yùn)用合作成果擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進(jìn)或相互協(xié)作的具體事項(xiàng)展開詳細(xì)磋商。

天岳先進(jìn)表示，與東芝電子元件達(dá)成合作，天岳先進(jìn)將把SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，以及東芝對(duì)SiC襯底核心技術(shù)應(yīng)用的期待，轉(zhuǎn)化為襯底品質(zhì)與可靠性的提升，助力SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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