01、威兆半導(dǎo)體沖刺港股IPO

近期，深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱：威兆半導(dǎo)體)已向港交所主板遞交上市申請(qǐng)，廣發(fā)證券為其保薦人。

圖片來(lái)源：威兆半導(dǎo)體上市申請(qǐng)書截圖

威兆半導(dǎo)體是領(lǐng)先的中國(guó)功率半導(dǎo)體器件提供商，專注于高性能功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售，尤其是WLCSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）產(chǎn)品，該產(chǎn)品為公司主要產(chǎn)品之一。

功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)而言，威兆半導(dǎo)體的中低壓產(chǎn)品主要包括Trench MOSFET及SGT MOSFET，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。在中低壓產(chǎn)品中，公司的WLCSP產(chǎn)品憑借其產(chǎn)品尺寸小、散熱性能高、抗沖擊性強(qiáng)等特點(diǎn)，是智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴電子設(shè)備等鋰電池保護(hù)應(yīng)用的關(guān)鍵元件。公司的高壓產(chǎn)品主要包括IGBT、 SJ MOSFET及Planar MOSFET，專為滿足嚴(yán)苛環(huán)境下對(duì)高耐壓、高功率密度和可靠性能的需求而設(shè)計(jì)，被廣泛應(yīng)用于汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源等應(yīng)用場(chǎng)景。

招股書披露，公司營(yíng)收保持持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2023年?duì)I收5.75億元，2024年增至6.24億元，2025年前9個(gè)月已實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.15億元，接近 2024年全年水平。盈利能力方面，2023年期內(nèi)利潤(rùn)1397,7萬(wàn)元，2024年增至1935.3萬(wàn)元，2025年前9個(gè)月已達(dá)4025.4萬(wàn)元，凈利潤(rùn)率達(dá)6.5%，毛利率23.8%，同比實(shí)現(xiàn)顯著提升，盈利質(zhì)量持續(xù)優(yōu)化。

作為公司核心增長(zhǎng)引擎，WLCSP產(chǎn)品的收入貢獻(xiàn)持續(xù)擴(kuò)大。2025年前 9個(gè)月，該產(chǎn)品收入占比已達(dá)42%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)55.1%，成為驅(qū)動(dòng)公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心動(dòng)力。此次IPO募集資金擬主要用于新建生產(chǎn)基地、研發(fā)投入、戰(zhàn)略投資與并購(gòu)以及營(yíng)運(yùn)資金補(bǔ)充，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能規(guī)模。

02、芯朋微2025年預(yù)盈1.85億增66%

近期，芯朋微發(fā)布2025年年度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)2025年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.4億元左右，同比增長(zhǎng)18%左右；歸母凈利潤(rùn)為1.85億元左右，同比大幅增長(zhǎng)66%左右。

圖片來(lái)源：芯朋微官網(wǎng)公告截圖

資料顯示，芯朋微聚焦功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，于2005年成立，2020年7月在上交所科創(chuàng)板上市。經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，芯朋微已基于半導(dǎo)體高壓器件、高低壓集成工藝、數(shù)字電源等五大核心技術(shù)，打造了AC-DC、DC-DC、Driver、Digital PMIC、Power Device、Power Module六大具備協(xié)同效應(yīng)的產(chǎn)品線架構(gòu)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于家電、通信、工業(yè)、新能源等多個(gè)領(lǐng)域，形成了覆蓋多場(chǎng)景的電源解決方案能力。

業(yè)界指出，新興市場(chǎng)與新品類產(chǎn)品促成了此次芯朋微業(yè)績(jī)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)。2025年，芯朋微在新興市場(chǎng)（服務(wù)器/通信/工業(yè)電機(jī)/光儲(chǔ)充/新能源車）營(yíng)收同比大幅增長(zhǎng)50%左右，針對(duì)性推出的通信二次電源用高集成數(shù)?；旌闲酒⑿履茉从眉沈?qū)動(dòng)芯片及800V—1700V超高壓工業(yè)電源芯片等創(chuàng)新產(chǎn)品順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，形成了新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。

與此同時(shí)，2025年，芯朋微DC-DC、Driver、Digital PMIC等新品類產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)39%左右，六大產(chǎn)品線協(xié)同發(fā)展的架構(gòu)優(yōu)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，非AC-DC產(chǎn)品線成長(zhǎng)速度顯著高于傳統(tǒng)核心產(chǎn)品線，推動(dòng)公司業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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聯(lián)訊儀器是一家專注于電子測(cè)量?jī)x器和半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備研發(fā)、制造與服務(wù)的企業(yè)，致力于提供高速率、高精度的測(cè)試儀表及系統(tǒng)，應(yīng)用于光通信、半導(dǎo)體、新能源、人工智能等前沿科技領(lǐng)域。

聯(lián)訊儀器產(chǎn)品矩陣聚焦通信測(cè)試儀器、電性能測(cè)試儀器等電子測(cè)量?jī)x器，光電子器件測(cè)試設(shè)備、功率器件測(cè)試設(shè)備、電性能測(cè)試設(shè)備等半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，以及配套的測(cè)試部件。在中國(guó)光電子器件測(cè)試設(shè)備、碳化硅功率器件晶圓級(jí)老化系統(tǒng)方面，聯(lián)訊儀器市場(chǎng)份額均名列前茅，公司客戶包括比亞迪半導(dǎo)體、中際旭創(chuàng)、光迅科技、華工正源、長(zhǎng)飛先進(jìn)等。

業(yè)績(jī)方面，聯(lián)訊儀器2022年?duì)I收2.14億元，2023年?duì)I收2.76億元，2024年?duì)I收7.89億元，2025年上半年?duì)I收未單獨(dú)披露，其中一季度營(yíng)收2.01億元。其中，2023年向前五大客戶合計(jì)銷售1.46億元，占比52.81%。

招股書顯示，聯(lián)訊儀器此次擬募資17.11億元，用于下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、車規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目與下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：中聯(lián)發(fā)展控股公告截圖

研發(fā)中心將設(shè)立四大研發(fā)領(lǐng)域：產(chǎn)品設(shè)計(jì)、測(cè)試與可靠性、應(yīng)用開(kāi)發(fā)和先進(jìn)制造技術(shù)，旨在構(gòu)建從材料研究到系統(tǒng)應(yīng)用的完整研發(fā)體系，并為新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域提供解決方案。

據(jù)悉，鉑威有限公司是龍騰半導(dǎo)體全資附屬公司。此前，2025年11月21日，公司與徐西昌(賣方)訂立一份不具法律約束力的諒解備忘錄。據(jù)此，公司有意向龍騰半導(dǎo)體股份有限公司(目標(biāo)公司)股東收購(gòu)目標(biāo)公司最多100%股權(quán)，包括賣方(其為目標(biāo)公司的單一最大股東和董事長(zhǎng))直接持有的目標(biāo)公司24.81%股權(quán)，賣方有意出售及同意溝通以促成目標(biāo)公司其他股東向公司出售目標(biāo)公司最多100%股權(quán)。

建議交易的代價(jià)金額預(yù)期最高約為45億港元至90億港元之間(經(jīng)參考包括，但不限于，目標(biāo)公司最新融資估值)，須經(jīng)訂約方同意并載列于將由各方簽署的最終協(xié)議(正式協(xié)議)內(nèi)。

據(jù)悉，龍騰半導(dǎo)體是一家領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件及系統(tǒng)解決方案提供商，成立于2009年，總部位于西安，主營(yíng)業(yè)務(wù)為以功率MOSFET為主的功率器件產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，并為客戶提供系統(tǒng)解決方案。

龍騰半導(dǎo)體的產(chǎn)品覆蓋了功率MOSFET分立器件主要類別，形成了超結(jié)MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽柵溝槽MOSFET和溝槽型MOSFET四大產(chǎn)品平臺(tái)，在LED照明驅(qū)動(dòng)、電源適配器、TV板卡、電池管理系統(tǒng)、通信電源、特種電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

中聯(lián)發(fā)展控股集團(tuán)有限公司是一間主要從事革制品的制造及分銷的投資控股公司。公司一直積極尋求業(yè)務(wù)擴(kuò)展機(jī)會(huì)，而功率半導(dǎo)體市場(chǎng)具備廣闊發(fā)展空間。

中聯(lián)發(fā)展控股并非個(gè)例。9月以來(lái)，多個(gè)傳統(tǒng)行業(yè)龍頭紛紛將目光投向半導(dǎo)體領(lǐng)域：

2025年9月23日，肉制品龍頭金字火腿宣布，全資子公司擬出資不超過(guò)3億元增資中晟微電子，換取不超過(guò)20%股權(quán)，目標(biāo)直指光通信芯片國(guó)產(chǎn)替代。

僅隔一天，第三方支付公司ST仁東以1億元入股AI芯片設(shè)計(jì)商江原科技，持股4.14%，試圖在算力基礎(chǔ)設(shè)施爆發(fā)前夜卡位。

2025年10月底，文旅地產(chǎn)企業(yè)盈新發(fā)展披露，擬現(xiàn)金收購(gòu)長(zhǎng)興半導(dǎo)體81.8%股權(quán)，后者擁有月產(chǎn)能3萬(wàn)片的先進(jìn)封裝測(cè)試產(chǎn)線，可提供一站式芯片集成服務(wù)。

11月3日，紡織制造龍頭如意集團(tuán)公告，擬以5.8億元收購(gòu)射頻芯片公司深圳華揚(yáng)電子60%股權(quán)，借此切入5G小基站與車載射頻前端市場(chǎng)。

11月15日，水泥建材企業(yè)四川金頂發(fā)布提示性公告，擬通過(guò)增資+受讓股份方式取得功率器件廠商四川廣義微電子55%股權(quán)，交易對(duì)價(jià)不超過(guò)6億元，劍指車規(guī)級(jí)IGBT模塊。

12月8日，家用空調(diào)壓縮機(jī)龍頭海立股份公告，擬以7.4億元收購(gòu)汽車功率模塊封測(cè)企業(yè)上海海微70%股權(quán)，補(bǔ)齊車規(guī)級(jí)SiC模塊封裝短板。

縱觀全年，傳統(tǒng)資本“圍獵”半導(dǎo)體呈現(xiàn)三大共性。標(biāo)的集中在國(guó)內(nèi)已量產(chǎn)、已通過(guò)車規(guī)/工規(guī)認(rèn)證的成熟公司，節(jié)省認(rèn)證時(shí)間；交易方式以“現(xiàn)金收購(gòu)+老股轉(zhuǎn)讓”為主，快速并表，縮短轉(zhuǎn)型周期；產(chǎn)業(yè)落腳點(diǎn)多圍繞新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信三大增量場(chǎng)景，與原有主業(yè)形成“終端-芯片”垂直聯(lián)動(dòng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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北京順義6吋車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地項(xiàng)目竣工驗(yàn)收

“中關(guān)村順義園”官微消息，12月29日，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司6吋車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目圓滿完成竣工驗(yàn)收，標(biāo)志著項(xiàng)目正式具備投產(chǎn)條件，順利實(shí)現(xiàn)從工程建設(shè)到產(chǎn)能釋放的關(guān)鍵跨越。

該項(xiàng)目坐落于中關(guān)村（順義）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，總建筑面積達(dá)3萬(wàn)平方米，以功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)為核心業(yè)務(wù)，重點(diǎn)打造6吋車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線。

圖片來(lái)源：中關(guān)村順義園

項(xiàng)目建成后，將充分依托企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚技術(shù)積淀，聚力攻堅(jiān)功率器件核心技術(shù)自主創(chuàng)新與突破，深度融入順義區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展體系，為區(qū)域第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展筑牢堅(jiān)實(shí)根基。

資料顯示，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司為瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司全資子公司，是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝設(shè)計(jì)的一體化經(jīng)營(yíng)功率半導(dǎo)體企業(yè)，致力于開(kāi)發(fā)并生產(chǎn)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件組合。

銀河微電高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地開(kāi)工

12月29日，銀河微電高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目在江蘇省常州市新北區(qū)開(kāi)工。

銀河微電高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目由常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司實(shí)施。項(xiàng)目建設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)分立器件以及第三代半導(dǎo)體功率模塊線，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)具備車規(guī)級(jí)分立器件5.5億只、小信號(hào)及功率器件80億只、光電器件25億只、IGBT及碳化硅功率模塊5000萬(wàn)只。

資料顯示，常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司成立于2006年，是一家專注于半導(dǎo)體器件研發(fā)、芯片設(shè)計(jì)與制造、封裝測(cè)試、銷售及服務(wù)的國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)。

銀河微電是國(guó)內(nèi)首家成為AEC國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)會(huì)員的半導(dǎo)體分立器件制造商，產(chǎn)品涵蓋功率器件芯片、MOSFET、IGBT、IPM、SiC器件、GaN器件、光電器件、模擬IC等，可為客戶提供適用性強(qiáng)、可靠性高的系列產(chǎn)品及技術(shù)解決方案，滿足客戶一站式采購(gòu)需求，廣泛應(yīng)用于汽車電子、能源動(dòng)力、工業(yè)控制、智能家居、網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目通線

12月26日，株洲中車舉行中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目通線儀式，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)又一條8英寸碳化硅（SiC）功率器件晶圓線進(jìn)入量產(chǎn)階段，年產(chǎn)能新增36萬(wàn)片，將顯著緩解電動(dòng)汽車、光伏逆變器、充電樁等下游市場(chǎng)對(duì)國(guó)產(chǎn)高端功率半導(dǎo)體的需求缺口。

圖片來(lái)源：湖南省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

該項(xiàng)目總投資53億元，從2025年1月全面施工，至今僅用11個(gè)月完成建設(shè)到通線，被湖南省列為2025年“十大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目”之一。其新征用地約266畝，新建生產(chǎn)調(diào)度樓、生產(chǎn)廠房、動(dòng)力廠房等建筑超8萬(wàn)平方米，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)36萬(wàn)片碳化硅功率器件產(chǎn)能（8 英寸等效片）。

該項(xiàng)目重點(diǎn)突破精細(xì)光刻、溝槽刻蝕、高溫柵氧、高溫離子注入、大尺寸SiC減薄五大核心工藝技術(shù)，不僅可滿足第三代、第四代碳化硅產(chǎn)品的規(guī)?；慨a(chǎn)需求，更前瞻布局第五代、第六代技術(shù)研發(fā)，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。

公開(kāi)資料顯示，中車時(shí)代電氣是中國(guó)中車旗下股份制企業(yè)，成立于2005年，目前已形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、汽車電驅(qū)等領(lǐng)域。

技術(shù)層面，公司完成第四代溝槽柵SiC MOSFET定型，11mΩ/7mΩ芯片性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平；首次實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)SiC模塊小批量交付，并突破SiC動(dòng)態(tài)特性及可靠性底層技術(shù)。

市場(chǎng)層面，宜興三期功率半導(dǎo)體基地6月底已達(dá)設(shè)計(jì)產(chǎn)能，中低壓器件出貨量居國(guó)內(nèi)新能源車主驅(qū)、光伏逆變器前列；320kW組串式光伏逆變器、2500kW液冷儲(chǔ)能變流器實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用；傳感器業(yè)務(wù)接近2023年同期水平，汽車傳感獲得多個(gè)新定點(diǎn)。

比亞迪半導(dǎo)體寧波SiC芯片項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收

近期，寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司對(duì)外公示了新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收相關(guān)文件。

圖片來(lái)源：公示截圖

“新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目”已于2025年11月通過(guò)竣工環(huán)保驗(yàn)收。技改后寧波基地形成24萬(wàn)片/年SiC等新型功率半導(dǎo)體（含TVS、SBD、PD、CMOS等）產(chǎn)能，同時(shí)保留7.8萬(wàn)片IGBT+7.8萬(wàn)片F(xiàn)RD作為混合產(chǎn)能，總投資7.44億元。

寧波海關(guān)披露，公司2月啟動(dòng)1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓保稅研發(fā)；項(xiàng)目負(fù)責(zé)人稱“研發(fā)片一旦通過(guò)檢測(cè)即可迅速轉(zhuǎn)量產(chǎn)”，配套產(chǎn)線升級(jí)完成后目標(biāo)月產(chǎn)1萬(wàn)片（折合年12萬(wàn)片）。這意味著寧波廠未來(lái)SiC產(chǎn)能仍有翻倍空間。

驗(yàn)收?qǐng)?bào)告列出已導(dǎo)入的干法刻蝕機(jī)、柵氧氧化爐、高溫退火爐等關(guān)鍵設(shè)備，主材為6英寸SiC晶圓，目前“主體設(shè)施和環(huán)保設(shè)施運(yùn)行穩(wěn)定”，標(biāo)志著6英寸SiC芯片進(jìn)入常態(tài)化生產(chǎn)。

綜上，寧波比亞迪半導(dǎo)體2025年已完成從“IGBT+FRD”向“SiC為主、硅基補(bǔ)充”的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)切換，24萬(wàn)片/年SiC產(chǎn)能率先釋放，1200V溝槽柵MOSFET有望于2026年進(jìn)一步放量，為比亞迪全系新能源車型提供主驅(qū)逆變器核心芯片。

江蘇東臺(tái)富樂(lè)華高導(dǎo)熱陶瓷基板項(xiàng)目主體封頂

據(jù)東臺(tái)融媒、富樂(lè)華半導(dǎo)體官方消息，12月23日，江蘇富樂(lè)華半導(dǎo)體科技股份有限公司在鹽城東臺(tái)高新區(qū)投資建設(shè)的高導(dǎo)熱大功率濺射陶瓷基板項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來(lái)源：富樂(lè)華半導(dǎo)體

據(jù)悉，該項(xiàng)目規(guī)劃總投資10億元，其中一期項(xiàng)目投資31833.27萬(wàn)元，新增用地約80.8畝，新增建筑面積約74000平方米，一期項(xiàng)目引進(jìn)國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的磁控濺射機(jī)、自動(dòng)敷膠機(jī)、光刻機(jī)、全自動(dòng)顯景機(jī)、電鍍銅線、電鍍鎳金線、自動(dòng)拋光機(jī)、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備、超聲掃描設(shè)備等約200臺(tái)/套，建設(shè)年產(chǎn)180萬(wàn)片高導(dǎo)熱大功率濺射陶基板自動(dòng)化生產(chǎn)線。

高導(dǎo)熱大功率濺射陶瓷基板具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、高絕緣性、大電流承載能力、高附著強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，正成為高端功率半導(dǎo)體封裝的核心材料。

項(xiàng)目全面建成后，將會(huì)大幅優(yōu)化富樂(lè)華公司在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)公司盈利能力，進(jìn)一步提高公司在激光熱沉產(chǎn)品、熱電制冷產(chǎn)品、激光雷達(dá)和光通訊等領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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該成果與#北京昕感科技 (集團(tuán)) 有限公司副總經(jīng)理李道會(huì)博士帶領(lǐng)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合完成，微電子學(xué)院顧文華教授為論文通訊作者，南京理工大學(xué)為論文第一完成單位。

圖片來(lái)源：南京理工大學(xué)微電子學(xué)院

碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊是新能源汽車、光伏發(fā)電等設(shè)備的核心器件，其開(kāi)關(guān)損耗的精準(zhǔn)預(yù)測(cè)是器件設(shè)計(jì)與性能優(yōu)化中的關(guān)鍵問(wèn)題。然而，傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)損耗預(yù)測(cè)方法往往依賴復(fù)雜物理參數(shù)導(dǎo)致建模周期長(zhǎng)，或因忽略制造波動(dòng)導(dǎo)致誤差過(guò)大，難以平衡建模復(fù)雜度與預(yù)測(cè)精度，從而影響了功率模塊的研發(fā)效率與量產(chǎn)可靠性。

針對(duì)這一問(wèn)題，聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于多層反向傳播人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANN）的開(kāi)關(guān)損耗預(yù)測(cè)新方法。該方法利用SiC MOSFET的靜態(tài)參數(shù)（如閾值電壓、漏電流、導(dǎo)通電阻等）與開(kāi)關(guān)損耗之間的回歸關(guān)系，無(wú)需復(fù)雜物理建?；騾?shù)提取，僅通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)手冊(cè)中的靜態(tài)參數(shù)即可直接實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗的快速精準(zhǔn)預(yù)測(cè)。

在1200V SiC MOSFET功率模塊數(shù)據(jù)集上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法能夠取得最低1.13%的平均絕對(duì)百分比誤差（MAPE），最大誤差不超過(guò)7.43%，單模塊平均預(yù)測(cè)時(shí)間僅4.95毫秒，優(yōu)于其他對(duì)比方法。此外，該模型在NVIDIA Jetson系列嵌入式平臺(tái)上部署后性能無(wú)衰減，具備實(shí)際應(yīng)用價(jià)值，為功率模塊的熱設(shè)計(jì)優(yōu)化與批量質(zhì)量篩查提供了一種新的解決方案。

圖片來(lái)源：南京理工大學(xué)微電子學(xué)院

該成果同時(shí)也是江蘇省“雙高協(xié)同”框架下產(chǎn)學(xué)研深度融合的典型產(chǎn)出，契合“優(yōu)勢(shì)學(xué)科+優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)”的協(xié)同發(fā)展理念。南京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在微納電子器件與人工智能算法融合方面的學(xué)術(shù)積累，與北京昕感科技在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域的工程經(jīng)驗(yàn)形成互補(bǔ)，為研究提供了理論支撐與真實(shí)場(chǎng)景數(shù)據(jù)。目前，雙方正以此次合作為基礎(chǔ)，推進(jìn)“功率半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”建設(shè)，后續(xù)將圍繞相關(guān)技術(shù)方向開(kāi)展持續(xù)性攻關(guān)。

除該成果外，團(tuán)隊(duì)近期也在功率半導(dǎo)體器件的新結(jié)構(gòu)與新機(jī)理方面開(kāi)展了一系列研究，相關(guān)成果接連發(fā)表于高質(zhì)量國(guó)際期刊《IEEE Transactions on Electron Devices》和《Journal of Physics D: Applied Physics》。系列成果的集中產(chǎn)出，展現(xiàn)了團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的系統(tǒng)性研究能力。未來(lái)，團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)深化校企合作，以聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室建設(shè)為契機(jī)，持續(xù)攻克功率半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)，為新能源、智能機(jī)器人等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)南理工力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：企查查截圖

賽英電子是一家專業(yè)從事陶瓷管殼和封裝散熱基板等功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵部件研發(fā)、制造和銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于晶閘管、IGBT和IGCT等功率半導(dǎo)體器件，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋發(fā)電、輸電、變電、配電、用電等電力系統(tǒng)全產(chǎn)業(yè)鏈，在特高壓輸變電、新能源發(fā)電、工業(yè)控制、新能源汽車、智算中心、軌道交通等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

業(yè)績(jī)方面，根據(jù)該賽英電子已披露的2025三季報(bào)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.383億元，同比增長(zhǎng)38.43%，凈利潤(rùn)6955萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)31.98%。

今年8月，媒體報(bào)道賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項(xiàng)目正式開(kāi)工。該項(xiàng)目聚焦半導(dǎo)體工藝設(shè)備的研發(fā)與制造，總投資超5億元，分為兩期，建成達(dá)產(chǎn)后，將具備新增平底型散熱基板以及針齒型散熱基板的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目一期計(jì)劃于明年年底建成投用。

此次IPO，賽英電子募投項(xiàng)目聚焦核心業(yè)務(wù)升級(jí)，2.7億元募資將主要用于功率半導(dǎo)體模塊散熱基板生產(chǎn)基地建設(shè)、研發(fā)中心升級(jí)及補(bǔ)充流動(dòng)資金三大方向。其中，散熱基板生產(chǎn)基地項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增1200萬(wàn)片平底型與600萬(wàn)片針齒型封裝散熱基板產(chǎn)能，進(jìn)一步提升該公司在核心產(chǎn)品領(lǐng)域的供給能力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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這是我國(guó)深度參與功率半導(dǎo)體器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化工作的重要突破，為全球電能轉(zhuǎn)換與控制技術(shù)的規(guī)范化、產(chǎn)業(yè)化注入“中國(guó)智慧”。

根據(jù)市場(chǎng)監(jiān)管總局的介紹，這兩項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)解決了標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容長(zhǎng)期與產(chǎn)品發(fā)展不匹配、不適應(yīng)問(wèn)題，提升了大功率半導(dǎo)體器件測(cè)試的適用性和可操作性。

此次由中國(guó)主導(dǎo)修訂的兩項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，由西安電力電子技術(shù)研究所專家蔚紅旗擔(dān)任項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，并聯(lián)合日本、德國(guó)、韓國(guó)等國(guó)專家共同完成，體現(xiàn)了多邊技術(shù)交流與協(xié)作。

標(biāo)準(zhǔn)涵蓋整流二極管和晶閘管兩類基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋從家用電器到智能電網(wǎng)、新能源和航空航天，體現(xiàn)高技術(shù)含量與廣泛產(chǎn)業(yè)需求。標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布不僅解決了技術(shù)內(nèi)容與產(chǎn)品發(fā)展脫節(jié)問(wèn)題，更加速了全球功率半導(dǎo)體器件的規(guī)范化測(cè)試方法，提升了中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

這兩項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)將為全球制造商、用戶及第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)在產(chǎn)品研發(fā)、檢測(cè)和應(yīng)用中提供重要依據(jù)，助力提升中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)的整體技術(shù)和質(zhì)量水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體 整理）

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權(quán)威洞察：集邦咨詢分析師深度解析SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

作為本次大會(huì)的重要組成部分，TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕先生受邀出席并發(fā)表了題為《SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)和產(chǎn)業(yè)格局》的主題演講。

圖片來(lái)源：APCSCRM 2025

龔瑞驕先生在演講中，深入剖析了SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)趨勢(shì)，并特別討論了中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展情況。他指出，隨著近些年SiC產(chǎn)能的大規(guī)模擴(kuò)張和技術(shù)升級(jí)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正加速向?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)轉(zhuǎn)向。SiC憑借其優(yōu)異的性能，已逐步在電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用等高壓場(chǎng)景中確立了領(lǐng)導(dǎo)地位。

此外，龔瑞驕先生重點(diǎn)提及了數(shù)據(jù)中心作為SiC的另一大潛力市場(chǎng)。隨著AI芯片功耗的迅速攀升，數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)正轉(zhuǎn)向800V HVDC，SiC在其中扮演著重要角色，尤其是在固態(tài)變壓器（SST）等關(guān)鍵設(shè)備中，SiC將發(fā)揮不可替代的作用。

在產(chǎn)業(yè)格局方面，全球SiC器件市場(chǎng)目前仍由具備強(qiáng)大技術(shù)能力和產(chǎn)能規(guī)模的IDM廠商主導(dǎo)，而中國(guó)廠商則在SiC襯底市場(chǎng)占據(jù)了重要地位，同時(shí)中國(guó)汽車業(yè)者也正積極投資SiC產(chǎn)業(yè)鏈，深度參與模組封裝甚至芯片環(huán)節(jié)。

風(fēng)云際會(huì)：全球產(chǎn)業(yè)精英聚首，共繪寬禁帶未來(lái)

APCSCRM 2025致力于推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合，會(huì)議通過(guò)70余位行業(yè)專家、企業(yè)及高校代表的分享，圍繞SiC、GaN、Ga2O3及金剛石等材料的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)展開(kāi)了深度交流。同期，大會(huì)打造的2300平米專業(yè)展區(qū)吸引了超110家參展單位，集中展示了全球最新的技術(shù)成果與解決方案，構(gòu)建了“政-產(chǎn)-學(xué)-研-用-金”全鏈條開(kāi)放創(chuàng)新生態(tài)。

圖片來(lái)源：APCSCRM 2025

本屆大會(huì)的參展企業(yè)覆蓋了#寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，從上游材料到終端應(yīng)用，展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)協(xié)同態(tài)勢(shì)。

在上游材料領(lǐng)域，多家企業(yè)展示了核心技術(shù)突破。其中，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司作為國(guó)內(nèi)碳化硅單晶襯底領(lǐng)域的佼佼者，展示了其規(guī)模和產(chǎn)品多樣性優(yōu)勢(shì)。專注于第三代半導(dǎo)體SiC液相法晶體研發(fā)的常州臻晶半導(dǎo)體有限公司，已成功研制出大尺寸SiC晶體和晶片，材料品質(zhì)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

此外，深圳中機(jī)新材料有限公司和河南聯(lián)合精密材料股份有限公司則聚焦于硬脆材料的超精密加工環(huán)節(jié)，前者系統(tǒng)展示了針對(duì)碳化硅、砷化鎵、金剛石等材料的磨削、研磨、拋光綜合解決方案，后者致力于為切割、研磨與拋光提供整體解決方案，產(chǎn)品涵蓋精細(xì)磨料、流體磨料等。值得一提的是，會(huì)議期間鄭州航空港區(qū)與超硬材料廠商沃爾德等重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)簽約，進(jìn)一步深化了區(qū)域產(chǎn)業(yè)合作。

圖片來(lái)源：APCSCRM 2025

在先進(jìn)裝備和制程工藝方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局。無(wú)錫先為科技有限公司依托集團(tuán)深厚積累，提供了包括GaN MOCVD和SiC Epi外延設(shè)備在內(nèi)的高端化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備與服務(wù)，其性能已達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平。同時(shí)，國(guó)內(nèi)知名的功率半導(dǎo)體企業(yè)如東微電子等也積極參會(huì)，展示了器件研發(fā)與應(yīng)用落地的最新進(jìn)展。

芯豐精密科技有限公司則聚焦三維堆疊、先進(jìn)封裝等前沿工藝技術(shù)，致力于減薄、環(huán)切、激光切割等設(shè)備與配套材料的研發(fā)創(chuàng)新。萬(wàn)德思諾集團(tuán)也展示了其在提供氧化鎵（第四代半導(dǎo)體）及寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料、設(shè)備和技術(shù)工藝整體解決方案方面的獨(dú)特能力。

為支撐產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)，專業(yè)檢測(cè)、研發(fā)與生態(tài)服務(wù)類企業(yè)同樣表現(xiàn)亮眼。米格實(shí)驗(yàn)室作為專業(yè)科研檢測(cè)平臺(tái)，提供電鏡技術(shù)、材料分析、失效分析等“高質(zhì)量、一站式”服務(wù)。上海澈芯科技有限公司專注于化合物半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備和光刻設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，有效填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的空白。

作為新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，武創(chuàng)芯研科技（武漢）有限公司聚焦自主CAE軟件、芯片封裝工藝可靠性模型開(kāi)發(fā)，提供系統(tǒng)集成化的專業(yè)技術(shù)分析服務(wù)。而協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體有限公司則致力于構(gòu)建泛半導(dǎo)體垂直領(lǐng)域的生態(tài)服務(wù)平臺(tái)，提供生態(tài)資源整合、戰(zhàn)略調(diào)研與行業(yè)營(yíng)銷培訓(xùn)等全方位服務(wù)。

最后，在配套工程服務(wù)領(lǐng)域，武漢華康世紀(jì)潔凈科技股份有限公司展示了其在潔凈技術(shù)全領(lǐng)域應(yīng)用的專業(yè)能力，為半導(dǎo)體、生物制藥等領(lǐng)域提供覆蓋項(xiàng)目全周期的潔凈服務(wù)。

APCSCRM 2025的成功舉辦，有效促進(jìn)了亞太地區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的融合創(chuàng)新與生態(tài)建設(shè)，為全球產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了強(qiáng)勁新動(dòng)能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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根據(jù)公告披露，此次收購(gòu)的核心標(biāo)的包括徐西昌直接持有的龍騰半導(dǎo)體24.81%股權(quán)，同時(shí)徐西昌已同意協(xié)助促成其他股東轉(zhuǎn)讓剩余股權(quán)，最終實(shí)現(xiàn)中聯(lián)發(fā)展控股對(duì)龍騰半導(dǎo)體的全資控股。作為交易的關(guān)鍵前提，該諒解備忘錄僅為合作意向約定，不具備法律約束力，后續(xù)需完成盡職調(diào)查、條款協(xié)商、融資安排等多重流程，方可簽署正式收購(gòu)協(xié)議。

圖片來(lái)源：中聯(lián)發(fā)展控股公告截圖

此次交易的雙方呈現(xiàn)鮮明的行業(yè)跨界特征。資料顯示，中聯(lián)發(fā)展控股是一家主營(yíng)皮革制品制造、時(shí)裝鞋履零售的傳統(tǒng)企業(yè)，2025年中期業(yè)績(jī)顯示，公司實(shí)現(xiàn)收入1787.8萬(wàn)港元，股東應(yīng)占虧損759.8萬(wàn)港元，雖虧損同比收窄20.43%，但主業(yè)增長(zhǎng)乏力的壓力顯著。

被收購(gòu)方龍騰半導(dǎo)體則是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，成立于2009年，作為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，其核心產(chǎn)品涵蓋IGBT、MOSFET等功率器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、儲(chǔ)能、工業(yè)電子等熱門領(lǐng)域，累計(jì)申請(qǐng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)超300項(xiàng)，在國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

此前9月，龍騰半導(dǎo)體推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。

4月，龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A Field Stop Trench IGBT新品，專為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。

功率半導(dǎo)體的核心價(jià)值在于實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換與控制，涵蓋整流、變壓、變頻等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，是所有電力電子設(shè)備的“心臟”。相比傳統(tǒng)電子器件，功率半導(dǎo)體能顯著降低電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的熱能損耗。此外，功率半導(dǎo)體具備高耐壓、大電流承載能力及出色的熱穩(wěn)定性，可在-55℃至175℃的極端工況下穩(wěn)定運(yùn)行，適配工業(yè)控制、新能源汽車等復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景。

隨著新能源汽車800V高壓平臺(tái)加速滲透、工業(yè)變頻與消費(fèi)電子GaN快充普及，疊加AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人、智能電網(wǎng)等新興賽道爆發(fā)式增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換核心器件的剛需屬性持續(xù)凸顯，市場(chǎng)成長(zhǎng)空間進(jìn)一步拓寬。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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