據(jù)悉，雙方此次磋商的核心是功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的整合路徑，目前正在探討多種可行方案，其中最有可能的方案為設(shè)立合資公司，將羅姆與東芝各自的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整體轉(zhuǎn)移至該合資公司，實(shí)現(xiàn)資源集中、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，降低重復(fù)投資成本，強(qiáng)化在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的話(huà)語(yǔ)權(quán)。

公開(kāi)信息顯示，羅姆此前已對(duì)東芝進(jìn)行投資，曾在日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴（JIP）牽頭的東芝私有化收購(gòu)案中出資3000億日元，為雙方此次業(yè)務(wù)整合奠定了基礎(chǔ)。

值得注意的是，今年2月有消息傳出，羅姆已收到汽車(chē)零部件巨頭電裝的收購(gòu)提案，雙方此前已達(dá)成初步戰(zhàn)略合作，電裝還持有羅姆約5%的股份。

業(yè)內(nèi)人士分析，若羅姆與東芝的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整合談判順利推進(jìn)，羅姆將陷入雙重選擇，需在與東芝的業(yè)務(wù)整合方案和電裝的收購(gòu)提案之間做出抉擇，同時(shí)要在企業(yè)價(jià)值提升方案上與電裝展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。功率半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的核心器件，此次整合若落地，將整合雙方技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，助力日本在該領(lǐng)域應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)。

目前，雙方尚未就整合事宜達(dá)成最終協(xié)議，后續(xù)談判進(jìn)展及具體整合方案將持續(xù)受到行業(yè)關(guān)注。此次談判也契合日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省推動(dòng)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合、提升全球競(jìng)爭(zhēng)力的規(guī)劃，日本政府此前已明確表示將為相關(guān)企業(yè)合作提供補(bǔ)貼支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

01、揚(yáng)杰科技：IDM模式全鏈條自主可控，在手訂單飽滿(mǎn)

揚(yáng)杰科技主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件的設(shè)計(jì)、制造與封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域。近期，該公司對(duì)外表示，2026年一季度，得益于A(yíng)I、低空經(jīng)濟(jì)等新興賽道的快速發(fā)展，行業(yè)整體需求及下游景氣度延續(xù)了前一年的良好趨勢(shì)，公司目前出貨量表現(xiàn)良好，在手訂單飽滿(mǎn)。

在產(chǎn)品與業(yè)務(wù)布局上，揚(yáng)杰科技積極推進(jìn)5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅（SiC）等各類(lèi)芯片的研發(fā)與制造，并涵蓋MOSFET、IGBT、SiC系列等封裝器件。

面對(duì)激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，揚(yáng)杰科技的核心優(yōu)勢(shì)在于其采用了IDM（垂直整合制造）模式，實(shí)現(xiàn)了全鏈條的自主可控，不僅保證了產(chǎn)能交付的穩(wěn)定性，也賦予了公司較強(qiáng)的成本優(yōu)化能力。此外，揚(yáng)杰科技通過(guò)旗下MCC品牌成功構(gòu)筑了海外市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，形成了全球化的供應(yīng)鏈布局。

業(yè)界認(rèn)為，揚(yáng)杰科技憑借IDM模式在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域構(gòu)建了堅(jiān)實(shí)的競(jìng)爭(zhēng)護(hù)城河，其對(duì)AI和低空經(jīng)濟(jì)等新興需求的敏銳捕捉，直接轉(zhuǎn)化為了一季度的業(yè)績(jī)動(dòng)力。在半導(dǎo)體行業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)加劇的大環(huán)境下，功率半導(dǎo)體公司仍需持續(xù)加碼研發(fā)投入與工藝升級(jí)，才能在碳化硅等高端第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)中穩(wěn)固其中期發(fā)展的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

02、晶方科技：海內(nèi)外雙輪驅(qū)動(dòng)，加碼氮化鎵與先進(jìn)封裝

晶方科技近年來(lái)大力推進(jìn)全球化戰(zhàn)略與海內(nèi)外雙驅(qū)動(dòng)發(fā)展模式，為應(yīng)對(duì)國(guó)際形勢(shì)與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)的發(fā)展趨勢(shì)，晶方科技于馬來(lái)西亞設(shè)立全資孫公司W(wǎng)AFERTEK，目前該海外生產(chǎn)基地已完成資產(chǎn)交割，正處于廠(chǎng)務(wù)系統(tǒng)與無(wú)塵室裝修施工階段。

在功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心布局上，晶方科技精準(zhǔn)聚焦于車(chē)用高功率氮化鎵（GaN）模塊領(lǐng)域。

通過(guò)控股以色列VisIC公司，晶方科技成功掌握了第三代半導(dǎo)體GaN器件的關(guān)鍵設(shè)計(jì)技術(shù)，目前正重點(diǎn)開(kāi)發(fā)800V以上車(chē)載氮化鎵功率模塊。該產(chǎn)品直擊電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)動(dòng)逆變器對(duì)高功率、高效率的嚴(yán)苛需求。在市場(chǎng)開(kāi)拓方面，公司該業(yè)務(wù)已與全球知名汽車(chē)Tier1廠(chǎng)商達(dá)成合作，產(chǎn)品順利進(jìn)入多家車(chē)企供應(yīng)鏈，全面服務(wù)于新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)升級(jí)，高度契合汽車(chē)智能化與電動(dòng)化的發(fā)展趨勢(shì)。

晶方科技將晶圓級(jí)TSV先進(jìn)封裝技術(shù)作為核心底座，不斷發(fā)掘其在A(yíng)I芯片、自動(dòng)駕駛及數(shù)據(jù)中心等高密度互聯(lián)場(chǎng)景中的潛力。依托該先進(jìn)封裝底座，結(jié)合前沿的GaN功率模塊設(shè)計(jì)，晶方科技打造了獨(dú)有的“封裝+功率”融合平臺(tái)。受益于車(chē)規(guī)級(jí)業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)提升，公司2025年?duì)I收實(shí)現(xiàn)了30.44%的同比增長(zhǎng)，歸母扣非凈利潤(rùn)更是大增51.60%。

03、同惠電子：深耕測(cè)試儀器賽道，完善功率半導(dǎo)體檢測(cè)布局

同惠電子是國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器的領(lǐng)軍企業(yè)，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源、5G通訊等領(lǐng)域。

受功率半導(dǎo)體等下游需求的強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)，近期，同惠電子預(yù)計(jì)2025年有望實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.3億元，同比增長(zhǎng)20%，歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)37%。

針對(duì)功率半導(dǎo)體的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)檢測(cè)及可靠性驗(yàn)證需求，同惠電子進(jìn)行了密集的儀器產(chǎn)品布局。

目前，用于高壓SiC/GaN寬禁帶器件測(cè)試的TH500系列（PIV系統(tǒng)）、TH510系列及TH530系列等高端儀器已進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段。未來(lái)，公司還將推出涵蓋動(dòng)態(tài)特性分析、晶圓老化測(cè)試的TH520、TH560、TH570等多款新品，并正在加緊研發(fā)半導(dǎo)體器件熱阻測(cè)試儀及晶圓KGD測(cè)試系統(tǒng)。

在境外業(yè)務(wù)方面，公司已在德國(guó)慕尼黑設(shè)立全資子公司作為歐洲市場(chǎng)核心試點(diǎn)，以期提升海外營(yíng)收占比，并計(jì)劃未來(lái)將出海模式推廣至東南亞地區(qū)。

同惠電子憑借在電子測(cè)量領(lǐng)域的積淀，抓住了第三代寬禁帶半導(dǎo)體（SiC/GaN）爆發(fā)帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)紅利。其密集推出的高壓、大電流高端測(cè)試設(shè)備，有望支撐國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在核心檢測(cè)環(huán)節(jié)的升級(jí)，疊加其在歐洲市場(chǎng)的戰(zhàn)略性落子與海外營(yíng)收的高速增長(zhǎng)，同惠電子有望在“產(chǎn)品高端化”與“市場(chǎng)全球化”的強(qiáng)勁雙輪驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展。

04、結(jié)語(yǔ)

在功率半導(dǎo)體加速?lài)?guó)產(chǎn)化與行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇的雙重背景下，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體公司正展現(xiàn)出強(qiáng)勁的破局勢(shì)能與發(fā)展韌性。面對(duì)人工智能、新能源汽車(chē)及低空經(jīng)濟(jì)等新興賽道帶來(lái)的海量需求，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)正在器件制造、先進(jìn)封裝以及核心測(cè)試設(shè)備等關(guān)鍵環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)全面突破。未來(lái)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望不斷走向成熟與完善，并在國(guó)際舞臺(tái)上贏(yíng)得更廣闊的市場(chǎng)空間。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

該計(jì)劃的核心目標(biāo)是到2030年，將韓國(guó)下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%大幅提升至20%，標(biāo)志著韓國(guó)已將基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的功率半導(dǎo)體提升至“國(guó)家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施”的高度。

根據(jù)官方發(fā)布的行動(dòng)綱領(lǐng)，此次戰(zhàn)略由光云大學(xué)具相謨（Koo Sang-mo）教授領(lǐng)銜，將采取分階段執(zhí)行的模式。推進(jìn)小組計(jì)劃在2026年上半年完成編制“下一代#功率半導(dǎo)體 技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖”，該路線(xiàn)圖將系統(tǒng)梳理涵蓋材料、工藝、設(shè)計(jì)及代工全產(chǎn)業(yè)鏈的性能指標(biāo)。

隨后，政府將在2026年下半年啟動(dòng)大規(guī)模專(zhuān)項(xiàng)研發(fā)（R&D）項(xiàng)目的規(guī)劃，并同步開(kāi)展相關(guān)法律修訂的政策研討，為產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期穩(wěn)健發(fā)展提供法律保障。

與以往“先研發(fā)技術(shù)、后尋找應(yīng)用”的模式不同，本次五年計(jì)劃強(qiáng)調(diào)“需求導(dǎo)向型”轉(zhuǎn)型。

韓國(guó)政府正研究修訂相關(guān)法律，旨在確保本土研發(fā)的功率半導(dǎo)體能優(yōu)先進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)、高壓直流輸電（HVDC）、人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心、尖端武器系統(tǒng)以及機(jī)器人等關(guān)鍵領(lǐng)域。

具相謨教授在啟動(dòng)儀式上指出，功率半導(dǎo)體作為控制和轉(zhuǎn)換電能的“心臟”，在電氣化和AI算力爆發(fā)的背景下已成為國(guó)家安全的重要組成部分，建立自給自足的生態(tài)系統(tǒng)是韓國(guó)繼存儲(chǔ)半導(dǎo)體之后占據(jù)全球戰(zhàn)略高地的必然選擇。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：上海松江

據(jù)悉，該生產(chǎn)線(xiàn)整合了晶圓鍵合、研磨減薄、激光切割、封裝測(cè)試全流程環(huán)節(jié)，是全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓規(guī)?；慨a(chǎn)的一體化產(chǎn)線(xiàn)，由尼西半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)，作為美商#萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）在華核心生產(chǎn)基地的重要升級(jí)項(xiàng)目，實(shí)現(xiàn)了從晶圓加工到成品測(cè)試的全鏈條高效協(xié)同生產(chǎn)。

35微米超薄晶圓厚度僅為普通頭發(fā)絲直徑的一半，加工難度極高，晶圓厚度降至50微米以下后易脆易損，對(duì)加工精度、應(yīng)力控制等核心技術(shù)提出嚴(yán)苛要求。通過(guò)與設(shè)備供應(yīng)商聯(lián)合攻關(guān)，該產(chǎn)線(xiàn)成功將晶圓加工精度控制在35±1.5微米，采用化學(xué)腐蝕工藝消除92%的研磨應(yīng)力損傷，將碎片率控制在0.1%以?xún)?nèi)；切割環(huán)節(jié)采用定制化激光技術(shù)替代傳統(tǒng)刀片，大幅縮小熱影響區(qū)，切割良率達(dá)到98.5%，攻克了超薄晶圓加工的行業(yè)核心難題。

產(chǎn)線(xiàn)配備全套專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備，其中鍵合機(jī)對(duì)位誤差控制在120微米以?xún)?nèi)，單日產(chǎn)能約400片；研磨機(jī)加工精度達(dá)0.1微米，片內(nèi)厚度偏差小于2微米；激光切割機(jī)切縫寬度僅11微米，相較傳統(tǒng)刀片切割可提升約10%的芯片有效面積利用率；測(cè)試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)出可達(dá)12萬(wàn)顆成品，具備規(guī)模化商業(yè)化生產(chǎn)能力。值得關(guān)注的是，產(chǎn)線(xiàn)中的鍵合、研磨、切割及解鍵合等核心裝備，均由尼西半導(dǎo)體與國(guó)內(nèi)設(shè)備廠(chǎng)商聯(lián)合研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了核心裝備自主可控，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)制造領(lǐng)域的應(yīng)用空白。

該產(chǎn)線(xiàn)的建成投產(chǎn)，將大幅降低功率芯片的導(dǎo)通電阻與熱阻，使載流子通行時(shí)間縮短40%，熱阻較傳統(tǒng)100微米標(biāo)準(zhǔn)晶圓下降60%，配合雙面散熱封裝設(shè)計(jì)，可使模塊熱阻再降30%，功率循環(huán)壽命提升5倍，顯著提升功率器件的能效與散熱性能，主要面向新能源汽車(chē)、5G基站等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景，為國(guó)產(chǎn)功率器件進(jìn)入高壓平臺(tái)、快充等市場(chǎng)提供量產(chǎn)底座。

上海松江官方相關(guān)信息顯示，該產(chǎn)線(xiàn)的落地不僅打破了國(guó)外在超薄晶圓領(lǐng)域的長(zhǎng)期技術(shù)壟斷，更實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝工藝的跨越式升級(jí)，成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)攻堅(jiān)高端領(lǐng)域的關(guān)鍵里程碑，將加速?lài)?guó)產(chǎn)高端功率芯片替代進(jìn)程，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

公開(kāi)資料顯示，尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成立于2007年，是美商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）在中國(guó)設(shè)立的主要半導(dǎo)體生產(chǎn)基地之一，由萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（香港）股份有限公司全資控股，此次產(chǎn)線(xiàn)建成將進(jìn)一步強(qiáng)化其在功率半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，MacMic Europe GmbH作為宏微科技在歐洲設(shè)立的首家全資子公司，將承擔(dān)起區(qū)域市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)、產(chǎn)品銷(xiāo)售、技術(shù)支持及產(chǎn)業(yè)合作等核心職能。

依托杜塞爾多夫的區(qū)位優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步貼近歐洲本地客戶(hù)與合作伙伴，提升市場(chǎng)響應(yīng)速度與服務(wù)能力，助力公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品在歐洲工業(yè)、新能源、汽車(chē)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域的市場(chǎng)滲透，構(gòu)建更為完善的全球化營(yíng)銷(xiāo)與服務(wù)體系。

與此同時(shí)，天眼查App顯示，宏微科技攜手北京懷柔實(shí)驗(yàn)室科技成果轉(zhuǎn)化有限公司等合作方，共同設(shè)立北京宏微懷實(shí)半導(dǎo)體有限公司，該公司注冊(cè)資本約1.4億元，宏微科技為控股主體。新平臺(tái)將聚焦半導(dǎo)體分立器件、集成電路的研發(fā)、設(shè)計(jì)與制造等核心業(yè)務(wù)。

宏微科技成立于2006年，2021年登陸科創(chuàng)板，專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與銷(xiāo)售，核心產(chǎn)品覆蓋IGBT、MOSFET、FRD、SiC（碳化硅）等芯片、分立器件及功率模塊，擁有從芯片設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局。

憑借自主研發(fā)的第七代IGBT芯片、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊及第三代半導(dǎo)體技術(shù)，公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能、工業(yè)控制、家電等領(lǐng)域，持續(xù)推動(dòng)功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。

不久之前，宏微科技向客戶(hù)發(fā)出的“漲價(jià)通知函”顯示，該公司宣布將對(duì)IGBT單管及模塊、MOSFET器件等產(chǎn)品進(jìn)行漲價(jià)，于2026年3月1日起執(zhí)行。

針對(duì)這次漲價(jià)，宏微科技在通知函中指出，當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游核心金屬材料價(jià)格波動(dòng)劇烈，公司產(chǎn)品制造成本大幅攀升。面對(duì)成本上漲壓力，宏微科技將產(chǎn)品質(zhì)量與穩(wěn)定供應(yīng)置于首位，努力通過(guò)優(yōu)化制造工藝、精益運(yùn)營(yíng)效率、提拉產(chǎn)能利用率等方式以緩釋影響。鑒于當(dāng)前的嚴(yán)峻形勢(shì)和成本壓力，經(jīng)公司審慎評(píng)估，決定對(duì)部分產(chǎn)品實(shí)施漲價(jià)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

1、漲價(jià)背后：成本與需求的雙重驅(qū)動(dòng)

華潤(rùn)微自2026年2月1日起對(duì)產(chǎn)品業(yè)務(wù)提價(jià)，幅度10%起。這一漲價(jià)舉措并非孤立事件，而是受到多方面因素的共同影響。

圖片來(lái)源：華潤(rùn)微電子公告截圖

從成本端來(lái)看，華潤(rùn)微表示上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價(jià)格持續(xù)攀升，成為推動(dòng)產(chǎn)品漲價(jià)的重要因素。

業(yè)界指出，晶圓制造和封測(cè)作為功率半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)原材料的依賴(lài)程度極高。原材料價(jià)格的上漲直接導(dǎo)致晶圓制造成本與封測(cè)成本上升，企業(yè)為了維持正常的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)和合理的利潤(rùn)空間，不得不提高產(chǎn)品價(jià)格。

需求端的結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)同樣不容忽視。華潤(rùn)微指出，汽車(chē)電子、儲(chǔ)能、工業(yè)控制、AI服務(wù)器等領(lǐng)域呈現(xiàn)出高景氣度，對(duì)功率半導(dǎo)體的需求持續(xù)旺盛。

此外，國(guó)內(nèi)外同行近期也相繼漲價(jià)，華潤(rùn)微表示這一現(xiàn)象表明功率半導(dǎo)體行業(yè)在經(jīng)歷調(diào)整后已步入回升階段。

2、碳化硅與氮化鎵：第三代半導(dǎo)體的先鋒布局

碳化硅布局方面，華潤(rùn)微最新推出的SiC MOS G4產(chǎn)品，已成功開(kāi)發(fā)出650V/1200V平臺(tái)數(shù)十顆產(chǎn)品，并通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。與上一代產(chǎn)品相比，G4產(chǎn)品在功率密度和轉(zhuǎn)換效率方面有了顯著提升，能夠更好地滿(mǎn)足OBC、AI服務(wù)器電源等高功率密度場(chǎng)景的需求。

在模塊方面，華潤(rùn)微指出基于G4芯片的HPD/DCM/VD3等封裝形式的主驅(qū)模塊已實(shí)現(xiàn)系列化。這些模塊的系統(tǒng)損耗進(jìn)一步降低，部分產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于汽車(chē)領(lǐng)域，為新能源汽車(chē)的性能提升和能效優(yōu)化提供了有力支持。

技術(shù)布局上，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)了650V-2200V全電壓段覆蓋，8吋SiC MOS產(chǎn)品系列持續(xù)豐富。這使得公司在不同應(yīng)用場(chǎng)景下都能提供合適的產(chǎn)品解決方案，增強(qiáng)了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。目前，華潤(rùn)微表示公司在新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的標(biāo)桿客戶(hù)均已穩(wěn)定批量出貨，市場(chǎng)認(rèn)可度不斷提高。

華潤(rùn)微的氮化鎵產(chǎn)品采用了獨(dú)特的雙軌技術(shù)路線(xiàn)。華潤(rùn)微指出，在650V及以上高壓領(lǐng)域，公司采用D-mode技術(shù)路線(xiàn)，依托6吋產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)。G4平臺(tái)大功率工控類(lèi)產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，并啟動(dòng)了下一代G5平臺(tái)研發(fā)，為未來(lái)的技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)品迭代奠定了基礎(chǔ)。

在40V-650V領(lǐng)域，華潤(rùn)微表示公司采用E-mode技術(shù)路線(xiàn)，依托8吋產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)。目前，已有與頭部企業(yè)的合作項(xiàng)目，這表明公司的氮化鎵產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有一定的吸引力和競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)能建設(shè)方面，華潤(rùn)微指出外延中心正式投用，產(chǎn)能穩(wěn)步提升，8吋E-mode外延能力也已打通。這使得公司能夠更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)氮化鎵產(chǎn)品的需求，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。GaN產(chǎn)品具有高效率、低能耗、高頻率、小體積等優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)快充、數(shù)據(jù)中心電源、5G通信電源、伺服電機(jī)、車(chē)載系統(tǒng)、AI供電、機(jī)器人、激光雷達(dá)等領(lǐng)域，市場(chǎng)前景十分廣闊。

03、未來(lái)藍(lán)圖：多元增長(zhǎng)與行業(yè)引領(lǐng)

華潤(rùn)微全面布局了三條業(yè)務(wù)增長(zhǎng)曲線(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)公司的可持續(xù)發(fā)展。

華潤(rùn)微表示，第一曲線(xiàn)是硅基功率半導(dǎo)體，公司依托重慶、深圳12吋產(chǎn)線(xiàn)，融合功率器件與IC，提升模塊化及系統(tǒng)級(jí)方案能力，夯實(shí)基本盤(pán)。通過(guò)不斷優(yōu)化生產(chǎn)工藝和提高產(chǎn)品質(zhì)量，公司在硅基功率半導(dǎo)體領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的市場(chǎng)份額。

第二曲線(xiàn)是第三代半導(dǎo)體，華潤(rùn)微指出要加速SiC、GaN在車(chē)規(guī)、數(shù)據(jù)中心、光伏儲(chǔ)能等高景氣賽道的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)每年?duì)I收保持高速增長(zhǎng)。

第三曲線(xiàn)是高端傳感器及光芯片，華潤(rùn)微表示以具體應(yīng)用場(chǎng)景為驅(qū)動(dòng)，與終端客戶(hù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)，強(qiáng)化產(chǎn)能與制造優(yōu)勢(shì)。三大曲線(xiàn)形成“算能-傳輸-感知”全鏈條生態(tài)，同時(shí)公司計(jì)劃通過(guò)投資并購(gòu)補(bǔ)強(qiáng)產(chǎn)品線(xiàn)，提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力及市占率。

應(yīng)用市場(chǎng)方面，華潤(rùn)微看好汽車(chē)電子與AI人工智能。目前，汽車(chē)電子在公司產(chǎn)品與方案板塊的收入占比約為20%，且呈逐年增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。公司近百款車(chē)規(guī)級(jí)功率器件、IC及模塊產(chǎn)品快速上量，覆蓋電驅(qū)、電源、電控到車(chē)身域全場(chǎng)景，主驅(qū)模塊已實(shí)現(xiàn)批量供貨。未來(lái)，公司將繼續(xù)擴(kuò)大車(chē)規(guī)產(chǎn)品線(xiàn)，深化與核心車(chē)企及Tier 1的合作。

在A(yíng)I人工智能領(lǐng)域，華潤(rùn)微表示實(shí)現(xiàn)端側(cè)與云端協(xié)同發(fā)展。端側(cè)產(chǎn)品覆蓋多場(chǎng)景，傳感器重點(diǎn)布局光學(xué)傳感器等；云端除為服務(wù)器供應(yīng)功率器件外，積極推進(jìn)SiC、GaN在數(shù)據(jù)中心電源中的應(yīng)用驗(yàn)證。隨著AI算力需求激增，相關(guān)業(yè)務(wù)未來(lái)增長(zhǎng)空間廣闊。華潤(rùn)微有望憑借自身優(yōu)勢(shì)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高增長(zhǎng)，成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

本次發(fā)行募集資金將用于特色高壓功率半導(dǎo)體器件及功率集成電路晶圓代工項(xiàng)目，項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)新增月產(chǎn)能6萬(wàn)片，產(chǎn)線(xiàn)將重點(diǎn)聚焦高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)景，投產(chǎn)IGBT、特高壓VDMOS及700V高壓BCD等產(chǎn)品，主要匹配AI數(shù)據(jù)中心大功率電源、特高壓電力設(shè)施、光儲(chǔ)及工業(yè)逆變器、汽車(chē)電子和大型工控電機(jī)等下游領(lǐng)域?qū)Ω邏?、大功率器件的需求，進(jìn)一步豐富公司產(chǎn)品線(xiàn)矩陣，拓寬客戶(hù)覆蓋范圍。

民德電子介紹，公司已通過(guò)控股子公司廣芯微和廣微集成、參股公司晶睿電子和芯微泰克等，完成了功率半導(dǎo)體晶圓材料、芯片設(shè)計(jì)和晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的布局。

目前，廣芯微的量產(chǎn)規(guī)模與客戶(hù)數(shù)量均穩(wěn)步增長(zhǎng)，產(chǎn)出從2025年初的6000片/月快速提升至年末的4萬(wàn)片/月，工藝成熟度及產(chǎn)品良率均獲得下游客戶(hù)的廣泛認(rèn)可，為業(yè)務(wù)進(jìn)一步拓展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

同時(shí)，民德電子指出，當(dāng)前廣芯微的產(chǎn)能規(guī)模較小，既難以形成顯著的規(guī)模成本優(yōu)勢(shì)，也在一定程度上制約了其承接下游優(yōu)質(zhì)客戶(hù)訂單的能力，產(chǎn)能瓶頸已成為業(yè)務(wù)升級(jí)的核心制約因素，急需通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張突破發(fā)展瓶頸，進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)影響力與盈利水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

韓國(guó)計(jì)劃到2030年，將本國(guó)下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%提升至20%，標(biāo)志著韓國(guó)半導(dǎo)體政策從單純支持技術(shù)研發(fā)，轉(zhuǎn)向?qū)⑵涮嵘羾?guó)家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施高度進(jìn)行系統(tǒng)性布局。

按照規(guī)劃，該推進(jìn)小組將分階段推進(jìn)戰(zhàn)略落地：

2026年上半年：完成下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖的編制，系統(tǒng)梳理各重點(diǎn)需求行業(yè)所需的功率半導(dǎo)體性能指標(biāo)，明確涵蓋材料研發(fā)、生產(chǎn)工藝、芯片設(shè)計(jì)、代工制造等全產(chǎn)業(yè)鏈的中長(zhǎng)期研發(fā)方向。

2026年下半年：?jiǎn)?dòng)大規(guī)模研發(fā)項(xiàng)目的規(guī)劃布局，并開(kāi)展相關(guān)制度建設(shè)的專(zhuān)題討論。

除此之外，小組還在積極研究通過(guò)法律修訂、制度完善等方式，保障國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體能夠順利進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)、人工智能數(shù)據(jù)中心、武器系統(tǒng)等公共關(guān)鍵領(lǐng)域，同時(shí)加大人才培養(yǎng)力度，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢人才支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：新潔能公告截圖

新潔能在漲價(jià)函中明確說(shuō)明，此次調(diào)價(jià)的核心原因是近期全球上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價(jià)格大幅攀升，導(dǎo)致公司晶圓代工成本與封測(cè)成本持續(xù)上漲，目前已無(wú)法獨(dú)自承擔(dān)持續(xù)增加的綜合成本。為保障公司可持續(xù)運(yùn)營(yíng)，確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)及服務(wù)質(zhì)量，經(jīng)公司慎重研究后決定實(shí)施本次價(jià)格調(diào)整。

據(jù)悉，新潔能專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體分立器件，核心聚焦MOSFET、IGBT及其模塊，其MOSFET產(chǎn)品覆蓋從負(fù)壓器件到1050V的寬電壓段，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、新能源與工業(yè)應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。

此次漲價(jià)并非個(gè)例，近期英飛凌、士蘭微、宏微科技等多家國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商均發(fā)布了漲價(jià)通知，漲價(jià)產(chǎn)品多集中于MOSFET、IGBT等品類(lèi)，核心原因均與原材料成本上漲、市場(chǎng)需求激增相關(guān)，行業(yè)漲價(jià)共識(shí)逐步形成。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：宏微科技公告截圖

宏微科技成立于2006年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括IGBT、MOSFET、FRD、SiC等芯片、分立器件、模塊等功率半導(dǎo)體器件。公司自產(chǎn)IGBT、FRD、SiC芯片技術(shù)已達(dá)國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

針對(duì)這次漲價(jià)，宏微科技在通知函指出，當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游核心金屬材料價(jià)格波動(dòng)劇烈，公司產(chǎn)品制造成本大幅攀升。面對(duì)成本上漲壓力，宏微科技將產(chǎn)品質(zhì)量與穩(wěn)定供應(yīng)置于首位，努力通過(guò)優(yōu)化制造工藝、精益運(yùn)營(yíng)效率、提拉產(chǎn)能利用率等方式以緩釋影響。鑒于當(dāng)前的嚴(yán)峻形勢(shì)和成本壓力，經(jīng)公司審慎評(píng)估，決定對(duì)部分產(chǎn)品實(shí)施漲價(jià)。

宏微科技表示：“我們深知此次調(diào)價(jià)可能對(duì)貴司業(yè)務(wù)帶來(lái)的影響，對(duì)此深表款意。為最大限度減少波動(dòng)，我司對(duì)口銷(xiāo)售人員將主動(dòng)對(duì)接，詳述調(diào)價(jià)依據(jù)、過(guò)渡安排及個(gè)性化支持方案?！?/p>

稍早之前，華潤(rùn)微、士蘭微、英飛凌等功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商也已向客戶(hù)發(fā)布產(chǎn)品漲價(jià)通知函。

華潤(rùn)微決定自2026年2月1日起，對(duì)公司全系列微電子產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行適度上調(diào)，上調(diào)幅度10%起，后續(xù)將加大研發(fā)與產(chǎn)能投入，攜手合作伙伴維護(hù)產(chǎn)業(yè)鏈可持續(xù)發(fā)展，客戶(hù)服務(wù)團(tuán)隊(duì)將與各合作伙伴密切溝通調(diào)價(jià)相關(guān)事宜。

士蘭微決定自2026年3月1日起，對(duì)旗下小信號(hào)二極管/三極管芯片、溝槽TMBS芯片、MOS類(lèi)芯片等產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)10%，后續(xù)將由業(yè)務(wù)部門(mén)與客戶(hù)一對(duì)一溝通具體調(diào)價(jià)細(xì)節(jié)，保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定供應(yīng)及產(chǎn)品質(zhì)量。

英飛凌則宣布自2026年4月1日起，上調(diào)部分功率開(kāi)關(guān)器件及集成電路（IC）產(chǎn)品價(jià)格。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。