目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用場景滲透。整體來看，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。

功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

從技術(shù)方面來看，9月11日英飛凌宣布，其已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。

12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備，有利于加快全面規(guī)?；慨a(chǎn)并降低產(chǎn)線建設(shè)成本。

從產(chǎn)業(yè)化方面來看，消費(fèi)電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。

在當(dāng)前十分火熱的新能源汽車領(lǐng)域，越來越多的氮化鎵相關(guān)廠商開始探索氮化鎵車用可能性。其中，車載充電機(jī)（OBC）被視為最佳突破點(diǎn)，第一個(gè)符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產(chǎn)品。

AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高，氮化鎵已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。

而在機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)場景，氮化鎵的應(yīng)用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。TI、EPC等持續(xù)推動(dòng)著氮化鎵于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用，并不斷吸引新玩家進(jìn)入。

從市場規(guī)模來看，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報(bào)告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景為核心。

“助燃”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)，為什么是氮化鎵？

從氮化鎵功率器件市場規(guī)模數(shù)據(jù)不難看出，盡管目前功率氮化鎵的主戰(zhàn)場仍然是消費(fèi)電子市場，但未來在汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景的應(yīng)用能見度較高，規(guī)模有望占據(jù)半壁江山。

而在除消費(fèi)電子之外的各類潛力應(yīng)用場景中，以電機(jī)驅(qū)動(dòng)為基礎(chǔ)的機(jī)器人產(chǎn)業(yè)特別是人形機(jī)器人領(lǐng)域是功率氮化鎵當(dāng)前導(dǎo)入進(jìn)度較慢但未來有著廣闊應(yīng)用空間的市場。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，在2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復(fù)合成長率將達(dá)154%。

人形機(jī)器人市場規(guī)模增長的原因是多方面的，包括科技進(jìn)步、市場需求、政策支持等。從技術(shù)方面來看，機(jī)器人的核心系統(tǒng)構(gòu)成包括傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)。這其中，氮化鎵有非常豐富的應(yīng)用場景，包括電機(jī)控制、激光雷達(dá)系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池BMS等。

人形機(jī)器人的動(dòng)力核心是電機(jī)與電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是電機(jī)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效控制的關(guān)鍵，這也是電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的最主要原因。氮化鎵技術(shù)導(dǎo)入電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片后，為機(jī)器人驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了更高的能效比、更優(yōu)的熱管理和更合理化的設(shè)計(jì)。

具體來看，氮化鎵器件的應(yīng)用，提升了系統(tǒng)整體效率、減輕了重量和體積、延長了機(jī)器人使用壽命并增強(qiáng)其在各種工作環(huán)境中的可靠性。

而在激光雷達(dá)系統(tǒng)中，使用氮化鎵器件與使用傳統(tǒng)的硅器件相比，展現(xiàn)出了更快的響應(yīng)速度和更低的功耗，使得雷達(dá)系統(tǒng)能夠以更窄的脈沖寬度、更大的峰值電流和更高的功率運(yùn)行，從而顯著提升圖像的分辨率和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

整體來看，氮化鎵功率器件正在機(jī)器人的運(yùn)動(dòng)、感官等重要零部件發(fā)揮作用，推動(dòng)機(jī)器人的普及應(yīng)用。

部分功率器件大廠進(jìn)軍機(jī)器人領(lǐng)域

在機(jī)器人產(chǎn)業(yè)氮化鎵應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)下，TI、EPC、納微、東漸氮化鎵等企業(yè)圍繞機(jī)器人應(yīng)用開始了在氮化鎵業(yè)務(wù)方面的新一輪群雄逐鹿，并各自取得了一定的成果。

TI在今年7月推出了適用于電機(jī)集成式伺服驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人應(yīng)用的48V、850W小型三相氮化鎵逆變器參考設(shè)計(jì)TIDA-010936。同月，東漸氮化鎵與海神機(jī)器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)新一代高性能芯片，以推進(jìn)智慧物業(yè)管理機(jī)器人場景應(yīng)用。

8月在PCIM Asia 2024展會(huì)上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件采用了氮化鎵技術(shù)。

10月，納微半導(dǎo)體正式發(fā)布了新一代高度集成的氮化鎵功率芯片GaNSlim系列，納微開啟進(jìn)入48V AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和機(jī)器人市場。

此外，今年國內(nèi)也有一起工業(yè)機(jī)器人搭載氮化鎵技術(shù)的案例落地——新工綠氫在年初推出自主研發(fā)設(shè)計(jì)的“天工一號”自動(dòng)駕駛充電機(jī)器人。

總結(jié)

盡管目前已有不少氮化鎵相關(guān)廠商涉足機(jī)器人領(lǐng)域，但短期內(nèi)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人場景的應(yīng)用仍然面臨挑戰(zhàn)。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料，氮化鎵的制備成本較高，這主要是由于其制備過程需要昂貴的原材料和設(shè)備，以及較高的能耗。如何降低氮化鎵的制備成本，提高其市場競爭力，是氮化鎵市場應(yīng)用當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)之一；此外，如何提高氮化鎵器件的穩(wěn)定性和壽命，確保其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性，也是當(dāng)前研究的重點(diǎn)。

隨著成本的進(jìn)一步下探以及可靠性持續(xù)提升，氮化鎵技術(shù)將向AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、機(jī)器人等要求更嚴(yán)苛的領(lǐng)域進(jìn)一步滲透。

長遠(yuǎn)來看，機(jī)器人特別是人形機(jī)器人的大規(guī)模應(yīng)用，將使人們的生活更加便捷和舒適，未來發(fā)展?jié)摿薮?，前景是光明的。隨著人形機(jī)器人市場規(guī)模的持續(xù)增長，氮化鎵產(chǎn)業(yè)有望吃到又一波紅利。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過驗(yàn)證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡化了入門流程，并顯著降低了設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間。

通過將經(jīng)過驗(yàn)證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)規(guī)則、控制計(jì)劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實(shí)現(xiàn)了更快的原型制作、更簡便的設(shè)計(jì)評估和更短的市場上市時(shí)間。該平臺(tái)為客戶提供了競爭優(yōu)勢，允許設(shè)計(jì)師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時(shí)比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達(dá)九個(gè)月實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺(tái)在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時(shí)，減小了活動(dòng)區(qū)域設(shè)計(jì)單元尺寸。XSICM03平臺(tái)憑借穩(wěn)健的設(shè)計(jì)規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過驗(yàn)證的工藝模塊，平臺(tái)確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評論道：“通過其簡化的方法，我們的下一代工藝平臺(tái)滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對高性能SiC器件日益增長的需求。公司通過加速原型制作和設(shè)計(jì)評估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時(shí)間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團(tuán)隊(duì)依托納米金屬燒結(jié)材料與封裝設(shè)備研發(fā)基礎(chǔ)，開發(fā)了全系列銀/銅燒結(jié)材料與配套解決方案。其中，具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的銀燒結(jié)產(chǎn)品已通過車規(guī)級認(rèn)證并形成批量訂單，銅燒結(jié)產(chǎn)品已向國內(nèi)外眾多頭部客戶提供制樣并完成驗(yàn)證。

據(jù)悉，銀/銅燒結(jié)工藝是以碳化硅為代表的高性能功率器件芯片封裝的核心技術(shù)，技術(shù)門檻較高。此次融資完成后，清連科技將進(jìn)一步提升銀/銅燒結(jié)產(chǎn)品與設(shè)備的量產(chǎn)能力，加速客戶服務(wù)中心建設(shè)。

值得一提的是，近期還有另外一家碳化硅銀燒結(jié)技術(shù)相關(guān)廠商完成了新一輪融資。

10月22日，據(jù)中科光智官微消息，中科光智完成了A+輪融資，融資金額為數(shù)千萬元人民幣，由重慶科技創(chuàng)新投資集團(tuán)有限公司控股（持股比例99%）子公司重慶科創(chuàng)長嘉私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資。

2024年上半年，中科光智研發(fā)出高精度全自動(dòng)貼片機(jī)、納米銀壓力燒結(jié)機(jī)兩款碳化硅芯片封裝工藝設(shè)備，均已進(jìn)入市場驗(yàn)證階段。銀燒結(jié)技術(shù)用于電力電子功率模塊、碳化硅器件封裝等，能夠顯著提高這些器件的可靠性、效率和壽命。

值得關(guān)注的是，清連科技本輪融資新增股東之一的哈勃科技（哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司）為華為投資控股有限公司全資子公司，投資領(lǐng)域?yàn)榈谌雽?dǎo)體（碳化硅）、EDA工具、芯片設(shè)計(jì)、激光設(shè)備、半導(dǎo)體核心材料等多個(gè)領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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在此背景下，國內(nèi)外功率器件大廠圍繞碳化硅芯片開始了新一輪角逐，市場上不時(shí)傳出各類利好消息。近日，美國商務(wù)部表示，已與德國汽車零部件供應(yīng)商博世（Bosch）達(dá)成初步協(xié)議，將為博世在加州的碳化硅功率半導(dǎo)體工廠興建計(jì)劃，提供多達(dá)2.25億美元（約16.38億人民幣）的補(bǔ)貼。

據(jù)悉，美國商務(wù)部將以這筆補(bǔ)貼支持博世將在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元（約138.33億人民幣），把制造設(shè)施轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體工廠的計(jì)劃。博世預(yù)期，這座半導(dǎo)體工廠2026年起將以200毫米（8英寸）晶圓生產(chǎn)芯片。美國商務(wù)部稱，博世這座工廠產(chǎn)能全開時(shí)，在全美碳化硅芯片制造產(chǎn)能中的占比將超過40%。

博世持續(xù)蓄力碳化硅

隨著碳化硅在汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)，作為全球第一大汽車零部件及系統(tǒng)供應(yīng)商，博世早在2019年就開始探索碳化硅車用業(yè)務(wù)。

2021年底，博世開始在德國羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應(yīng)用于電動(dòng)和混動(dòng)汽車的電力電子器件中。目前，博世針對該工廠的規(guī)劃已經(jīng)過多次修改，投資金額和產(chǎn)能不能提升。

近年來，博世在全球范圍內(nèi)持續(xù)加碼碳化硅布局，尤其是中國和美國兩個(gè)大市場。

隨著中國新能源汽車市場的火熱發(fā)展，博世在2023年1月12日與蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會(huì)簽署投資協(xié)議，并宣布在蘇州投資建立博世新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地。

據(jù)悉，博世計(jì)劃在未來幾年內(nèi)累計(jì)向該項(xiàng)目投資約70億人民幣。項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)方向則將圍繞新能源汽車核心部件，包括商用車電動(dòng)化所需的配備了新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品。

隨后在2023年8月，博世表示，其已經(jīng)收購了加州芯片制造商TSI Semiconductors，將在美國建立碳化硅芯片制造基地。隨著博世在美國獲得補(bǔ)貼，并開始碳化硅芯片工廠建設(shè)計(jì)劃，該公司碳化硅芯片產(chǎn)能有望進(jìn)一步提升。

值得關(guān)注的是，博世位于加州羅斯維爾市的碳化硅工廠將生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片，將推動(dòng)博世成為碳化硅功率器件領(lǐng)域又一家轉(zhuǎn)型8英寸的廠商。

8英寸碳化硅芯片投產(chǎn)潮來襲

TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時(shí)，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

由于8英寸有利于降低碳化硅器件成本，在碳化硅產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈的情況下，包括意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國際功率器件大廠以及士蘭微、方正微電子等國內(nèi)廠商都在致力于通過8英寸轉(zhuǎn)型降本增效，提升競爭力。

國際廠商方面，作為全球碳化硅襯底龍頭，Wolfspeed是目前少有的已量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的廠商。今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美國紐約的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達(dá)到了20%。

意法半導(dǎo)體則計(jì)劃在2025年將碳化硅產(chǎn)品全面升級為8英寸。為達(dá)成這一目標(biāo)，意法半導(dǎo)體與三安光電合資在重慶建設(shè)8英寸碳化硅器件廠，目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中，預(yù)計(jì)2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)。

英飛凌則在今年8月宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

安森美位于韓國富川的碳化硅晶圓廠已于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過渡到8英寸生產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。

羅姆在日本福岡縣筑后工廠的碳化硅新廠房已于2022年開始量產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)將切換為8英寸晶圓產(chǎn)線。按照羅姆的規(guī)劃，其預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。

為順應(yīng)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢，三菱電機(jī)位于熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運(yùn)營。該工廠的運(yùn)作日期將從2026年4月變更為2025年11月。

國內(nèi)企業(yè)中，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項(xiàng)目已進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)；芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗(yàn)線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計(jì)劃今年四季度正式開始向客戶送樣，2025年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)；方正微電子當(dāng)前有兩個(gè)Fab，其中，F(xiàn)ab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2024年底通線。

從上述各大廠商的8英寸發(fā)展規(guī)劃可以看出，2025年有望成為8英寸碳化硅器件密集投產(chǎn)期，進(jìn)而推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全面進(jìn)入8英寸時(shí)代。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開工建設(shè)。據(jù)稱項(xiàng)目將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)能75萬片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，預(yù)計(jì)明年可以達(dá)到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該項(xiàng)目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備，擴(kuò)建全球首個(gè)6英寸（150mm）InP生產(chǎn)線，以擴(kuò)大InP器件的規(guī)?；a(chǎn)。

6英寸InP晶圓（ source：Coherent）

據(jù)悉，今年3月，Coherent宣布已建立全球首個(gè)6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設(shè)了6英寸InP產(chǎn)能，未來將實(shí)現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費(fèi)電子及可穿戴設(shè)備用先進(jìn)傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用場景。

Coherent預(yù)期在未來幾年，InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢，鞏固其在通信和傳感領(lǐng)域的可持續(xù)競爭力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）與砷化鎵（GaAs）領(lǐng)域都有不同程度進(jìn)展。

·碳化硅領(lǐng)域

2024年4月，Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金，用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體（分別為碳化硅和單晶金剛石）的商業(yè)化。

9月26日，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。

·砷化鎵領(lǐng)域

9月27日，為簡化運(yùn)營，Coherent將其位于英國北部達(dá)勒姆郡牛頓艾克利夫（Newton Aycliffe,County Durham）的晶圓廠出售給了英國政府，售價(jià)為2000萬英鎊。

Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國防領(lǐng)域制造III-V族化合物半導(dǎo)體射頻微電子和光電子器件，生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機(jī)等軍事技術(shù)的砷化鎵半導(dǎo)體。

Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示：“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡化運(yùn)營努力的一部分，這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長期增長和盈利能力的領(lǐng)域?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）

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本次增資完成后，中車時(shí)代半導(dǎo)體仍為株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司控股子公司，后者持股比例由96.1680%變更為77.7771%。

具體來看，中車時(shí)代半導(dǎo)體新引入的股東陣容包括株洲國投、上汽集團(tuán)、南方電網(wǎng)、陽光電源、國家能源集團(tuán)、山東能源集團(tuán)、華電集團(tuán)、三峽、國電投、陽光電源、國新發(fā)展、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期等。

中車時(shí)代半導(dǎo)體成立于2019年1月，已成為國際少數(shù)同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式企業(yè)代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。

除本次增資外，中車時(shí)代半導(dǎo)體今年還相繼完成2輪融資。3月22日，據(jù)“科創(chuàng)板日報(bào)”消息，高科集團(tuán)參股公司株洲中車時(shí)代高新投資有限公司（以下簡稱：時(shí)代投資）參與的基金完成對中車時(shí)代半導(dǎo)體6.3億元人民幣的戰(zhàn)略投資，其中時(shí)代投資出資4700萬元。

而在今年4月，中車時(shí)代半導(dǎo)體完成新一輪融資，常州市產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙）參股子基金電投融合創(chuàng)新（常州）股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）成功投資中車時(shí)代半導(dǎo)體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：順義科創(chuàng)

據(jù)悉，2021年12月15日，瑞能微恩半導(dǎo)體科技（北京）有限公司在順義落地，租用科創(chuàng)芯園壹號建設(shè)“6英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目”；2022年9月7日，項(xiàng)目正式開工建設(shè)。

該項(xiàng)目總投資9.26億元，租賃面積3.08萬平方米，將建設(shè)6吋車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地。

后續(xù)，項(xiàng)目將進(jìn)入全面機(jī)電安裝階段，預(yù)計(jì)2025年1月完成設(shè)備入場，3月完成設(shè)備調(diào)試，6月正式投產(chǎn)，將生產(chǎn)車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓，年產(chǎn)能12萬片。

瑞能微恩半導(dǎo)體科技（北京）有限公司由瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司100%持股（下文簡稱“瑞能半導(dǎo)體”）。據(jù)官網(wǎng)介紹，瑞能半導(dǎo)體成立于2015年，公司主要產(chǎn)品包括碳化硅器件、晶閘管、快恢二極管、IGBT、模塊等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。（來源：順義科創(chuàng)、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：江蘇姜堰

據(jù)悉，該項(xiàng)目由上海弗昂元科技有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資1.15億元，租用廠房約9200㎡，主要從事碳化硅模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，目前，碳化硅模塊正在加速“上車”，近期已有多家碳化硅功率器件相關(guān)廠商披露了車用業(yè)務(wù)最新進(jìn)展，包括國揚(yáng)電子、意法半導(dǎo)體、華潤微等。

11月27日，據(jù)國基南方官微消息，其控股（持股比例67.4007%）子公司國揚(yáng)電子近日收到國內(nèi)重點(diǎn)車企量產(chǎn)定點(diǎn)函，將為該車企批量配套車規(guī)級塑封碳化硅（SiC）功率部件。

隨后在12月3日，意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)達(dá)成了一項(xiàng)多年期協(xié)議——作為雙方在Amper超高效電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)逆變器電源盒方面合作的一部分，從2026年開始，意法半導(dǎo)體將為雷諾集團(tuán)供應(yīng)碳化硅功率模塊。其中，Ampere是由意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)共同打造的電動(dòng)汽車智能制造商。后續(xù)，Ampere與意法半導(dǎo)體將共同優(yōu)化功率模塊。

與此同時(shí)，華潤微接受投資機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，其碳化硅二極管、碳化硅MOSFET產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)批量供貨，同時(shí)碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段，相關(guān)產(chǎn)品正在圍繞新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域全面推廣上量。

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金（約666億人民幣）。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：采埃孚官微

據(jù)介紹，沈陽電驅(qū)動(dòng)工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機(jī)、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺(tái)持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。

截至目前，采埃孚在中國共有三家電驅(qū)動(dòng)工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動(dòng)技術(shù)（杭州）有限公司二期項(xiàng)目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏電驅(qū)動(dòng)橋總成和減速器產(chǎn)品。在此期間，采埃孚電驅(qū)動(dòng)科技（沈陽）有限公司新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)制造項(xiàng)目竣工，產(chǎn)品覆蓋電機(jī)、電控和電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的生產(chǎn)裝配以及測試。近日開業(yè)的采埃孚電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（沈陽）有限公司是采埃孚在華第三家電驅(qū)動(dòng)生產(chǎn)基地。

在車用碳化硅業(yè)務(wù)方面，去年4月，采埃孚和意法半導(dǎo)體共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。

根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向意法半導(dǎo)體采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu)，這些SiC器件將集成到該平臺(tái)中。

而在今年6月，采埃孚開始與NXP Semiconductors NV（恩智浦半導(dǎo)體）合作，為電動(dòng)汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅的下一代牽引逆變器解決方案，該解決方案旨在加速800V平臺(tái)和SiC功率器件的推廣應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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