source：世紀金芯

據(jù)介紹，世紀金芯采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度，并通過多次優(yōu)化數(shù)據(jù)庫參數(shù)，準確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩(wěn)定性在90%以上。

世紀金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，結(jié)合8英寸晶體生長的熱場結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝特性，在高穩(wěn)定性長晶爐的基礎(chǔ)上，采取了獨特的保溫設(shè)計和先進的熱場分區(qū)結(jié)構(gòu)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數(shù)變化量，獲得可重復(fù)性穩(wěn)定參數(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性，突破了大尺寸、低應(yīng)力等SiC晶體制備關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)稱，世紀金芯開發(fā)的8英寸SiC單晶生長技術(shù)可重復(fù)生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8英寸加工線也同步建成，將配套8英寸單晶生長，通過進一步優(yōu)化工藝，預(yù)期世紀金芯的8英寸SiC晶錠厚度將達到20mm以上。

世紀金芯自2019年12月成立以來，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)與生產(chǎn)，已經(jīng)解決了高純SiC粉料提純技術(shù)、6英寸SiC單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。

2022年9月，世紀金芯年產(chǎn)3萬片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產(chǎn)，能在一定程度上緩解國內(nèi)大直徑導(dǎo)電型SiC單晶襯底供應(yīng)緊缺局面。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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資料顯示，世紀金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)與生產(chǎn)，已經(jīng)解決了高純SiC粉料提純技術(shù)、6英寸SiC單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。

世紀金芯母公司北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司前身為中原半導(dǎo)體研究所，始建于1970年。公司先后承擔科研任務(wù)80多項，取得國家專利超百項。目前已完成從SiC功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應(yīng)用開發(fā)和解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)世紀金芯介紹，通過不斷創(chuàng)新及自主研發(fā)，公司產(chǎn)品覆蓋6英寸、8英寸的SiC襯底片，目前公司合肥工廠已正式投產(chǎn)，包頭年產(chǎn)70萬片8英寸SiC襯底片工廠正在建設(shè)中，預(yù)計2024年底一期項目正式投產(chǎn)。

值得一提的是，2022年9月9日，世紀金芯年產(chǎn)3萬片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，該項目是世紀金光聯(lián)合合肥市高新區(qū)、合肥產(chǎn)投集團共同打造SiC功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的一期項目，總投資4.05億元，占地面積7200平方米，歷時11個月實現(xiàn)由工程建設(shè)進入生產(chǎn)運營。該項目投產(chǎn)，可有效緩解國內(nèi)大直徑導(dǎo)電型SiC單晶襯底供應(yīng)緊缺局面。

另據(jù)了解，湖南S公司成立時就專業(yè)從事化合物半導(dǎo)體制造，擁有國內(nèi)首條6英寸SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。與湖南S公司達成戰(zhàn)略合作，有助于世紀金芯獲得SiC先進技術(shù)加持和產(chǎn)能保障。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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