據(jù)悉，中微公司此次簽約的微觀加工設備研發(fā)中心項目，將擴大在南昌高新區(qū)的研發(fā)投入力度。

項目重點聚焦于多個關鍵領域，包括用于先進封裝產(chǎn)業(yè)半導體制造相關設備與工藝的開發(fā)、第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）功率器件相關制造設備與工藝的開發(fā)、Micro LED用MOCVD設備應用推廣以及Mini LED用MOCVD設備性能提升等。這些研發(fā)方向不僅契合當前半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，也體現(xiàn)了中微公司在高端微觀加工設備領域的技術實力和戰(zhàn)略布局。

公開資料顯示，在第三代半導體領域，中微公司已經(jīng)取得了顯著進展。據(jù)悉，中微公司推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設備PrismoPD5，目前已交付國內(nèi)外領先客戶進行生產(chǎn)驗證，并取得了重復訂單；其中微公司啟動了SiC功率器件外延生產(chǎn)設備的開發(fā)，并取得了較大的技術進展。公司已將樣機付運至客戶端開展生產(chǎn)驗證，并正與多家客戶正在推進合作。

source：中微半導體（圖為中微半導體MOCVD設備）

值得關注的是，據(jù)中微公司2024年年度業(yè)績快報公告，公司2024年營業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，刻蝕設備銷售約72.77億元，同比增長約54.73%；MOCVD設備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%；LPCVD設備2024年實現(xiàn)首臺銷售，全年設備銷售約1.56億元。

2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤約16.26億元，較上年同期減少8.93%。凈利潤下降的主要原因是2024年公司研發(fā)投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為27.05%。

據(jù)成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，在今年更早的2月18日，中微公司與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。中微公司將設立全資子公司——中微半導體設備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關設備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學氣相沉積設備、原子層沉積設備及其他關鍵設備。

同時，中微公司還將建設研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。項目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計劃購地約50余畝，用于建設研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設施，以滿足量產(chǎn)需求。項目擬于2025年啟動建設，2027年正式投入生產(chǎn)。（集邦化合物半導體 王琪 整理）

中微公司介紹，等離子體刻蝕機，是光刻機之外，最關鍵的、也是市場最大的微觀加工設備。由于微觀器件越做越小和光刻機的波長限制，也由于微觀器件從二維到三維發(fā)展，刻蝕機是半導體設備過去十年增長最快的市場。

中微公司不斷拓展等離子體刻蝕設備產(chǎn)品線，以滿足先進的芯片器件制造日益嚴苛的技術需求。中微公司的等離子體刻蝕設備不斷擴大市場占有率，其中，CCP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于37%，已突破4000個反應臺；ICP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于100%，已突破1000個反應臺。

截至2025年2月底，公司累計已有超過5400個反應臺在國內(nèi)外130多條生產(chǎn)線，全面實現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復性銷售。中微公司表示，這一重要里程碑標志著公司在等離子體刻蝕設備領域持續(xù)得到客戶與市場的廣泛認可，并彰顯了公司在等離子體刻蝕領域已進入國際前列。（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

公告顯示，投資標的中微半導體設備（成都）有限公司將于2025年2月成立，注冊資本1億元。該項目用地約50畝，建設包含研發(fā)中心、生產(chǎn)基地和配套設施。項目計劃2025年開工，2027年投入生產(chǎn)，2025年至2030年期間，項目總投資約30.5億元。

中微公司表示，項目公司將面向高端邏輯及存儲芯片，開展化學氣相沉積設備、原子層沉積設備及其他關鍵設備的研發(fā)和生產(chǎn)工作。項目的實施將有助于公司擴展集成電路設備業(yè)務范圍，增強技術研發(fā)能力，提升市場占有率。

與此同時，中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績預告。其預計2024年實現(xiàn)營收約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，2024年刻蝕設備銷售約72.76億元，同比增長約54.71%；MOCVD設備銷售約3.79億元，同比下降約18.11%；LPCVD薄膜設備2024年實現(xiàn)首臺銷售，全年設備銷售約1.56億元。

中微公司預計2024年度實現(xiàn)歸母凈利潤為15.00-17.00億元；預計2024年度實現(xiàn)歸母扣非凈利潤為12.80億元至14.30億元，同比增加約7.43%至20.02%。

關于業(yè)績預增原因，中微公司表示，其近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備，目前已有多款新型設備產(chǎn)品進入市場并獲得重復性訂單。其中，LPCVD薄膜設備累計出貨量已突破100個反應臺，其他多個關鍵薄膜沉積設備研發(fā)項目正在順利推進；EPI設備已順利進入客戶端量產(chǎn)驗證階段。此外，其在Micro-LED和高端顯示領域的MOCVD設備開發(fā)上取得了良好進展，并積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應用的市場。

值得一提的是，半導體設備廠商盛美上海也在14日發(fā)布了2024年業(yè)績預告。2024年，盛美上海預計實現(xiàn)營收56-58.8億元，同比增長44.02%-51.22%。（集邦化合物半導體Zac整理）

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天眼查資料顯示，超微半導體設備（上海）有限公司于11月22日成立，法定代表人為中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯，注冊資本4250萬人民幣，經(jīng)營范圍為半導體器件專用設備銷售、電子專用設備銷售、專用設備修理。

股東信息顯示，超微半導體設備（上海）有限公司由中微半導體設備（上海）股份有限公司、嘉興聚微投資管理合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

天眼查資料顯示，紹興交匯先鋒集成電路股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）于11月14日成立，出資額6.2億元人民幣，經(jīng)營范圍為以私募基金從事股權投資、投資管理、資產(chǎn)管理等活動。

合伙人信息顯示，該基金由交通銀行旗下交銀金融資產(chǎn)投資有限公司、交銀資本管理有限公司、芯聯(lián)集成及旗下芯聯(lián)股權投資（杭州）有限公司共同出資。其中，芯聯(lián)集成出資比例為9.9677%，為第二大股東。

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，今年下半年以來，包括北方華創(chuàng)、揚杰科技、江豐電子、中車時代半導體、宏微科技、拓荊科技等在內(nèi)，已有多家碳化硅相關廠商相繼成立了多家新公司。

其中，江豐電子全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設備及元器件制造；光伏設備及元器件銷售；電子專用設備銷售；電子專用設備制造等。

時代電氣旗下中車時代半導體全資成立了合肥中車時代半導體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。

揚杰科技全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設計及服務、電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、新材料技術研發(fā)等。（集邦化合物半導體Zac整理）

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中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用

8月2日，據(jù)中微公司官微消息，中微公司宣布其臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用。據(jù)悉，中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地占地約157畝、總建筑面積約18萬平方米，配備實驗室、潔凈室、生產(chǎn)車間及智能化立體倉庫等設施，可實現(xiàn)生產(chǎn)全程數(shù)字化、智能化管理。

source：中微公司

項目進展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產(chǎn)研發(fā)基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產(chǎn)和研發(fā)基地總面積將達到約45萬平方米。

業(yè)務進展方面，中微公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD設備等領域均取得了突破。在刻蝕設備領域，憑借刻蝕設備雙臺機技術，中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念，其刻蝕精度已經(jīng)達到100“皮米”以下水平，相當于頭發(fā)絲350萬分之一的精準度，能夠滿足90%以上的刻蝕應用需求。

半導體薄膜沉積設備領域，中微公司推出了Preforma Uniflex? CW、Preforma Uniflex? HW、Preforma Uniflex? AW等多款新產(chǎn)品。此外，其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設備等多款新產(chǎn)品，也會在近期投入市場驗證。

在MOCVD設備領域，中微公司自推出第一代MOCVD設備PRISMO A7?以來，不斷豐富產(chǎn)品線且快速升級迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設備領域，中微公司的市場占有率穩(wěn)居前列，并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設備。

總投資33.87億元，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)落成

8月4日，據(jù)“珠海高新區(qū)”官微消息，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)落成暨設備進機儀式于8月3日舉行。

source：珠海高新區(qū)

據(jù)了解，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)總投資33.87億元。此次實現(xiàn)設備進機的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地主體工程項目——華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)化合物半導體微波集成電路（MMIC）及VCSEL芯片，建成后將成為廣東省內(nèi)首家砷化鎵代工廠，預計今年11月竣工驗收并工藝通線、2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。該項目于2023年7月正式開工，僅用時184天便實現(xiàn)項目主體封頂。

資料顯示，華芯微電子是華芯（珠海）半導體有限公司（以下簡稱珠海華芯）全資子公司，后者是一家半導體集成電路產(chǎn)品與服務供應商。珠海華芯擁有外延金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）設備、芯片工藝設備和封裝設備等，主要從事尖端化合物半導體光電子芯片及其應用產(chǎn)品的研究、開發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品為高亮度LED、藍綠光半導體激光管、垂直腔面發(fā)射（VCSEL）光子芯片、DFB光子芯片、EML光子芯片以及高亮度半導體激光芯片等。

艾銳光電化合物半導體平臺項目二期主體廠房封頂

8月1日，據(jù)“日照開發(fā)區(qū)發(fā)布”官微消息，艾銳光電化合物半導體平臺項目2#廠房主體結構7月31日順利封頂。據(jù)介紹，主體封頂后，該項目擬計劃于近幾個月將后期的填充墻砌筑，內(nèi)外墻裝飾抹灰，樓、地面及門窗安裝和保溫涂料工程全部完成。

source：日照開發(fā)區(qū)發(fā)布

據(jù)悉，該項目總投資約2.6億元。一期投資1.4億元，建設MOCVD（金屬有機氣相外延）、MBE（分子束外延）生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)2英寸和3英寸磷化銦外延片，預計年產(chǎn)量約5000片；二期投資1.2億元，以一期項目磷化銦外延片為原料，新上芯片處理設備，進行激光器封裝及光模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)，形成300萬TO-CAN光器件、100萬光模塊的年產(chǎn)能。

據(jù)介紹，艾銳光電還計劃新上測試臺，ATE功能測試系統(tǒng)近20套，形成6條組裝生產(chǎn)線，達到年組裝36萬個光模塊的產(chǎn)能。

作為一家光組件及芯片研發(fā)商，艾銳光電集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，為用戶提供光通信及傳感用激光芯片、光器件、組件及光模塊，以及光組件、模塊產(chǎn)品的設計方案和技術服務。艾銳光電以基于啁啾控制的高速DML激光器技術為切入點，研發(fā)10G DML激光器、25G DFB/FP等產(chǎn)品，面向10G-PON、NGPON2、5G無線前傳、及100G數(shù)據(jù)中心等市場。（來源：LEDinside）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

昌龍智芯半導體揭牌啟動

近日，昌龍智芯半導體舉行了首次董事會暨揭牌儀式。公司一期將投資6000萬元，用于設計團隊搭建和前期研發(fā)、運營、營銷。二期預備投資5億元到10億元，用于器件制造生產(chǎn)線建設和產(chǎn)品開發(fā)制造。

據(jù)悉，昌龍智芯半導體是銘鎵半導體的下游企業(yè)，主營業(yè)務為高端功率半導體芯片與器件，包括新材料氧化鎵功率芯片研發(fā)，高壓硅基、SiC基功率芯片MOSFET和IGBT設計、研發(fā)與銷售。

值得一提的是，2022年底，銘鎵半導體使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產(chǎn)業(yè)化公司。

2024年以來，銘鎵半導體先后引進氧化鎵產(chǎn)業(yè)上下游兩家企業(yè)總部落地順義，上游引進了圓坤（北京）半導體裝備有限公司，下游引進了氧化鎵高端功率器件設計與制造公司，并聯(lián)合順義現(xiàn)有模組電路企業(yè)創(chuàng)元成業(yè)進行產(chǎn)品驗證，組成國內(nèi)第一條氧化鎵專業(yè)生長設備——晶體外延材料——功率器件——電路驗證一體化聯(lián)合體。此次引入的昌龍智芯半導體是功率芯片器件設計企業(yè)，后期將制備打樣流片。

中微廣州正式開業(yè)

3月25日，中微公司全資子公司中微廣州于廣州市增城經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)舉行開業(yè)慶典，正式投入運營。中微廣州將服務華南地區(qū)的重要客戶，成為中微公司戰(zhàn)略布局的重要組成部分。

隨著全資子公司中微廣州正式啟動運營，中微公司的市場拓展能力有望進一步提升，進而在一定程度上推動業(yè)績增長。

2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收約62.64億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元，同比增加29.58%。

關于業(yè)績增長原因，中微公司表示，營收較上年同期增長32.15%，主要系受益于半導體設備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢；而營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%，主要原因為2023年收入增長和毛利維持較高水平。

作為一家設備廠商，中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工微米級和納米級的各種器件。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶先進工藝的眾多刻蝕應用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。

值得注意的是，中微公司開發(fā)的包括SiC、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設備已經(jīng)取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。（集邦化合物半導體Zac整理）

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中微公司是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設備公司，致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。

中微公司主要擁有五類設備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機、ICP電感性刻蝕機、深硅刻蝕機、MOCVD、薄膜沉積設備、VOC設備。

在刻蝕設備業(yè)務的帶動下，2023年中微公司業(yè)績創(chuàng)歷史新高，公司實現(xiàn)營業(yè)收入62.64億元，同比增長32.15%；實現(xiàn)歸母凈利潤17.86億元，同比增長52.67%；公司總資產(chǎn)約215.26億元，較報告期初增長7.44%。報告期內(nèi)，中微公司新簽設備訂單83.60億元，同比增長32.30%，其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。

報告期內(nèi)，中微公司的刻蝕設備業(yè)務實現(xiàn)營收47.03億元，同比增長49.43%。中微公司表示，其刻蝕設備技術已達到5nm及以下，設備具備了更先進點的工藝水平，設備收到了多家客戶的批量訂單，市場占有率持續(xù)提升。

MOCVD設備營收則達到了4.62億元，同比下降約33.95%。中微公司表示，公司的MOCVD設備在Mini LED等氮化鎵基設備領域市場占有率較大份額，此外公司還在繼續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro LED器件制造的MOCVD設備。報告期內(nèi)，受終端市場波動影響，2023年MOCVD設備訂單同比下降約72.2%。

目前，在LED領域，中微公司的MOCVD設備包括了用于LED藍光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于MiniLED顯示的PRISMO UniMax等產(chǎn)品。其中 PRISMO UniMax 產(chǎn)品自2021年6月正式發(fā)布以來，憑借高產(chǎn)量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點，受到下游客戶的廣泛認可。
而針對Micro LED應用的MOCVD設備目前開發(fā)順利，實驗室初步結果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，并于報告期內(nèi)交運樣機至國內(nèi)領先客戶開展生產(chǎn)驗證。

在氮化鎵、碳化硅領域，中微公司于2022年推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設備PRISMO PD5，已交付至國內(nèi)外領先客戶，并取得了重復訂單。而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設備正在開發(fā)中，報告期內(nèi)，中微公司取得較大的技術進展，實現(xiàn)了優(yōu)良的工藝結果，正與多家領先客戶開展商務洽談，預計2024年第一季度將開展客戶端生產(chǎn)驗證。

報告期內(nèi)，中微公司繼續(xù)加大研發(fā)與產(chǎn)能建設與投入，其研發(fā)費用提升至12.62億元，同比增長35.89%。項目建設方面，其位于南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已于2023年7月投入使用；在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠房及成品倉庫已經(jīng)于2023年10月投入使用；上海臨港約10萬平方米的研發(fā)中心暨總部大樓也即將封頂，未來將進一步提升中微公司的綜合競爭力。

中微公司表示，公司已形成三個維度擴展未來公司業(yè)務的布局規(guī)劃，將深耕集成電路關鍵設備領域、擴展在泛半導體關鍵設備領域應用并探索其他新興領域的機會。

在集成電路設備領域，公司考慮擴大在刻蝕設備領域的競爭優(yōu)勢，延伸到薄膜、檢測等其他關鍵設備領域；在泛半導體領域設備的應用，公司計劃擴展布局顯示、MEMS、功率器件等的關鍵設備；在其他新興領域的機會，公司擬探索利用獨特的設備及工藝技術，考慮從設備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)的機會，以及探索更多集成電路及泛半導體設備生產(chǎn)線相關環(huán)保設備及醫(yī)療健康智能設備等領域的市場機會。

文：集邦化合物半導體

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中微公司2023年實現(xiàn)營收62.64億元，凈利潤同比增加52.67%

2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收約62.64億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元，同比增加29.58%。

關于業(yè)績增長原因，中微公司表示，營收較上年同期增長32.15%，主要系受益于半導體設備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢。營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%的主要原因：2023年收入增長和毛利維持較高水平，公司扣非后歸母凈利潤較上年同期增加約2.72億元。2023年非經(jīng)常性損益約5.94億元，較上年同期的2.50億元增加約3.44億元。非經(jīng)常性損益的變動主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元。

值得注意的是，公司開發(fā)的包括SiC功率器件、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設備已經(jīng)取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。

華潤微2023年實現(xiàn)營收99.01億元，凈利潤同比下降43.45%

2月28日，華潤微公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實現(xiàn)營收99.01億元，同比下降1.59%；實現(xiàn)利潤總額16.87億元，同比下降36.39%；實現(xiàn)歸母凈利潤14.80億元，同比下降43.45%。

關于業(yè)績下滑原因，華潤微表示，影響經(jīng)營業(yè)績的主要因素包括市場景氣度較低，同時公司加大研發(fā)投入力度，兩條12英寸線、封測基地等新業(yè)務逐步開展，整體期間費用有所增長。

今年初，華潤微在接受調(diào)研時表示，公司目前SiC和GaN晶圓線均已穩(wěn)定量產(chǎn)，SiC JBS、SiC MOS性能達到國際先進水平，在工業(yè)和汽車領域為較多標桿客戶批量出貨。據(jù)華潤微介紹，公司包含SiC MOS在內(nèi)的車規(guī)級產(chǎn)品及模塊產(chǎn)品已向頭部整車廠商及汽車零部件Tier1供應商進行供貨。近兩年，公司超億顆產(chǎn)品已上車。

納微半導體2023年實現(xiàn)營收7950萬美元，虧損同比收窄

2月29日，納微半導體公布截止2023年12月31日的第四季度和全年未經(jīng)審計財務業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導體2023財政年度總收入達到7950萬美元，同比增長109%；2023年的GAAP毛利率為39.1%，2022年為31.5%；2023年的非GAAP毛利率為41.8%，2022年為40.8%；本財政年度的GAAP營運虧損為1.181億美元，2022年為1.236億美元；本財政年度的非GAAP營運虧損為4,030萬美元，2022年為4,120萬美元。

2023年第四季度公司總收入2,610萬美元，同比增長111%，環(huán)比增長19%；2023年第四季度的GAAP毛利率為42.2%，2022年第四季度為40.6%，2023年第三季度為32.3%；2023年第四季度的非GAAP毛利率為42.2%，2022年第四季度為40.6%，2023年第三季度為42.1%。本季度的GAAP營運虧損為2680萬美元，2022年第四季度為3120萬美元，2023年第三季度為2860萬美元；本季度的非GAAP營運虧損為970萬美元，2022年第四季度為1240萬美元，2023年第三季度為870萬美元。

作為一家功率芯片公司，納微半導體正在將SiC和GaN技術引入新能源汽車、光儲充、數(shù)據(jù)中心等多個領域。

在新能源汽車領域，納微半導體引入新的GaNSafe?技術以及新的Gen-3 Fast SiC技術，推動了電動汽車車載和路邊充電樁的需求增長。公司基于SiC的車載充電器已在今年投入生產(chǎn)，客戶包括極氪、沃爾沃和Smart等電動汽車品牌。

在光儲充領域，納微半導體與美國前五大光伏設備制造商中的三家持續(xù)加大合作，用GaNSafe?和Gen-3 Fast SiC技術取代硅，全球前10大光伏制造商中，大多數(shù)已使用納微SiC技術，預計光伏領域納微半導體GaN的采用將在2024年底逐漸增加。

在數(shù)據(jù)中心領域，新的GaNSafe?和Gen-3 Fast SiC技術以及納微專用設計中心已設計完成了突破性的4.5kW CRPS，實現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度，以滿足AI智能數(shù)據(jù)中心不斷增長的功耗需求。

值得一提的是，納微GaN功率芯片已經(jīng)被設計用于一家主要衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)設備的地面終端企業(yè)，將于2024年下半年逐步投產(chǎn)。（集邦化合物半導體Zac整理）

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新增訂單方面，中微公司指出2023年新增訂單金額約83.6億元，較2022年增加約20.4億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約 69.5 億元，同比增長約 60.1%；MOCVD 設備新增訂單約 2.6 億元，由于終端市場波動影響，同比下降約 72.2%。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，中微公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設備、MOCVD設備、薄膜沉積設備及其他設備。

在2023年半年報中，中微公司表示，等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線；薄膜沉積設備已付運客戶端驗證評估，已如期完成多道工藝驗證；MOCVD設備在行業(yè)領先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)。

而在最新發(fā)布的業(yè)績預告中，中微公司在新產(chǎn)品研發(fā)方面有了更進一步的突破。

據(jù)悉，中微公司近兩年新開發(fā)的LPCVD設備和ALD設備，已有四款設備產(chǎn)品進入市場，其中三款設備已獲得客戶認證，并開始得到重復性訂單；公司新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設備等多個新產(chǎn)品，也將在近期投入市場驗證；公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro LED等器件所需的多類MOCVD設備也取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。（化合物半導體市場Lynn整理）

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意法半導體第三季度凈營收44.3億美元（折合人民幣約324億元），毛利率47.6%，營業(yè)利潤率28.0%，凈利潤為10.9億美元（折合人民幣約80億元）。

意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，第三季度凈營收高于公司預測的中位數(shù)。汽車業(yè)務持續(xù)增長是拉動營收的主要動力，而個人電子產(chǎn)品收入下滑抵消了部分增長空間。

公司本季度凈營收總計44.3億美元，同比增長2.5%。公司的主要業(yè)務營收情況如下：

汽車產(chǎn)品和分立器件產(chǎn)品部(ADG)營收同比增長29.6%，汽車產(chǎn)品和功率分立器件收入雙雙增長。營業(yè)利潤增幅57.9%，達到6.38億美元（折合人民幣約46.6億元）。營業(yè)利潤率31.5%，高于去年同期的25.9%。

微控制器和數(shù)字IC產(chǎn)品部(MDG)營收同比增長2.8%，射頻通信業(yè)務收入增長，微控制器保持穩(wěn)定。營業(yè)利潤4.96億美元（折合人民幣約36.3億元），降幅1.6%。營業(yè)利潤率35.1%，略低于去年同期的36.7%。

模擬器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(AMS)營收同比降低28.3%，模擬器件、影像傳感器和MEMS產(chǎn)品收入下降。營業(yè)利潤1.86億美元（折合人民幣約13.6億元），降幅50.6%。營業(yè)利潤率18.8%，而去年同期為27.2%。

OEM和代理兩個渠道的銷售收入分別增長2.1%和3.4%。凈營收環(huán)比增長2.4%，高于公司預測中位數(shù)130個基點。ADG和AMS兩個產(chǎn)品部凈營收環(huán)比增長，而MDG產(chǎn)品部小幅下降，符合預期。

毛利潤總計21.1億美元（折合人民幣約154.4億元），同比增幅2.4%。毛利率47.6%，同比穩(wěn)定，雖然優(yōu)化后的產(chǎn)品組合改善了毛利率，但是被高企的制造成本和閑置產(chǎn)能支出抵消了改善空間。

營業(yè)利潤12.4億美元（折合人民幣約90.7億元），與去年同期的12.7億美元相比，下降2.4%。公司的營業(yè)利潤率占凈收入28.0%，比2022年第三季度的29.4%下降140個基點。

意法半導體指明，第四季度關賬日為2023年12月31日。公司預計2023年第四季度凈營收預計43.0億美元（折合人民幣約314.5億元），環(huán)比下降約3%，上下浮動350個基點；毛利率約46%，上下浮動200個基點。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

中微公司：營收15.15億元，看好未來

中微公司主要從事半導體設備及泛半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設備、MOCVD設備、薄膜沉積設備及其他設備。

第三季度，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入15.15億元，同比增長41.4%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.57億元，同比下降51.76%。

前三季度，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入40.41億元，同比增長32.8%；歸屬于上市公司股東的凈利潤11.6億元，同比增46.27%。

對前三季度營收增加，中微公司表示，公司的刻蝕設備在客戶端不斷核準更多刻蝕應用，市場占有率不斷提高并不斷收到領先客戶的批量訂單。

公司2023年前三季度刻蝕設備收入為28.70億元，同比增長約43.40%，毛利率達到46.46%；MOCVD設備收入為4.09億元，同比增長約5.50%，毛利率達到36.29%。

利潤方面，中微公司稱，2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元；2023年前三季度，公司計入非經(jīng)常性損益的因股權投資產(chǎn)生的公允價值變動損益和投資損益合計為虧損0.90億元，較去年同期盈利的0.98億元減少約1.88億元。（來源：意法半導體、化合物半導體市場）

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