實(shí)驗(yàn)室開發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝,實(shí)現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕,打通了高厚度一致性及均一性、低界面態(tài)密度溝槽柵氧介質(zhì)結(jié)構(gòu)及工藝,制定并實(shí)施了低阻n型和p型歐姆接觸的合金化技術(shù)方案,系統(tǒng)性地解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項(xiàng)工藝難題。
據(jù)悉,湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室于2021年成立,實(shí)驗(yàn)室聚焦化合物半導(dǎo)體,主要涉及以下工藝領(lǐng)域:SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相關(guān)MEMS、特種先進(jìn)封裝和多材料集成。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)
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