士蘭微的董事會近期迎來調整。在6月25日,公司發(fā)布公告稱,獨立董事何樂年先生因連續(xù)任職已滿六年而提交辭職報告。根據(jù)規(guī)定,其辭職將在公司股東大會選出新任獨立董事后生效,在此期間何樂年先生會繼續(xù)履行職責,確保董事會人數(shù)符合法規(guī)要求。
與此同時,士蘭微積極拓展其半導體制造版圖。近期,廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立,注冊資本1000萬元。這家由士蘭微全資持股的新公司,經(jīng)營范圍涵蓋集成電路芯片及產品制造、集成電路制造、半導體分立器件制造以及半導體器件專用設備銷售等,此舉無疑將進一步強化士蘭微在半導體制造領域的垂直整合能力。
圖片來源:企查查截圖
據(jù)悉,士蘭微在碳化硅(SiC)領域已構建起涵蓋從襯底、外延到芯片制造、器件封裝以及模塊應用的全方位產業(yè)鏈,形成了以廈門為核心基地的產業(yè)集群。
截至目前,由士蘭微全資子公司廈門#士蘭集宏 半導體有限公司主導的8英寸SiC mini line已成功實現(xiàn)通線。該項目總投資120億元人民幣,其中一期投資70億元,預計在2025年第四季度實現(xiàn)全面通線并試生產,目標年產2萬片。士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂,正進行凈化裝修,計劃達產后可滿足國內40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求。
圖片來源:士蘭微
技術進展上,士蘭微Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上成功試流片,其性能參數(shù)與6英寸產品匹配,良品率顯著優(yōu)于6英寸產品。
而由士蘭明鎵負責的6英寸SiC功率器件芯片生產線已形成月產9,000片6英寸SiC MOS芯片的生產能力。
值得注意的是,目前基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊,已在4家國內汽車廠家累計出貨量達5萬只,實現(xiàn)了大批量生產和交付。
士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術開發(fā),其性能指標已接近溝槽柵SiC器件水平,相關芯片與模塊已送客戶進行評測,預計基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊將于2025年上量。
公司計劃于2027年推出溝槽柵碳化硅芯片,進一步豐富其碳化硅產品線,以滿足新能源汽車等領域對高性能SiC器件日益增長的需求。
根據(jù)士蘭微今年第一季度財報披露,公司實現(xiàn)營收30.00億元,同比增長21.70%??鄯莾衾麧?.45億元,同比小幅增長8.96%。士蘭微2025年第一季度凈利潤8,953.23萬元,業(yè)績扭虧為盈。這表明公司在市場競爭激烈的背景下,通過產品結構優(yōu)化和成本控制,實現(xiàn)了盈利能力的顯著提升。
(集邦化合物半導體 竹子 整理)
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