圖片來源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖

資料顯示，SK keyfoundry是韓國一家專注于8英寸晶圓代工的企業(yè)，總部位于韓國清州。其擁有一座晶圓廠，月產(chǎn)能約為10萬片晶圓。主要從事模擬混合信號芯片的代工業(yè)務，產(chǎn)品包括顯示驅動芯片（DDI）、微控制器（MCU）和8英寸功率分立器件等，適用于小批量多樣化產(chǎn)品生產(chǎn)。

2025年3月，SK keyfoundry在董事會會議上宣布達成收購協(xié)議，以250億韓元（約1.25億元人民幣）從SK集團手中收購其子公司SK Powertech98.59%的股權。據(jù)外媒報道，該收購案已于近期完成。

被收購方SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產(chǎn)技術，能夠實現(xiàn)SiC功率半導體的穩(wěn)定量產(chǎn)與研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、太陽能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動以及智能電網(wǎng)等場景。

通過收購，SK keyfoundry直接獲得了SK Powertech的碳化硅工藝與設計技術，快速補齊技術短板。收購完成后，SK keyfoundry計劃加速推進碳化硅（SiC）化合物功率半導體技術開發(fā)，目標在今年年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術，并于明年上半年啟動碳化硅功率半導體代工業(yè)務，逐漸將碳化硅功率半導體業(yè)務打造為新一代增長引擎。

政策+企業(yè)雙輪驅動，韓國發(fā)力第三代半導體

韓國在第三代半導體領域起步早、布局完善，通過政府長期政策扶持與三星、SK等龍頭企業(yè)的密集動作，已構建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產(chǎn)業(yè)體系，當前正處于技術突破與產(chǎn)能擴張的關鍵階段。

早在2000年韓國就制訂了氮化鎵（GaN）開發(fā)計劃，2004-2008年政府聯(lián)合企業(yè)累計投入超12億美元支持光電子產(chǎn)業(yè)，助力韓國成為亞洲最大光電子器件生產(chǎn)國；2024年宣布投資約5.22億人民幣在釜山建設8英寸SiC示范基地。

2025年又拿出364億韓元支持下一代半導體相關研發(fā)項目。同時，韓國還設定了清晰目標，計劃到2030年將SiC功率半導體技術自給率從當前的10%提升至20%，以此帶動全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術突破。

在企業(yè)方面，三星電子重啟功率半導體事業(yè)部后，聚焦SiC/GaN材料研究，還通過投資IVworks等初創(chuàng)企業(yè)完善GaN產(chǎn)業(yè)鏈，其與美國康寧合資公司早在2011年就完成4英寸高品質GaN基板研發(fā)；

SK集團構建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動汽車充電器）”的垂直產(chǎn)業(yè)鏈，旗下SK keyfoundry通過收購SK Powertech快速補齊SiC技術、短板。

LGInnotek成功開發(fā)6英寸單晶氮化鎵Heating-FreeLED技術，大幅提升生產(chǎn)效率并降低成本。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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圖片來源：賽晶科技

根據(jù)協(xié)議，賽晶半導體增加注冊資本420.6136萬美元，投資者將以其在湖南虹安的100%股權出資認購，合計占賽晶半導體經(jīng)擴大后股權的9%。

此次股權變動后，賽晶半導體的注冊資本由42,538,706美元增加至46,734,842美元，本集團于賽晶半導體的股權比例由約70.54%降至64.19%，賽晶半導體的股權變化不會影響本集團的控制權，賽晶半導體仍為本集團的附屬公司。

此外，協(xié)議顯示，賽晶半導體與投資者簽署股權轉讓協(xié)議，據(jù)此，賽晶半導體將收購及投資者將出售湖南虹安的全部股權，總代價為人民幣1.8億元元，將由賽晶半導體擬根據(jù)增資協(xié)議以發(fā)行相當于賽晶半導體經(jīng)擴大股權約9.00%的新增注冊資本予投資者的方式償付。

公開資料顯示，賽晶科技是業(yè)內(nèi)技術領先并深具影響力的電力電子器件供應商和系統(tǒng)集成商。2010年在香港主板上市，公司在北京、浙江嘉善和寧波、江蘇無錫、湖北武漢，以及歐洲的瑞士、德國、荷蘭，擁有十余家子公司。

賽晶半導體是賽晶科技集團旗下子公司，專注于IGBT、FRD以及碳化硅等芯片和模塊等高端功率半導體產(chǎn)品研發(fā)和制造的高科技企業(yè)。公司致力于促進能源向更加可持續(xù)、更加綠色方向發(fā)展。其研發(fā)中心位于瑞士蘭茲伯格，技術研發(fā)團隊由來自歐洲及國內(nèi)頂尖IGBT、SiC設計和制造各個環(huán)節(jié)的技術專家組成，制造中心位于中國浙江省嘉善縣。

湖南虹安成立于2023年，總部位于長沙，在昆山、深圳等地設有研發(fā)中心及辦事處。公司經(jīng)營范圍包括電子專用材料研發(fā)、集成電路芯片設計及服務、集成電路制造、半導體分立器件制造等。其產(chǎn)品主要集中在各類功率器件研發(fā)與應用技術研究，涵蓋低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET、MCU微控制器等，廣泛應用于PC/服務器、消費電子、通訊電源、工業(yè)控制、汽車電子及新能源產(chǎn)業(yè)等領域。

此次賽晶半導體收購湖南虹安有助于賽晶半導體系統(tǒng)性整合雙方資源，實現(xiàn)協(xié)同效應，如補充技術團隊、在碳化硅（SiC）技術上形成互補，還可共享供應鏈和市場資源，提升供應鏈穩(wěn)定性，擴大市場范圍和份額，對賽晶半導體的長遠發(fā)展具有戰(zhàn)略意義。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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