中瑞宏芯成立于2021年6月，主要研發(fā)和生產(chǎn)功率芯片和模塊，深耕第三代半導(dǎo)體SiC領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC外延片等。
資料顯示，中瑞宏芯主要技術(shù)覆蓋了3D結(jié)構(gòu)SiC器件技術(shù)、高壓SiC MOSFET設(shè)計(jì)、厚外延/3D外延10kV級(jí)高壓二極管技術(shù)、車規(guī)級(jí)可靠性設(shè)計(jì)、SiC模塊封裝與集成工藝等。
其中，中瑞宏芯的3D結(jié)構(gòu)SiC器件技術(shù)具有提升電流密度、耐壓、雪崩能力，常溫/200℃高溫反向漏電流低于國(guó)際同類1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。公司的高壓SiC MOSFET設(shè)計(jì)具有低導(dǎo)通電阻、高抗干擾、低開關(guān)損耗、易驅(qū)動(dòng)等特點(diǎn)，充電樁模塊效率＞97%。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>1、山東晶鎵半導(dǎo)體超億元Pre-A輪融資落地
近日，山東晶鎵半導(dǎo)體已順利完成Pre-A輪融資，本輪投資方包括山東省新動(dòng)能、興橙資本、源創(chuàng)多盈、歷城財(cái)金、北京芯啟航等知名新晉投資機(jī)構(gòu)重磅加盟，濟(jì)南市產(chǎn)發(fā)科創(chuàng)投、深圳合創(chuàng)、濟(jì)南產(chǎn)發(fā)集成電路三家老股東持續(xù)跟投。
資金主要用于氮化鎵襯底產(chǎn)線擴(kuò)建及技術(shù)迭代，助力企業(yè)擴(kuò)大產(chǎn)能、突破核心技術(shù)瓶頸，推動(dòng)氮化鎵材料的國(guó)產(chǎn)化替代與商業(yè)化普及。
圖片來(lái)源：晶鎵半導(dǎo)體
山東晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，是依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)成果孵化而成的高科技企業(yè)，專注于氮化鎵（第三代半導(dǎo)體核心材料）單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。
該公司2025年6月完成GaN襯底產(chǎn)線通線，目前已實(shí)現(xiàn)2英寸氮化鎵襯底量產(chǎn)，同時(shí)突破4英寸襯底技術(shù)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備2-4英寸量產(chǎn)能力的企業(yè)，助力國(guó)內(nèi)大尺寸高質(zhì)量襯底快速打破國(guó)際壟斷。
2、蘇州鎵耀半導(dǎo)體獲近億元A輪融資
近日，鎵耀半導(dǎo)體正式完成A輪近億元融資，蘇州資管等投資。融資資金將重點(diǎn)投入氧化鎵外延片及關(guān)鍵CVD設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體核心材料的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。
據(jù)官網(wǎng)介紹，蘇州鎵耀半導(dǎo)體成立于2022年，位于張家港保稅區(qū)，是一家專注于氧化鎵外延片及關(guān)鍵CVD設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高科技企業(yè)。
公司以金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)為核心，開發(fā)出原子層沉積(ALD)MistCVD等多種真空薄膜沉積技術(shù)，專注于第三代及第四代化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。主要產(chǎn)品有氧化鎵MOCVD，氧化鎵MistCVD，氮化鎵MOCVD，ALD設(shè)備，二維材料CVD等薄膜沉積設(shè)備，為廣大科研院校和企業(yè)用戶提供全方位的薄膜生長(zhǎng)解決方案。
3、杭州創(chuàng)銳光譜獲超億元A輪融資
據(jù)《界面新聞》報(bào)道，2026年3月18日，創(chuàng)銳光譜正式完成超億元A輪融資，本輪由杭實(shí)資管、海通創(chuàng)新、杭州高新金投集團(tuán)聯(lián)合領(lǐng)投，老股東君聯(lián)資本、光合創(chuàng)投持續(xù)加注，指數(shù)資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)，融資資金將主要用于技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)容，進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的布局。
創(chuàng)銳光譜創(chuàng)立于2016年，立足瞬態(tài)光譜核心技術(shù)，深耕科學(xué)儀器和半導(dǎo)體材料檢測(cè)兩大領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，在大連、杭州、南京設(shè)有三大研發(fā)中心。
公司核心優(yōu)勢(shì)聚焦于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底缺陷檢測(cè)，其全球首創(chuàng)的SiC襯底位錯(cuò)缺陷無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)已通過(guò)海外碳化硅行業(yè)頭部客戶驗(yàn)收，成功投入量產(chǎn)產(chǎn)線運(yùn)行，打破了高端檢測(cè)設(shè)備的進(jìn)口壟斷。
此前3月3日，創(chuàng)銳光譜官微宣布，其借助Dispec-9000碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷無(wú)損檢測(cè)設(shè)備，創(chuàng)銳光譜成功實(shí)現(xiàn)了12英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷的無(wú)損檢測(cè)，這一突破性的進(jìn)展將為整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的降本增效提供重要的支持。
融資熱潮下，第三代半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)可期
從行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀來(lái)看，第三代半導(dǎo)體（以碳化硅、氮化鎵、氧化鎵為核心）憑借耐高溫、耐高壓、低損耗等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、光伏、儲(chǔ)能等高端領(lǐng)域，隨著AI算力需求爆發(fā)及全球數(shù)字化經(jīng)濟(jì)推進(jìn)，行業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展期。
資本層面，創(chuàng)銳光譜、蘇州鎵耀半導(dǎo)體、山東晶鎵半導(dǎo)體的密集融資，折射出第三代半導(dǎo)體賽道融資熱度持續(xù)升溫，融資企業(yè)覆蓋檢測(cè)設(shè)備、核心材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，一方面體現(xiàn)了資本對(duì)行業(yè)發(fā)展前景的堅(jiān)定看好，另一方面也反映出行業(yè)正處于技術(shù)研發(fā)向產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵階段，核心材料、設(shè)備等“卡脖子”環(huán)節(jié)亟需資本支持。
總體而言，隨著政策支持力度加大、資本持續(xù)注入、技術(shù)不斷突破，第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)升溫，未來(lái)將逐步實(shí)現(xiàn)核心環(huán)節(jié)自主可控，推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化、多元化發(fā)展，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供核心支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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]]>利普思將資金用于在揚(yáng)州投建總投資10億元的專業(yè)化車規(guī)級(jí)SiC模塊封裝測(cè)試基地，規(guī)劃年產(chǎn)能300萬(wàn)只，一期產(chǎn)線預(yù)計(jì)2026年竣工、2027年3月投產(chǎn)。新基地將按高端車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)打造獨(dú)立SiC產(chǎn)線，采用全自動(dòng)化流水線，支持新一代嵌入式封裝及定制化開發(fā)，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)年交付超200萬(wàn)只模塊，助力電網(wǎng)與AI算力基建提速。
利普思成立于2019年，專注第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊研發(fā)與生產(chǎn)。目前，公司產(chǎn)品覆蓋IGBT和SiC兩大系列，應(yīng)用場(chǎng)景包括新能源汽車主驅(qū)、電動(dòng)重卡、儲(chǔ)能、電網(wǎng)高壓SVG、超充及工業(yè)電源等。無(wú)錫工廠于2022年投產(chǎn)，年產(chǎn)能約70萬(wàn)只。
市場(chǎng)布局方面，利普思2020年在日本設(shè)立全資子公司作為海外研發(fā)中心，擁有多位日本籍資深技術(shù)專家，同時(shí)在歐洲設(shè)立銷售服務(wù)中心，以強(qiáng)化本地化方案解決能力。目前利普思產(chǎn)品已出口超過(guò)20個(gè)國(guó)家，2025年，公司海外銷售占比已接近一半。
據(jù)悉，利普思1200V-3300V多款SiC模塊已進(jìn)入國(guó)內(nèi)外客戶SST樣品測(cè)試階段，部分項(xiàng)目處于可靠性驗(yàn)證期，預(yù)計(jì)2027年有望規(guī)模化放量。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>01、合肥美鎵傳感獲國(guó)新國(guó)證領(lǐng)投，加速GaN傳感芯片規(guī)?；涞?/strong>
2026年2月28日，合肥美鎵傳感科技有限公司（下稱“美鎵傳感”）正式宣布完成新一輪股權(quán)融資，本輪融資由國(guó)新國(guó)證投資領(lǐng)投，這是公司繼合肥市產(chǎn)投資本、合肥高新投戰(zhàn)略注資后的第二輪市場(chǎng)化融資。
圖片來(lái)源：企查查截圖
據(jù)悉，國(guó)新國(guó)證投資是中國(guó)國(guó)新、國(guó)新證券旗下專注于硬科技領(lǐng)域的專業(yè)私募股權(quán)投資平臺(tái)，聚焦新能源、新材料、新一代信息技術(shù)等國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，此次領(lǐng)投彰顯了國(guó)家級(jí)資本對(duì)GaN傳感技術(shù)路線及企業(yè)實(shí)力的高度認(rèn)可。
作為全球氮化鎵傳感器芯片行業(yè)的重點(diǎn)企業(yè)，#美鎵傳感 是目前國(guó)內(nèi)外唯一擁有多款GaN傳感器芯片產(chǎn)品的公司，構(gòu)建了從GaN材料、MEMS工藝、集成電路設(shè)計(jì)到傳感器模組與系統(tǒng)的全鏈條自主可控技術(shù)體系，在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)GaN傳感芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
其產(chǎn)品依托GaN材料高靈敏度、耐高溫高壓、低功耗、抗輻照等特性，性能全面超越傳統(tǒng)硅基傳感器，覆蓋紫外、霍爾、氣體、壓力等多品類，關(guān)鍵指標(biāo)處于行業(yè)領(lǐng)先水平，廣泛應(yīng)用于電力能源、AI、機(jī)器人、航空航天等高精尖領(lǐng)域。
本次融資資金將主要用于產(chǎn)品迭代、規(guī)模化應(yīng)用推進(jìn)，同時(shí)啟動(dòng)芯片出海戰(zhàn)略，進(jìn)一步拓展國(guó)際市場(chǎng)。
02、湖州鎵奧科技完成A輪融資，聚焦中大功率GaN功率芯片產(chǎn)業(yè)化
企查查顯示，2026年2月13日，湖州鎵奧科技有限公司（下稱“湖州鎵奧”）完成A輪融資，由歐菲光、矢量科學(xué)聯(lián)合投資，具體融資金額未披露。
公開信息顯示，湖州鎵奧成立于2024年11月，注冊(cè)于湖州市德清縣，是一家專注于中大功率氮化鎵功率芯片與模組研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)，屬于創(chuàng)新型中小企業(yè)。
公司以自有“負(fù)壓直驅(qū)”專利技術(shù)為核心，其研發(fā)的中大功率GaN功率芯片，相比傳統(tǒng)E-mode和Cascode方案，具備更高的可靠性和效率。
業(yè)務(wù)聚焦新能源、AI兩大賽道，產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動(dòng)2-4輪車充電電源模組、儲(chǔ)能、AI服務(wù)器/AI PC電源、機(jī)器人電源和無(wú)人機(jī)電源等五大場(chǎng)景。
本次融資所獲資金將重點(diǎn)用于研發(fā)投入、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場(chǎng)拓展，助力公司加速中大功率GaN功率芯片的產(chǎn)業(yè)化落地，推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。
03、安徽先導(dǎo)極星斬獲5000萬(wàn)元天使輪，布局空天領(lǐng)域GaN射頻器件
近日，安徽先導(dǎo)極星科技有限公司（下稱“安徽先導(dǎo)極星”）完成5000萬(wàn)元天使輪融資交割，本輪融資由國(guó)元股權(quán)、國(guó)元基金領(lǐng)投，部分資金通過(guò)國(guó)元基金與合肥高新共建的產(chǎn)業(yè)SPV實(shí)施，體現(xiàn)了地方國(guó)資與產(chǎn)業(yè)資本對(duì)商業(yè)航天與空天射頻關(guān)鍵環(huán)節(jié)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略共識(shí)。
圖片來(lái)源：企查查截圖
據(jù)悉，安徽先導(dǎo)極星成立于2025年4月，注冊(cè)于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是先導(dǎo)科技集團(tuán)旗下專注于射頻與太空通信的核心業(yè)務(wù)平臺(tái)。
公司聚焦第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)與系統(tǒng)化落地，重點(diǎn)布局砷化鎵、氮化鎵、磷化銦等高端射頻器件，致力于破解國(guó)內(nèi)高端射頻領(lǐng)域“卡脖子”難題，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端射頻領(lǐng)域的供應(yīng)鏈拼圖。
其業(yè)務(wù)面向低軌衛(wèi)星通信、6G、低空經(jīng)濟(jì)、雷達(dá)感知等前沿場(chǎng)景，構(gòu)建了“芯片設(shè)計(jì)—微組裝工藝—組件模塊—系統(tǒng)交付”全鏈條垂直整合能力，采用“IDM Lite”制造模式，兼顧技術(shù)自主與量產(chǎn)彈性，已在商業(yè)衛(wèi)星及防務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)持續(xù)交付驗(yàn)證。
本次融資資金將用于核心技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)能擴(kuò)充及市場(chǎng)拓展，助力公司推進(jìn)GaN等高端射頻器件的迭代升級(jí)與規(guī)?；桓?。
GaN細(xì)分賽道多點(diǎn)開花，資本加持推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代提速
從近期三家企業(yè)的融資動(dòng)態(tài)可以看出，當(dāng)前氮化鎵行業(yè)正處于技術(shù)產(chǎn)業(yè)化加速推進(jìn)的關(guān)鍵階段。
從細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看，美鎵傳感布局的GaN傳感賽道屬于稀缺賽道，打破了傳統(tǒng)硅基傳感器的性能瓶頸，適配高端裝備領(lǐng)域的精準(zhǔn)感知需求，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)空白。
湖州鎵奧深耕的中大功率GaN功率芯片，貼合新能源充電、儲(chǔ)能、AI服務(wù)器電源等高增長(zhǎng)場(chǎng)景，是當(dāng)前GaN產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用最成熟、市場(chǎng)需求最旺盛的領(lǐng)域之一。
安徽先導(dǎo)極星聚焦的GaN射頻器件，緊扣低軌衛(wèi)星、6G等國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)布局，具備廣闊的發(fā)展前景。
從行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀來(lái)看，我國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)逐步實(shí)現(xiàn)從技術(shù)研發(fā)向產(chǎn)業(yè)化落地的跨越，在部分細(xì)分領(lǐng)域形成了一定的技術(shù)壁壘和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也面臨著核心材料、高端設(shè)備依賴進(jìn)口、規(guī)?；慨a(chǎn)良率有待提升、成本控制難度較大等挑戰(zhàn)。
總體而言，隨著新能源、AI、空天信息等下游應(yīng)用場(chǎng)景的持續(xù)擴(kuò)容，以及國(guó)產(chǎn)替代需求的不斷釋放，氮化鎵賽道的長(zhǎng)期發(fā)展?jié)摿χ档闷诖?/p>
未來(lái)，隨著更多企業(yè)加大研發(fā)投入、完善產(chǎn)業(yè)化布局，疊加資本的持續(xù)加持，我國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)有望逐步突破核心瓶頸，實(shí)現(xiàn)從“跟跑”向“并跑”“領(lǐng)跑”的轉(zhuǎn)變，進(jìn)一步提升在全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的競(jìng)爭(zhēng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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]]>此次募集資金將重點(diǎn)用于核心產(chǎn)品迭代、產(chǎn)能建設(shè)及研發(fā)擴(kuò)容，進(jìn)一步鞏固公司在半導(dǎo)體高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，加速推進(jìn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。
研微半導(dǎo)體成立于2022年10月，總部位于江蘇無(wú)錫，專注于高端半導(dǎo)體薄膜沉積與外延設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心產(chǎn)品覆Thermal ALD、PEALD、PECVD、Si Epi、SiC Epi等關(guān)鍵裝備，已實(shí)現(xiàn)多產(chǎn)品線批量出貨，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝及功率與射頻器件領(lǐng)域。
公司核心團(tuán)隊(duì)由國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域資深專家組成，研發(fā)團(tuán)隊(duì)碩博占比超60%，技術(shù)與產(chǎn)品具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。2025年公司已實(shí)現(xiàn)四大產(chǎn)品線全面覆蓋與規(guī)?；桓?，部分設(shè)備采用創(chuàng)新腔室設(shè)計(jì)，在提升產(chǎn)能的同時(shí)可有效降低用戶綜合使用成本，具備國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
當(dāng)前，在新能源汽車、光儲(chǔ)充、5G通信等需求驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)階段，高端制造設(shè)備對(duì)外依存度較高，國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫。
研微半導(dǎo)體表示，未來(lái)公司將聚焦核心產(chǎn)品迭代升級(jí)，豐富產(chǎn)品矩陣，致力于成為半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>根據(jù)Vexlum發(fā)布的官方新聞稿及芬蘭政府投資機(jī)構(gòu)Tesi的聯(lián)合聲明，本次融資結(jié)構(gòu)包含了股權(quán)投資、政府贈(zèng)款與商業(yè)貸款。其中，600萬(wàn)歐元的股權(quán)融資由專注于工業(yè)技術(shù)的風(fēng)投機(jī)構(gòu)Kvanted領(lǐng)投，Tesi協(xié)同歐洲創(chuàng)新理事會(huì)基金（EICFund）參與跟投。
此外，歐洲創(chuàng)新理事會(huì)通過(guò)其EICAccelerator項(xiàng)目向公司提供了240萬(wàn)歐元的研發(fā)贈(zèng)款，剩余160萬(wàn)歐元?jiǎng)t由北歐銀行（Nordea）以商業(yè)貸款形式提供。
Vexlum的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其專有的垂直外腔面發(fā)射激光器（VECSEL）技術(shù)，該技術(shù)充分利用了包括砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）在內(nèi)的III-V族化合物半導(dǎo)體材料。官方報(bào)道強(qiáng)調(diào)，這種激光器兼具半導(dǎo)體技術(shù)的緊湊性與固體激光器的高光束質(zhì)量。
在當(dāng)前蓬勃發(fā)展的量子計(jì)算領(lǐng)域，特別是基于離子阱和中性原子路線的研究，極度依賴于Vexlum所能提供的高功率且特定波長(zhǎng)的精準(zhǔn)相干光源。
Vexlum聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Jussi-PekkaPenttinen在聲明中指出，建立穩(wěn)健且具備規(guī)?；芰Φ陌雽?dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)于支持量子計(jì)算和深空通信等前沿領(lǐng)域的演進(jìn)至關(guān)重要。
與多數(shù)依賴外部代工廠的半導(dǎo)體初創(chuàng)公司不同，Vexlum在戰(zhàn)略上采取了高度的“垂直整合”模式。官方通稿披露，公司在芬蘭坦佩雷的新工廠將涵蓋從化合物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)、清潔室芯片加工到最終激光系統(tǒng)集成的全流程。
領(lǐng)投方Kvanted創(chuàng)始合伙人AxelAhlstr?m表示，Vexlum的價(jià)值不僅在于其激光器產(chǎn)品，更在于其掌握了制造高功率精密芯片的核心工業(yè)能力。
通過(guò)此輪融資，Vexlum計(jì)劃顯著提升其芯片制造產(chǎn)能，并制定了在2030年實(shí)現(xiàn)1億歐元年收入的戰(zhàn)略目標(biāo)，旨在鞏固芬蘭在全球先進(jìn)半導(dǎo)體和光子學(xué)產(chǎn)業(yè)鏈中的重要地位。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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圖片來(lái)源：企查查信息截圖
藍(lán)海華騰長(zhǎng)期深耕先進(jìn)制造領(lǐng)域，業(yè)務(wù)涵蓋新能源汽車電控、工控傳動(dòng)、高壓快充等多個(gè)核心板塊，同時(shí)在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著深厚的布局基礎(chǔ)。
自2019年起，藍(lán)海華騰便與比亞迪半導(dǎo)體合作開發(fā)碳化硅芯片及模塊應(yīng)用，2022年更聯(lián)合多方投資第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體，持續(xù)強(qiáng)化在半導(dǎo)體上下游的協(xié)同優(yōu)勢(shì)。此次選擇戰(zhàn)略投資鎵創(chuàng)未來(lái)，是公司立足自身產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，前瞻性布局第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵一步。
據(jù)悉，鎵創(chuàng)未來(lái)成立于2025年7月，是專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的新銳企業(yè)，依托西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室和寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心的技術(shù)支撐，在氧化鎵外延生長(zhǎng)、缺陷調(diào)控、摻雜工藝等領(lǐng)域積累了深厚實(shí)力。
目前已擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全國(guó)產(chǎn)化氧化鎵外延設(shè)備和成套工藝，具備異質(zhì)外延片小批量生產(chǎn)能力，產(chǎn)品涵蓋藍(lán)寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片，覆蓋同質(zhì)與異質(zhì)兩大技術(shù)路線。
2025年11月，鎵創(chuàng)未來(lái)完成千萬(wàn)級(jí)天使輪融資，投資方包括聚卓資本旗下的晉江人才科創(chuàng)基金、西安芯豐澤半導(dǎo)體科技有限公司以及個(gè)人投資人。
上次融資距離公司成立僅4個(gè)月，彰顯了資本對(duì)氧化鎵賽道及企業(yè)技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可，所融資金主要用于氧化鎵異質(zhì)外延片的產(chǎn)能提升，為技術(shù)產(chǎn)業(yè)化落地提供初期資金支撐。
其中，晉江人才科創(chuàng)基金的投資也是其成立后的首個(gè)投資項(xiàng)目，體現(xiàn)了地方政府對(duì)該企業(yè)及第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)扶持態(tài)度。
3個(gè)月后，即2026年2月，鎵創(chuàng)未來(lái)獲得來(lái)自藍(lán)海華騰的戰(zhàn)略投資，此次融資資金將重點(diǎn)用于產(chǎn)線升級(jí)、工藝優(yōu)化及團(tuán)隊(duì)擴(kuò)充，加速氧化鎵材料在功率電子、新能源汽車高壓快充等領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程，助力公司打造完整的“襯底-外延-器件”產(chǎn)業(yè)鏈。
賽道融資持續(xù)升溫 行業(yè)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁
氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體的核心材料，相比當(dāng)前廣泛應(yīng)用的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料，具有超寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、低功率損耗等顯著優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車高壓快充、AI數(shù)據(jù)中心、功率電子等高端領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
不久前，2026年1月21日，同為第四代半導(dǎo)體企業(yè)的北京#銘鎵半導(dǎo)體 完成超億元A++輪股權(quán)融資，由彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投等多家機(jī)構(gòu)聯(lián)合注資，資金主要用于6英寸氧化鎵襯底技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)、2-4英寸氧化鎵襯底中試產(chǎn)線建設(shè)及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)?；瘮U(kuò)產(chǎn)，該公司也是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)。
而在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，近期融資動(dòng)態(tài)更為密集。
2026年2月6日，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體宣布完成超10億元A+輪股權(quán)融資，由江城基金、長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)集團(tuán)領(lǐng)投，光谷金控、奇瑞旗下芯車智聯(lián)基金等機(jī)構(gòu)參投，此次融資將助力其加速碳化硅布局，推進(jìn)武漢基地產(chǎn)能爬坡與客戶導(dǎo)入，該基地一期已實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅晶圓量產(chǎn)，首批良率達(dá)97%。
合肥昆侖芯星半導(dǎo)體近期順利完成新一輪融資，由上海常春藤資本與四川中瑋海潤(rùn)集團(tuán)聯(lián)合投資，這已是該公司不到三個(gè)月內(nèi)斬獲的第二輪融資，其核心聚焦金剛石基氮化鎵異質(zhì)集成技術(shù)，破解第三代半導(dǎo)體高頻高功率應(yīng)用中的散熱瓶頸。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體則于1月8日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投與九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，作為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻芯片規(guī)模商用的企業(yè)，此次融資將支撐其產(chǎn)線擴(kuò)建與新一代器件研發(fā)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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圖片來(lái)源：珂瑪科技公告截圖
據(jù)悉，珂瑪科技本次擬發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券募資總額不超過(guò)7.5億元（含7.5億元），扣除發(fā)行費(fèi)用后，募集資金將全部投向三大核心領(lǐng)域，精準(zhǔn)聚焦半導(dǎo)體核心部件產(chǎn)能提升與產(chǎn)業(yè)鏈短板補(bǔ)齊，分別為結(jié)構(gòu)功能模塊化陶瓷部件產(chǎn)品擴(kuò)建項(xiàng)目、半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項(xiàng)目，以及補(bǔ)充流動(dòng)資金，三者投入金額分別為4.88億元、0.52億元和2.1億元。
珂瑪科技主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋先進(jìn)陶瓷材料零部件的研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)及泛半導(dǎo)體設(shè)備表面處理服務(wù)，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、顯示面板、LED、光伏等泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，其中半導(dǎo)體設(shè)備是核心應(yīng)用場(chǎng)景。
本次募資的核心投向——結(jié)構(gòu)功能模塊化陶瓷部件產(chǎn)品擴(kuò)建項(xiàng)目，將落戶蘇州虎丘區(qū)，重點(diǎn)建設(shè)靜電卡盤專用生產(chǎn)線，進(jìn)一步提升陶瓷加熱器規(guī)模化生產(chǎn)能力。
項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增陶瓷加熱器600支/年、靜電卡盤2500支/年的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年均銷售收入可達(dá)5.78億元，凈利潤(rùn)1.48億元，所得稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率17.82%，靜態(tài)投資回收期7.60年（含建設(shè)期），將有效解決公司當(dāng)前核心產(chǎn)品產(chǎn)能不足的瓶頸，匹配國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商批量采購(gòu)需求。
同步推進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項(xiàng)目，將由珂瑪科技子公司安徽珂瑪在滁州實(shí)施，擬投入0.52億元擴(kuò)建全流程生產(chǎn)工廠，新增碳化硅結(jié)構(gòu)件6000件/年、超高純碳化硅套件5000件/年的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年均銷售收入6407.61萬(wàn)元，凈利潤(rùn)1210.33萬(wàn)元，所得稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率16.38%。
該項(xiàng)目的實(shí)施，將加碼公司在碳化硅材料及部件領(lǐng)域的布局，契合第三代半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)，進(jìn)一步拓展公司在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用場(chǎng)景。
除兩大擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目外，本次募資中2.1億元將用于補(bǔ)充流動(dòng)資金，旨在優(yōu)化公司財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，緩解市場(chǎng)需求增長(zhǎng)帶來(lái)的資金壓力，為公司主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)發(fā)展、技術(shù)研發(fā)投入及市場(chǎng)拓展提供穩(wěn)定的資金保障，助力公司穩(wěn)步提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>本輪融資由江城基金、長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)集團(tuán)領(lǐng)投，光谷金控、奇瑞旗下芯車智聯(lián)基金等機(jī)構(gòu)參投，融資資金將主要用于碳化硅功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)布局，加速搶占新興領(lǐng)域全球市場(chǎng)。
長(zhǎng)飛先進(jìn)表示，公司自成立以來(lái)始終聚焦于碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，不斷加強(qiáng)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和創(chuàng)新突破，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率及可靠性穩(wěn)步提升。通過(guò)蕪湖與武漢兩大生產(chǎn)基地的戰(zhàn)略布局，長(zhǎng)飛先進(jìn)目前已形成年產(chǎn)能42萬(wàn)片的碳化硅晶圓生產(chǎn)能力，規(guī)模位居國(guó)內(nèi)前列。其中，蕪湖基地晶圓產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)；武漢基地于2025年5月成功通線，各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，全面滿足新能源汽車主驅(qū)芯片的可靠性及穩(wěn)定批量量產(chǎn)要求。
面向未來(lái)，長(zhǎng)飛先進(jìn)將以本次A+輪融資為新的契機(jī)，持續(xù)深化技術(shù)攻堅(jiān)，加速產(chǎn)品迭代，同時(shí)加強(qiáng)與核心領(lǐng)域頭部企業(yè)的戰(zhàn)略合作，鞏固碳化硅傳統(tǒng)市場(chǎng)及新興市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位，為未來(lái)持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅功率半導(dǎo)體賽道提供核心驅(qū)動(dòng)力。
投資方武漢金控集團(tuán)黨委委員、副總經(jīng)理，江城基金董事長(zhǎng)程馳光表示：“碳化硅是第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，對(duì)新能源、5G等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。武漢作為國(guó)家存儲(chǔ)器基地和光電子產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，正全力搶占化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)。長(zhǎng)飛先進(jìn)在武漢建設(shè)的36萬(wàn)片碳化硅晶圓產(chǎn)能項(xiàng)目，與我市打造‘光芯屏端網(wǎng)’萬(wàn)億產(chǎn)業(yè)集群的戰(zhàn)略高度協(xié)同。我們堅(jiān)定支持長(zhǎng)飛先進(jìn)通過(guò)技術(shù)突破和產(chǎn)能擴(kuò)張，強(qiáng)化本地碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的‘鏈主’地位，聯(lián)合九峰山實(shí)驗(yàn)室，助力湖北打造全國(guó)領(lǐng)先的千億級(jí)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新區(qū)?！?/p>
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?圖片來(lái)源：企查查信息截圖
公開信息顯示，昆侖芯星成立于2021年1月，前身為深圳昆侖芯星半導(dǎo)體有限公司，現(xiàn)位于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是深圳市芯爍能半導(dǎo)體旗下專注于金剛石基第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)的核心子公司。
昆侖芯星核心聚焦第三代半導(dǎo)體（尤其是氮化鎵）在高功率、高頻應(yīng)用中的散熱瓶頸，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新破解行業(yè)痛點(diǎn)。公司目前已掌握金剛石氮化鎵異質(zhì)集成技術(shù)、氮化鎵外延結(jié)構(gòu)制備方法、氮化鎵HEMT器件外延制備技術(shù)及全流程工藝控制技術(shù)等核心能力，其中金剛石氮化鎵異質(zhì)集成技術(shù)通過(guò)創(chuàng)新的鍵合介質(zhì)層設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了金剛石與氮化鎵外延層的原子級(jí)貼合，有效解決了界面熱阻與應(yīng)力匹配的行業(yè)難題，導(dǎo)熱效率較傳統(tǒng)方案提升50%以上。
產(chǎn)品層面，昆侖芯星的核心產(chǎn)品包括金剛石襯底外延片、金剛石基氮化鎵外延結(jié)構(gòu)、氮化鎵HEMT器件等，可廣泛適配雷達(dá)、衛(wèi)星通信、5G基站等高端射頻功率場(chǎng)景，用于替代傳統(tǒng)碳化硅襯底。
賽道融資持續(xù)升溫 多家企業(yè)密集獲投
昆侖芯星的密集融資并非個(gè)例，2026年1月以來(lái)，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域企業(yè)融資持續(xù)升溫，多家企業(yè)斬獲大額資本注入，彰顯賽道整體景氣度。
其中，同為第三代半導(dǎo)體賽道的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司于1月21日完成超億元A++輪股權(quán)融資，由彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投等多家機(jī)構(gòu)聯(lián)合注資，資金將主要用于6英寸氧化鎵襯底技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)、2-4英寸氧化鎵襯底中試產(chǎn)線建設(shè)及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)?；瘮U(kuò)產(chǎn)，該公司作為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)，此次融資將加速其在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能突破與技術(shù)迭代。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體則于1月8日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投與九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，此次融資是其時(shí)隔5年的新一輪股權(quán)注資，注冊(cè)資本同步增至5.08億元，增幅約26.15%。
作為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻芯片規(guī)模商用的企業(yè)，蘇州能訊高能半導(dǎo)體采用IDM模式，產(chǎn)品覆蓋5G基站、新能源汽車等多場(chǎng)景，此次融資將為其產(chǎn)線擴(kuò)建、新一代器件研發(fā)提供資金支撐，進(jìn)一步鞏固其在氮化鎵賽道的領(lǐng)先地位。
業(yè)內(nèi)人士分析，短期內(nèi)多家第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)密集獲得融資，一方面源于全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體需求隨5G、新能源、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域爆發(fā)式增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化替代需求迫切；另一方面也體現(xiàn)出資本對(duì)高壁壘、高成長(zhǎng)性半導(dǎo)體材料及器件賽道的布局偏好，未來(lái)隨著融資資金的逐步落地，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)成熟度與產(chǎn)能規(guī)模有望持續(xù)提升。
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