硅酷科技成立于2019年，核心團隊來自全球封裝設(shè)備龍頭企業(yè)，在半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域具備豐富技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。公司業(yè)務(wù)涵蓋面向IGBT/SiC功率模塊貼裝、光通信貼裝、先進封裝等多個應(yīng)用領(lǐng)域的貼片設(shè)備，現(xiàn)已成為IGBT/SiC功率模塊貼片設(shè)備國產(chǎn)替代領(lǐng)導(dǎo)者，并在光通信、先進封裝等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破。公司產(chǎn)品獲得了下游頭部客戶的廣泛認可，年出貨量超百臺。

圖片來源：芯聯(lián)資本

在碳化硅領(lǐng)域，硅酷科技瞄準(zhǔn)“高精密”器件貼合工藝，開辟碳化硅領(lǐng)域“領(lǐng)先路徑”，歷經(jīng)三年打磨核心產(chǎn)品碳化硅銀燒結(jié)設(shè)備，目前已成功為比亞迪、理想、蔚來、華為等主流車企提供超百套設(shè)備，生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體器件（芯片）超過十萬顆，量產(chǎn)能力業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，出貨量位居全國之首，成為該細分領(lǐng)域“單項冠軍”，年度營收實現(xiàn)三倍躍升，獲得發(fā)明專利超十項。

芯聯(lián)資本作為投資方之一，背靠新能源芯片與系統(tǒng)代工領(lǐng)軍企業(yè)芯聯(lián)集成，硅酷科技是芯聯(lián)集成功率模塊貼片機重要供應(yīng)商，雙方在IGBT/SiC功率模塊貼片機領(lǐng)域已形成全面深入的合作。芯聯(lián)資本表示，參與硅酷科技本輪融資，體現(xiàn)出雙方對彼此業(yè)務(wù)協(xié)同合作的高度認可和持續(xù)深入合作的意愿，未來雙方將進一步深化合作關(guān)系，共同助力半導(dǎo)體關(guān)鍵封裝設(shè)備國產(chǎn)替代，構(gòu)建自主可控產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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星光陶技始建于1995年，還是中國首家與德國FCT精細技術(shù)陶瓷有限公司共同出資組建的高級碳化硅窯具制造企業(yè)。其核心業(yè)務(wù)是生產(chǎn)重結(jié)晶碳化硅和氮化硅結(jié)合碳化硅系列制品，為陶瓷及相關(guān)行業(yè)提供高品質(zhì)節(jié)能窯具、高溫窯爐配件和高附加值結(jié)構(gòu)部件，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋高溫氧化鋁氧化鋯制品、日用陶瓷、鋰電池、冶金化工等多個領(lǐng)域。

經(jīng)過多年發(fā)展，該公司產(chǎn)品已銷往世界21個國家和地區(qū)，還通過了ISO9001:2000質(zhì)量管理體系認證，產(chǎn)品質(zhì)量和性能達到世界先進水平。目前除了工業(yè)窯爐領(lǐng)域，它還在環(huán)保行業(yè)陶瓷膜、半導(dǎo)體行業(yè)材料等新領(lǐng)域拓展應(yīng)用。

盛京金控成立于2017年6月，是沈陽市國有金融資本集聚平臺，注冊資本達218.89億元。其核心定位是立足金融服務(wù)實體經(jīng)濟，通過股權(quán)投資、基金管理等多種方式支持區(qū)域內(nèi)重點產(chǎn)業(yè)和科創(chuàng)企業(yè)發(fā)展。

對星光陶技而言，新的融資的資金將為其技術(shù)研發(fā)提供助力，比如進一步優(yōu)化碳化硅制品的性能、拓展在半導(dǎo)體、光伏等新領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)；同時也能支撐其市場拓展，強化現(xiàn)有海外市場布局并開拓新的國內(nèi)國際市場，提升在高級碳化硅制品領(lǐng)域的行業(yè)競爭力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)了解，這是雙方自1994年以來的第9次合作，累計融資額達42億歐元，資金將專項支持意法半導(dǎo)體在意大利和法國的半導(dǎo)體研發(fā)與大規(guī)模制造項目。其中60%資金用于提升卡塔尼亞、阿格拉特等核心生產(chǎn)基地的制造能力，40%投入技術(shù)研發(fā)，整體契合歐盟綠色轉(zhuǎn)型與技術(shù)主權(quán)戰(zhàn)略目標(biāo)。

協(xié)議核心資助對象之一是#意法半導(dǎo)體 卡塔尼亞工廠，該基地是規(guī)劃中的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈晶圓廠，集8英寸碳化硅功率器件制造、封裝、測試于一體。這座總投資50億歐元的工廠，此前已獲意大利政府20億歐元支持，此次10億歐元信貸將進一步補充建設(shè)與產(chǎn)能爬坡資金，其全面落成后碳化硅晶圓年產(chǎn)能可達72萬片（1.5萬片/周），將大幅提升全球碳化硅供給能力。

另一方面，資金中的研發(fā)部分將重點攻克8英寸碳化硅產(chǎn)線遷移與工藝優(yōu)化難題。相較于當(dāng)前主流的6英寸晶圓，8英寸晶圓面積提升1.78倍，在襯底價格優(yōu)化后能顯著降低碳化硅芯片成本，是意法半導(dǎo)體應(yīng)對市場價格波動、強化競爭力的關(guān)鍵抓手。目前其與三安合資的重慶8英寸碳化硅工廠已進入試生產(chǎn)階段，歐洲本土產(chǎn)線的推進將形成雙基地布局，覆蓋汽車、數(shù)據(jù)中心等核心需求場景。

意法半導(dǎo)體判斷2026年碳化硅業(yè)務(wù)將進入高速增長期，歐洲和中國的電動化項目、AI數(shù)據(jù)中心高功率解決方案將成為核心增長點。碳化硅器件在電動汽車主驅(qū)逆變器、車載充電器，以及全主動懸架逆變器等新場景中已實現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用，此次產(chǎn)能擴張正是為承接即將釋放的市場需求。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公開資料顯示，#研微半導(dǎo)體?成立于2022年，總部位于無錫，主要專注于高端原子層沉積（ALD）、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及特色外延設(shè)備技術(shù)，涵蓋熱原子層沉積（tALD）、等離子體增強原子層沉積（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）等核心技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進封裝領(lǐng)域。

圖片來源：研微半導(dǎo)體官網(wǎng)

研微半導(dǎo)體目前重點突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細分領(lǐng)域，市場份額主要由美日歐廠商占據(jù)，高端薄膜沉積設(shè)備進口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細分工藝的突破，研微半導(dǎo)體在最前沿半導(dǎo)體技術(shù)競爭中建立優(yōu)勢，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

此前11月7日，研微半導(dǎo)體披露，其自主研發(fā)的Spritz系列首臺新材料原子層沉積（tALD）設(shè)備在無錫完成出廠交付，并同步實現(xiàn)“雙機”發(fā)運，成功交付國內(nèi)邏輯與存儲芯片雙領(lǐng)域頭部企業(yè)。

圖片來源：研微半導(dǎo)體

該設(shè)備聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金屬層沉積、NAND WL、DRAM bWL及SN區(qū)域薄膜填充等關(guān)鍵工藝實現(xiàn)突破，填補國內(nèi)金屬原子層沉積空白，憑借先進進氣、混氣與勻流系統(tǒng)顯著提升薄膜均勻性和產(chǎn)能穩(wěn)定性，助力先進制程國產(chǎn)化。

研微半導(dǎo)體自2022年10月在無錫成立以來，短短三年內(nèi)已完成多輪融資：當(dāng)年12月獲天使輪，2023年7月再獲天使+輪，2024年1月完成數(shù)億元Pre-A輪，并于今年內(nèi)連續(xù)完成三輪數(shù)億元融資。

隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級和3D存儲芯片對多層高深寬比結(jié)構(gòu)要求的不斷提高，ALD技術(shù)憑借其原子層級沉積特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、極佳的臺階覆蓋率（Conformal Coverage）、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢。ALD/PEALD技術(shù)在高深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND閃存的多層堆疊、先進邏輯芯片的接觸孔）中的高保形性是傳統(tǒng)CVD難以比擬的，特別適合在對薄膜質(zhì)量和臺階覆蓋率有較高要求的領(lǐng)域應(yīng)用，在45nm以下節(jié)點、先進封裝、3D結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。

此外，研微半導(dǎo)體的SiC EPI設(shè)備，瞄準(zhǔn)的是第三代半導(dǎo)體功率器件市場。這一特色外延設(shè)備與高端集成電路薄膜沉積設(shè)備同為國家重點鼓勵的國產(chǎn)替代方向。

2025年，除研微半導(dǎo)體外，微導(dǎo)納米、拓荊科技和中微公司等企業(yè)也在高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域加速突破：微導(dǎo)納米的ALD批量與單片設(shè)備已通過多家客戶驗證，在手訂單超23億元；拓荊科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指標(biāo)達國際水平；中微公司LPCVD設(shè)備首臺銷售后半年收入達1.99億元，同比增長約6倍，共同推進國產(chǎn)設(shè)備進程。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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資料顯示，巨風(fēng)半導(dǎo)體成立于2019年，專注于柵極驅(qū)動芯片、電源管理芯片、功率器件、功率集成方案等業(yè)務(wù)，是國內(nèi)唯一一家自主研發(fā)全系列的驅(qū)動IC和IGBT的功率半導(dǎo)體企業(yè)。

圖片來源：巨風(fēng)半導(dǎo)體

巨風(fēng)半導(dǎo)體現(xiàn)已建立起完善的產(chǎn)品矩陣，涵蓋驅(qū)動IC、PMIC、IPM和功率模塊等多個領(lǐng)域。產(chǎn)品性能已達到國際先進水平，在大家電、工業(yè)控制等重要領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，并成功進入多家行業(yè)龍頭企業(yè)的核心供應(yīng)鏈體系。

此前巨風(fēng)半導(dǎo)體已完成兩輪公開融資，第一輪為2022年9月的戰(zhàn)略輪，由上汽集團旗下尚頎資本領(lǐng)投，廣汽資本等汽車產(chǎn)業(yè)方跟投，聚焦車規(guī)級產(chǎn)品線布局。

第二輪出現(xiàn)在2023年7月的股權(quán)增資（A輪），深創(chuàng)投、廣州產(chǎn)投、南方海創(chuàng)基金、廣汽資本、工控資本等多家機構(gòu)共同出資，進一步支撐研發(fā)與產(chǎn)能擴張。

新一輪數(shù)億元融資的落地，標(biāo)志著資本市場對其技術(shù)實力與成長潛力的高度認可，也為公司進一步加速研發(fā)、擴大產(chǎn)能、深化產(chǎn)業(yè)鏈合作提供了堅實的資金保障。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：企查查

公開資料，鎵創(chuàng)未來是一家專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高科技企業(yè)，成立于2025年，創(chuàng)始團隊由西安電子科技大學(xué)博士團隊組建而成，核心成員均擁有十年以上氧化鎵/碳化硅材料研究或產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，技術(shù)依托于西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學(xué)科實驗室和寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心。

鎵創(chuàng)未來專注于氧化鎵外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品是氧化鎵外延片系列，包括氧化鎵同質(zhì)外延片以及異質(zhì)外延片產(chǎn)品線，涵蓋藍寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片，可以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

氧化鎵技術(shù)突破提速，產(chǎn)業(yè)多點開花

第四代半導(dǎo)體是繼第一代硅基、第二代化合物半導(dǎo)體、第三代寬禁帶半導(dǎo)體之后，面向極端環(huán)境與超高能效需求的新型半導(dǎo)體材料體系，主要包括氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等。

當(dāng)前，第四代半導(dǎo)體目前正逐步從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化驗證階段，但仍面臨一些挑戰(zhàn)，如材料制備難度大、成本極高、產(chǎn)業(yè)鏈不完善等。不過，隨著技術(shù)的不斷進步，一些企業(yè)和研究機構(gòu)在氧化鎵單晶制備等方面已取得了一定的突破。

例如今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（Garen?Semi）發(fā)布了全球首顆8英寸（200mm）氧化鎵單晶，并實現(xiàn)了量產(chǎn)工藝。鎵仁半導(dǎo)體采用自主研發(fā)的鑄造法，顯著降低了銥金屬的使用量，提升了晶體生長的穩(wěn)定性和成本效益。該工藝已實現(xiàn)全自動化生產(chǎn)，并通過XRD、載流子濃度、電阻率等指標(biāo)驗證了單晶質(zhì)量。

圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶

資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，創(chuàng)始團隊來自浙江大學(xué)，項目最早源自浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室的研究，隨后在杭州科技園孵化并快速推進產(chǎn)業(yè)化。

此外，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司已實現(xiàn)4英寸VB法氧化鎵襯底的國際先進水平。其采用垂直布里奇曼（VB）法進行氧化鎵晶體生長。該方法通過在垂直方向上形成穩(wěn)定的熱場，實現(xiàn)了大尺寸單晶的均勻生長，克服了傳統(tǒng)EFG法在大晶直徑上易出現(xiàn)的晶格缺陷和厚度不均問題。

資料顯示，#杭州富加鎵業(yè)?成立于2019年，是杭州光學(xué)精密機械研究所（杭州光機所）孵化的首家“硬科技”企業(yè)，專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，核心產(chǎn)品涵蓋氧化鎵單晶襯底、MOCVD與MBE同質(zhì)外延片、以及氧化鎵晶體生長與加工裝備，廣泛服務(wù)于功率器件、微波射頻和紫外光電探測等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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公開資料顯示，晶和半導(dǎo)體成立于2024年12月24日，是一家專注于半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造與電子專用材料研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。公司致力于提供先進的半導(dǎo)體制造設(shè)備解決方案，并開展相關(guān)技術(shù)進出口業(yè)務(wù)。其專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成與高丹裝備自主研發(fā)，核心產(chǎn)品聚焦第一至四代半導(dǎo)體的常溫鍵合設(shè)備，致力于打造全球領(lǐng)先的異質(zhì)材料集成技術(shù)平臺。

公司致力于構(gòu)建“設(shè)備-工藝-服務(wù)”三位一體的商業(yè)模式，通過提供定制化鍵合裝備解決方案和配套工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)，打造異質(zhì)集成國產(chǎn)裝備標(biāo)桿。

公司自主研發(fā)的金剛石基GaN晶圓常溫鍵合系統(tǒng)，創(chuàng)新性地解決了金剛石、GaN、SiC等高熱導(dǎo)材料鍵合過程中的熱膨脹系數(shù)失配、界面熱阻高和良率低等關(guān)鍵技術(shù)難題，其性能指標(biāo)達到國際先進水平。

2025年5月，公司還向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請了一項名為“一種金剛石的拋光方法、低表面粗糙度的金剛石和應(yīng)用”的專利，公開號為CN120533550A。該專利通過在金剛石的粗糙面上形成硬度小于金剛石的待處理層后再進行拋光，突破了傳統(tǒng)金剛石研磨拋光工藝的高難度和高成本瓶頸。

本次融資將主要用于晶和半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品迭代及市場拓展。投資方對晶和半導(dǎo)體的技術(shù)實力和市場前景表示高度認可，并期待通過此次合作，共同推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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唐晶量子獲新一輪融資，將加速技術(shù)開發(fā)與擴產(chǎn)！

近期，西安唐晶量子科技有限公司（以下簡稱“唐晶量子”）新一輪融資獲普華資本投資。融資將主要用于加速技術(shù)開發(fā)和擴大產(chǎn)能，進一步鞏固其在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

資料顯示，唐晶量子成立于2017年，致力于采用金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MOCVD）進行以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為襯底的III-V族化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)與生產(chǎn)，提供專業(yè)的外延生長定制服務(wù)，實現(xiàn)國內(nèi)化合物半導(dǎo)體激光器外延片的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于激光雷達、光通信、數(shù)據(jù)中心、5G射頻及傳感等關(guān)鍵領(lǐng)域。

圖片來源：唐晶量子

唐晶量子新生產(chǎn)基地項目位于西安高新區(qū)絲路科學(xué)城規(guī)劃核心區(qū)，擬建設(shè)多條砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)產(chǎn)線，預(yù)計建成后外延片年產(chǎn)量超十萬片。

該項目的建成將進一步強化公司在半導(dǎo)體激光器、光電探測器及HBT射頻外延片的產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢，為我國高端光電子和集成電路產(chǎn)業(yè)提供核心材料支撐。

安徽陶芯科完成Pre-A輪融資，將用于擴產(chǎn)、研發(fā)等方面

近日，安徽陶芯科半導(dǎo)體新材料有限公司宣布完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資。

本輪融資由黃山市產(chǎn)投集團旗下新安江資本領(lǐng)投，主要用于產(chǎn)能擴建、技術(shù)研發(fā)、市場拓展等方面。

資料顯示，#安徽陶芯科?成立于2022年，是一家專注于功率半導(dǎo)體用高性能覆銅陶瓷基板DBC、AMB研發(fā)、設(shè)計與生產(chǎn)的國家級高新技術(shù)企業(yè)。該公司擁有10000余平方米潔凈廠房，具備全工藝制程量產(chǎn)能力，已通過ISO9001、ISO14001環(huán)境管理體系、ISO45001職業(yè)健康安全管理體系、汽車領(lǐng)域IATF16949質(zhì)量管理體系認證，產(chǎn)品符合歐盟ROHS、REACH標(biāo)準(zhǔn)。

圖片來源：安徽陶芯科半導(dǎo)體新材料有限公司

同時，安徽陶芯科與多所高校建立產(chǎn)學(xué)研合作，共建陶瓷基板研發(fā)中心，持續(xù)拓展材料與應(yīng)用創(chuàng)新。為滿足市場差異化需求，公司推出TXK-TEC、TXM-ICM、TXK-IGBT、TXK-MIC及TXK-AMB五大系列產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費類電子制冷器、工控模塊、IGBT模塊、5G射頻器、白色家電、光伏儲能、新能源汽車、軌道交通、航空航天等領(lǐng)域。

安徽陶芯科表示，此次Pre-A輪融資的完成，標(biāo)志著安徽陶芯科在覆銅陶瓷基板領(lǐng)域布局的進一步加速，未來將繼續(xù)加大研發(fā)投入，拓展更多的應(yīng)用場景，并同步建設(shè)海外市場體系，確?？焖夙憫?yīng)客戶需求，以最優(yōu)的產(chǎn)品解決方案服務(wù)廣大客戶。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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近日，中山芯承半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯承半導(dǎo)體”或者“公司”）完成數(shù)千萬元A輪融資，本輪融資由老股東中山投控集團牽頭市場化投資機構(gòu)、銀行等金融機構(gòu)聯(lián)合投資；本輪融資資金主要用于高密度倒裝基板的規(guī)模量產(chǎn)和產(chǎn)能擴產(chǎn)。

關(guān)于芯承/ INTRODUCTION

中山芯承半導(dǎo)體成立于2022年，是一家集成電路封裝基板解決方案提供商，致力于設(shè)計、研發(fā)和量產(chǎn)高端芯片封裝基板；公司核心管理團隊具有超過20年以上封裝工藝和封裝基板研發(fā)和量產(chǎn)管理經(jīng)驗。公司已經(jīng)獲得了高新技術(shù)企業(yè)、專精特新中小企業(yè)、中山市工程技術(shù)中心、創(chuàng)新性中小企業(yè)等資質(zhì)認定。

芯承產(chǎn)品/PRODUCTION

公司專注于研發(fā)和量產(chǎn)高密度倒裝芯片封裝基板，主要產(chǎn)品包括FC CSP(芯片尺寸封裝)和FC BGA(球柵陣列封裝)基板。公司采用MSAP(改良半加成法)、ETS(埋入線路技術(shù))和SAP(半加成法)等先進基板加工工藝，具備10/10μm線寬/線距的FC CSP、FC BGA基板研發(fā)能力。目前工廠已實現(xiàn)L/S 12/12線路、層數(shù)達6層的WB CSP、FC CSP、SiP基板生產(chǎn)及14層800G和1.6T光模塊基板生產(chǎn)。

芯承品質(zhì)/HIGH QUALITY

自公司成立以后，致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品創(chuàng)新，已申請50多項專利，并有多項專利技術(shù)應(yīng)用于技術(shù)能力突破和產(chǎn)品質(zhì)量的提升。

公司專利

公司已通過ISO9001，ISO14001，IATF16949等體系認證；推行全面質(zhì)量管理，實現(xiàn)質(zhì)量穩(wěn)定、可靠的產(chǎn)品量產(chǎn)，已得到眾多主流半導(dǎo)體客戶的認可。

質(zhì)量體系

公司已經(jīng)與國內(nèi)外眾多頭部半導(dǎo)體封裝測試公司以及芯片設(shè)計公司開展合作，已合作的客戶數(shù)量超過100家。射頻芯片封裝用基板、存儲芯片封裝用CSP基板、處理器芯片封裝用FCCSP基板和800G光模塊封裝基板產(chǎn)品等進入批量量產(chǎn)階段。

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1、卓遠半導(dǎo)體：提速SiC研發(fā)與產(chǎn)能

近期，卓遠半導(dǎo)體完成A+輪融資交割，此次投資方為湖北永卓股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）。

圖片來源：企查查截圖

資料顯示，卓遠半導(dǎo)體專注于碳化硅、金剛石等高性能晶體生長裝備及工藝解決方案的技術(shù)研發(fā)與突破，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于智慧電網(wǎng)、新能源汽車等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

據(jù)悉，卓遠半導(dǎo)體此次融資所獲資金將主要用于兩方面，一是加大技術(shù)研發(fā)投入力度，二是推動產(chǎn)能提升工作，以此進一步強化該企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場競爭力。

卓遠半導(dǎo)體計劃在陽新地區(qū)投入3億元資金設(shè)立子公司。新成立的子公司業(yè)務(wù)聚焦于MPCVD金剛石長晶設(shè)備、碳化硅長晶設(shè)備，以及12英寸直拉式大硅片長晶設(shè)備等產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)工作。

該項目在全面達成投產(chǎn)目標(biāo)并實現(xiàn)效益后，預(yù)計可實現(xiàn)特定產(chǎn)能規(guī)模：年產(chǎn)MPCVD設(shè)備100臺、大硅片設(shè)備5臺、碳化硅設(shè)備10臺，年總產(chǎn)值可達2億元。

2、科友半導(dǎo)體：加大SiC投入

近期，媒體報道科友半導(dǎo)體完成A+輪融資。融資由富陽科晟、煕誠金睿聯(lián)合投資，具體融資金額未披露。

圖片來源：企查查截圖

據(jù)悉，本輪所獲資金將主要用于三個方向：一是科友半導(dǎo)體在碳化硅等材料與相關(guān)裝備上的研發(fā)投入；二是推進產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)工作；三是進一步擴充人才團隊規(guī)模。

資料顯示，科友半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)范圍已覆蓋第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計及科研成果轉(zhuǎn)化，且已構(gòu)建起從碳化硅原材料提純、裝備制造、晶體生長到襯底加工的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)。

9月初，科友半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)迎來新突破，該公司依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐及熱場技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅晶錠。這一成果標(biāo)志著科友成為國內(nèi)少數(shù)同時掌握12英寸碳化硅晶體生長設(shè)備與工藝全套核心技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè)，實現(xiàn)了從設(shè)備到材料的全面自主突破。

3、結(jié)語

資本的注入將為碳化硅廠商帶來新的發(fā)展動力，助力它們在碳化硅領(lǐng)域加大研發(fā)投入、提升產(chǎn)能、推進產(chǎn)業(yè)化進程，進一步鞏固和提升市場競爭力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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