圖片來(lái)源：意法半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖

2025年第四季度，意法半導(dǎo)體凈營(yíng)收為33.3億美元，同比增長(zhǎng)0.2%，環(huán)比增長(zhǎng)4.5%。然而，GAAP口徑下的毛利率為35.2%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1.25億美元，低于市場(chǎng)預(yù)期的2.22億美元，也低于去年同期的3.69億美元，凈利潤(rùn)更是虧損3000萬(wàn)美元，每股攤薄收益負(fù)0.03美元。公司指出，營(yíng)業(yè)虧損主要源于計(jì)提了1.41億美元的減值、重組和淘汰費(fèi)用，這些費(fèi)用與公司范圍內(nèi)的制造布局調(diào)整和全球成本削減計(jì)劃有關(guān)。若不計(jì)入減值支出，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)應(yīng)為2.66億美元。

從全年數(shù)據(jù)來(lái)看，2025年意法半導(dǎo)體營(yíng)收118億美元，下降11.1%。GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率1.5%，GAAP凈利潤(rùn)1.66億美元。Non-GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率4.7%，Non-GAAP凈利潤(rùn)為4.86億美元。Non-GAAP凈資本支出為17.9億美元，同時(shí)實(shí)現(xiàn)Non-GAAP自由現(xiàn)金流2.65億美元。對(duì)于2026年第一季度，公司營(yíng)收展望中值為30.4億美元，環(huán)比下降8.7%，但降幅優(yōu)于歷史季節(jié)性水平，且同比增長(zhǎng)勢(shì)頭延續(xù)。2026全年，凈資本支出（非GAAP）計(jì)劃20-22億美元，核心戰(zhàn)略聚焦加速技術(shù)創(chuàng)新、優(yōu)化全球制造布局、縮減整體成本基數(shù)、提升自由現(xiàn)金流生成能力，穩(wěn)步推進(jìn)業(yè)務(wù)提質(zhì)增效。

在整體業(yè)績(jī)承壓的背景下，意法半導(dǎo)體的碳化硅業(yè)務(wù)成為財(cái)報(bào)中的一大亮點(diǎn)。2025年，其SiC業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)到約11億美元，成為公司增長(zhǎng)最快的業(yè)務(wù)板塊。

意法半導(dǎo)體通過產(chǎn)能擴(kuò)張、技術(shù)研發(fā)和國(guó)際合作，持續(xù)加碼碳化硅領(lǐng)域。

2025年12月，公司與歐洲投資銀行簽署10億歐元信貸額度協(xié)議，首期5億歐元已到位。資金主要用于意大利和法國(guó)的研發(fā)與制造項(xiàng)目，其中60%用于提升卡塔尼亞、阿格拉特等核心生產(chǎn)基地的碳化硅產(chǎn)能，40%投入技術(shù)研發(fā)。卡塔尼亞工廠是全球首個(gè)全集成碳化硅晶圓廠，集8英寸碳化硅功率器件制造、封裝、測(cè)試于一體，總投資50億歐元，全面落成后年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片，將顯著提升全球碳化硅供給能力。

此外，意法半導(dǎo)體與三安光電合資的重慶8英寸碳化硅工廠已于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)，形成歐洲與中國(guó)的雙基地布局，覆蓋汽車、數(shù)據(jù)中心等核心需求場(chǎng)景。

在技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)SiC MOSFET技術(shù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使整車?yán)m(xù)航提升8%-10%，開關(guān)損耗較硅基IGBT降低50%以上。這一優(yōu)勢(shì)使得意法半導(dǎo)體的碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)具有強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，為其把握市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)遇奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

意法半導(dǎo)體在2025年整體業(yè)績(jī)雖面臨挑戰(zhàn)，但碳化硅業(yè)務(wù)的突出表現(xiàn)無(wú)疑為公司帶來(lái)了新的希望和增長(zhǎng)動(dòng)力。隨著產(chǎn)能的不斷擴(kuò)張和技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，意法半導(dǎo)體有望在碳化硅領(lǐng)域取得更大的突破，進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為32,980.17萬(wàn)元到39,576.20萬(wàn)元，與上年同期相比，增加10,993.39萬(wàn)元到17,589.42萬(wàn)元，同比增加50%到80%。

預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為28,602.64萬(wàn)元到35,198.67萬(wàn)元，與上年同期相比，將增加3,432.61萬(wàn)元到10,028.64萬(wàn)元，同比增加13.64%到39.84%。

圖片來(lái)源：士蘭微公告截圖

深入實(shí)施“一體化”戰(zhàn)略是#士蘭微 業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。報(bào)告期內(nèi)，公司聚焦汽車、新能源、大型白電、工業(yè)、通訊與算力等高門檻市場(chǎng)，通過高強(qiáng)度研發(fā)投入持續(xù)推出高附加值產(chǎn)品，推動(dòng)功率半導(dǎo)體、高性能電源管理IC、MEMS傳感器等新品在下游批量落地，大客戶及高門檻市場(chǎng)收入占比連續(xù)提升，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收與行業(yè)影響力雙向擴(kuò)容。同時(shí)，公司通過擴(kuò)大產(chǎn)出、降本增效等舉措，有效應(yīng)對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，產(chǎn)品綜合毛利率與2024年基本保持穩(wěn)定。

關(guān)于士蘭微子公司士蘭明鎵經(jīng)營(yíng)性虧損增加的原因，士蘭微表示，士蘭明鎵6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線處于生產(chǎn)爬坡期，由于前期產(chǎn)出相對(duì)較少，生產(chǎn)成本中分?jǐn)偟墓潭ㄙY產(chǎn)折舊金額較高，且前期采購(gòu)的原材料主材成本較高，而SiC芯片市場(chǎng)價(jià)格下降幅度較大，導(dǎo)致SiC功率器件芯片生產(chǎn)線經(jīng)營(yíng)性虧損較大。公司已開發(fā)了多種規(guī)格的SiC功率器件芯片，可以滿足汽車、新能源、工業(yè)、家電等多樣性的需求。

2025年下半年，士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線產(chǎn)出已經(jīng)逐步增加，預(yù)計(jì)2026年將實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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數(shù)據(jù)顯示，2025財(cái)年第四季度英飛凌營(yíng)收為39.43億歐元，利潤(rùn)為7.17億歐元，利潤(rùn)率18.2%。2025財(cái)年英飛凌營(yíng)收為146.62億歐元，同比下降2%；利潤(rùn)為25.6億歐元；利潤(rùn)率為17.5%；調(diào)整后每股收益為1.39歐元；由于收購(gòu)Marvell公司汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)，自由現(xiàn)金流為負(fù)10.51億歐元；調(diào)整后的自由現(xiàn)金流為正18.03億歐元。

圖片來(lái)源：英飛凌

資料顯示，英飛凌是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體頭部企業(yè)，在2025年持續(xù)發(fā)力。

4月，英飛凌宣布簽署了以約25億美元收購(gòu)Marvell汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)的協(xié)議，通過此次交易，英飛凌將其領(lǐng)先的汽車微控制器（MCU）產(chǎn)品組合與Marvell的汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)相結(jié)合，提高自身在軟件定義汽車領(lǐng)域的系統(tǒng)能力，英飛凌預(yù)計(jì)該項(xiàng)業(yè)務(wù)在2025年的業(yè)務(wù)收入將達(dá)到2.25億至2.5億美元，毛利率約為60%。

7月29日，英飛凌分撥中心（中國(guó)）定制項(xiàng)目簽約暨奠基儀式在上海浦東機(jī)場(chǎng)綜合保稅區(qū)內(nèi)舉行，標(biāo)志著該項(xiàng)目正式進(jìn)入建設(shè)階段。項(xiàng)目建成后，將通過引入智能化管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)訂單與發(fā)貨的無(wú)縫銜接，為客戶提供更高效、更可持續(xù)、更具韌性的服務(wù)體驗(yàn)。

在功率半導(dǎo)體布局上英飛凌也取得突破，年中有媒體報(bào)道英飛凌已經(jīng)落實(shí)在馬來(lái)西亞300億令吉額外投資，在吉打居林高科技工業(yè)園興建全球最大200毫米（8英寸）碳化硅功率半導(dǎo)體 工廠，為汽車、綠色工業(yè)電力和電源等領(lǐng)域提供助力。

并且其基于12英寸晶圓的可擴(kuò)展氮化鎵（GaN）制造技術(shù)已取得突破性進(jìn)展。這一里程碑標(biāo)志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步，首批樣品預(yù)計(jì)將于2025年第四季度交付客戶。

此外，英飛凌在中國(guó)推出“在中國(guó)，為中國(guó)”本土化戰(zhàn)略，深化本土研發(fā)與供應(yīng)鏈，并積極推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新。公司還積極布局#AI服務(wù)器電源，預(yù)計(jì)2025財(cái)年AI相關(guān)業(yè)務(wù)收入將達(dá)6?億歐元，目標(biāo)2026財(cái)年突破10?億歐元。

對(duì)于未來(lái)，英飛凌在財(cái)報(bào)中對(duì)2026財(cái)年第一季度展望是假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.15，預(yù)計(jì)營(yíng)收約為36億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤(rùn)率預(yù)計(jì)在14%~19%之間。

圖片來(lái)源：英飛凌

面向2026財(cái)年，英飛凌表示，假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.15，盡管受到匯率的不利影響，預(yù)計(jì)營(yíng)收較上一財(cái)年將實(shí)現(xiàn)溫和增長(zhǎng)。調(diào)整后的毛利率預(yù)計(jì)在41%-43%之間，利潤(rùn)率為17%~19%。計(jì)劃投資約22億歐元。考慮到對(duì)前道廠房的投資，調(diào)整后的自由現(xiàn)金流約為16億歐元，報(bào)告的自由現(xiàn)金流約為11億歐元。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：天岳先進(jìn)公告截圖

針對(duì)上述業(yè)績(jī)變化，天岳先進(jìn)在財(cái)報(bào)中表示主要是受到以下三方面影響：

一是為提升市占率對(duì)部分產(chǎn)品降價(jià)，導(dǎo)致營(yíng)收與毛利收縮；二是在AR眼鏡等新應(yīng)用領(lǐng)域，測(cè)試送樣導(dǎo)致銷售費(fèi)用增加，大尺寸及新應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)投入拉升研發(fā)費(fèi)用；三是外匯匯率波動(dòng)產(chǎn)生的匯兌損益，使財(cái)務(wù)費(fèi)用大幅增長(zhǎng)。

研發(fā)方面，天岳先進(jìn)前三季度研發(fā)投入1.23億元，同比增長(zhǎng)29.75%，研發(fā)投入占比升至11.09%，較上年同期提高3.67個(gè)百分點(diǎn)。

據(jù)媒體報(bào)道，天岳先進(jìn)研發(fā)重點(diǎn)投向大尺寸襯底技術(shù)攻關(guān)以及新興應(yīng)用領(lǐng)域。據(jù)悉，天岳先進(jìn)已構(gòu)建6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣。12英寸產(chǎn)品涵蓋高純半絕緣型、導(dǎo)電P型及N型產(chǎn)品，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向更大尺寸轉(zhuǎn)型。

新興應(yīng)用涉及的是AR眼鏡領(lǐng)域，天岳先進(jìn)與消費(fèi)電子廠商合作探索碳化硅在AR眼鏡的應(yīng)用，相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)入送樣驗(yàn)證階段，還與舜宇?yuàn)W來(lái)簽戰(zhàn)略合作協(xié)議，深化碳化硅光波導(dǎo)鏡片協(xié)作。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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按業(yè)務(wù)劃分，意法半導(dǎo)體模擬產(chǎn)品、MEMS 和傳感器 (AM&S) 部門收入增長(zhǎng)7.0%，主要由于成像業(yè)務(wù)。

營(yíng)業(yè)利潤(rùn)增長(zhǎng)2.1%，達(dá)到2.21億美元；電源和分立產(chǎn)品（P&D）部門收入下降34.3%；嵌入式處理（EMP）部分收入增長(zhǎng)8.7%，主要由于通用MCU；射頻與光通信（RF&OC）領(lǐng)域收入下降3.4%。

意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，第三季度凈營(yíng)收略高于我們業(yè)務(wù)預(yù)期區(qū)間的中點(diǎn)，其中個(gè)人電子產(chǎn)品營(yíng)收有所增長(zhǎng)，汽車和工業(yè)業(yè)務(wù)表現(xiàn)符合預(yù)期，消費(fèi)電子產(chǎn)品和消費(fèi)品業(yè)務(wù)也基本符合預(yù)期。毛利率略低于我們業(yè)務(wù)預(yù)期區(qū)間的中點(diǎn)，主要原因是汽車和工業(yè)產(chǎn)品組合的差異。

展望第四季度，意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)按中間值計(jì)算，公司凈營(yíng)收為32.8億美元，環(huán)比增長(zhǎng)2.9%，毛利率預(yù)計(jì)約為35.0%。至于2025年全年，意法半導(dǎo)體預(yù)估營(yíng)收約為117.5億美元。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：天岳先進(jìn)公告截圖

天岳先進(jìn)表示，上半年公司為持續(xù)提升碳化硅襯底材料在下游應(yīng)用的滲透率、提高產(chǎn)品市場(chǎng)占有率，襯底銷售價(jià)格同比下降；同時(shí)，公司加大對(duì)大尺寸襯底的研發(fā)投入，研發(fā)費(fèi)用同比增加。

天岳先進(jìn)成立于2010年，2022年登陸A股科創(chuàng)板，2025年8月20日在港交所上市，該公司主要從事碳化硅（SiC）襯底的研發(fā)、制造和銷售，是全球少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)、率先實(shí)現(xiàn)2英寸到8英寸碳化硅襯底的商業(yè)化的公司之一，并率先推出12英寸碳化硅襯底的公司。

客戶方面，天岳先進(jìn)目前獲得英飛凌、博世、安森美等下游電力電子、汽車電子領(lǐng)域的國(guó)際知名企業(yè)合作，并全球前十大功率半導(dǎo)體器件制造商中一半以上的制造商建立了業(yè)務(wù)合作關(guān)系。

此外，近期天岳先進(jìn)積極擴(kuò)展“朋友圈”。今年7月，天岳先進(jìn)與舜宇?yuàn)W來(lái)達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將通過整合天岳先進(jìn)的材料優(yōu)勢(shì)與舜宇?yuàn)W來(lái)的光學(xué)技術(shù)專長(zhǎng)，助力碳化硅襯底材料在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用，開拓一個(gè)新興的藍(lán)海市場(chǎng)。

8月，天岳先進(jìn)還與東芝電子元件就開發(fā)制造SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議，雙方將針對(duì)SiC功率半導(dǎo)體特性提升與品質(zhì)改善進(jìn)行技術(shù)協(xié)作，以及運(yùn)用合作成果擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。

（集邦化合物半導(dǎo)體 FLora 整理）

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圖片來(lái)源：英諾賽科公告截圖

在截至2025年6月30日的六個(gè)月內(nèi)，英諾賽科實(shí)現(xiàn)銷售收入人民幣5.53億元，與去年同期相比增長(zhǎng)43.4%。同期，公司毛利率實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵性的轉(zhuǎn)變，由去年同期的-21.6%提升至6.8%，同比改善28.4個(gè)百分點(diǎn)，這是公司首次錄得毛利為正。

英諾賽科財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其研發(fā)費(fèi)用高達(dá)1.623億元人民幣，同比增長(zhǎng)11.5%；加上行政、銷售費(fèi)等運(yùn)營(yíng)支出，導(dǎo)致公司當(dāng)期凈虧損為4.287億元。盡管虧損額仍然巨大，但這已經(jīng)比2024年同期的4.880億元凈虧損有所收窄，顯示出公司的盈利能力正在改善軌道上。2025年上半年，英諾賽科在人工智能及數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的銷售額實(shí)現(xiàn)了同比180%的爆炸性增長(zhǎng)，成為公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)最快的板塊之一。這一成就的頂點(diǎn)，是公司正式成為芯片巨頭英偉達(dá)800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)的國(guó)內(nèi)芯片供應(yīng)商之一。雙方的合作于2025年7月31日正式公布，旨在共同推動(dòng)新一代AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案的落地。

在新能源汽車領(lǐng)域，英諾賽科同樣取得了顯著進(jìn)展。2025年上半年，其車規(guī)級(jí)芯片的出貨量同比增長(zhǎng)了128% 。為了進(jìn)一步深化在汽車電子領(lǐng)域的布局，公司于今年7月29日宣布與行業(yè)領(lǐng)先的汽車零部件供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子（UAES）成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同開發(fā)基于氮化鎵技術(shù)的新能源汽車電源系統(tǒng)解決方案 。

該合作的重點(diǎn)目標(biāo)應(yīng)用包括激光雷達(dá)（LiDAR）系統(tǒng)和車載充電機(jī)（OBC）。英諾賽科已通過IATF 16949和AEC-Q101等嚴(yán)苛的汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系認(rèn)證，為其產(chǎn)品進(jìn)入該領(lǐng)域鋪平了道路 。在積極開拓新興市場(chǎng)的同時(shí)，英諾賽科并未放松其在傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的地位。公司在快充、智能手機(jī)和筆記本電腦等消費(fèi)電子市場(chǎng)繼續(xù)保持著強(qiáng)大的業(yè)務(wù)基礎(chǔ) 。同時(shí)，公司正積極將產(chǎn)品應(yīng)用范圍拓展至新的消費(fèi)品類，例如通過與家電巨頭美的集團(tuán)的戰(zhàn)略合作，將氮化鎵技術(shù)引入抽油煙機(jī)、電視和音響系統(tǒng)等產(chǎn)品中 。

在工業(yè)領(lǐng)域，公司新推出的1200V高壓氮化鎵芯片正瞄準(zhǔn)更廣泛的工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。此外，其創(chuàng)新的VGaN（低壓雙向）產(chǎn)品已成功導(dǎo)入電池管理系統(tǒng)（BMS）并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模出貨，顯示出其在技術(shù)應(yīng)用上的廣度和深度。

這一系列舉措展現(xiàn)了英諾賽科清晰的雙軌戰(zhàn)略：一方面，利用在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的規(guī)模優(yōu)勢(shì)和成本控制能力，鞏固并捍衛(wèi)其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位；另一方面，將這一規(guī)?；脚_(tái)作為跳板，向更多元化的工業(yè)和家電應(yīng)用領(lǐng)域滲透。

機(jī)器人革命：氮化鎵賦能下一代產(chǎn)品的必然性

機(jī)器人技術(shù)，特別是人形機(jī)器人的發(fā)展，正在為氮化鎵半導(dǎo)體開辟一個(gè)具有變革性意義的全新市場(chǎng)。先進(jìn)機(jī)器人，尤其是人形機(jī)器人，對(duì)功率器件的性能要求達(dá)到了前所未有的高度，這些要求恰恰是傳統(tǒng)硅基MOSFET難以滿足的物理瓶頸，而氮化鎵則提供了完美的解決方案。

首先，在功率密度方面，人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)結(jié)構(gòu)空間極其有限。氮化鎵功率器件能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)板的體積減少約50%，整體芯片面積相較于硅基MOSFET可縮小超過50%，解決了機(jī)器人“寸土寸金”的設(shè)計(jì)難題。傳統(tǒng)硅器件的龐大體積使其根本無(wú)法被集成到緊湊的關(guān)節(jié)腔內(nèi)。

其次，在能源效率方面，傳統(tǒng)硅器件在開關(guān)過程中會(huì)產(chǎn)生巨大的能量損耗，占電機(jī)總功耗的23%，形成了限制機(jī)器人續(xù)航能力的“能耗黑洞”。而氮化鎵器件獨(dú)特的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)使其開關(guān)損耗比硅基器件降低了高達(dá)85%，極大地提升了能源利用效率，從而延長(zhǎng)了機(jī)器人的工作時(shí)間和續(xù)航里程。

最后，在響應(yīng)速度方面，機(jī)器人執(zhí)行精細(xì)動(dòng)作（例如在0.1秒內(nèi)將手指關(guān)節(jié)電機(jī)從靜止加速到500轉(zhuǎn)/分鐘）需要驅(qū)動(dòng)器支持極高的脈沖寬度調(diào)制（PWM）頻率。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的開關(guān)速度遠(yuǎn)超硅基MOSFET，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)器人所需的高速、精準(zhǔn)的電機(jī)控制，賦予機(jī)器人前所未有的靈活性和敏捷性。綜上所述，氮化鎵對(duì)于先進(jìn)機(jī)器人而言，并非僅僅是一種性能上的漸進(jìn)式改良，而是實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)目標(biāo)——即緊湊、高效、敏捷——的根本性前提技術(shù)。它構(gòu)成了驅(qū)動(dòng)機(jī)器人活動(dòng)的“功率神經(jīng)系統(tǒng)” 。英諾賽科與中國(guó)領(lǐng)先的具身智能公司上海智元機(jī)器人（Shanghai Agibot）的合作，是氮化鎵技術(shù)在人形機(jī)器人領(lǐng)域商業(yè)化應(yīng)用的一個(gè)里程碑事件。智元機(jī)器人已開始在其量產(chǎn)的人形機(jī)器人中集成英諾賽科的氮化鎵芯片，標(biāo)志著該技術(shù)已從理論驗(yàn)證階段邁向了規(guī)模化生產(chǎn)。

圖片來(lái)源：智元機(jī)器人

根據(jù)合作細(xì)節(jié)，氮化鎵芯片被應(yīng)用于機(jī)器人的關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中。根據(jù)關(guān)節(jié)尺寸和負(fù)載的不同，其配置也不同：手指等小型關(guān)節(jié)需要3至6顆芯片，肘部等中型關(guān)節(jié)需要約12顆，而承載主要負(fù)荷的大型關(guān)節(jié)則需要多達(dá)24顆。據(jù)此計(jì)算，一臺(tái)基礎(chǔ)構(gòu)型的人形機(jī)器人對(duì)氮化鎵芯片的用量約為300顆。隨著未來(lái)機(jī)器人增加更多自由度（如五指靈巧手、腰部扭轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)），單臺(tái)機(jī)器人的氮化鎵芯片用量可能將突破1000顆。

此次合作是對(duì)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人領(lǐng)域價(jià)值的首次大規(guī)模商業(yè)驗(yàn)證。它為英諾賽科帶來(lái)了關(guān)鍵的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，并為整個(gè)行業(yè)樹立了一個(gè)強(qiáng)有力的應(yīng)用范例。根據(jù)公開信息，今年搭載氮化鎵芯片的機(jī)器人出貨量有望達(dá)到“萬(wàn)臺(tái)級(jí)”規(guī)模，這預(yù)示著一個(gè)巨大的新市場(chǎng)正在被開啟。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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1、晶盛機(jī)電：12 英寸碳化硅技術(shù)突破

2025年上半年，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入57.99 億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)6.39億元。

圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電公告截圖

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，在設(shè)備方面，晶盛機(jī)電報(bào)告期內(nèi)晶盛機(jī)電重點(diǎn)加強(qiáng)8英寸碳化硅外延設(shè)備、6-8英寸碳化硅減薄設(shè)備的市場(chǎng)推廣，加速商業(yè)化落地；同時(shí)，該公司碳化硅氧化爐、激活爐、離子注入設(shè)備等關(guān)鍵裝備正推進(jìn)客戶驗(yàn)證，進(jìn)展順利，為后續(xù)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)?；慨a(chǎn)提供設(shè)備支撐。

襯底材料領(lǐng)域，晶盛機(jī)電成功長(zhǎng)出12英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體，打破大尺寸碳化硅襯底的技術(shù)壁壘；同時(shí)，8英寸碳化硅襯底的全球客戶驗(yàn)證范圍大幅擴(kuò)大，產(chǎn)品性能獲客戶認(rèn)可，已成功獲取部分國(guó)際客戶的批量訂單。

此外，為匹配全球碳化硅市場(chǎng)需求，公司在馬來(lái)西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，同時(shí)在銀川投建8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目，進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)與規(guī)模雙重優(yōu)勢(shì)，提升全球供應(yīng)鏈響應(yīng)能力。

2、斯達(dá)：碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)發(fā)展迅速

2025年上半年，斯達(dá)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約19.36億元，同比上升26.25%，實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約2.75億元，較去年同期上升0.26%。

圖片來(lái)源：斯達(dá)半導(dǎo)體公告截圖

報(bào)告期內(nèi)，斯達(dá)半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)較快發(fā)展。

斯達(dá)半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品已經(jīng)在汽車、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、低空飛行等多個(gè)行業(yè)得到應(yīng)用，其中該公司自主研發(fā)的車規(guī)級(jí)第二代SiC MOSFET芯片開始批量出貨，平臺(tái)電壓覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個(gè)電壓等級(jí)，將對(duì)應(yīng)配套400V、800V、1000V等電壓平臺(tái)主電驅(qū)項(xiàng)目。

氮化鎵領(lǐng)域，今年上半年，斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)GaN驅(qū)動(dòng)模塊獲得了主電機(jī)控制器平臺(tái)定點(diǎn)，預(yù)計(jì)2026年進(jìn)入裝車應(yīng)用階段。今年6月，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布公告表示，計(jì)劃發(fā)行總額不超過15億元的可轉(zhuǎn)換公司債券，將募資資金用于建設(shè)車規(guī)級(jí)GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊制造項(xiàng)目等。其中，車規(guī)級(jí)GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資總額約3億元，擬投入募集資金2億元。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技半年報(bào)截圖

揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，公司不斷加大MOSFET、IGBT、SiC等產(chǎn)品在汽車電子、人工智能、工業(yè)、清潔能源等市場(chǎng)的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期快速提升。

資料顯示，揚(yáng)杰科技成立于2006年，是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。

揚(yáng)杰科技產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、智能安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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根據(jù)財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，英飛凌第三季度（截至2025年6月30日）營(yíng)收達(dá)到37.04億歐元，環(huán)比增長(zhǎng)3%，略高于市場(chǎng)預(yù)期。在盈利能力方面，公司當(dāng)季部門利潤(rùn)為6.68億歐元，部門利潤(rùn)率達(dá)到18.0%，較上一季度的16.7%有所提升，主要得益于產(chǎn)品銷量的增長(zhǎng)和運(yùn)營(yíng)效率的優(yōu)化。

圖片來(lái)源：英飛凌

從業(yè)務(wù)部門來(lái)看，綠色工業(yè)電源（GIP）和電源與感測(cè)系統(tǒng)（PSS）部門的營(yíng)收均實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，而最大業(yè)務(wù)板塊車用電子（ATV）部門則有小幅增長(zhǎng)，聯(lián)網(wǎng)安全系統(tǒng)（CSS）部門營(yíng)收略有下降。

在業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)方面，英飛凌的營(yíng)收構(gòu)成體現(xiàn)了其以功率解決方案為核心的業(yè)務(wù)架構(gòu)：功率器件及模塊貢獻(xiàn)了約40%的營(yíng)收，控制與連接類產(chǎn)品和模擬與傳感器各占約30%。在這一架構(gòu)下，SiC功率器件、電機(jī)控制模塊及車載安全I(xiàn)C已成為公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/p>

作為英飛凌最大的業(yè)務(wù)板塊，汽車電子（ATV） 部門貢獻(xiàn)營(yíng)收18.7億歐元，同比增長(zhǎng)約1%，部門利潤(rùn)率維持在19.8%。在該領(lǐng)域，英飛凌的技術(shù)突破集中體現(xiàn)在碳化硅（SiC）和微控制器（MCU）產(chǎn)品線的推廣上。該公司基于200毫米SiC晶圓開發(fā)的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，在電動(dòng)汽車牽引逆變器中展現(xiàn)出卓越性能，通過低導(dǎo)通損耗和高溫穩(wěn)定性實(shí)現(xiàn)了高功率密度輸出。

綠色工業(yè)電源（GIP）部門在本季度取得了亮眼增長(zhǎng)，營(yíng)收達(dá)5.03億歐元，同比增長(zhǎng)9%，利潤(rùn)率突破22%。電源與感測(cè)系統(tǒng)（PSS） 部門營(yíng)收為10.53億歐元，同比增長(zhǎng)13%，利潤(rùn)率達(dá)到18.8%。該部門的技術(shù)重點(diǎn)在于AI服務(wù)器電源解決方案和傳感器融合模塊。功率與傳感器系統(tǒng)部門營(yíng)收10.53億歐元，同比增長(zhǎng)13%，利潤(rùn)率18.8%。

為了支持未來(lái)增長(zhǎng)，英飛凌正在持續(xù)擴(kuò)張其SiC與GaN產(chǎn)能。其位于馬來(lái)西亞的Kulim 3工廠已提前投產(chǎn)并實(shí)現(xiàn)了200毫米SiC晶圓的量產(chǎn)，公司計(jì)劃到2026年將SiC成本降低約30%。

英飛凌執(zhí)行長(zhǎng)Jochen Hanebeck表示，盡管市場(chǎng)庫(kù)存調(diào)整已大幅推進(jìn)，但公司及其客戶仍需應(yīng)對(duì)不確定的宏觀經(jīng)濟(jì)和貿(mào)易環(huán)境。他強(qiáng)調(diào)，英飛凌正積極把握策略性增長(zhǎng)領(lǐng)域的機(jī)會(huì)，包括軟件定義汽車、為AI數(shù)據(jù)中心提供的電源解決方案、快速增長(zhǎng)的能源基礎(chǔ)設(shè)施投資，以及未來(lái)的人形機(jī)器人等新興應(yīng)用。他指出，憑借公司在功率半導(dǎo)體、模擬與傳感器以及控制與連接方面的全面產(chǎn)品組合，英飛凌已為這些市場(chǎng)的長(zhǎng)期增長(zhǎng)趨勢(shì)做好了充分準(zhǔn)備。

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