source：住友重工離子技術公司
報介紹，離子注入設備將磷、硼等雜質離子注入晶圓中，以改變其電特性。對于硅晶片，在離子注入后進行熱處理以恢復結晶度。但對于SiC來說，僅用離子注入后的熱處理也難以恢復結晶性。慣用的方法是將SiC晶片加熱至約500攝氏度之后，再進行離子注入并進行熱處理。由于其操作工藝復雜，因此，SiC半導體存在產(chǎn)量比硅半導體低的問題。
此次，住友重工離子技術公司計劃改進其推出的產(chǎn)品的離子注入方法，在保持SiC半導體質量的同時提高產(chǎn)量。
值得一提的是，同為離子注入設備廠商的Axcelis，其SiC離子注入機設備訂單表現(xiàn)突出—2023年，SiC設備業(yè)務營收占Axcelis總營收的34%，成為其業(yè)績重要組成部分和增長動力。今年，在不到一個月的時間內，Axcelis已完成三起SiC設備訂單的出貨，客戶包括中國、日本等地的功率器件制造商。
source：Axcelis
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。（集邦化合物半導體Morty）
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