武漢阿基米德半導(dǎo)體成立于2026年1月，注冊(cè)資本1000萬(wàn)元人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍涵蓋集成電路設(shè)計(jì)、制造及半導(dǎo)體分立器件研發(fā)與銷(xiāo)售，聚焦功率半導(dǎo)體核心領(lǐng)域。

陽(yáng)光電源聚焦新能源領(lǐng)域，主營(yíng)光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等核心產(chǎn)品，功率半導(dǎo)體是其設(shè)備運(yùn)行的關(guān)鍵部件。此次戰(zhàn)略入股，既是陽(yáng)光電源完善上游供應(yīng)鏈、保障核心部件自主可控的重要舉措。

據(jù)公開(kāi)資料顯示，武漢阿基米德半導(dǎo)體背靠實(shí)力雄厚的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，核心成員由中國(guó)科學(xué)院院士領(lǐng)銜，匯聚斯坦福大學(xué)博士及來(lái)自英飛凌、三菱、華為等頂尖企業(yè)的專(zhuān)業(yè)人才，掌握SiC/IGBT功率器件設(shè)計(jì)、封裝等關(guān)鍵技術(shù)。

公司已建成多條量產(chǎn)產(chǎn)線，具備大規(guī)模制造能力，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域，與陽(yáng)光電源的業(yè)務(wù)場(chǎng)景高度契合。此前，雙方已在2025年7月達(dá)成功率半導(dǎo)體模塊供應(yīng)鏈測(cè)試合作，此次股權(quán)入股將進(jìn)一步深化技術(shù)適配與資源共享。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次收購(gòu)?fù)瓿珊?，慧能泰將成為東微半導(dǎo)的控股子公司，并入其合并財(cái)務(wù)報(bào)表。

圖片來(lái)源：東微半導(dǎo)公告截圖

東微半導(dǎo)表示，此舉旨在整合雙方在協(xié)議芯片與數(shù)字控制IC方面的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)“控制—驅(qū)動(dòng)—執(zhí)行”全鏈條的貫通，推動(dòng)公司從單一功率器件供應(yīng)商向一站式系統(tǒng)解決方案提供商進(jìn)行戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。

東微半導(dǎo)還透露，本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后，公司計(jì)劃通過(guò)公開(kāi)摘牌方式進(jìn)一步收購(gòu)剩余國(guó)資股東（廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司）所持慧能泰5.3231%的股權(quán)，目前正與相關(guān)方積極磋商。

慧能泰專(zhuān)注于高性能模擬與混合集成電路的定義、開(kāi)發(fā)及商業(yè)化應(yīng)用，其核心業(yè)務(wù)涵蓋USB Type-C生態(tài)鏈與數(shù)字能源兩大領(lǐng)域，主要聚焦智能快充產(chǎn)品和數(shù)字能源產(chǎn)品線。

東微半導(dǎo)表示，將把慧能泰的協(xié)議芯片和數(shù)字能源控制IC整合進(jìn)自身產(chǎn)品體系，以實(shí)現(xiàn)深度的產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)。

行業(yè)分析指出，東微半導(dǎo)專(zhuān)注于高性能功率器件（如MOSFET、IGBT等），慧能泰則深耕高性能模擬與混合集成電路，尤其在USB Type-C生態(tài)鏈及數(shù)字能源領(lǐng)域擁有技術(shù)優(yōu)勢(shì)。本次收購(gòu)意在整合雙方在“控制—驅(qū)動(dòng)—執(zhí)行”全鏈路的資源，使東微半導(dǎo)能夠?qū)⒒勰芴┑膮f(xié)議芯片與數(shù)字能源控制IC融入自身產(chǎn)品矩陣，實(shí)現(xiàn)從單一功率器件供應(yīng)商向一站式系統(tǒng)解決方案提供商的轉(zhuǎn)型。

此外，慧能泰的核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自國(guó)際頂尖半導(dǎo)體公司，擁有近20年的數(shù)字電源開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，其數(shù)字控制IC產(chǎn)品在電源轉(zhuǎn)換效率、軟件可編程性等方面表現(xiàn)突出。東微半導(dǎo)的高性能功率器件與慧能泰的控制芯片相結(jié)合，有望填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端數(shù)字能源控制芯片的空白，雙方將攜手拓展數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等高增長(zhǎng)領(lǐng)域市場(chǎng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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核心芯片方面，計(jì)劃提出，支持國(guó)產(chǎn)GPU、NPU、CPU、DPU等核心芯片產(chǎn)品加快應(yīng)用和迭代，形成完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)，鼓勵(lì)基于RISC-V架構(gòu)的高性能計(jì)算芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，發(fā)展高速以太網(wǎng)交換芯片、PCIe/CXL交換芯片等，推動(dòng)技術(shù)迭代與性能升級(jí)。支持第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與應(yīng)用，支持開(kāi)發(fā)場(chǎng)景化專(zhuān)用電源方案，前瞻布局下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)。

電源儲(chǔ)能方面，計(jì)劃提出加快“鋰電+”優(yōu)勢(shì)賦能，持續(xù)提升UPS、800V高壓直流電源、鋰/鈉儲(chǔ)能系統(tǒng)等優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品“含深度”。強(qiáng)化“電力電子+”能力躍遷，推動(dòng)新一代HVDC供電方案迭代，加快高壓SiC MOSFET、高頻GaN功率器件、多相控制器與智能功率級(jí)（DrMOS）、高集成度功率模塊等重點(diǎn)產(chǎn)品研發(fā)創(chuàng)新。

被動(dòng)元器件方面，計(jì)劃提出重點(diǎn)發(fā)展AI服務(wù)器用高速連接器、大電流功率電感、高容值MLCC、高頻低ESR電容、3D硅基電容等核心產(chǎn)品；推動(dòng)高速連接器傳輸速率、功率電感磁芯材料迭代升級(jí)，提升一體成型電感、固態(tài)聚合物電容等產(chǎn)品量產(chǎn)能力。

資料顯示，深圳擁有比亞迪半導(dǎo)體、華潤(rùn)微電子、士蘭微等國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，覆蓋功率器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試全鏈條。深圳寶安區(qū)形成從材料、設(shè)備到器件制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈，坪山區(qū)、龍崗區(qū)等也在功率半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)布局，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同。深圳功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策、技術(shù)、企業(yè)協(xié)同等方面正持續(xù)發(fā)力，致力于成為全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

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其中涉及功率半導(dǎo)體的項(xiàng)目包括浙江瞻芯電子科技有限公司年產(chǎn)10.2萬(wàn)片碳化硅功率器件晶圓制造項(xiàng)目、杭州道銘微電子有限公司集成電路及功率器件系統(tǒng)集成封裝新建一期廠房等。

浙江瞻芯電子科技有限公司年產(chǎn)10.2萬(wàn)片碳化硅功率器件晶圓制造項(xiàng)目旨在建設(shè)碳化硅功率器件晶圓生產(chǎn)線，提升碳化硅芯片產(chǎn)能，滿足新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芄β势骷男枨?。?xiàng)目建成后，將顯著增強(qiáng)瞻芯電子在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的供應(yīng)能力，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

杭州道銘微電子有限公司集成電路及功率器件系統(tǒng)集成封裝新建一期廠房項(xiàng)目位于杭州市錢(qián)塘區(qū)綜合保稅區(qū)內(nèi)，該項(xiàng)目于2023年5月28日開(kāi)工，2024年6月19日完成主體結(jié)構(gòu)結(jié)頂，2025年8月完成主體工程及環(huán)保設(shè)施安裝，并于2025年8月20日開(kāi)始調(diào)試。

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圖片來(lái)源：安森美

峰岹科技在最新的價(jià)格調(diào)整通知函中表示，全球原材料價(jià)格持續(xù)上漲，公司堅(jiān)持在不漲價(jià)的前提下盡最大努力為客戶伙伴們持續(xù)提供穩(wěn)定可靠的芯片產(chǎn)品。但行業(yè)產(chǎn)能供應(yīng)依舊緊張，原價(jià)格已無(wú)法支撐后續(xù)產(chǎn)能保障和產(chǎn)品交付。為了保障產(chǎn)能，穩(wěn)定芯片供應(yīng)，公司經(jīng)審慎研究決定從2026年4月1日起在售產(chǎn)品進(jìn)行價(jià)格調(diào)整，實(shí)際漲幅以具體產(chǎn)品為準(zhǔn)，請(qǐng)與公司銷(xiāo)售人員進(jìn)行確認(rèn)。

資料顯示，峰岹科技專(zhuān)注于高性能BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)品涵蓋電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的全部關(guān)鍵芯片，包括電機(jī)主控芯片MCU/ASIC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片HVIC、電機(jī)專(zhuān)用功率器件MOSFET等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于家電、電動(dòng)工具、運(yùn)動(dòng)出行、工業(yè)與汽車(chē)等領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：峰岹科技

媒體報(bào)道，功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商AOS(萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體)在3月上旬正式向全球客戶發(fā)出價(jià)格調(diào)整通知。

AOS在漲價(jià)函中透露，盡管行業(yè)成本壓力持續(xù)增加，公司已盡一切努力盡可能長(zhǎng)時(shí)間地維持現(xiàn)有價(jià)格。然而，鑒于原材料、能源、物流及基礎(chǔ)設(shè)施成本的持續(xù)攀升，為確?？沙掷m(xù)運(yùn)營(yíng)和長(zhǎng)期供應(yīng)可靠性，現(xiàn)有必要進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求持續(xù)增長(zhǎng)，導(dǎo)致某些產(chǎn)品細(xì)分領(lǐng)域的供應(yīng)趨緊。為支持未來(lái)增長(zhǎng)并保持供應(yīng)連續(xù)性，AOS正進(jìn)行針對(duì)性投資，以提升產(chǎn)能并進(jìn)一步增強(qiáng)整體供應(yīng)鏈韌性。根據(jù)渠道商透露，AOS的部分產(chǎn)品將于2026年4月1日正式漲價(jià)。

圖片來(lái)源：AOS

今年以來(lái)，受原材料短缺、成本攀升等因素影響，除了上述廠商之外，還有多家功率半導(dǎo)體廠商宣布漲價(jià)。

華潤(rùn)微決定自2026年2月1日起，對(duì)公司全系列微電子產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行適度上調(diào)，上調(diào)幅度10%起；士蘭微決定自2026年3月1日起，對(duì)旗下小信號(hào)二極管/三極管芯片、溝槽TMBS芯片、MOS類(lèi)芯片等產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)10%；宏微科技宣布3月1日起對(duì)IGBT單管及模塊、MOSFET器件漲價(jià)；新潔能宣布對(duì)其核心產(chǎn)品MOSFET進(jìn)行價(jià)格上調(diào)，上調(diào)幅度10%起，本次價(jià)格調(diào)整自2026年3月1日起發(fā)貨正式生效；英飛凌宣布自2026年4月1日起，上調(diào)部分功率開(kāi)關(guān)器件及集成電路（IC）產(chǎn)品價(jià)格。

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圖片來(lái)源：鍇威特公告截圖

公告明確，本次交易不會(huì)導(dǎo)致鍇威特實(shí)際控制人發(fā)生變更，不構(gòu)成重組上市，符合《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》及《上市公司重大資產(chǎn)重組管理辦法》相關(guān)規(guī)定。為保障公平信息披露、維護(hù)投資者利益，避免股價(jià)異常波動(dòng)，經(jīng)公司申請(qǐng)，其股票自2026年3月16日開(kāi)市起停牌，預(yù)計(jì)停牌時(shí)間不超過(guò)10個(gè)交易日。

據(jù)悉，鍇威特已與晶藝半導(dǎo)體主要股東易坤及成都晶格系多家合伙企業(yè)簽署《股權(quán)收購(gòu)意向協(xié)議》，約定收購(gòu)其持有的標(biāo)的公司股權(quán)，交易最終價(jià)格將以符合規(guī)定的評(píng)估機(jī)構(gòu)出具的評(píng)估報(bào)告為依據(jù)，由各方協(xié)商確定。該協(xié)議僅為初步意向，停牌期間公司將繼續(xù)與標(biāo)的公司其他股東協(xié)商，具體交易方案將通過(guò)正式協(xié)議明確，本次交易尚需經(jīng)公司董事會(huì)、股東會(huì)審議及監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)，存在一定不確定性。

作為收購(gòu)方，鍇威特成立于2015年，總部位于蘇州張家港市，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省科技小巨人企業(yè)，2023年8月登陸科創(chuàng)板。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、研發(fā)和銷(xiāo)售，并提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)，核心產(chǎn)品涵蓋功率器件及功率IC兩大類(lèi)，擁有100多項(xiàng)專(zhuān)利，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域，目前已形成八大產(chǎn)品系列，獲得國(guó)內(nèi)100多家客戶認(rèn)可。

被收購(gòu)方晶藝半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于成都，是國(guó)家專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)，專(zhuān)注于高端功率器件、集成電路及模塊的開(kāi)發(fā)，為國(guó)內(nèi)外電子系統(tǒng)廠商提供優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)品。公司擁有先進(jìn)的核心技術(shù)，累計(jì)已取得50余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)，40余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利在審查中，產(chǎn)品涵蓋DC/DC、AC/DC等多個(gè)品類(lèi)，應(yīng)用于高端消費(fèi)類(lèi)、工業(yè)、通信、AI及汽車(chē)電子等領(lǐng)域，具備較強(qiáng)的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

業(yè)內(nèi)人士表示，此次收購(gòu)屬于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)整合，若順利完成，將實(shí)現(xiàn)兩家企業(yè)的資源互補(bǔ)，進(jìn)一步完善鍇威特的產(chǎn)品矩陣，強(qiáng)化其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合競(jìng)爭(zhēng)力，助力把握國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇。

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據(jù)悉，雙方此次磋商的核心是功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的整合路徑，目前正在探討多種可行方案，其中最有可能的方案為設(shè)立合資公司，將羅姆與東芝各自的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整體轉(zhuǎn)移至該合資公司，實(shí)現(xiàn)資源集中、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，降低重復(fù)投資成本，強(qiáng)化在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的話語(yǔ)權(quán)。

公開(kāi)信息顯示，羅姆此前已對(duì)東芝進(jìn)行投資，曾在日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴（JIP）牽頭的東芝私有化收購(gòu)案中出資3000億日元，為雙方此次業(yè)務(wù)整合奠定了基礎(chǔ)。

值得注意的是，今年2月有消息傳出，羅姆已收到汽車(chē)零部件巨頭電裝的收購(gòu)提案，雙方此前已達(dá)成初步戰(zhàn)略合作，電裝還持有羅姆約5%的股份。

業(yè)內(nèi)人士分析，若羅姆與東芝的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整合談判順利推進(jìn)，羅姆將陷入雙重選擇，需在與東芝的業(yè)務(wù)整合方案和電裝的收購(gòu)提案之間做出抉擇，同時(shí)要在企業(yè)價(jià)值提升方案上與電裝展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。功率半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的核心器件，此次整合若落地，將整合雙方技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，助力日本在該領(lǐng)域應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)。

目前，雙方尚未就整合事宜達(dá)成最終協(xié)議，后續(xù)談判進(jìn)展及具體整合方案將持續(xù)受到行業(yè)關(guān)注。此次談判也契合日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省推動(dòng)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合、提升全球競(jìng)爭(zhēng)力的規(guī)劃，日本政府此前已明確表示將為相關(guān)企業(yè)合作提供補(bǔ)貼支持。

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01、揚(yáng)杰科技：IDM模式全鏈條自主可控，在手訂單飽滿

揚(yáng)杰科技主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件的設(shè)計(jì)、制造與封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域。近期，該公司對(duì)外表示，2026年一季度，得益于AI、低空經(jīng)濟(jì)等新興賽道的快速發(fā)展，行業(yè)整體需求及下游景氣度延續(xù)了前一年的良好趨勢(shì)，公司目前出貨量表現(xiàn)良好，在手訂單飽滿。

在產(chǎn)品與業(yè)務(wù)布局上，揚(yáng)杰科技積極推進(jìn)5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅（SiC）等各類(lèi)芯片的研發(fā)與制造，并涵蓋MOSFET、IGBT、SiC系列等封裝器件。

面對(duì)激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，揚(yáng)杰科技的核心優(yōu)勢(shì)在于其采用了IDM（垂直整合制造）模式，實(shí)現(xiàn)了全鏈條的自主可控，不僅保證了產(chǎn)能交付的穩(wěn)定性，也賦予了公司較強(qiáng)的成本優(yōu)化能力。此外，揚(yáng)杰科技通過(guò)旗下MCC品牌成功構(gòu)筑了海外市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，形成了全球化的供應(yīng)鏈布局。

業(yè)界認(rèn)為，揚(yáng)杰科技憑借IDM模式在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域構(gòu)建了堅(jiān)實(shí)的競(jìng)爭(zhēng)護(hù)城河，其對(duì)AI和低空經(jīng)濟(jì)等新興需求的敏銳捕捉，直接轉(zhuǎn)化為了一季度的業(yè)績(jī)動(dòng)力。在半導(dǎo)體行業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)加劇的大環(huán)境下，功率半導(dǎo)體公司仍需持續(xù)加碼研發(fā)投入與工藝升級(jí)，才能在碳化硅等高端第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)中穩(wěn)固其中期發(fā)展的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

02、晶方科技：海內(nèi)外雙輪驅(qū)動(dòng)，加碼氮化鎵與先進(jìn)封裝

晶方科技近年來(lái)大力推進(jìn)全球化戰(zhàn)略與海內(nèi)外雙驅(qū)動(dòng)發(fā)展模式，為應(yīng)對(duì)國(guó)際形勢(shì)與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)的發(fā)展趨勢(shì)，晶方科技于馬來(lái)西亞設(shè)立全資孫公司W(wǎng)AFERTEK，目前該海外生產(chǎn)基地已完成資產(chǎn)交割，正處于廠務(wù)系統(tǒng)與無(wú)塵室裝修施工階段。

在功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心布局上，晶方科技精準(zhǔn)聚焦于車(chē)用高功率氮化鎵（GaN）模塊領(lǐng)域。

通過(guò)控股以色列VisIC公司，晶方科技成功掌握了第三代半導(dǎo)體GaN器件的關(guān)鍵設(shè)計(jì)技術(shù)，目前正重點(diǎn)開(kāi)發(fā)800V以上車(chē)載氮化鎵功率模塊。該產(chǎn)品直擊電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)動(dòng)逆變器對(duì)高功率、高效率的嚴(yán)苛需求。在市場(chǎng)開(kāi)拓方面，公司該業(yè)務(wù)已與全球知名汽車(chē)Tier1廠商達(dá)成合作，產(chǎn)品順利進(jìn)入多家車(chē)企供應(yīng)鏈，全面服務(wù)于新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)升級(jí)，高度契合汽車(chē)智能化與電動(dòng)化的發(fā)展趨勢(shì)。

晶方科技將晶圓級(jí)TSV先進(jìn)封裝技術(shù)作為核心底座，不斷發(fā)掘其在AI芯片、自動(dòng)駕駛及數(shù)據(jù)中心等高密度互聯(lián)場(chǎng)景中的潛力。依托該先進(jìn)封裝底座，結(jié)合前沿的GaN功率模塊設(shè)計(jì)，晶方科技打造了獨(dú)有的“封裝+功率”融合平臺(tái)。受益于車(chē)規(guī)級(jí)業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)提升，公司2025年?duì)I收實(shí)現(xiàn)了30.44%的同比增長(zhǎng)，歸母扣非凈利潤(rùn)更是大增51.60%。

03、同惠電子：深耕測(cè)試儀器賽道，完善功率半導(dǎo)體檢測(cè)布局

同惠電子是國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器的領(lǐng)軍企業(yè)，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源、5G通訊等領(lǐng)域。

受功率半導(dǎo)體等下游需求的強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)，近期，同惠電子預(yù)計(jì)2025年有望實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.3億元，同比增長(zhǎng)20%，歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)37%。

針對(duì)功率半導(dǎo)體的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)檢測(cè)及可靠性驗(yàn)證需求，同惠電子進(jìn)行了密集的儀器產(chǎn)品布局。

目前，用于高壓SiC/GaN寬禁帶器件測(cè)試的TH500系列（PIV系統(tǒng)）、TH510系列及TH530系列等高端儀器已進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段。未來(lái)，公司還將推出涵蓋動(dòng)態(tài)特性分析、晶圓老化測(cè)試的TH520、TH560、TH570等多款新品，并正在加緊研發(fā)半導(dǎo)體器件熱阻測(cè)試儀及晶圓KGD測(cè)試系統(tǒng)。

在境外業(yè)務(wù)方面，公司已在德國(guó)慕尼黑設(shè)立全資子公司作為歐洲市場(chǎng)核心試點(diǎn)，以期提升海外營(yíng)收占比，并計(jì)劃未來(lái)將出海模式推廣至東南亞地區(qū)。

同惠電子憑借在電子測(cè)量領(lǐng)域的積淀，抓住了第三代寬禁帶半導(dǎo)體（SiC/GaN）爆發(fā)帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)紅利。其密集推出的高壓、大電流高端測(cè)試設(shè)備，有望支撐國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在核心檢測(cè)環(huán)節(jié)的升級(jí)，疊加其在歐洲市場(chǎng)的戰(zhàn)略性落子與海外營(yíng)收的高速增長(zhǎng)，同惠電子有望在“產(chǎn)品高端化”與“市場(chǎng)全球化”的強(qiáng)勁雙輪驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展。

04、結(jié)語(yǔ)

在功率半導(dǎo)體加速?lài)?guó)產(chǎn)化與行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇的雙重背景下，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體公司正展現(xiàn)出強(qiáng)勁的破局勢(shì)能與發(fā)展韌性。面對(duì)人工智能、新能源汽車(chē)及低空經(jīng)濟(jì)等新興賽道帶來(lái)的海量需求，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)正在器件制造、先進(jìn)封裝以及核心測(cè)試設(shè)備等關(guān)鍵環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)全面突破。未來(lái)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望不斷走向成熟與完善，并在國(guó)際舞臺(tái)上贏得更廣闊的市場(chǎng)空間。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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該計(jì)劃的核心目標(biāo)是到2030年，將韓國(guó)下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%大幅提升至20%，標(biāo)志著韓國(guó)已將基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的功率半導(dǎo)體提升至“國(guó)家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施”的高度。

根據(jù)官方發(fā)布的行動(dòng)綱領(lǐng)，此次戰(zhàn)略由光云大學(xué)具相謨（Koo Sang-mo）教授領(lǐng)銜，將采取分階段執(zhí)行的模式。推進(jìn)小組計(jì)劃在2026年上半年完成編制“下一代#功率半導(dǎo)體 技術(shù)發(fā)展路線圖”，該路線圖將系統(tǒng)梳理涵蓋材料、工藝、設(shè)計(jì)及代工全產(chǎn)業(yè)鏈的性能指標(biāo)。

隨后，政府將在2026年下半年啟動(dòng)大規(guī)模專(zhuān)項(xiàng)研發(fā)（R&D）項(xiàng)目的規(guī)劃，并同步開(kāi)展相關(guān)法律修訂的政策研討，為產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期穩(wěn)健發(fā)展提供法律保障。

與以往“先研發(fā)技術(shù)、后尋找應(yīng)用”的模式不同，本次五年計(jì)劃強(qiáng)調(diào)“需求導(dǎo)向型”轉(zhuǎn)型。

韓國(guó)政府正研究修訂相關(guān)法律，旨在確保本土研發(fā)的功率半導(dǎo)體能優(yōu)先進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)、高壓直流輸電（HVDC）、人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心、尖端武器系統(tǒng)以及機(jī)器人等關(guān)鍵領(lǐng)域。

具相謨教授在啟動(dòng)儀式上指出，功率半導(dǎo)體作為控制和轉(zhuǎn)換電能的“心臟”，在電氣化和AI算力爆發(fā)的背景下已成為國(guó)家安全的重要組成部分，建立自給自足的生態(tài)系統(tǒng)是韓國(guó)繼存儲(chǔ)半導(dǎo)體之后占據(jù)全球戰(zhàn)略高地的必然選擇。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：上海松江

據(jù)悉，該生產(chǎn)線整合了晶圓鍵合、研磨減薄、激光切割、封裝測(cè)試全流程環(huán)節(jié)，是全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓規(guī)?；慨a(chǎn)的一體化產(chǎn)線，由尼西半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)，作為美商#萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）在華核心生產(chǎn)基地的重要升級(jí)項(xiàng)目，實(shí)現(xiàn)了從晶圓加工到成品測(cè)試的全鏈條高效協(xié)同生產(chǎn)。

35微米超薄晶圓厚度僅為普通頭發(fā)絲直徑的一半，加工難度極高，晶圓厚度降至50微米以下后易脆易損，對(duì)加工精度、應(yīng)力控制等核心技術(shù)提出嚴(yán)苛要求。通過(guò)與設(shè)備供應(yīng)商聯(lián)合攻關(guān)，該產(chǎn)線成功將晶圓加工精度控制在35±1.5微米，采用化學(xué)腐蝕工藝消除92%的研磨應(yīng)力損傷，將碎片率控制在0.1%以內(nèi)；切割環(huán)節(jié)采用定制化激光技術(shù)替代傳統(tǒng)刀片，大幅縮小熱影響區(qū)，切割良率達(dá)到98.5%，攻克了超薄晶圓加工的行業(yè)核心難題。

產(chǎn)線配備全套專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備，其中鍵合機(jī)對(duì)位誤差控制在120微米以內(nèi)，單日產(chǎn)能約400片；研磨機(jī)加工精度達(dá)0.1微米，片內(nèi)厚度偏差小于2微米；激光切割機(jī)切縫寬度僅11微米，相較傳統(tǒng)刀片切割可提升約10%的芯片有效面積利用率；測(cè)試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)出可達(dá)12萬(wàn)顆成品，具備規(guī)?；虡I(yè)化生產(chǎn)能力。值得關(guān)注的是，產(chǎn)線中的鍵合、研磨、切割及解鍵合等核心裝備，均由尼西半導(dǎo)體與國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商聯(lián)合研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了核心裝備自主可控，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)制造領(lǐng)域的應(yīng)用空白。

該產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，將大幅降低功率芯片的導(dǎo)通電阻與熱阻，使載流子通行時(shí)間縮短40%，熱阻較傳統(tǒng)100微米標(biāo)準(zhǔn)晶圓下降60%，配合雙面散熱封裝設(shè)計(jì)，可使模塊熱阻再降30%，功率循環(huán)壽命提升5倍，顯著提升功率器件的能效與散熱性能，主要面向新能源汽車(chē)、5G基站等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景，為國(guó)產(chǎn)功率器件進(jìn)入高壓平臺(tái)、快充等市場(chǎng)提供量產(chǎn)底座。

上海松江官方相關(guān)信息顯示，該產(chǎn)線的落地不僅打破了國(guó)外在超薄晶圓領(lǐng)域的長(zhǎng)期技術(shù)壟斷，更實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝工藝的跨越式升級(jí)，成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)攻堅(jiān)高端領(lǐng)域的關(guān)鍵里程碑，將加速?lài)?guó)產(chǎn)高端功率芯片替代進(jìn)程，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

公開(kāi)資料顯示，尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成立于2007年，是美商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS）在中國(guó)設(shè)立的主要半導(dǎo)體生產(chǎn)基地之一，由萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（香港）股份有限公司全資控股，此次產(chǎn)線建成將進(jìn)一步強(qiáng)化其在功率半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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