根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將在陽(yáng)新設(shè)立全資子公司,重點(diǎn)布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造,涵蓋MPCVD金剛石長(zhǎng)晶設(shè)備、碳化硅長(zhǎng)晶系統(tǒng)及12英寸大直徑直拉式硅片長(zhǎng)晶設(shè)備等領(lǐng)域。
項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,可形成年產(chǎn)MPCVD設(shè)備100臺(tái)、碳化硅設(shè)備10臺(tái)、大硅片設(shè)備5臺(tái)的產(chǎn)能規(guī)模,預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值2億元,為陽(yáng)新構(gòu)建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系注入核心動(dòng)能。
卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將依托自身在第三代半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的專(zhuān)利集群優(yōu)勢(shì)和自主可控技術(shù)體系,助力陽(yáng)新打造長(zhǎng)江中游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。
此次簽約不僅是陽(yáng)新布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵落子,更標(biāo)志著該縣在對(duì)接長(zhǎng)三角產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、融入雙循環(huán)新發(fā)展格局中取得重大突破。 項(xiàng)目建成后,將有效填補(bǔ)中部地區(qū)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域空白,為陽(yáng)新建設(shè)新型工業(yè)化示范區(qū)提供硬核支撐,加速實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向智能制造的轉(zhuǎn)型升級(jí)。 (集邦化合物半導(dǎo)體整理)
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據(jù)了解,卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體自成立以來(lái)一直專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造,主營(yíng)業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)裝備、金剛石與碳化硅(SiC)晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
今年5月底,卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體金剛石基片產(chǎn)線項(xiàng)目入駐二期,二期廠區(qū)占地面積約15畝,規(guī)劃有研發(fā)檢測(cè)中心、中試車(chē)間及生產(chǎn)車(chē)間,并且配備專(zhuān)業(yè)檢測(cè)及實(shí)驗(yàn)設(shè)備,主要產(chǎn)品為MPCVD金剛石裝備及金剛石基片、SiC長(zhǎng)晶設(shè)備及SiC襯底片等。
該項(xiàng)目通過(guò)垂直整合制造模式,加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代,并與上下游產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)發(fā)展,推動(dòng)先進(jìn)技術(shù)工藝的開(kāi)發(fā),形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體裝備及材料核心技術(shù)。
此前報(bào)道,卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體在本月(12)初獲得凱得粵豪2400萬(wàn)元的財(cái)務(wù)投資。如今再度獲得新一輪投資,間隔不到10天。在短時(shí)間能獲得兩筆總計(jì)6500萬(wàn)元的投資,或與其生產(chǎn)市面大火的SiC相關(guān)設(shè)備和襯底原料有關(guān)。
集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理
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]]>據(jù)悉,卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體自成立以來(lái)一直專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造,主營(yíng)業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)裝備、金剛石與碳化硅(SiC)晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
今年5月底,卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體金剛石基片產(chǎn)線項(xiàng)目入駐二期,二期廠區(qū)占地面積約15畝,規(guī)劃有研發(fā)檢測(cè)中心、中試車(chē)間及生產(chǎn)車(chē)間,并且配備專(zhuān)業(yè)檢測(cè)及實(shí)驗(yàn)設(shè)備,主要產(chǎn)品為MPCVD金剛石裝備及金剛石基片、SiC長(zhǎng)晶設(shè)備及SiC襯底片等。
該項(xiàng)目通過(guò)垂直整合制造模式,加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代,并與上下游產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)發(fā)展,推動(dòng)先進(jìn)技術(shù)工藝的開(kāi)發(fā),形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體裝備及材料核心技術(shù),為國(guó)內(nèi)SiC市場(chǎng)帶來(lái)更多的機(jī)遇。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理)
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