因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導體，比現(xiàn)有的硅（Si）基半導體具有更低的損耗、更高的效率和小型化。其主要應(yīng)用于電源、混合動力和電動汽車、太陽能逆變器等。

SK Key Foundry計劃為現(xiàn)有的功率半導體用戶推廣650V GaN HEMT，同時發(fā)掘新客戶。此外，該公司還計劃增加一個GaN產(chǎn)品組合，為GaN HEMT和GaN IC提供各種電壓。

SK Key Foundry首席執(zhí)行官Lee Dong-jae表示：“除了具有競爭力的高壓BCD之外，我們還在為下一代功率半導體做準備。未來，我們還將擴大功率半導體產(chǎn)品組合，除了GaN還有SiC，將自己打造成一家專業(yè)的功率半導體代工廠?！保罨衔锇雽wMorty編譯）

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