TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到碳化硅供應(yīng)鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金（約662.77億人民幣）。

在此背景下，碳化硅市場(chǎng)頻頻傳出“上車”相關(guān)進(jìn)展。11月12日，力合科創(chuàng)在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，其投資孵化的基本半導(dǎo)體與廣汽埃安圍繞車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊的上車應(yīng)用持續(xù)展開(kāi)合作，為其提供技術(shù)解決方案。其中，Pcore6汽車級(jí)碳化硅功率模塊等產(chǎn)品已經(jīng)在埃安Hyper SSR、GT、HT等多個(gè)車型上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

碳化硅與新能源汽車產(chǎn)業(yè)協(xié)同趨勢(shì)

碳化硅相比于硅基產(chǎn)品在新能源汽車中的應(yīng)用具有顯著的優(yōu)勢(shì)，包括提升加速性能、增加續(xù)航里程、實(shí)現(xiàn)輕量化、降低系統(tǒng)成本和在高溫環(huán)境下依然能夠保障汽車電驅(qū)系統(tǒng)穩(wěn)定高效運(yùn)行等，在新能源汽車大規(guī)模普及的過(guò)程中扮演了關(guān)鍵角色。

在碳化硅和新能源汽車雙向奔赴的進(jìn)程中，碳化硅功率器件相關(guān)廠商與車企的直接合作已成為碳化硅加速“上車”最便捷高效的方式之一。

器件/模塊廠商與車企攜手合作，有利于雙方從車用碳化硅源頭入手，以車企碳化硅產(chǎn)品需求為導(dǎo)向，合力進(jìn)行產(chǎn)品的定制化研發(fā)生產(chǎn)，從而誕生更契合車企和用戶需求的碳化硅產(chǎn)品。

同時(shí)，器件/模塊廠商與車企的合作，降低了雙方在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面的試錯(cuò)成本，并縮短了產(chǎn)品從研發(fā)立項(xiàng)到上市的時(shí)間，在降本增效方面有明顯的優(yōu)勢(shì)，碳化硅與新能源汽車產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展已成為大趨勢(shì)。

碳化硅廠商與車企雙向奔赴

在此趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)外功率器件廠商和車企紛紛開(kāi)啟合作旅程，旨在更好地抓住市場(chǎng)機(jī)遇。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2024年以來(lái)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆、芯聯(lián)集成、基本半導(dǎo)體等碳化硅功率器件相關(guān)廠商均在與車企合作方面?zhèn)鞒隽俗钚逻M(jìn)展。

國(guó)際廠商方面，意法半導(dǎo)體已與長(zhǎng)城汽車、吉利汽車2家車企達(dá)成合作，英飛凌已與本田汽車、吉利汽車、小米汽車、零跑汽車4家車企攜手合作，安森美已和理想達(dá)成、大眾汽車簽署了碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議，羅姆則與長(zhǎng)城汽車簽署了碳化硅車載功率模塊戰(zhàn)略合作協(xié)議。

國(guó)內(nèi)廠商方面，芯聯(lián)集成已與蔚來(lái)汽車、理想汽車、廣汽埃安3家車企簽署供貨或合作協(xié)議，基本半導(dǎo)體也已開(kāi)始為廣汽埃安批量供應(yīng)碳化硅模塊等產(chǎn)品。

整體來(lái)看，部分碳化硅功率器件廠商同時(shí)與多家車企合作，有利于搶占更多車用市場(chǎng)份額，而部分車企則選擇與不同的碳化硅廠商合作，有利于獲得各類先進(jìn)技術(shù)同時(shí)降低供應(yīng)商來(lái)源單一可能存在的“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)，有利于業(yè)務(wù)穩(wěn)定發(fā)展。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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三安光電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收41.75億元，凈利同比增2278.24%

10月29日晚間，三安光電公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收41.75億元，同比增長(zhǎng)13.27%；歸母凈利潤(rùn)0.63億元，同比增長(zhǎng)2278.24%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.63億元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，三安光電全資子公司湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備將在今年三季度陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)安裝和調(diào)試，預(yù)計(jì)11月份將實(shí)現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能。該合資項(xiàng)目規(guī)劃產(chǎn)能將于2028年達(dá)產(chǎn)，達(dá)成后產(chǎn)能為48萬(wàn)片/年。

而為該合資項(xiàng)目配套建設(shè)的8英寸碳化硅襯底廠目前已實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線。未來(lái)，該襯底廠將匹配生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底供應(yīng)給湖南三安與意法半導(dǎo)體合資建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠。

北方華創(chuàng)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收80.18億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅/氮化鎵外延設(shè)備

10月29日晚間，北方華創(chuàng)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收80.18億元，同比增長(zhǎng)30.12%；歸母凈利潤(rùn)16.82億元，同比增長(zhǎng)55.02%；歸母扣非凈利潤(rùn)16.26億元，同比增長(zhǎng)57.72%。

北方華創(chuàng)形成了半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大核心業(yè)務(wù)板塊。在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)提供包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長(zhǎng)等關(guān)鍵工藝裝備，服務(wù)于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、新能源光伏和襯底材料等多個(gè)制造領(lǐng)域。

目前，北方華創(chuàng)擁有單晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化鎵等多種材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)能力，可滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已推出20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，并已累計(jì)出貨超過(guò)1000腔。

通富微電Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收60.01億元，業(yè)務(wù)覆蓋車用碳化硅產(chǎn)品

10月29日晚間，通富微電公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，通富微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收60.01億元，同比增長(zhǎng)0.04%；歸母凈利潤(rùn)2.30億元，同比增長(zhǎng)85.32%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.25億元，同比下滑121.20%。

通富微電是集成電路封裝測(cè)試服務(wù)提供商，為全球客戶提供從設(shè)計(jì)仿真到封裝測(cè)試的一站式服務(wù)，其產(chǎn)品、技術(shù)、服務(wù)覆蓋了汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，通富微電2022年已為國(guó)際知名汽車電子客戶開(kāi)發(fā)碳化硅產(chǎn)品，應(yīng)用于客戶新能源車載逆變器等領(lǐng)域，在國(guó)內(nèi)首家通過(guò)客戶考核并進(jìn)入量產(chǎn)。

東微半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.61億元，已推出1200V碳化硅MOSFET

10月29日晚間，東微半導(dǎo)體公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，東微半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.61億元，同比增長(zhǎng)10.17%；歸母凈利潤(rùn)0.14億元，同比下滑56.53%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.03億元，同比下滑89.88%。

東微半導(dǎo)體以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，東微半導(dǎo)體第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過(guò)可靠性測(cè)試工作并開(kāi)始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個(gè)產(chǎn)品。與此同時(shí)，東微半導(dǎo)體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。

合盛硅業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.99億元，8英寸碳化硅襯底小批量生產(chǎn)

10月29日晚間，合盛硅業(yè)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，合盛硅業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.99億元，同比下滑10.68%；歸母凈利潤(rùn)4.76億元，同比增長(zhǎng)18.42%；歸母扣非凈利潤(rùn)4.16億元，同比增長(zhǎng)20.86%。

合盛硅業(yè)主要產(chǎn)品包括工業(yè)硅、有機(jī)硅和多晶硅三大類。其中，工業(yè)硅是由硅礦石和碳質(zhì)還原劑在礦熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主要成分為硅元素，是下游光伏材料、有機(jī)硅材料、合金材料的主要原料。

在碳化硅領(lǐng)域，合盛硅業(yè)6英寸碳化硅襯底已全面量產(chǎn)，晶體良率達(dá)90%以上，外延良率穩(wěn)定在95%以上；在8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展方面，合盛硅業(yè)已開(kāi)始小批量生產(chǎn)。

連城數(shù)控Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.38億元，正在建設(shè)碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備項(xiàng)目

10月28日晚間，連城數(shù)控公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，連城數(shù)控實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.38億元，同比下滑20.41%；歸母凈利潤(rùn)0.55億元，同比下滑75.41%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.36億元，同比下滑83.59%。

連城數(shù)控立足于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)，是提供晶體材料生長(zhǎng)、加工設(shè)備及核心技術(shù)等多方面業(yè)務(wù)支持的集成服務(wù)商。在碳化硅方面，連城數(shù)控于2020年底開(kāi)始對(duì)碳化硅晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行研發(fā)立項(xiàng)、2021年9月開(kāi)始對(duì)碳化硅等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項(xiàng)。

今年1月，連城數(shù)控下屬子公司連科半導(dǎo)體與無(wú)錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)就“連科第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造及總部基地項(xiàng)目”舉行簽約儀式。該項(xiàng)目計(jì)劃投資不超過(guò)10.5億元建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長(zhǎng)晶和加工設(shè)備、碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

萬(wàn)業(yè)企業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.07億元，已研發(fā)碳化硅高溫離子注入機(jī)

10月29日晚間，萬(wàn)業(yè)企業(yè)公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，萬(wàn)業(yè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.07億元，同比下滑71.39%；歸母凈利潤(rùn)0.39億元，同比下滑13.05%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.13億元，同比下滑66.95%。

萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通和嘉芯半導(dǎo)體主要從事集成電路核心裝備業(yè)務(wù)。凱世通所涉核心裝備業(yè)務(wù)是以離子注入技術(shù)為核心的集研發(fā)、制造、銷售于一體的高端離子注入機(jī)項(xiàng)目。

在碳化硅功率器件摻雜工藝中，需要極高溫度才能得到理想的擴(kuò)散系數(shù)，并可以最大限度地減少離子轟擊對(duì)晶格的破壞，因此高溫離子注入機(jī)成為了碳化硅功率器件制造中關(guān)鍵核心的設(shè)備。凱世通基于已有的技術(shù)積累，研發(fā)了面向碳化硅的高溫離子注入機(jī)。

卓勝微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.83億元，業(yè)務(wù)涵蓋射頻器件

10月29日晚間，卓勝微公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，卓勝微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.83億元，同比下滑23.13%；歸母凈利潤(rùn)0.71億元，同比下滑84.29%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.60億元，同比下滑86.51%。

卓勝微立足于射頻集成電路領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括射頻開(kāi)關(guān)、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器、射頻功率放大器等射頻前端分立器件及各類模組產(chǎn)品解決方案。

安森美Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.619億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1.54%

10月29日，安森美公布了2024年第三季度業(yè)績(jī)。2024年Q3，安森美實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.619億美元（約125.72億人民幣），同比下滑19.21%，環(huán)比增長(zhǎng)1.54%，按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）和非GAAP計(jì)算的毛利率分別為45.4%和45.5%，GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和非GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率分別為25.3%和31.5%，GAAP應(yīng)占收入凈額和非GAAP應(yīng)占收入凈額分別為4.02億美元（約28.68億人民幣）和4.24億美元（約30.25億人民幣），分別同比下滑31.06%和30.34%，GAAP每股攤薄收益為0.93美元，非GAAP每股攤薄收益為0.99美元。

分業(yè)務(wù)來(lái)看，2024年Q3，安森美電源方案部（PSG）、模擬與混合信號(hào)部（AMG）、智能感知部（ISG）營(yíng)收分別為8.29億美元、6.54億美元和2.79億美元。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，安森美在今年7月宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級(jí)別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

與此同時(shí)，安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺(tái)能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

X-Fab Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.064億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1%

10月24日，X-Fab公布了2024年第三季度報(bào)告。今年第三季度，X-Fab實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.064億美元（約14.73億人民幣），在2.05億至2.15億美元的預(yù)期范圍內(nèi)，同比下降12%，環(huán)比增長(zhǎng)1%。息稅折舊攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）為5030萬(wàn)美元（約3.59億人民幣），同比下降23%，環(huán)比增長(zhǎng)5%，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為24.4%；不計(jì)《國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則》第15號(hào)的影響，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率為23.5%，而預(yù)期目標(biāo)為24-27%。息稅前盈利（EBIT）為2500萬(wàn)美元，同比下降43%，環(huán)比增長(zhǎng)9%。

展望2024年第四季度，X-Fab預(yù)計(jì)營(yíng)收在1.95億至2.05億美元之間，息稅折舊攤銷前利潤(rùn)率在22%至25%之間。X-FAB將全年?duì)I收預(yù)期從8.60-8.80億美元調(diào)整為8.22-8.32億美元，全年EBITDA利潤(rùn)率預(yù)期調(diào)整為23.4-24.0%。

目前，X-Fab正在大力擴(kuò)產(chǎn)碳化硅，其2024年的主要支出將包括馬來(lái)西亞砂拉越的產(chǎn)能擴(kuò)張項(xiàng)目、法國(guó)的持續(xù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)換以及德克薩斯州盧伯克碳化硅生產(chǎn)線的進(jìn)一步擴(kuò)建。

2023年，X-FAB在德克薩斯的碳化硅晶圓產(chǎn)量比上一年增加了58%。在砂拉越，X-FAB旨在增加該工廠每月10000片晶圓產(chǎn)能的建筑施工預(yù)計(jì)將在夏季之后完成，并計(jì)劃在今年第四季度開(kāi)始搬入設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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其中，碳化硅功率器件加速“上車”趨勢(shì)已十分明朗，近年來(lái)，越來(lái)越多的新能源新車型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù)，而在近期，星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車型密集發(fā)布，碳化硅和新能源汽車組“CP”已蔚然成風(fēng)。

與此同時(shí)，氮化鎵在車用場(chǎng)景的應(yīng)用探索持續(xù)取得新進(jìn)展。圍繞車載充電器、車載激光雷達(dá)等場(chǎng)景，英飛凌、EPC等廠商紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品，推動(dòng)著氮化鎵車規(guī)級(jí)應(yīng)用熱度上漲。

碳化硅/氮化鎵功率器件龍頭角逐車用場(chǎng)景

當(dāng)前，業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅/氮化鎵功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有較大的應(yīng)用潛力，因此各大頭部廠商正在積極布局車用場(chǎng)景。

意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)際半導(dǎo)體大廠在碳化硅功率器件領(lǐng)域深耕多年，在技術(shù)和市場(chǎng)方面占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢(shì)，有利于更好地拓展全球業(yè)務(wù)，其中就包括中國(guó)市場(chǎng)。

近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，車用碳化硅需求水漲船高，國(guó)際巨頭們紛紛加碼中國(guó)業(yè)務(wù)，而與車企合作是搶占市場(chǎng)份額最便捷的方式之一。僅2024年以來(lái)，圍繞車用碳化硅功率器件和模塊，國(guó)際廠商和本土汽車制造商達(dá)成了一系列新的合作，包括意法半導(dǎo)體與長(zhǎng)城汽車達(dá)成碳化硅戰(zhàn)略合作、英飛凌與小米達(dá)成協(xié)議、安森美與理想汽車簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議等。

為降低供應(yīng)鏈成本，意法半導(dǎo)體還與國(guó)內(nèi)碳化硅頭部玩家三安合作，斥資數(shù)十億美元在國(guó)內(nèi)投建碳化硅器件合資工廠。意法半導(dǎo)體將碳化硅器件產(chǎn)能本地化，不僅有助于降低供貨成本，也有利于其通過(guò)產(chǎn)能保障進(jìn)一步開(kāi)拓中國(guó)車用碳化硅業(yè)務(wù)。

降本增效有利于拓展市場(chǎng)，強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)同樣有助于吸引客戶目光，進(jìn)而達(dá)成合作。例如：2024年上半年，英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)提高了20%，在一定程度上提升了整體能效。

目前，產(chǎn)能建設(shè)和技術(shù)迭代升級(jí)都是國(guó)際巨頭們關(guān)注的焦點(diǎn)，未來(lái)各大廠商有望在這兩個(gè)方向持續(xù)取得突破。

在國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)，國(guó)際碳化硅功率器件大廠正在加速導(dǎo)入相關(guān)產(chǎn)品，本土相關(guān)企業(yè)則奮起直追，想要分一杯羹。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)期間，集邦化合物半導(dǎo)體分別和英飛凌、安森美、EPC、賽米控丹佛斯、Soitec和斯達(dá)半導(dǎo)體進(jìn)行了交流，了解到6家國(guó)內(nèi)外功率器件知名廠商在碳化硅、氮化鎵車用場(chǎng)景的布局及進(jìn)展情況。

英飛凌

國(guó)際廠商方面，英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)趙天意表示公司目前致力于從性價(jià)比、可靠性、效率等三個(gè)方面全面提升碳化硅功率器件產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，疊加作為國(guó)際IDM大廠在技術(shù)、市場(chǎng)等方面的深厚積累，使其能夠更好地響應(yīng)包括車用在內(nèi)的功率器件各類市場(chǎng)需求。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上，在電動(dòng)交通出行展區(qū)，英飛凌首次向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)展示了旗下汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的HybridPACK Drive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件，其中HybridPACK Drive G2 Fusion模塊融合了IGBT和碳化硅芯片，在有效減少碳化硅模塊成本的情況下同時(shí)顯著提升了模塊的應(yīng)用效率，而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中，做到極小的雜散和高集成度的融合。

針對(duì)汽車電控，英飛凌電控系統(tǒng)解決方案采用第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)進(jìn)行演示，該系統(tǒng)集成了AURIX TC4系列產(chǎn)品、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDRIVER驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無(wú)磁芯電流傳感器等。

針對(duì)OBC（車載充電器）/DC-DC應(yīng)用，英飛凌展示了其完整的頂部散熱方案：7.2kW磁集成Tiny Box頂部散熱解決方案，實(shí)現(xiàn)了高功率密度的電氣以及高集成結(jié)構(gòu)方案的有效融合。

安森美

安森美現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師Sangjun Koo表示，安森美在碳化硅領(lǐng)域的布局具備兩大優(yōu)勢(shì)，其一是針對(duì)碳化硅功率器件的市場(chǎng)需求反應(yīng)速度快，能夠快速針對(duì)產(chǎn)品布局做出決策；其二是作為全球第二大碳化硅功率器件供應(yīng)商，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，能夠保障供貨，基于這些優(yōu)勢(shì)，安森美能夠更好地滿足包括車用在內(nèi)的市場(chǎng)需求。目前，安森美還積極布局AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，有望與車用業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展。

為滿足800V架構(gòu)下的充電需求，高功率OBC逐漸走向市場(chǎng)。安森美的OBC方案采用碳化硅產(chǎn)品，在11kW時(shí)的峰值系統(tǒng)效率達(dá)到97%，功率密度高達(dá)2.2?kW/l。此外，這一設(shè)計(jì)還可減少使用無(wú)源器件，從而減少PCB面積，有助于實(shí)現(xiàn)汽車輕量化。

為應(yīng)對(duì)主驅(qū)逆變器高功率的需求，安森美推出了1200V碳化硅半橋功率模塊B2S，支持最高400kw的輸出功率。該模塊采用了轉(zhuǎn)模注塑封裝方式，同時(shí)芯片連接采用銀燒結(jié)工藝，實(shí)現(xiàn)了高可靠性和低熱阻。模塊雜散電感約4nH，內(nèi)部集成onsemi最新的M3碳化硅技術(shù)，確保模塊的高性能。

EPC

EPC公司可靠性副總裁張盛科表示，EPC的低壓GaN器件能夠覆蓋所有48V至12V服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）以及與太空相關(guān)的應(yīng)用需求。他們還在探索人形機(jī)器人和太陽(yáng)能場(chǎng)景。EPC的LiDAR GaN器件也適用于汽車應(yīng)用。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件很可能采用GaN技術(shù)。此外，EPC還帶來(lái)了一輛無(wú)人駕駛電動(dòng)小車，配備了采用EPC GaN功率器件的激光雷達(dá)組件。

賽米控丹佛斯

據(jù)賽米控丹佛斯大中華區(qū)方案和系統(tǒng)銷售總監(jiān)&大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)Norbert Pluschke介紹，賽米控丹佛斯作為碳化硅模塊封裝領(lǐng)先廠商之一，擁有兩種專為碳化硅優(yōu)化設(shè)計(jì)的封裝形式：一是全橋功率模塊eMPack?平臺(tái)，擁有極低的雜散電感（2.5nH），有助于實(shí)現(xiàn)碳化硅的高開(kāi)關(guān)速度；二是為嚴(yán)苛的汽車牽引逆變器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的直接冷卻注塑半橋模塊DCM平臺(tái)，這項(xiàng)技術(shù)也適用于未來(lái)氮化鎵領(lǐng)域。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上，賽米控丹佛斯展示了在工業(yè)能源和汽車領(lǐng)域的解決方案，其中包括采用eMPack?和DCM碳化硅模塊的雪鐵龍、伊控動(dòng)力等公司的新能源汽車電機(jī)控制器產(chǎn)品。

Soitec

Soitec公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Gonzalo Picun表示，大尺寸碳化硅（SiC）襯底是當(dāng)前SiC行業(yè)的關(guān)鍵發(fā)展趨勢(shì)，能夠有效提升SiC功率器件的生產(chǎn)效率并降低成本。同時(shí)，新的材料技術(shù)也在涌現(xiàn)，例如我們SmartSiC襯底產(chǎn)品線中使用的多晶SiC（poly-SiC），它提高了單晶材料的利用效率，同時(shí)提升了器件的性能和可靠性。

此外，Soitec還發(fā)現(xiàn)多種創(chuàng)新的SiC生長(zhǎng)方法正在開(kāi)發(fā)中，如液相生長(zhǎng)（Liquid Phase growth）和高溫化學(xué)氣相沉積（HT-CVD），這些方法有助于提升單晶SiC的質(zhì)量，從而應(yīng)用于SmartSiC襯底。在此背景下，Soitec正在積極開(kāi)發(fā)高質(zhì)量的襯底技術(shù)，包括大尺寸襯底。

在產(chǎn)能方面，Soitec位于法國(guó)Bernin的新工廠于2023年10月完工，總投資額為3.8億歐元（約合30億元人民幣），占地2,500平方米。該工廠在全面投產(chǎn)后，每年可生產(chǎn)50萬(wàn)片晶圓，其中80%為SmartSiC晶圓。

Soitec獨(dú)特的技術(shù)——Smart Cut，能夠?qū)⒁粚颖〉母哔|(zhì)量單晶SiC與多晶SiC襯底結(jié)合起來(lái)。由此生成的SmartSiC襯底最大限度地提高了SiC材料的利用率，并顯著提升了生產(chǎn)產(chǎn)量?？傮w而言，Soitec具備在新能源車輛（NEVs）SiC應(yīng)用中占據(jù)重要地位的實(shí)力。

斯達(dá)半導(dǎo)體

斯達(dá)半導(dǎo)體在車用領(lǐng)域進(jìn)展較快，據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理湯藝博士介紹，2022年，斯達(dá)半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車企（用于小鵬G9車型）的廠商；2023年，其自研碳化硅芯片向北汽等多家車企批量供貨；斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開(kāi)始供貨，應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車載空調(diào)。

斯達(dá)半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅器件廠商正在持續(xù)推進(jìn)碳化硅“上車”進(jìn)程，各大廠商大有與國(guó)際巨頭分庭抗禮之勢(shì)。

在碳化硅功率器件加速“上車”的同時(shí)，氮化鎵“上車”也已經(jīng)被各大頭部玩家提上日程。其中，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等雙管齊下，同時(shí)挖掘車用碳化硅和車用氮化鎵的機(jī)會(huì)。其中，意法半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)或即將導(dǎo)入理想汽車、長(zhǎng)城汽車等新能源汽車頭部廠商旗下車型中，同時(shí)，其PowerGaN系列產(chǎn)品，在功率更高的應(yīng)用中，也適用于電動(dòng)汽車及其充電設(shè)施。

EPC公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)了基于氮化鎵的飛行時(shí)間（ToF）/激光雷達(dá)參考設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)利用了氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FETs），在激光雷達(dá)電路中提供了快速切換速度、更小的占地面積、高效率和卓越可靠性等優(yōu)勢(shì)。目前，EPC公司的eGaN FET已經(jīng)在汽車應(yīng)用中積累了數(shù)十億小時(shí)的成功經(jīng)驗(yàn)，包括激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)。

氮化鎵的汽車應(yīng)用目前還處于早期階段，在車載激光雷達(dá)產(chǎn)品的應(yīng)用相對(duì)成熟，并正在往其他車用場(chǎng)景滲透。預(yù)計(jì)到2025年左右，氮化鎵會(huì)小批量地滲透到低功率的OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將氮化鎵引入到主驅(qū)逆變器。

碳化硅/氮化鎵車用趨勢(shì)

在國(guó)內(nèi)外碳化硅、氮化鎵功率器件廠商的共同努力下，全球汽車產(chǎn)業(yè)尤其是新能源汽車領(lǐng)域正在發(fā)生革命性的轉(zhuǎn)變。

目前，新能源汽車領(lǐng)域正在經(jīng)歷由400V電壓系統(tǒng)向800V電壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變，在各大廠商最新發(fā)布的新能源車型中，800V高壓碳化硅平臺(tái)幾乎成為標(biāo)配，這一轉(zhuǎn)變主要是為了提升電池充電速度、減少電池發(fā)熱、提高電機(jī)工作效率、提升車輛續(xù)航里程并降低制造成本。在這個(gè)過(guò)程中，碳化硅功率器件發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

在車用領(lǐng)域，1200V甚至是1700V碳化硅功率器件正在成為主流，以便更好地匹配800V或更高電壓等級(jí)的車用平臺(tái)需求。

400V向800V的轉(zhuǎn)變過(guò)程，也是新能源汽車加速普及的過(guò)程，從近期主流新能源車企發(fā)布的數(shù)據(jù)情況來(lái)看，各大廠商在8月份普遍實(shí)現(xiàn)了銷量大幅增長(zhǎng)，并有望延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，碳化硅功率器件廠商也將持續(xù)受益。

同時(shí)，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)減少能量損耗和可靠性的要求越來(lái)越高，碳化硅模塊的集成化需求越來(lái)越多。

總結(jié)

近年來(lái)，隨著合成技術(shù)的進(jìn)步以及生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，碳化硅襯底、外延成本呈下降趨勢(shì)，推動(dòng)器件、模塊等相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探，有利于其向各類應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)一步滲透，尤其是正在大批量導(dǎo)入的新能源汽車領(lǐng)域，規(guī)模效應(yīng)之下，價(jià)格降低更有助于車企加大碳化硅“上車”力度。

與此同時(shí)，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型。盡管目前主流產(chǎn)品仍然為6英寸，但8英寸在降本增效方面的效果是顯著的，已成為各大廠商爭(zhēng)相布局的重點(diǎn)方向。未來(lái)，隨著8英寸產(chǎn)能逐步釋放，也有望進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅在包括新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的普及應(yīng)用。

目前，碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用大多數(shù)集中在中高端車型，隨著成本和價(jià)格的下降，其有望向新能源汽車中低端車型持續(xù)滲透，進(jìn)一步提升在新能源汽車領(lǐng)域的參與度。

此外，在產(chǎn)業(yè)整合趨勢(shì)下，越來(lái)越多的碳化硅功率器件廠商選擇與新能源車企合作開(kāi)發(fā)車用碳化硅產(chǎn)品，以市場(chǎng)和用戶需求為導(dǎo)向，從產(chǎn)業(yè)鏈源頭入手，實(shí)現(xiàn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)定制化，縮短產(chǎn)品從研發(fā)、驗(yàn)證到批量應(yīng)用的流程，在實(shí)現(xiàn)降本增效的同時(shí)，更好地抓住市場(chǎng)機(jī)遇。

氮化鎵方面，在新能源汽車領(lǐng)域，氮化鎵器件目前主要占據(jù)400V以下應(yīng)用，但部分廠商正在推進(jìn)氮化鎵器件的高壓應(yīng)用研發(fā)，其中包括博世正在開(kāi)發(fā)一種用于汽車的1200V氮化鎵技術(shù)。未來(lái)，氮化鎵功率器件將由低壓車載激光雷達(dá)應(yīng)用，逐步向需要更高電壓的主驅(qū)逆變器等應(yīng)用延伸。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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總體而言，8英寸碳化硅時(shí)代的腳步已無(wú)比臨近，本文將對(duì)全球碳化硅芯片廠以及我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)進(jìn)行盤點(diǎn)，進(jìn)一步廓清碳化硅產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

全球布局：新建14座8英寸碳化硅廠

在全球碳化硅市場(chǎng)中，意法半導(dǎo)體（ST）、安森美（Onsemi）、英飛凌（Infineon）、Wolfspeed羅姆（ROHM）、博世（BOSCH）、富士電機(jī)（Fuji Electric）、三菱電機(jī)、世界先進(jìn)和漢磊、士蘭微、芯聯(lián)集成企業(yè)紛紛宣布建設(shè)自己的8英寸碳化硅芯片廠，如下圖所示。上述廠商中的多家企業(yè)不僅在芯片廠布局完善，在上游襯底和外延等材料端也布局完善。

圖片來(lái)源：TrendForce集邦咨詢

ST意法半導(dǎo)體

ST在全球整體的SiC業(yè)務(wù)中（從晶圓到器件甚至延伸至襯底）均占據(jù)著較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。受純電動(dòng)汽車（BEV）應(yīng)用的推動(dòng)，碳化硅功率器件行業(yè)保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，而ST長(zhǎng)期以來(lái)在SiC功率器件的研發(fā)方面投入了大量資源，在推動(dòng)碳化硅功率器件市場(chǎng)快速發(fā)展的同時(shí)，也確立了ST在器件市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

目前ST主要在三地?fù)碛刑蓟杈A廠，其正在現(xiàn)有的意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋的兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線上生產(chǎn)旗艦大批量碳化硅產(chǎn)品，其中ST今年5月31日宣布在意大利卡塔尼亞新建一座8英寸碳化硅工廠，整合了碳化硅生產(chǎn)流程的所有環(huán)節(jié)。新工廠計(jì)劃2026年開(kāi)始生產(chǎn)，到2033年滿產(chǎn)，滿負(fù)荷產(chǎn)能高達(dá)每周15000片晶圓，預(yù)計(jì)總投資額約為50億歐元。而與中國(guó)三安光電合資的中國(guó)重慶8英寸碳化硅制造廠將成為ST的第三個(gè)碳化硅生產(chǎn)中心，該項(xiàng)目于2023年6月7日宣布，預(yù)計(jì)于2025年第四季度開(kāi)始投產(chǎn)，并將在2028年全面建成。

而在襯底布局上，早前ST通過(guò)購(gòu)買SiCrystal、Wolfspeed（Cree）的襯底滿足其制造需求，隨后其通過(guò)并購(gòu)瑞典碳化硅襯底廠商N(yùn)orstel AB（現(xiàn)更名為“ST SiC AB”），并與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)，自建意大利卡塔尼亞襯底產(chǎn)線（2022年10月）等方式，逐步完善其SiC制造版圖。

目前， ST生產(chǎn)器件所用的襯底主要由其位于瑞典北雪平和意大利卡塔尼亞的研發(fā)制造基地提供。另外其與三安光電合資的中國(guó)重慶8英寸碳化硅制造廠，三安光電則單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠為上述合資廠提供襯底，該廠已于今年9月初點(diǎn)亮通線，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片。

安森美

從碳化硅的襯底、外延，到核心的設(shè)計(jì)和制造，再到封裝，安森美致力于打通整個(gè)功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)。綜合來(lái)看，安森美在汽車CIS領(lǐng)域、車用功率半導(dǎo)體都處于領(lǐng)導(dǎo)地位。其中安森美的車用EliteSiC系列功率器件平臺(tái)廣受行業(yè)好評(píng)，為其近幾年在碳化硅器件市場(chǎng)份額的快速提升發(fā)揮了重大作用。

在芯片廠布局上，安森美位于韓國(guó)富川的SiC晶圓廠于2023年完成擴(kuò)建，計(jì)劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后過(guò)渡到8英寸生產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。另外，2024年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國(guó)建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。

在襯底外延材料的獲得上，安森美也與ST一樣主要通過(guò)外購(gòu)、收購(gòu)、自建的方式滿足其需求。2019年安森美與Wolfspeed（Cree）簽署了多年期協(xié)議購(gòu)買碳化硅（SiC）裸片和外延片。2021年安森美以415億美元收購(gòu)了專門生產(chǎn)碳化硅襯底材料的GTAT（GT Advanced Technologies Inc）公司。至今年該公司表示SiC基板材料自給率已超過(guò)50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，安森美正朝著實(shí)現(xiàn)50%毛利率的目標(biāo)邁進(jìn)。

自建方面，2022年安森美先是實(shí)現(xiàn)了新罕布什爾州哈德遜碳化硅新工廠的落成，使安森美的SiC晶錠產(chǎn)能同比增加五倍；此外便是上述的安森美在捷克共和國(guó)羅茲諾夫的碳化硅工廠，該工廠在未來(lái)兩年將使SiC襯底和外延片的產(chǎn)能提高16倍。

英飛凌

英飛凌的碳化硅營(yíng)收近半數(shù)來(lái)自工業(yè)市場(chǎng)，其背靠強(qiáng)大的德國(guó)工業(yè)客源穩(wěn)定而深厚。英飛凌也瞄準(zhǔn)了中國(guó)飛速增長(zhǎng)的電動(dòng)車市場(chǎng)，其CoolSiC系列在電動(dòng)汽車、新能源領(lǐng)域、工業(yè)電機(jī)等應(yīng)用上都占據(jù)增量和存量市場(chǎng)，而今年小米SU7上配置的便是由英飛凌提供的CoolSiC功率模塊以及裸芯片產(chǎn)品，更是將英飛凌熱度再拉高。

晶圓廠建設(shè)上，2024年8月8日，英飛凌宣布其位于馬來(lái)西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。目前英飛凌的產(chǎn)能還在持續(xù)擴(kuò)充，未來(lái)五年英飛凌將追加投資高達(dá)50億歐元大幅擴(kuò)建居林第三工廠（Module Three）的二期建設(shè)，旨在建造號(hào)稱“全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠”。此外，英飛凌還將正在對(duì)位于德國(guó)奧地利菲拉赫（Villach）的現(xiàn)有工廠進(jìn)行8英寸改造。

在SiC晶體材料這一環(huán)節(jié)，與其他領(lǐng)先的SiC IDM制造商不同，英飛凌主要通過(guò)多元化供應(yīng)商體系以確保其供應(yīng)鏈穩(wěn)定，合作商包括Wolfspeed、 GTAT、Resonac、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、SK Siltron CSS、Coherent等。并且根據(jù)英飛凌近兩年公開(kāi)消息顯示，目前該企業(yè)還沒(méi)有建設(shè)自有的襯底廠計(jì)劃。

Wolfspeed

毫無(wú)疑問(wèn)，Wolfspeed是SiC襯底的先驅(qū)和市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，并且該公司也利用其先發(fā)優(yōu)勢(shì)率先實(shí)現(xiàn)從6英寸晶圓過(guò)渡到8英寸晶圓。

在上游襯底端，Wolfspeed在美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆制造的碳化硅材料占全球50%以上。另外，今年3月，位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”封頂，該項(xiàng)目總投資50億美元，預(yù)計(jì)2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，屆時(shí)將顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能。

在器件制造上，Wolfspeed已在美國(guó)紐約的莫霍克谷中擁有全球首家且最大的8英寸SiC工廠，該工廠于2022年4月正式開(kāi)業(yè)。今年6月官方表示，莫霍克谷廠已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了20%晶圓啟動(dòng)利用率。此外，2023年1月，Wolfspeed和汽車零部件供應(yīng)商采埃孚宣布在德國(guó)薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的8英寸SiC器件制造工廠，業(yè)界消息顯示，該計(jì)劃目前已延期，最早將于2025年開(kāi)始。

羅姆

背靠日本強(qiáng)大的汽車工業(yè)以及在亞洲市場(chǎng)整合供應(yīng)鏈的能力，羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域積累較深。在看到碳化硅在電動(dòng)汽車、工業(yè)市場(chǎng)等諸多領(lǐng)域的發(fā)展前景后，羅姆通過(guò)收購(gòu)和自建的方式，從器件端向襯底材料端延伸。

晶圓廠建設(shè)上，據(jù)羅姆官網(wǎng)介紹，羅姆目前在日本擁有四個(gè)基于碳化硅的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，分別位于京都總部、福岡縣筑后工廠和長(zhǎng)濱工廠以及宮崎第一工廠。2020年末，羅姆在日本福岡縣筑后工廠建設(shè)了碳化硅新廠房，已于2022年開(kāi)始量產(chǎn)，而且產(chǎn)線將從量產(chǎn)6英寸晶圓切換為量產(chǎn)8英寸晶圓。在今年的PCIM Asia中，羅姆的工作人員表示，公司預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)八英寸SiC，同時(shí)公司的第五代碳化硅MOSFET也將披露。

在襯底業(yè)務(wù)上，羅姆在2009年收購(gòu)了德國(guó)SiC襯底制造商SiCrystal，以滿足自身材料供應(yīng)。此外，2023年7月13日，羅姆宣布計(jì)劃在2024年末開(kāi)始在其位于日本宮崎縣的第二工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，即藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠，該工廠原本是太陽(yáng)能技術(shù)公司Solar Frontier的原國(guó)富工廠。

博世（BOSCH）

博世長(zhǎng)久以來(lái)高度聚焦車用半導(dǎo)體、MEMS傳感器等領(lǐng)域，近年來(lái)博世高度看重碳化硅市場(chǎng)，也在進(jìn)行重點(diǎn)投資。

博世現(xiàn)在共有兩座碳化硅生產(chǎn)工廠，分別位于德國(guó)羅伊斯特根和美國(guó)羅斯維爾。其中，羅伊斯特根工廠于2021年投產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓，目前8英寸碳化硅晶圓便來(lái)自該工廠。羅斯維爾則是博世在2023年收購(gòu)而來(lái)，而博世也將在2026年在加州羅斯維爾實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)。

在襯底供應(yīng)上，博世主要通過(guò)與上游合作伙伴如天岳先進(jìn)簽訂長(zhǎng)期的合作關(guān)系確保后續(xù)襯底的穩(wěn)定供應(yīng)。

三菱電機(jī)

三菱電機(jī)的碳化硅業(yè)務(wù)主要依賴于工業(yè)和鐵路應(yīng)用營(yíng)收。近些年，三菱電機(jī)將目光投注于快速發(fā)展的電動(dòng)汽車領(lǐng)域，并加強(qiáng)SiC功率模塊研發(fā)。

今年5月末，三菱電機(jī)表示位于日本熊本縣新建的8英寸SiC工廠的竣工時(shí)間將定為2025年9月，投產(chǎn)時(shí)間將從2026年4月提前至2025年11月，將主要負(fù)責(zé)8英寸 SiC晶圓的前端工藝。另外，三菱電機(jī)還將加強(qiáng)其6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設(shè)施，以滿足當(dāng)下不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

而在襯底供應(yīng)上，三菱電機(jī)主要與Coherent公司進(jìn)行垂直合作，穩(wěn)定碳化硅襯底的采購(gòu)以確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。

富士電機(jī)

富士電機(jī)在碳化硅器件的研發(fā)可以追溯到2013年，該公司在日本松本工廠就投產(chǎn)了6英寸SiC晶圓產(chǎn)線，2014年第一代平面型碳化硅MOSFET模塊已經(jīng)應(yīng)用在富士電機(jī)的光伏逆變器上。

今年1月，富士電機(jī)宣布在未來(lái)三年（2024至2026財(cái)年）投資2000億日元用于碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，包括在日本松本工廠建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。此外，富士電機(jī)計(jì)劃在其位于青森縣五所川原市津輕工廠從2024年開(kāi)始量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。

而在碳化硅襯底、晶圓材料上，富士電機(jī)主要和天岳先進(jìn)、昭和電工等多個(gè)廠商簽署多年供應(yīng)協(xié)議以確保生產(chǎn)的穩(wěn)定性和連續(xù)性。

芯聯(lián)集成

芯聯(lián)集成在紹興越城建立了第一條8英寸碳化硅MOSFET晶圓產(chǎn)線，并于今年4月完成了工程批下線，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在2024年，公司計(jì)劃將碳化硅MOSFET的生產(chǎn)能力擴(kuò)展至每月1萬(wàn)片，較當(dāng)前的5000片/月增長(zhǎng)近一倍。此外，芯聯(lián)集成計(jì)劃在2027年底前實(shí)現(xiàn)每月10萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能目標(biāo)，其中包括碳化硅（SiC）MOSFET等產(chǎn)品。

Silan士蘭微

今年6月18日，士蘭微在廈門海滄區(qū)正式啟動(dòng)了國(guó)內(nèi)首條8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目，項(xiàng)目名稱為“士蘭集宏”，總投資達(dá)120億人民幣。該項(xiàng)目將分兩期建設(shè)，旨在形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。第一期項(xiàng)目投資70億元，預(yù)計(jì)在2025年第三季度末完成初步通線，并在第四季度實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn)，目標(biāo)年產(chǎn)2萬(wàn)片。二期投資規(guī)模約50億元。

世界先進(jìn)&漢磊

9月10日，晶圓代工大廠世界先進(jìn)宣布，擬投資24.8億新臺(tái)幣以獲取漢磊13%的股權(quán)。雙方將進(jìn)行策略合作，共同推動(dòng)8英寸碳化硅（SiC）晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。據(jù)悉，漢磊目前在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園擁有1座4/5英寸及2座6英寸晶圓廠，漢磊與世界先進(jìn)的合作將在漢磊現(xiàn)有6英寸晶圓制造技術(shù)及客戶的基礎(chǔ)上，共同合作進(jìn)行8英寸碳化硅技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)能布建，預(yù)計(jì)2026年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

泰國(guó)將建首個(gè)SiC工廠

近日，泰國(guó)投資委員會(huì)宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合資企業(yè)FT1 Corporation，投資了115億泰銖（3.5億美元）建設(shè)泰國(guó)首家SiC工廠，該工廠將使用從韓國(guó)芯片制造商轉(zhuǎn)讓的技術(shù)生產(chǎn)6英寸和8英寸晶圓。消息顯示，該工廠預(yù)計(jì)將于2027年第一季度投產(chǎn)，以滿足汽車、數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。

從上述披露的14座碳化硅廠房（在建12座）布局來(lái)看，短期內(nèi)僅有Wolfspeed莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓，最早則從明年開(kāi)始陸續(xù)有廠家可以供應(yīng)上8英寸碳化硅晶圓。

中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況幾何？

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，我國(guó)近年來(lái)有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展。如下圖所示，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長(zhǎng)以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

襯底方面，國(guó)外多家大廠已與我國(guó)天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議。多方行業(yè)人士表示，中國(guó)的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無(wú)論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，國(guó)內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國(guó)際市場(chǎng)8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場(chǎng)占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

今年以為我國(guó)碳化硅襯底市場(chǎng)動(dòng)態(tài)頻頻， 9月10日寧波合盛新材宣布其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)全線貫通，產(chǎn)品在微管密度、電阻率等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異；9月2日天岳先進(jìn)表示，在8英寸碳化硅襯底上，公司率先實(shí)現(xiàn)了自主擴(kuò)徑，完成從8英寸導(dǎo)電型襯底制備到產(chǎn)業(yè)化的快速布局；科友半導(dǎo)體近期則表示，該公司的8英寸碳化硅長(zhǎng)晶良率達(dá)到60%左右，8英寸碳化硅襯底加工產(chǎn)線于2023年底調(diào)試完畢后，正陸續(xù)提升產(chǎn)能；世紀(jì)金芯表示，8英寸碳化硅襯底片已與多家國(guó)內(nèi)外客戶完成多批次產(chǎn)品驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2024年下半年落成訂單；今年4月11日青禾晶元官方宣布，在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。

而在碳化硅外延領(lǐng)域，天域半導(dǎo)體也在加碼擴(kuò)產(chǎn)，據(jù)悉其總部和生產(chǎn)制造中心項(xiàng)目一期即將試產(chǎn)，產(chǎn)能為17萬(wàn)片/年。另外近期官方也披露了天域半導(dǎo)體的8英寸碳化硅外延工藝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力提升項(xiàng)目；此外，5月13日，?？瓢雽?dǎo)體宣布，公司成功實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅襯底上同質(zhì)外延生長(zhǎng)，正式具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力；瀚天天成也在今年5月宣布，公司完成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸碳化硅外延工藝的技術(shù)開(kāi)發(fā)，瀚天天成正式具備了國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力；今年4月，南京百識(shí)電子宣布正式具備國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力…

而在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，近日中國(guó)電科48所表示，其自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，通過(guò)改進(jìn)激光視覺(jué)定位、晶圓自糾偏等技術(shù)，設(shè)備自動(dòng)化性能更加成熟，提升了產(chǎn)品生產(chǎn)效率；廣州三義激光生產(chǎn)的首批6 & 8英寸碳化硅激光滾圓設(shè)備順利完成生產(chǎn)并正式交付客戶，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率；今年8月納設(shè)智能也成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術(shù)的8英寸碳化硅外延設(shè)備；晶升股份首批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于今年7月在重慶完成交付；早在去年6月，晶盛機(jī)電就成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備；此外，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)，面向8英寸襯底和外延制造已有相應(yīng)的設(shè)備產(chǎn)品下線…

總體而言，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國(guó)際大廠還存在較大差距。

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用挺進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心

過(guò)去幾年，關(guān)于第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的討論熱點(diǎn)，多聚焦于電動(dòng)汽車和工業(yè)市場(chǎng)，但近期汽車芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)趨緩引起行業(yè)擔(dān)憂。與此同時(shí)，AI人工智能浪潮席卷全球，數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。

除了新能源汽車、5G通信、工業(yè)應(yīng)用以外，數(shù)據(jù)中心或?qū)⒊蔀樘蓟璧挠忠粋€(gè)強(qiáng)有力加速引擎。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，在接下來(lái)的3-5年，單個(gè)數(shù)據(jù)中心的容量將會(huì)從傳統(tǒng)的150MW-180MW，提升到500MW兆瓦以上,這意味著電源單元必須具備更高的功率能力，預(yù)計(jì)將從傳統(tǒng)的3kW、4kW，逐步提升至5kW、8kW，甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能夠在數(shù)據(jù)中心中發(fā)揮非常重要的作用，能夠幫助數(shù)據(jù)中心電源實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理也表示，大型計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行所需的電能日益增加，需要更高功率、更高能效的電力電子設(shè)備去支撐。給AI處理器供電最高效的選擇就是氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體。具體到碳化硅的應(yīng)用而言，碳化硅具有極小的反向恢復(fù)損耗，可以有效降低能耗，主要應(yīng)用在AI服務(wù)器電源的PFC（功率因數(shù)校正）中?，F(xiàn)在多數(shù)企業(yè)都在采用碳化硅二極管替代硅二極管，碳化硅MODFET替代硅MOSFET。

此外，與市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)形成鮮明對(duì)比的是，碳化硅的價(jià)格正在快速下降。市場(chǎng)消息顯示，今年碳化硅器件價(jià)格對(duì)比之前降幅達(dá)約30%。隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低，這也可能成為推動(dòng)SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

行業(yè)人士表示，即便碳化硅類產(chǎn)品降低，其價(jià)格也會(huì)遠(yuǎn)高于硅基類產(chǎn)品。對(duì)此博世中國(guó)區(qū)總裁Norman Roth博士表示，這是由碳化硅的材料特性決定的。此外，碳化硅作為半導(dǎo)體，也存在前期投資巨大，產(chǎn)品周期長(zhǎng)的特性，整個(gè)價(jià)格走勢(shì)會(huì)呈現(xiàn)出平穩(wěn)的下降，而非斷崖式的下跌。

結(jié)語(yǔ)

總體而言，8英寸碳化硅時(shí)代即將到來(lái)，材料層的更新將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)啟新一輪更新?lián)Q代。而對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅領(lǐng)域是一個(gè)可以快速趕超的激情領(lǐng)域，未來(lái)大有可為。（來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察）

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source：安森美

法人預(yù)估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬(wàn)片，2025年將達(dá)到60萬(wàn)片。法人推算碳化硅廠商整體擴(kuò)產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、快充站碳化硅總體需求量，并依照各國(guó)際大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃推算2025年碳化硅產(chǎn)能，總體來(lái)看，碳化硅供需缺口將隨著電動(dòng)車放量持續(xù)擴(kuò)大。

另在今年8月初據(jù)外媒報(bào)道，安森美計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出8英寸碳化硅晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury稱：“我們?nèi)匀话从?jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個(gè)流程。8英寸碳化硅的認(rèn)證將在今年通過(guò)，明年開(kāi)始的收入將符合我們的預(yù)期?！?/p>

針對(duì)8英寸碳化硅，安森美于2023年10月完成其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠滿載時(shí)，每年能生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓。富川碳化硅生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸碳化硅工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

2024年以來(lái)，安森美進(jìn)一步加碼碳化硅投資。6月19日，安森美宣布將在捷克共和國(guó)建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動(dòng)汽車等應(yīng)用的能效。

安森美計(jì)劃通過(guò)一項(xiàng)高達(dá)20億美元（約141.79億人民幣）的多年期投資來(lái)擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)，這是該公司之前披露的長(zhǎng)期資本支出目標(biāo)的一部分。這項(xiàng)投資將以安森美目前在捷克共和國(guó)的業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長(zhǎng)、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。目前，該廠每年可生產(chǎn)300多萬(wàn)片硅片，其中包括10億多個(gè)功率器件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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安森美將于2024年完成8英寸SiC晶圓認(rèn)證

據(jù)外媒報(bào)道，安森美計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出8英寸SiC晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美Q2營(yíng)收為17.35億美元，比上年第一季度下降1.3億美元，比去年第二季度下降2.65億美元。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說(shuō)：“我們?nèi)匀话从?jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個(gè)流程。8英寸SiC的認(rèn)證將在今年通過(guò)，明年開(kāi)始的收入將符合我們的預(yù)期?！?/p>

“正如我們最近與大眾汽車集團(tuán)達(dá)成的供應(yīng)協(xié)議所反映的那樣，我們也在繼續(xù)加強(qiáng)我們?cè)谄囶I(lǐng)域的碳化硅地位，同時(shí)與歐洲、北美和中國(guó)的領(lǐng)先全球原始設(shè)備制造商（OEM）一起擴(kuò)大生產(chǎn)?！?/p>

然而，安森美本季度的庫(kù)存有所增加，部分原因是近年來(lái)晶圓廠的出售所致。在市場(chǎng)不明朗的時(shí)期，許多公司的需求都在下降，因此第三季度預(yù)測(cè)持平。

“幾年前，我們剝離了4家晶圓廠，隨著需求回升，我們將開(kāi)始在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)內(nèi)生產(chǎn)這些產(chǎn)品，這筆固定成本高達(dá)1.6億美元，”El-Khoury表示：“我們必須消化這些晶圓廠轉(zhuǎn)型而積累的庫(kù)存，隨著我們將其轉(zhuǎn)移到公司的網(wǎng)絡(luò)中，我們開(kāi)始看到有益的一面?！?/p>

“正如在第一季度所指出的那樣，我們的核心市場(chǎng)需求正在趨于穩(wěn)定。由于客戶在2024 年保持謹(jǐn)慎態(tài)度，去庫(kù)存仍在繼續(xù)，部分地區(qū)的情況有所改善，”他說(shuō)。

針對(duì)8英寸SiC，安森美于2023年10月完成其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)SiC超大型制造工廠的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠滿載時(shí)，每年能生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)片8英寸SiC晶圓。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

Resonac 8英寸SiC外延片即將商業(yè)化

據(jù)日媒報(bào)道，Resonac的8英寸SiC外延片品質(zhì)已經(jīng)達(dá)到了6英寸產(chǎn)品的同等水平。目前，公司正在通過(guò)提高生產(chǎn)效率來(lái)降低成本，樣品評(píng)估已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化的最后階段。預(yù)計(jì)一旦成本優(yōu)勢(shì)超過(guò)6英寸產(chǎn)品，Resonac就會(huì)開(kāi)始轉(zhuǎn)型生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。

Resonac憑借在SiC單晶襯底上形成SiC外延層的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，擁有非?？捎^的SiC外延片市場(chǎng)份額，并向高端市場(chǎng)供應(yīng)SiC外延片。Resonac開(kāi)發(fā)的8英寸產(chǎn)品與其供應(yīng)給高端市場(chǎng)的6英寸SiC外延片擁有相同品質(zhì)。Resonac目前面臨的挑戰(zhàn)僅有成本問(wèn)題，公司正通過(guò)設(shè)置最佳參數(shù)和用料，來(lái)縮短生產(chǎn)時(shí)間并提高產(chǎn)量。

值得一提的是，除了量產(chǎn)8英寸SiC外延片外，Resonac還將在2025年開(kāi)始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。（
文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

安森美Q2營(yíng)收17.352億美元，與大眾簽署多年協(xié)議

7月30日，安森美公布了2024年第二季度業(yè)績(jī)。2024年Q2，安森美實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.352億美元（約125.82億人民幣），按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）和非GAAP計(jì)算的毛利率分別為45.2%和45.3%，GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和非GAAP營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率分別為22.4%和27.5%，GAAP應(yīng)占收入凈額和非GAAP應(yīng)占收入凈額分別為3.38億美元和4.12億美元，GAAP每股攤薄收益為0.78美元，非GAAP每股攤薄收益為0.96美元。

分業(yè)務(wù)來(lái)看，2024年Q2，安森美電源方案部（PSG）、模擬與混合信號(hào)部（AMG）、智能感知部（ISG）營(yíng)收分別為8.35億美元、6.48億美元和2.52億美元。

關(guān)于業(yè)績(jī)表現(xiàn)，安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，隨著安森美在歐洲、北美和中國(guó)配合整車廠商（OEM）擴(kuò)產(chǎn)，將不斷鞏固其在汽車領(lǐng)域的碳化硅功率器件領(lǐng)導(dǎo)地位。

7月23日，據(jù)安森美官微消息，安森美近日宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級(jí)別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，這種涵蓋整個(gè)功率子組件的完整電源系統(tǒng)解決方案可以在不影響性能的前提下，為不同車輛定制功率需求和增加特性，同時(shí)降低成本。

此外，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺(tái)能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

展望2024年Q3，安森美預(yù)計(jì)GAAP收入17億美元-18億美元，毛利率44.3%-46.3%，營(yíng)運(yùn)支出3.29億美元-3.44億美元，每股攤薄收益0.85美元-0.97美元。

工業(yè)和碳化硅業(yè)務(wù)疲軟，X-Fab營(yíng)收下滑

7月25日，X-Fab公布了2024年第二季度業(yè)績(jī)。2024年Q2，X-Fab實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.051億美元（約14.87億人民幣），符合預(yù)期的2億-2.1億美元，同比下降9%，環(huán)比下降4%，主要是由于工業(yè)和碳化硅業(yè)務(wù)疲軟；訂單量為2.484億美元，同比增長(zhǎng)12%；息稅折舊攤銷前利潤(rùn)（EBITDA）為4790萬(wàn)美元，同比下降23%，EBITDA利潤(rùn)率為23.3%；息稅前利潤(rùn)（EBIT）為2280萬(wàn)美元，同比下降44%。

2024年Q2，X-FAB的核心業(yè)務(wù)汽車、工業(yè)和醫(yī)療收入達(dá)到了1.901億美元，同比下降4%，占總收入的比重為94%。

X-Fab表示，和預(yù)期一樣，由于第一季度訂單量較低，第二季度碳化硅收入同比下降33%，為1160萬(wàn)美元。預(yù)計(jì)當(dāng)前的疲軟將在第三季度觸底。根據(jù)客戶反饋，X-Fab預(yù)計(jì)其碳化硅業(yè)務(wù)將在第四季度開(kāi)始復(fù)蘇，2025年將恢復(fù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

目前，X-Fab正在大力擴(kuò)產(chǎn)碳化硅，其2024年的主要支出將包括馬來(lái)西亞砂拉越的產(chǎn)能擴(kuò)張項(xiàng)目、法國(guó)的持續(xù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)換以及德克薩斯州盧伯克碳化硅生產(chǎn)線的進(jìn)一步擴(kuò)建。

2023年，X-FAB在德克薩斯的碳化硅晶圓產(chǎn)量比上一年增加了58%。在砂拉越，X-FAB旨在增加該工廠每月10000片晶圓產(chǎn)能的建筑施工預(yù)計(jì)將在夏季之后完成，并計(jì)劃在今年第四季度開(kāi)始搬入設(shè)備。

展望未來(lái)，X-Fab預(yù)計(jì)2024年Q3收入2.05億-2.15億美元，EBITDA利潤(rùn)率在24-27%之間。X-FAB將全年預(yù)期收入從9億-9.7億美元調(diào)整至8.6億-8.8億美元，主要由于碳化硅功率器件市場(chǎng)整體復(fù)蘇的延遲；在下調(diào)預(yù)期收入的同時(shí)，X-FAB全年EBITDA利潤(rùn)率預(yù)期范圍已收窄至25-28%。

Aehr公司季度收入反彈，碳化硅成為關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

7月29日，Aehr公司公布了2024財(cái)年第四季度（截至5月底）業(yè)績(jī)。報(bào)告期內(nèi)，Aehr實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1660萬(wàn)美元（約1.2億人民幣），超出了預(yù)期的1540萬(wàn)美元，去年同期為2230萬(wàn)美元，上個(gè)季度為756萬(wàn)美元。

其全年?duì)I收從2023財(cái)年的6500萬(wàn)美元增長(zhǎng)至2024財(cái)年的6620萬(wàn)美元，超過(guò)了預(yù)期的6500萬(wàn)美元，但低于2023年1月初預(yù)期的7500萬(wàn)-8500萬(wàn)美元，以及2023年7月中旬預(yù)期的超過(guò)1億美元，原因是自2023年底以來(lái)由于電動(dòng)汽車需求放緩導(dǎo)致的碳化硅器件應(yīng)用的訂單推遲。

按非GAAP計(jì)算，Aehr季度凈收入為2470萬(wàn)美元（每股攤薄收益0.84美元），較去年同期的680萬(wàn)美元（每股攤薄收益0.23美元）有所增長(zhǎng)，與上個(gè)季度的凈虧損0.88萬(wàn)美元（每股攤薄虧損0.03美元）相比也有顯著改善。因此，Aehr 2024財(cái)年全年凈收入為3580萬(wàn)美元（每股攤薄收益1.21美元），是2023財(cái)年1730萬(wàn)美元（每股攤薄收益0.59美元）的兩倍多。

關(guān)于業(yè)績(jī)表現(xiàn)，Aehr總裁兼首席執(zhí)行官Gayn Erickson表示，在過(guò)去一年，用于電動(dòng)汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的晶圓級(jí)測(cè)試和老化設(shè)備是其業(yè)務(wù)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，預(yù)計(jì)碳化硅將繼續(xù)成為推動(dòng)當(dāng)前財(cái)年及以后收入增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。

在季度收入實(shí)現(xiàn)反彈的同時(shí)，Aehr持續(xù)收獲訂單。7月16日，Aehr宣布獲得一個(gè)碳化硅測(cè)試和老化客戶的新訂單，價(jià)值1270萬(wàn)美元，用于支持生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車的碳化硅功率器件的FOX晶圓級(jí)全晶圓接觸器，將在接下來(lái)的三個(gè)月內(nèi)交付。目前。Aehr正在積極與大量新的碳化硅器件和模塊供應(yīng)商接觸，并尋求滿足他們從2025年開(kāi)始上線的預(yù)期產(chǎn)能。

展望未來(lái)，Aehr預(yù)計(jì)在2025財(cái)年及以后有顯著的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。對(duì)于2025財(cái)年（截至5月），Aehr預(yù)計(jì)收入將增長(zhǎng)至新紀(jì)錄，至少為7000萬(wàn)美元，稅前凈利潤(rùn)至少占總收入的10%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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當(dāng)前碳化硅這條康莊大道熱鬧非凡。市場(chǎng)最新消息，昨天（7月23日），全球碳化硅大廠安森美（onsemi）向外公布，已與大眾汽車締結(jié)合作關(guān)系。

碳化硅大廠又拿下一單

根據(jù)介紹，安森美（onsemi）與大眾汽車集團(tuán)簽署了一項(xiàng)多年期協(xié)議，成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)（SSP）下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商，提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù)，可擴(kuò)展至所有功率級(jí)別的主驅(qū)逆變器，兼容所有車輛類別。

同時(shí)，安森美工廠的鄰近優(yōu)勢(shì)將加強(qiáng)大眾汽車集團(tuán)的供應(yīng)鏈。大眾汽車集團(tuán)將受益于安森美在捷克共和國(guó)擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)的投資計(jì)劃，這項(xiàng)投資將在歐洲建立一個(gè)主驅(qū)逆變器電源系統(tǒng)的端到端生產(chǎn)基地。今年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國(guó)建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠，該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動(dòng)汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的能效。

大眾汽車集團(tuán)動(dòng)力總成采購(gòu)高級(jí)副總裁Till von Bothmer補(bǔ)充指出，除了垂直整合之外，安森美還依托其亞洲、歐洲和美國(guó)等地區(qū)布局碳化硅（SiC）晶圓廠，進(jìn)一步提出了彈性供應(yīng)概念。此外，安森美將不斷提供最新一代的碳化硅技術(shù)，以確保其在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。

除了大眾汽車，安森美的后端體系鏈還搭上了理想汽車。1月9日，安森美宣布與理想汽車?yán)m(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議。協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美EliteSiC 1200V產(chǎn)品擁有更高能效、更輕量的設(shè)計(jì)，可增加汽車的續(xù)航里程和加快充電速度，裸芯片產(chǎn)品則便于客戶根據(jù)特定應(yīng)用需求進(jìn)行差異化封裝設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品技術(shù)上，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺(tái)能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%?；贓liteSiC M3e MOSFET，安森美的電源箱解決方案能夠在更小的封裝內(nèi)處理更大功率，并能顯著降低能耗。

M3e晶圓（圖片來(lái)源：安森美）

據(jù)TrendForce集邦咨詢此前指出，近年來(lái)，安森美SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展迅速，這主要?dú)w功于其車用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國(guó)富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴(kuò)建，并計(jì)劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對(duì)GTAT收購(gòu)后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過(guò)50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，公司正在朝著毛利率達(dá)到50%的目標(biāo)前進(jìn)。

值得一提的是，本月初，安森美（onsemi）宣布已完成對(duì)SWIR Vision Systems?的收購(gòu)，通過(guò)此次收購(gòu)，安森美將把硅基CMOS傳感器和制造專長(zhǎng)與CQD技術(shù)相結(jié)合，以更低的成本和更高的產(chǎn)量提供高度集成的SWIR傳感器。這將帶來(lái)結(jié)構(gòu)更緊湊、成本效益更高的成像系統(tǒng)，具有更寬的光譜，可廣泛應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域。

SWIR Vision Systems現(xiàn)已成為安森美的全資子公司，其技術(shù)團(tuán)隊(duì)將并入安森美的智能感知事業(yè)群，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)在北卡羅來(lái)納州運(yùn)營(yíng)。安森美表示，此次收購(gòu)預(yù)計(jì)不會(huì)對(duì)安森美近期至中期的財(cái)務(wù)展望產(chǎn)生重大影響。

從市場(chǎng)地位上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營(yíng)收91.9%，其中意法半導(dǎo)體以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，安森美（onsemi）則是由2022年的第四名上升至第二名。

碳化硅相關(guān)訂單“狂熱”簽署

除了碳化硅制造商之外，搜羅近期訂單情況，包括Axus、愛(ài)思強(qiáng)、Aehr、優(yōu)睿譜等多家碳化硅設(shè)備廠商陸續(xù)發(fā)出簽單好消息。

1、Axus簽單頻繁

其中，化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）廠商Axus Technology宣布其Capstone CS200系列的銷售勢(shì)頭強(qiáng)勁。這家公司這幾個(gè)月陸續(xù)收到了來(lái)自歐洲、亞洲和北美的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體制造商的訂單。

Axus的Capstone訂單包括研發(fā)/工程和即時(shí)生產(chǎn)工具，后者配置用于150mm和200mm晶圓的大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)介紹，Capstone是Axus首個(gè)新型150/200mm CMP平臺(tái)，也是第一個(gè)能夠同時(shí)處理兩種不同晶圓尺寸的平臺(tái)，該設(shè)備可夠提供高吞吐量和產(chǎn)量。自2020年，Axus推出Capstone平臺(tái)以來(lái)，其不斷豐富產(chǎn)品，推出了針對(duì)SiC優(yōu)化的新晶圓載體。

展望市場(chǎng)，Axus工藝技術(shù)總監(jiān)Catherine Bullock表示，得益于對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車等電力電子應(yīng)用的需求，碳化硅正在快速增長(zhǎng)。

2、愛(ài)思強(qiáng)搭上安世半導(dǎo)體

7月16日，愛(ài)思強(qiáng)宣布安世半導(dǎo)體訂購(gòu)了愛(ài)思強(qiáng)用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設(shè)備，安世半導(dǎo)體還訂購(gòu)了愛(ài)思強(qiáng)的G10-GaN設(shè)備。G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月。

除了安世半導(dǎo)體，今年4月，愛(ài)思強(qiáng)曾表示，Wolfspeed在2023年Q3-Q4期間與其簽訂了多個(gè)碳化硅設(shè)備訂單。G10-SiC設(shè)備為Wolfspeed的8英寸材料工廠John Palmour碳化硅制造中心提供支持，助力Wolfspeed進(jìn)一步加大、加快8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)。

氮化鎵設(shè)備方面，半導(dǎo)體代工廠BelGaN在去年底宣布將采購(gòu)愛(ài)思強(qiáng)的G10-GaN設(shè)備。

3、Aehr又獲得新訂單

7月16日，Aehr宣布，一家碳化硅測(cè)試和預(yù)燒客戶向其訂購(gòu)了多套WaferPak?全晶圓接觸器，價(jià)值1270萬(wàn)美元（折合人民幣約0.91億元），用于滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)預(yù)燒和篩選的生產(chǎn)需求，預(yù)計(jì)將在未來(lái)三個(gè)月內(nèi)交付。

4月2日，Aehr表示其已收到客戶的初步訂單，訂購(gòu)一套FOX-NP晶圓級(jí)測(cè)試和老化系統(tǒng)、多臺(tái)WaferPak接觸器和一臺(tái)FOX WaferPak對(duì)準(zhǔn)器，這些設(shè)備將用于碳化硅器件的工程設(shè)計(jì)、認(rèn)證和小批量生產(chǎn)晶圓級(jí)測(cè)試和老化，計(jì)劃在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)發(fā)貨。

資料顯示，Aehr Test Systems是一家位于弗里蒙特的半導(dǎo)體測(cè)試及老化設(shè)備供應(yīng)商。其FOX-NP系統(tǒng)配置了新的雙極電壓通道模塊（BVCM）和超高電壓通道模塊（VHVCM），可使用Aehr專有的WaferPak全晶圓接觸器為SiC功率半導(dǎo)體提供新的高級(jí)測(cè)試及老化功能。

4、優(yōu)睿譜成功交付境外客戶

7月中旬，上海優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡(jiǎn)稱“優(yōu)睿譜”）成功交付境外客戶一款碳化硅襯底晶圓位錯(cuò)及微管檢測(cè)的全自動(dòng)設(shè)備，即SICD200設(shè)備。

優(yōu)睿譜致力于打造半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備。今年6月，該公司成功交付客戶一款晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備SICE200，該設(shè)備可用于硅基以及化合物半導(dǎo)體襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測(cè)。

同時(shí)，除了上面的兩款SICE200、SICD200，優(yōu)睿譜另一款SICV200晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了完全對(duì)標(biāo)國(guó)外供應(yīng)商測(cè)試性能及設(shè)備供應(yīng)鏈的國(guó)產(chǎn)化目標(biāo)。同時(shí)，針對(duì)碳化硅外延晶圓CV測(cè)量后有金屬殘留及壓痕的行業(yè)痛點(diǎn)做了針對(duì)性創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，成功解決該行業(yè)痛點(diǎn)，目前已得到多家客戶的訂單。

結(jié) 語(yǔ)

總體而言，SiC功率器件具備耐高壓，耐高溫，低能耗，小型化的特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混動(dòng)汽車、充電樁/充電站、高鐵軌交、光伏逆變器中。業(yè)界認(rèn)為，碳化硅已發(fā)展成為綜合性能最好、產(chǎn)業(yè)化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。目前，碳化硅正處于一個(gè)快速成長(zhǎng)和高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。未來(lái)隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，碳化硅之爭(zhēng)將愈演愈烈，在此之下，相關(guān)廠商也將被市場(chǎng)帶飛，受益不斷。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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source：安森美

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，這種涵蓋整個(gè)功率子組件的完整電源系統(tǒng)解決方案可以在不影響性能的前提下，為不同車輛定制功率需求和增加特性，同時(shí)降低成本。

據(jù)了解，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiC M3e MOSFET，并計(jì)劃在2030年前推出多代新產(chǎn)品。憑借安森美獨(dú)特的設(shè)計(jì)和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET在可靠且經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)上顯著降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺(tái)能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%。

據(jù)介紹，基于EliteSiC M3e MOSFET，安森美獨(dú)特的電源箱解決方案能夠在更小的封裝內(nèi)處理更大功率，并能顯著降低能耗。三個(gè)集成的半橋模塊安裝在冷卻通道上，通過(guò)確保熱量從半導(dǎo)體器件到冷卻液外殼的高效管理，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)效率。該解決方案能夠帶來(lái)更好的性能、更佳的散熱控制和更高的效率，從而提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。

值得一提的是，大眾汽車集團(tuán)也將受益于安森美在捷克共和國(guó)擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)的投資計(jì)劃，這項(xiàng)投資將在歐洲建立一個(gè)主驅(qū)逆變器電源系統(tǒng)的端到端生產(chǎn)基地。今年6月19日，安森美宣布將在捷克共和國(guó)建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠，該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動(dòng)汽車、可再生能源和AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的能效。安森美工廠的鄰近優(yōu)勢(shì)將加強(qiáng)大眾汽車集團(tuán)的供應(yīng)鏈。

今年以來(lái)，安森美加快碳化硅技術(shù)和產(chǎn)品“上車”進(jìn)程，除了本次成為大眾汽車供應(yīng)商外，安森美此前還與理想汽車簽約。1月9日，安森美正式宣布與理想汽車?yán)m(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議。

據(jù)悉，此次協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美介紹稱，其EliteSiC 1200V產(chǎn)品擁有更高能效、更輕量的設(shè)計(jì)，可增加汽車的續(xù)航里程和加快充電速度，裸芯片產(chǎn)品則便于客戶根據(jù)特定應(yīng)用需求進(jìn)行差異化封裝設(shè)計(jì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營(yíng)收91.9%，其中意法半導(dǎo)體以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。

走在前列的ST意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體是全球最早進(jìn)入SiC市場(chǎng)的公司之一，在SiC領(lǐng)域擁有超過(guò)20年的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。今年5月末，其宣布投資50億歐元在意大利卡塔尼亞建設(shè)世界首個(gè)全流程垂直集成的SiC工廠。據(jù)悉，意大利政府將在歐盟《芯片法案》框架內(nèi)向意法半導(dǎo)體提供20億歐元的補(bǔ)貼。該工廠將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)，并實(shí)現(xiàn)首創(chuàng)的8英寸SiC晶圓的量產(chǎn)，目標(biāo)是到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)每周可生產(chǎn)多達(dá)15000片晶圓，年產(chǎn)能48萬(wàn)片。

意法半導(dǎo)體2023年SiC產(chǎn)品領(lǐng)域的財(cái)報(bào)十分亮眼。數(shù)據(jù)顯示，2023年意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品營(yíng)收超11億美元，同比增長(zhǎng)60%以上。這一業(yè)績(jī)反映了SiC市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，以及意法半導(dǎo)體在這一市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。并且，意法半導(dǎo)體對(duì)其SiC業(yè)務(wù)的未來(lái)充滿信心，認(rèn)為SiC市場(chǎng)將繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，尤其是在汽車和飛機(jī)電氣化方面的需求將持續(xù)增加。公司設(shè)定了明確的SiC營(yíng)收目標(biāo)，即在2025年實(shí)現(xiàn)SiC產(chǎn)品營(yíng)收達(dá)20億美元，到2030年達(dá)到50億美元。

意法半導(dǎo)體的擴(kuò)產(chǎn)步伐一直走在前列，除了上述在意大利卡塔尼亞投資50億歐元建設(shè)世界首個(gè)全流程垂直集成的SiC工廠之外，其也在新加坡的工廠增添了前端設(shè)備，并提高了摩洛哥和中國(guó)工廠的后端產(chǎn)能。此外，ST與三安光電在中國(guó)成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時(shí)ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y(cè)產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達(dá)到垂直整合效益。

加速趕追的onsemi安森美

onsemi十分看好SiC市場(chǎng)的發(fā)展前景，近三年來(lái)，其致力于推動(dòng)在捷克、韓國(guó)、美國(guó)三地的擴(kuò)產(chǎn)，并一直積極加強(qiáng)與歐洲、美國(guó)、中國(guó)等本土供應(yīng)鏈的協(xié)作，以及時(shí)滿足終端客戶的需求。其中，onsemi在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展十分值得關(guān)注，目前，onsemi已經(jīng)與中國(guó)三家領(lǐng)先的新能源汽車企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，并將這種關(guān)系擴(kuò)展到本土排名前列的傳統(tǒng)汽車制造商，還推動(dòng)了國(guó)內(nèi)首款采用SiC技術(shù)的本土品牌電動(dòng)車的落地。

據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，onsemi近年來(lái)SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展迅速，這主要?dú)w功于其車用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國(guó)富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴(kuò)建，并計(jì)劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對(duì)GTAT收購(gòu)后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過(guò)50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，公司正在朝著毛利率達(dá)到50%的目標(biāo)前進(jìn)。

近期市場(chǎng)最新消息顯示，onsemi將投資高達(dá)20億美元提高其在捷克共和國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)量，以擴(kuò)大該公司在歐洲的產(chǎn)能，因?yàn)闅W盟正在尋求關(guān)鍵供應(yīng)的自給自足。據(jù)悉，該項(xiàng)目將成為捷克共和國(guó)最大的一次性直接外國(guó)投資。

圖片來(lái)源：安森美官方截圖

公開(kāi)資料顯示，這是onsemi之前披露的長(zhǎng)期資本支出目標(biāo)的一部分，這項(xiàng)投資將以該公司在捷克共和國(guó)的現(xiàn)有業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長(zhǎng)、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。如今，該工廠每年可生產(chǎn)超過(guò)300萬(wàn)片晶片，包括超過(guò)10億個(gè)功率器件。項(xiàng)目建成后，onsemi將擴(kuò)大其在東部城鎮(zhèn)羅茲諾夫·波德拉德霍斯泰姆的業(yè)務(wù)，以容納SiC半導(dǎo)體的完整生產(chǎn)鏈，包括用于汽車和可再生能源領(lǐng)域的最終芯片模塊。

onsemi電源解決方案部門負(fù)責(zé)人Simon Keeton向路透社透露，新投資的項(xiàng)目可能于 2027 年開(kāi)始生產(chǎn)，但沒(méi)有透露有關(guān)就業(yè)、生產(chǎn)量或預(yù)期收入的更多細(xì)節(jié)。

據(jù)悉，除了上述最新一次擴(kuò)產(chǎn)外，onsemi在捷克的工廠此前已歷經(jīng)3次擴(kuò)產(chǎn)。2022年9月，onsemi宣布未來(lái)兩年將投資4.5 億美元（近32億元人民幣），將捷克工廠SiC晶圓拋光和外延片的產(chǎn)能提高16倍。2019和2021年，onsemi分別2次擴(kuò)建捷克工廠，合計(jì)投資超過(guò)1.5億美元（約10.6億元人民幣）。

另外，onsemi美國(guó)工廠方面，2022年8月，onsemi哈德遜的SiC新工廠已完成擴(kuò)建，計(jì)劃將襯底產(chǎn)能擴(kuò)充5倍。據(jù)悉，2021年8月，onsemi以4.15億美元現(xiàn)金（約28億人民幣）收購(gòu)了 GTAT，并著手在哈德遜工廠擴(kuò)建4萬(wàn)平方英尺的工廠場(chǎng)地，安裝了新的SiC熔爐，目前哈德遜工廠總制造空間已達(dá)到27.2萬(wàn)平方英尺。

根據(jù)onsemi 2023年財(cái)報(bào)顯示，onsemi去年SiC出貨量超過(guò)8億美元，收入同比增長(zhǎng)4倍，并且毛利率保持在40%以上，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)的最高增長(zhǎng)。

工業(yè)市場(chǎng)起飛的Infineon英飛凌

英飛凌是行業(yè)內(nèi)十分具有競(jìng)爭(zhēng)力的SiC技術(shù)供應(yīng)商，Infineon的SiC營(yíng)收近一半來(lái)自于工業(yè)市場(chǎng)。近幾年，英飛凌耗費(fèi)巨資在多地進(jìn)行了英飛凌擴(kuò)產(chǎn)。6月3日，英飛凌最新消息顯示，其已獲得其位于德國(guó)德累斯頓的價(jià)值50億歐元的智能功率半導(dǎo)體工廠的最終建設(shè)許可。

英飛凌在馬來(lái)西亞居林的新晶圓廠計(jì)劃最初獲得了20億歐元的內(nèi)部資金支持，2023年中旬該廠又獲得了50億歐元的注資用于居林第三工廠的建設(shè)和設(shè)備。該工廠致力于打造全球最大的8英寸SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。英飛凌居林公司高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Ng Kok Tiong此前表示，公司新廠的一期建設(shè)將于2024年第三季度完工，并且，二期建設(shè)將在未來(lái)幾年也陸續(xù)完工。

但是TrendForce集邦咨詢分析，其馬來(lái)西亞居林工廠的主要客戶 SolarEdge陷入困境，對(duì)Infineon營(yíng)運(yùn)產(chǎn)生沖擊。相較之下，Infineon的汽車業(yè)務(wù)發(fā)展較為穩(wěn)健，例如近期小米SU7的design win，另外過(guò)去相對(duì)落后的產(chǎn)能建設(shè)進(jìn)度反倒讓其在市場(chǎng)逆風(fēng)中處于有利地位。相較于其他幾家領(lǐng)先的SiC IDM廠商，Infineon缺少SiC晶體材料的內(nèi)部生產(chǎn)能力，因此積極推動(dòng)多元化供應(yīng)商體系，以確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

除此之外，英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）工廠的SiC產(chǎn)能還在爬坡中，預(yù)估到2025年?duì)I收可達(dá)10億歐元。英飛凌希望隨著居林超級(jí)工廠在2024年底投產(chǎn)，最終帶動(dòng)其SiC營(yíng)收于2030年達(dá)到70億歐元，并占據(jù)全球30% SiC器件市場(chǎng)份額。

亟需突破的Wolfspeed

今年3月，Wolfspeed在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour SiC制造中心”舉辦了建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，“John Palmour SiC制造中心”總投資50億美元，將生產(chǎn)200mm SiC襯底。到2024年底，占地445英畝的一期工程預(yù)計(jì)將完工，預(yù)計(jì)2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)。屆時(shí)，將顯著擴(kuò)大Wolfspeed的材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。

去年2月初，Wolfspeed宣布計(jì)劃在德國(guó)薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的8英寸SiC器件制造工廠，這座歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠（已于2022年4月開(kāi)業(yè)）、John Palmour SiC制造中心（即美國(guó)北卡羅來(lái)納州SiC材料工廠）一起，共同構(gòu)成Wolfspeed公司65億美元產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃的重要組成部分。

近期行業(yè)最新消息顯示，Wolfspeed推遲了在德國(guó)建設(shè)價(jià)值30億美元的工廠的計(jì)劃。此計(jì)劃最早開(kāi)始于2023年1月，汽車零部件供應(yīng)商采埃孚和Wolfspeed發(fā)出消息稱，計(jì)劃在德國(guó)薩爾州（Saarland）投資30億美元建設(shè)一座晶圓工廠，為電動(dòng)汽車和其他應(yīng)用生產(chǎn)芯片。

行業(yè)消息顯示，具體原因主要與歐盟芯片制造計(jì)劃受阻相關(guān)。引援外媒報(bào)道，一位官方發(fā)言人表示，計(jì)劃在薩爾州建立的工廠將生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車的計(jì)算機(jī)芯片，該工廠尚未完全被取消，該公司仍在尋求資金。該發(fā)言人補(bǔ)充說(shuō)，由于歐洲和美國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)疲軟，總部位于北卡羅來(lái)納州的 Wolfspeed 削減了資本支出，目前正專注于提高紐約的產(chǎn)量。該公司最早要到 2025 年中期才會(huì)在德國(guó)開(kāi)始建設(shè)，比原定目標(biāo)晚了兩年。

顯而易見(jiàn)的，Wolfspeed近年來(lái)在SiC領(lǐng)域的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作十分頻繁，投資金額巨大，但其近年財(cái)報(bào)利潤(rùn)和股價(jià)均不太理想。據(jù)悉，自2017年至今，Wolfspeed的營(yíng)收都沒(méi)有超過(guò)10億美元，并且持續(xù)虧損，盈利不及預(yù)期。而在過(guò)去一年里，Wolfspeed的股價(jià)下跌了約50%。實(shí)際上，近年來(lái)關(guān)于Wolfspeed考慮出售的消息不絕于耳，傳言中的潛在買家就包括TI德州儀器等國(guó)際大廠，歸根究底，還是Wolfspeed的經(jīng)營(yíng)狀況較為低迷，凈利潤(rùn)虧損較大。

雖然Wolfspeed在過(guò)去兩年里錯(cuò)失了一些市場(chǎng)機(jī)會(huì)，功率元件業(yè)務(wù)市占有所下滑，不過(guò)，TrendForce集邦咨詢指出，Wolfspeed仍然是全球最大的SiC材料供應(yīng)商，特別是汽車級(jí) MOSFET襯底，并在8英寸領(lǐng)域具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)。隨著Wolfspeed的The JP工廠即將投產(chǎn)，有望顯著提高材料產(chǎn)能，并推動(dòng)莫霍克谷工廠（MVF）的投產(chǎn)進(jìn)程。

穩(wěn)中求進(jìn)的ROHM羅姆

對(duì)比上述四家大廠動(dòng)輒數(shù)倍的增長(zhǎng)規(guī)模，羅姆的SiC擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃則顯得溫和許多。2009年，羅姆收購(gòu)了德國(guó)SiCrystal，正式實(shí)現(xiàn)了從SiC晶圓材料到前后端芯片制造組裝等IDM（垂直統(tǒng)合型）產(chǎn)業(yè)鏈的內(nèi)部生產(chǎn)閉環(huán)。這也是羅姆在SiC領(lǐng)域構(gòu)建的技術(shù)壁壘。

去年7月，羅姆宣布收購(gòu)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)商Solar Frontier在宮崎縣國(guó)富町的工廠，計(jì)劃將該工廠用于擴(kuò)大SiC功率器件的產(chǎn)能，未來(lái)還將成為羅姆的主要生產(chǎn)基地之一。Solar Frontier曾在該工廠生產(chǎn)CIS薄膜太陽(yáng)能電池，但已停止運(yùn)營(yíng)。據(jù)悉，該工廠占地面積約40萬(wàn)平方米，建筑面積約23萬(wàn)平方米，其中羅姆計(jì)劃利用現(xiàn)有11.5萬(wàn)平方米的工廠建筑以及潔凈室，改造成SiC功率器件生產(chǎn)線。據(jù)悉，該工廠預(yù)計(jì)于今年年底開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，這將成為羅姆第四座SiC晶圓廠。

據(jù)羅姆的估算，通過(guò)收購(gòu)該工廠，2030財(cái)年達(dá)產(chǎn)后新的生產(chǎn)基地將會(huì)幫助羅姆將整體SiC產(chǎn)能提升到2021財(cái)年的35倍。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，羅姆計(jì)劃到2025年開(kāi)始轉(zhuǎn)向8英寸SiC晶圓，而屆時(shí)可能也會(huì)在這次收購(gòu)的工廠中引進(jìn)8英寸晶圓制造設(shè)備。去年羅姆公布過(guò)公司的投資計(jì)劃和目標(biāo)，當(dāng)時(shí)該公司計(jì)劃到2025財(cái)年（截至2026年3月）前最多向SiC領(lǐng)域投資2200億日元。

羅姆有著堅(jiān)固的營(yíng)收來(lái)源，其不僅掌握了SiC晶圓的生產(chǎn)技術(shù)，更成為和信越化學(xué)以及Sumco一樣的襯底晶圓材料生產(chǎn)商，成為其他半導(dǎo)體制造業(yè)的上游供應(yīng)商。因此，羅姆的營(yíng)收來(lái)源不僅局限于自家SiC半導(dǎo)體成品的生產(chǎn)銷售，這也有利于羅姆大大降低其生產(chǎn)成本。（來(lái)源：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)觀察）

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