天眼查資料顯示，上海宏微愛賽半導體有限公司于11月26日成立，法定代表人為丁子文，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設備銷售、電力電子元器件銷售、光電子器件銷售等。

股東信息顯示，上海宏微愛賽半導體有限公司由江蘇宏微科技股份有限公司、泓微新（上海）科技合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導體芯片、單管和模塊的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。在碳化硅領域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務，相關的碳化硅模塊已批量應用于新能源等行業(yè)。

根據(jù)華興源創(chuàng)11月21日晚間發(fā)布的公告，11月21日，華興源創(chuàng)審議通過了《關于參與設立私募投資基金的議案》。根據(jù)決議華興源創(chuàng)參與設立蘇州工業(yè)園區(qū)智源微新創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）（最終名稱以市場監(jiān)督管理機關登記的名稱為準，以下簡稱：智源微新），基金管理人和普通合伙人為蘇州叢蓉私募基金管理合伙企業(yè)（有限合伙），有限合伙人具體包括華興源創(chuàng)和蘇州東微半導體股份有限公司。

其中，蘇州東微半導體股份有限公司認繳出資5000萬元，占比83.19%，為智源微新第一大股東。

東微半導體以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車等中大功率應用領域。目前，東微半導體第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已通過可靠性測試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個產(chǎn)品。與此同時，東微半導體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，近2個月，包括江豐電子、中車時代半導體、揚杰科技、宏微科技、拓荊科技、芯聯(lián)集成、中微公司、東微半導體等在內，已有多家碳化硅相關廠商相繼成立了多家新公司。

其中，時代電氣旗下中車時代半導體全資成立了合肥中車時代半導體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。

中微公司等成立了超微半導體設備（上海）有限公司，法定代表人為中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯，注冊資本4250萬人民幣，經(jīng)營范圍為半導體器件專用設備銷售、電子專用設備銷售、專用設備修理。（集邦化合物半導體Zac整理）

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企查查信息顯示，常州宏諾致遠創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）于11月5日成立，執(zhí)行事務合伙人為常州和諾資本管理有限公司，出資額4000萬元，經(jīng)營范圍含創(chuàng)業(yè)投資（限投資未上市企業(yè)）和以自有資金從事投資活動。股東信息顯示，該公司由宏微科技（持股比例49.75%）等共同持股。

資料顯示，宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導體芯片、單管和模塊的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。

在碳化硅領域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務，相關的碳化硅模塊已批量應用于新能源等行業(yè)。

天眼查信息顯示，上海道禾拓荊芯鏈私募基金合伙企業(yè)（有限合伙）于10月25日成立，出資額1.02億元，經(jīng)營范圍含以私募基金從事股權投資、投資管理、資產(chǎn)管理等活動。股東信息顯示，該公司由拓荊科技全資子公司上海巖泉科技有限公司等共同持股。

拓荊科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高端半導體專用設備，產(chǎn)品線包括離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微等國內主流晶圓廠產(chǎn)線。

今年上半年，拓荊科技超高深寬比溝槽填充CVD設備、PE-ALD SiN工藝設備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設備等新產(chǎn)品及新工藝已經(jīng)下游用戶驗證導入。

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，今年下半年以來，包括北方華創(chuàng)、揚杰科技、江豐電子、中車時代半導體等在內，已有多家碳化硅相關廠商相繼成立了多家新公司。

其中，北方華創(chuàng)、上海集成電路研發(fā)中心有限公司、上海臨港新片區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)股權投資基金管理有限公司共同成立了上海芯勢能企業(yè)管理咨詢中心（有限合伙）。

江豐電子全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設備及元器件制造；光伏設備及元器件銷售；電子專用設備銷售；電子專用設備制造等。

時代電氣旗下中車時代半導體全資成立了合肥中車時代半導體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。

揚杰科技全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設計及服務、電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、新材料技術研發(fā)等。（集邦化合物半導體Zac整理）

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該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC襯底；N-外延層，所述N-外延層位于所述SiC襯底之上；有源區(qū)，所述有源區(qū)為多個，多個所述有源區(qū)相間隔地排布于所述N-外延層之上；JFET區(qū)，所述JFET區(qū)位于所述N-外延層之上，且位于兩個相鄰的的所述有源區(qū)之間，所述JFET區(qū)內設有淺溝槽結構，所述淺溝槽結構設有固定深度，所述淺溝槽結構與所述有源區(qū)之間設有固定距離；多晶硅柵層，所述多晶硅柵層位于所述有源區(qū)和所述JFET區(qū)之上；隔離層，所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上；金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發(fā)明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時，抑制短溝效應，防止MOSFET器件被擊穿。

資料顯示，宏微科技成立于2006年8月，從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案，主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。

近年來，宏微科技在SiC領域進展較快。2023年3月，宏微科技在接受機構調研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。

2023年11月，宏微科技在接受機構調研時稱，SiC MOS已實現(xiàn)樣品產(chǎn)出，預計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項目時，宏微科技表示，公司用于液冷充電樁的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

隨后在12月，宏微科技再次對SiC業(yè)務進展情況進行了介紹。宏微科技稱，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經(jīng)逐步定型和小批量。

據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，2024年預計會有較大幅度的增長。（集邦化合物半導體整理）

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據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，明年預計會有較大幅度的增長。在電動汽車方向，公司SiC灌封產(chǎn)品對標英飛凌HPD產(chǎn)品，且公司單面散熱SiC塑封模塊明年也會有所突破，形成銷售。

資料顯示，宏微科技創(chuàng)立于2006年，業(yè)務范圍涵蓋設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊（CSPM）。

目前，半導體廠商加碼SiC業(yè)務已成為常態(tài)，宏微科技相關動作也正在向SiC領域傾斜。事實上，宏微科技算得上是國內SiC賽道較早的入局者之一，公司從2015年左右開始做SiC模塊，購買國外的芯片進行封裝。

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據(jù)宏微科技在今年10月下旬介紹，公司SiC二極管已經(jīng)開發(fā)成功，在小批量試用，SiC MOS在做最后的驗證，年底會有結果。而到目前，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已逐步定型和小批量，迎來了新進展。

新能源汽車、光儲充等領域的蓬勃發(fā)展帶動SiC市場需求走高，為SiC相關廠商創(chuàng)造了切入機會和新的業(yè)績增長點，宏微科技也已有相關產(chǎn)品布局。據(jù)悉，液冷充電樁需應用SiC器件產(chǎn)品，目前宏微科技的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。值得一提的是，目前由于光伏的需求提升，公司批量交付Si+SiC混合封裝的產(chǎn)品，每月出貨量在幾萬塊左右。

在SiC領域的積極布局和成果在一定程度上促進了宏微科技的營收增長，公司2023年第三季度報告顯示，公司Q3營收3.71億元，同比增長31.58%;歸屬于上市公司股東的凈利潤2304.29萬元，同比下降20.56%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤2430.17萬元，同比增長9.55%;基本每股收益0.15元/股。

公司營收增速較快，但凈利潤卻出現(xiàn)同比下降，原因之一是研發(fā)投入較大，公司2023年第三季度研發(fā)投入合計2816.16萬元，同比增長達54.77%。加大研發(fā)投入使得公司當前資本支出較高，但有助于公司未來的業(yè)績增長。（集邦化合物半導體Zac整理）

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此外，在被問及液冷充電樁項目時，宏微科技表示：液冷充電樁需應用SiC器件產(chǎn)品，目前公司的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)了解，宏微科技自設立以來一直從事IGBT、FRED和MOSFET為主的功率半導體芯片、單管和模塊的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。

針對SiC器件，宏微科技下階段將不斷提升產(chǎn)能利用率、產(chǎn)品性能，根據(jù)客戶需求，部署下階段封裝產(chǎn)品，最終實現(xiàn)公司高速、高質量發(fā)展。

據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示，按2022年應用結構來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。（文：集邦化合物半導體Morty整理）

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