會(huì)上,多個(gè)超百億元產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果,同時(shí)宣布一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。
此次集中簽約的項(xiàng)目,形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測(cè)及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局,包括三晶第三代半導(dǎo)體精密裝備及材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
會(huì)上,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)平臺(tái)成果發(fā)布,涉及SiC MOSFET、功率模塊等關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)悉,該中心將攻堅(jiān)“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應(yīng)用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產(chǎn)品方向,從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、材料生長(zhǎng)、器件制備、系統(tǒng)應(yīng)用等四個(gè)方面,聯(lián)合生態(tài)伙伴共同攻關(guān)。
當(dāng)前,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項(xiàng)目已經(jīng)竣工投產(chǎn),隨著一期項(xiàng)目投運(yùn),二期項(xiàng)目的建設(shè)也排上日程,媒體報(bào)道二期項(xiàng)目將于2024年開建,規(guī)劃年產(chǎn)20萬片8英寸圓片。
(文:全球半導(dǎo)體觀察)
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