123,123 http://mewv.cn 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門(mén)戶(hù)網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Wed, 11 Mar 2026 07:16:05 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 廣東：重點(diǎn)推動(dòng)碳化硅、氮化鎵等材料規(guī)?；苽渑c應(yīng)用 http://mewv.cn/info/newsdetail-74924.html Wed, 11 Mar 2026 07:16:05 +0000 http://mewv.cn/?p=74924 3月10日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快培育發(fā)展新賽道引領(lǐng)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)行動(dòng)規(guī)劃（2026—2035年）》。其中提出，重點(diǎn)推動(dòng)碳化硅、氮化鎵等材料規(guī)?；苽渑c應(yīng)用，開(kāi)展氧化鎵、氮化鋁、金剛石等材料及制備技術(shù)工藝攻關(guān)，推進(jìn)FD-SOI等特色制造工藝及異質(zhì)異構(gòu)集成、光電混合集成等先進(jìn)封裝技術(shù)與工藝研發(fā)和規(guī)?；瘧?yīng)用。

據(jù)悉，該規(guī)劃圍繞六大領(lǐng)域布局53個(gè)新賽道，半導(dǎo)體相關(guān)部署是先進(jìn)制造領(lǐng)域的核心內(nèi)容之一。規(guī)劃明確分階段目標(biāo)，到2030年，全省新賽道培育促進(jìn)機(jī)制初步形成，力爭(zhēng)培育多個(gè)萬(wàn)億元級(jí)、五千億元級(jí)和千億元級(jí)賽道；到2035年，新賽道產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)規(guī)模突破10萬(wàn)億元。

當(dāng)前，廣東在碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域已形成良好發(fā)展態(tài)勢(shì)，產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)凸顯。

廣州芯粵能半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片制造企業(yè)，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其自主研發(fā)的碳化硅MOSFET主驅(qū)芯片已搭載整車(chē)800V電驅(qū)總成下線(xiàn)，獲得多家汽車(chē)品牌定點(diǎn)。

國(guó)內(nèi)頭部氮化鎵企業(yè)#英諾賽科 也在珠海高新區(qū)設(shè)立基地，該基地?fù)碛袊?guó)內(nèi)少有的氮化鎵 IDM 全流程能力，助力珠海構(gòu)建起覆蓋氮化鎵、碳化硅全系列材料的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、人工智能、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。

產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目方面，稍早之前，廣州白云區(qū)落地韓國(guó)STI株式會(huì)社功率半導(dǎo)體智造基地項(xiàng)目，總投資約124億元，一期將生產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊關(guān)鍵材料AMB陶瓷基板，后續(xù)還將謀劃建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體器件與車(chē)規(guī)級(jí)芯片工廠(chǎng)，完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

作為制造業(yè)大省，廣東擁有全部31個(gè)制造業(yè)大類(lèi)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)雄厚。此次規(guī)劃的印發(fā)，既是廣東培育新質(zhì)生產(chǎn)力、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要舉措，也將進(jìn)一步完善省內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

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]]> 浙江：發(fā)展氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等 http://mewv.cn/info/newsdetail-74512.html Fri, 16 Jan 2026 07:08:24 +0000 http://mewv.cn/?p=74512 近日，浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳正式發(fā)布《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見(jiàn)稿）》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《規(guī)劃》），面向社會(huì)公開(kāi)征求意見(jiàn)。

《規(guī)劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進(jìn)，旨在構(gòu)建具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為建設(shè)全球先進(jìn)制造業(yè)基地提供核心支撐。

《規(guī)劃》提出，到2030年浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收目標(biāo)將達(dá)4500億元，而氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體與碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體的協(xié)同發(fā)展，將成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要增長(zhǎng)極。

寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借獨(dú)特性能構(gòu)建起差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。其中，碳化硅與氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的核心品類(lèi)，已在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用突破；氧化鎵、金剛石則作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體代表，具備更高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更優(yōu)熱導(dǎo)率等特性，在特高壓輸電、高端芯片散熱等高端場(chǎng)景擁有廣闊前景。

目前，浙江已集聚士蘭微電子、晶盛機(jī)電、鎵仁半導(dǎo)體等一批領(lǐng)先企業(yè)。在碳化硅領(lǐng)域，士蘭微電子投資120億元建設(shè)的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)于2026年1月正式通線(xiàn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片芯片的產(chǎn)能，為新能源汽車(chē)等領(lǐng)域提供核心器件保障。

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