彭建華：方正微電子從2023年底實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片量產(chǎn)，2024年進(jìn)一步提升生產(chǎn)制造質(zhì)量與良率，夯實(shí)基礎(chǔ)。

在關(guān)鍵的新能源汽車(chē)市場(chǎng)，無(wú)論是產(chǎn)品性能質(zhì)量，還是出貨量，方正微電子均處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。另外在光儲(chǔ)充UPS等工規(guī)應(yīng)用領(lǐng)域，公司也取得顯著進(jìn)展，我司SiC產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于行業(yè)頭部客戶(hù)的光儲(chǔ)充UPS系統(tǒng)解決方案。

我們將實(shí)現(xiàn)交付車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片上新能源乘用車(chē)數(shù)量從幾萬(wàn)輛車(chē)到數(shù)十萬(wàn)輛車(chē)的歷史跨越。

總體來(lái)看，方正微電子是目前國(guó)內(nèi)對(duì)SiC領(lǐng)域投入最大的廠家，無(wú)論是產(chǎn)線建設(shè)還是技術(shù)研發(fā)的投入都是最大的，已建成目前國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)SiC MOS最大的實(shí)際產(chǎn)能。且公司非常重視供應(yīng)可連續(xù)性、供應(yīng)鏈安全，構(gòu)建了從原材料到生產(chǎn)制造的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈，積極支持國(guó)產(chǎn)材料、設(shè)備的發(fā)展。

source：方正微電子

Q2：新能源汽車(chē)對(duì)SiC器件的需求激增，貴公司在該領(lǐng)域的進(jìn)展如何？

彭建華：方正微電子的車(chē)規(guī)SiC MOSFET已經(jīng)大規(guī)模交付國(guó)內(nèi)頭部OEM廠商以及Tier1廠商，尤其是乘用車(chē)主驅(qū)SiC MOS出貨進(jìn)入行業(yè)第一梯隊(duì)。主驅(qū)用SiC MOS產(chǎn)品的核心性能指標(biāo)可比肩國(guó)際頭部同行產(chǎn)品，個(gè)別指標(biāo)處于領(lǐng)先地位，產(chǎn)品質(zhì)量獲得了客戶(hù)的高度認(rèn)可。

公司的車(chē)規(guī)產(chǎn)品在行業(yè)內(nèi)率先通過(guò)了3000小時(shí)的可靠性測(cè)試，測(cè)試時(shí)長(zhǎng)3倍于行業(yè)車(chē)規(guī)認(rèn)證要求，在可靠性等關(guān)鍵技術(shù)工藝上有關(guān)鍵突破以及長(zhǎng)期積累。

source：方正微電子

Q3：您怎樣看待8英寸SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，貴公司目前進(jìn)展如何？

彭建華：?英寸SiC轉(zhuǎn)型的主要?jiǎng)訖C(jī)之一是降低成本，但近年來(lái)6英寸襯底價(jià)格下降速度太快，因此8英寸晶圓與6英寸晶圓的成本平衡點(diǎn)會(huì)推遲。另外，國(guó)內(nèi)的6英寸SiC產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力還有很大的提升空間，加上目前產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩，供應(yīng)遠(yuǎn)大于需求，因此應(yīng)謹(jǐn)慎對(duì)待8英寸技術(shù)升級(jí)與投資。

方正微電子的整個(gè)FAB 2是基于8寸做的設(shè)計(jì)，目前我司基于8寸線已成功產(chǎn)出第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS，方正微電子在8英寸的進(jìn)展上，處于行業(yè)一梯隊(duì)。

Q4：您認(rèn)為當(dāng)前國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板是什么？如何突破？

彭建華：當(dāng)前國(guó)內(nèi)最主要的短板還是體現(xiàn)在晶圓制造和設(shè)備環(huán)節(jié)。雖然SiC芯片制程難度不如邏輯芯片的先進(jìn)制程，但要把產(chǎn)品做好并不容易，在車(chē)規(guī)質(zhì)量與關(guān)鍵工藝上等同先進(jìn)制程工藝難度。

部分國(guó)內(nèi)廠商過(guò)于追求性能指標(biāo)，忽視了產(chǎn)品質(zhì)量，犧牲比如柵氧等環(huán)節(jié)的工藝質(zhì)量，導(dǎo)致器件壽命大幅縮短，可靠性存在風(fēng)險(xiǎn)，引發(fā)應(yīng)用端的失效事故。另外，目前仍有少部分碳化硅設(shè)備高度依賴(lài)進(jìn)口，也是國(guó)內(nèi)的短板的之一。

我們呼吁，國(guó)內(nèi)供應(yīng)商，要守住質(zhì)量的底線，投資在可靠性等核心工藝上的研發(fā)技術(shù)與制造工藝上。

Q5：?國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，貴公司如何通過(guò)差異化策略突圍？

彭建華：方正微電子始終瞄準(zhǔn)下游頭部客戶(hù)的核心需求，從產(chǎn)品質(zhì)量、性能等角度提升公司實(shí)力，通過(guò)技術(shù)提升與制造規(guī)模實(shí)現(xiàn)成本降低。

秉承“探索一代，研究一代，開(kāi)發(fā)一代、量產(chǎn)一代”的發(fā)展理念，通過(guò)大規(guī)模的研發(fā)技術(shù)與制造工藝投入，進(jìn)行持續(xù)的工藝迭代，并與實(shí)驗(yàn)室、高校、科研平臺(tái)進(jìn)行合作，促進(jìn)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。

另外一點(diǎn)是穩(wěn)步推進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)，確保對(duì)客戶(hù)的穩(wěn)定交付，提升客戶(hù)滿(mǎn)意度。以客戶(hù)為中心，通過(guò)提供高品質(zhì)產(chǎn)品與服務(wù)以及高強(qiáng)度的研發(fā)與產(chǎn)能規(guī)模，贏得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

Q6：2025年貴公司的運(yùn)營(yíng)重點(diǎn)和業(yè)務(wù)規(guī)劃是怎樣的？

彭建華：首先是做好客戶(hù)交付工作，確保給頭部OEM廠以及Tier1的產(chǎn)品供應(yīng)高質(zhì)量；其次是持續(xù)壓強(qiáng)投入技術(shù)研發(fā)與工藝提升，加快新一代工藝平臺(tái)的開(kāi)發(fā)；另外就是做好FAB 2的擴(kuò)產(chǎn)工作。2025年是方正微電子發(fā)展過(guò)程中最關(guān)鍵的一年，我們將實(shí)現(xiàn)交付車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片上新能源乘用車(chē)數(shù)量從幾萬(wàn)輛到數(shù)十萬(wàn)輛的歷史跨越。

我們相信，首先要把產(chǎn)品做好，交付服務(wù)做好，產(chǎn)能供應(yīng)建設(shè)好，產(chǎn)品有競(jìng)爭(zhēng)力，構(gòu)建方正微電子的高質(zhì)量品牌，與客戶(hù)做長(zhǎng)期的戰(zhàn)略發(fā)展伙伴，做中長(zhǎng)跑選手，不犧牲質(zhì)量去追求短期的利益，樹(shù)立好的口碑，這是我們的經(jīng)營(yíng)理念。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

source:方正微電子

據(jù)方正微電子副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華介紹，公司當(dāng)前有兩個(gè)Fab。

其中，F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅晶圓9000片/月的生產(chǎn)能力，到2024年底，這一數(shù)字預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至每月1.4萬(wàn)片。彭建華還表示，2025年公司將具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。此外，F(xiàn)ab1還負(fù)責(zé)生產(chǎn)氮化鎵晶圓，目前月產(chǎn)能為4000片。

Fab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線將于2024年底通線，長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能6萬(wàn)片/月。
資料顯示方正微電子成立于2003年12月，是國(guó)內(nèi)第一批進(jìn)入6英寸碳化硅器件領(lǐng)域進(jìn)行制造工藝研究開(kāi)發(fā)的廠商之一。

2021年，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“深重投”）成功入主方正微電子，將公司納入深圳集成電路產(chǎn)業(yè)“比學(xué)趕超”發(fā)展戰(zhàn)略的重要產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，導(dǎo)入全球尖端科技資源，助力戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，致力于將方正微電子打造為國(guó)家第三代半導(dǎo)體制造高地。

目前，方正微電子的系列產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)的多個(gè)場(chǎng)景，包括主驅(qū)逆變控制器、OBC、DC/DC、空調(diào)壓縮機(jī)以及充電樁等，特別是其車(chē)規(guī)1200V碳化硅MOS產(chǎn)品，已在新能源汽車(chē)主驅(qū)控制器上實(shí)現(xiàn)了規(guī)模應(yīng)用。

除碳化硅功率器件外，方正微電子開(kāi)發(fā)的氮化鎵系列功率器件產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于消費(fèi)快充、PC電源、服務(wù)器電源等場(chǎng)景。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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