據(jù)悉，此次落地項(xiàng)目由江蘇卓航致遠(yuǎn)科技有限公司主導(dǎo)建設(shè)，該公司由江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司全資子公司上海卓遠(yuǎn)方德半導(dǎo)體有限公司與江蘇航投未來科技產(chǎn)業(yè)有限公司股權(quán)合作組建。核心股東江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司為國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)、國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，在半導(dǎo)體材料及設(shè)備領(lǐng)域擁有技術(shù)積淀，布局覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈多個(gè)環(huán)節(jié)。

江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司長期布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，形成了從單晶制造裝備到晶圓片的產(chǎn)業(yè)鏈布局，重點(diǎn)開展碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作。公司組建有AI人工智能、無機(jī)非金屬材料、微電子學(xué)等多學(xué)科研發(fā)團(tuán)隊(duì)，自主研發(fā)的12英寸電子級(jí)單晶硅生長設(shè)備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，市場(chǎng)占有率達(dá)20%，國產(chǎn)設(shè)備出貨量位居行業(yè)前列，可為第三代半導(dǎo)體材料規(guī)?；a(chǎn)提供設(shè)備支撐。

此次落地的集成電路級(jí)12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，是江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司核心產(chǎn)業(yè)板塊的重要組成部分。

項(xiàng)目聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心材料環(huán)節(jié)，瞄準(zhǔn)AI算力、航空航天、新能源、汽車電子等領(lǐng)域?qū)π酒男枨?，將重點(diǎn)推進(jìn)12英寸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目建設(shè)，有助于填補(bǔ)國內(nèi)高端大硅片和MPCVD金剛石產(chǎn)能缺口，提升關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化率和產(chǎn)業(yè)化率。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將完善區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條，為南京江寧區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供助力。

麒麟科創(chuàng)園是中國科學(xué)院創(chuàng)新資源集聚程度較高的科創(chuàng)平臺(tái)，聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域，推進(jìn)創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化與高端產(chǎn)業(yè)集聚。為保障項(xiàng)目推進(jìn)，園區(qū)已統(tǒng)籌人事、經(jīng)發(fā)、規(guī)土、建設(shè)、招商等多部門力量，實(shí)行專人負(fù)責(zé)、定期調(diào)度機(jī)制，目前項(xiàng)目地塊文物勘探等前期工作已同步啟動(dòng)，電力、燃?xì)獾群诵囊乇Ｕ险行驅(qū)印?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：CHIPX Global社交平臺(tái)

這座工廠將成為東盟區(qū)域內(nèi)首條8英寸GaN/SiC前端晶圓產(chǎn)線。行業(yè)分析認(rèn)為，其技術(shù)方向并非傳統(tǒng)SiC功率器件或GaN射頻器件，而是聚焦光子集成電路、高帶寬光互連及先進(jìn)材料工程領(lǐng)域，核心適配下一代人工智能數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算系統(tǒng)的需求，例如為AI數(shù)據(jù)中心提供SiC光子集成電路、SiC中介層，以及面向GPU處理器的GaN晶圓等產(chǎn)品。

CHIPX Global 成立于2022年（注冊(cè)地英國，企業(yè)歸屬愛爾蘭），核心團(tuán)隊(duì)具備半導(dǎo)體行業(yè)資深經(jīng)驗(yàn)——?jiǎng)?chuàng)始人欽莫伊?巴魯阿（ChinmoyBaruah）擁有材料科學(xué)領(lǐng)域?qū)W術(shù)背景及初創(chuàng)企業(yè)運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO姚耀成（音譯）曾任職于比亞迪、Vishay等企業(yè)，深耕模擬芯片設(shè)計(jì)與GaN技術(shù)研發(fā)，為項(xiàng)目技術(shù)落地提供了基礎(chǔ)。

1、英飛凌馬來西亞8英寸SiC廠量產(chǎn)

馬來西亞本身已具備半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，尤其在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）領(lǐng)域，已吸引一些國際巨頭落地核心產(chǎn)能。

作為全球功率半導(dǎo)體龍頭，英飛凌在馬來西亞的布局堪稱標(biāo)桿，其位于吉打州居林（Kulim）的制造基地已發(fā)展為全球規(guī)模領(lǐng)先的SiC晶圓生產(chǎn)中心。

早在2006年，英飛凌便在居林開設(shè)了亞洲首座前道晶圓廠，2022年正式啟動(dòng)第三廠區(qū)建設(shè)，專門聚焦8英寸SiC功率半導(dǎo)體制造，項(xiàng)目總投資達(dá)70億歐元（一期20億歐元、二期50億歐元），是馬來西亞迄今最大的半導(dǎo)體單筆投資之一。

2024年8月，該工廠一期項(xiàng)目正式投產(chǎn)運(yùn)營，馬來西亞總理安瓦爾?易卜拉欣親自出席啟動(dòng)儀；一期產(chǎn)線初期以6英寸晶圓生產(chǎn)為過渡，2024年底已具備8英寸SiC晶圓量產(chǎn)條件，2025年第一季度已開始向汽車、可再生能源領(lǐng)域客戶交付8英寸SiC器件產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2027年將全面轉(zhuǎn)向8英寸晶圓規(guī)?；a(chǎn)。

值得關(guān)注的是，該工廠采用與奧地利菲拉赫工廠聯(lián)動(dòng)的“虛擬協(xié)同工廠”模式，共享核心技術(shù)與工藝標(biāo)準(zhǔn)，目前已吸引六家全球主流整車廠及新能源企業(yè)簽訂設(shè)計(jì)訂單，累計(jì)訂單額超50億歐元，還收到約10億歐元客戶預(yù)付款，產(chǎn)能消化確定性強(qiáng)。

2、意法半導(dǎo)體、奧特斯完善封裝與材料配套

除英飛凌外，國際巨頭意法半導(dǎo)體也在馬來西亞加碼特色工藝與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。

意法半導(dǎo)體在馬來西亞柔佛州麻坡（Muar）打造了先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封裝測(cè)試基地，重點(diǎn)聚焦汽車級(jí)SiC器件的后道工藝。

該基地配備了針對(duì)SiC功率模塊的高可靠性封裝生產(chǎn)線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車主逆變器、工業(yè)變頻器等場(chǎng)景，與英飛凌的晶圓制造產(chǎn)能形成工藝互補(bǔ)，共同完善了馬來西亞SiC產(chǎn)業(yè)鏈的“制造-封裝”閉環(huán)。

此外，奧地利科技企業(yè)奧特斯（AT&S）于2024年在吉打州居林高科技園區(qū)啟用高端半導(dǎo)體封裝載板工廠，總投資超10億歐元，專為AMD等企業(yè)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)芯片提供封裝載板支持，2024年底已正式量產(chǎn)。封裝載板作為SiC/GaN芯片封裝的核心材料，其本地化供應(yīng)進(jìn)一步降低了馬來西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈成本。

3、中企加碼SiC襯底與封測(cè)環(huán)節(jié)

中國企業(yè)方面，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭#晶盛機(jī)電 的全球化布局成為馬來西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要補(bǔ)充。

2025年7月，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC在檳城州舉行8英寸SiC襯底制造工廠奠基儀式，項(xiàng)目總占地面積4萬平方米，一期建成后將實(shí)現(xiàn)24萬片/年的8英寸SiC襯底產(chǎn)能，產(chǎn)品主要供應(yīng)電動(dòng)汽車充電器、電信基站電源等領(lǐng)域。

圖片來源：晶盛機(jī)電

該工廠整合了晶體生長、切割、拋光等全流程工藝，是東南亞地區(qū)規(guī)模領(lǐng)先的SiC襯底生產(chǎn)基地，不僅填補(bǔ)了當(dāng)?shù)氐谌雽?dǎo)體核心材料制造的空白，還能依托檳城已有的300多家半導(dǎo)體企業(yè)集群，快速接入全球供應(yīng)鏈。

此外，通富微電、華天科技等中企通過收購馬來西亞當(dāng)?shù)胤鉁y(cè)企業(yè)，已將業(yè)務(wù)延伸至SiC器件的封裝測(cè)試領(lǐng)域，成為馬來西亞第三代半導(dǎo)體后道環(huán)節(jié)的重要力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：陜西新聞聯(lián)播

具體而言，該工廠主體工程和設(shè)備安裝基本完成。8月中旬的設(shè)備通電聯(lián)調(diào)是投產(chǎn)前的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，將對(duì)所有生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行功能性測(cè)試和校準(zhǔn)。9月的流片試生產(chǎn)，意味著芯片設(shè)計(jì)版圖將首次在晶圓上實(shí)際制造，這是驗(yàn)證生產(chǎn)線工藝成熟度和產(chǎn)品良率的重要一步。

公開資料顯示，陜西電子芯業(yè)時(shí)代科技有限公司（全文簡稱“芯業(yè)時(shí)代”）成立于2022年2月22日，注冊(cè)資本20億元。它是陜西電子信息集團(tuán)作為投資主體組建的混合所有制企業(yè)，肩負(fù)著填補(bǔ)陜西8英寸芯片制造領(lǐng)域空白、提升區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭力的重要使命。

據(jù)悉，該項(xiàng)目主要建成一條8英寸高性能高可靠功率器件、功率集成電路生產(chǎn)線，同時(shí)廠房基建預(yù)先滿足未來12英寸生產(chǎn)線可擴(kuò)展性的要求，項(xiàng)目80%的設(shè)備可滿足第三代半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)要求。項(xiàng)目總投資45億元，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能5萬片，未來可拓展至10萬片。

圖片來源：陜西新聞聯(lián)播

在8英寸晶圓制造領(lǐng)域，雖然通用邏輯工藝產(chǎn)能日趨飽和，但特色工藝（如模擬芯片、功率器件、MEMS傳感器、射頻芯片等）需求依然旺盛，且利潤空間相對(duì)較高。這些芯片廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等高增長領(lǐng)域。

據(jù)陜西電子信息集團(tuán)副總經(jīng)理、陜西電子芯業(yè)時(shí)代科技有限公司董事長楊柯介紹，該項(xiàng)目的目標(biāo)產(chǎn)品具有廣泛應(yīng)用，主要包括工業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)和車規(guī)級(jí)等中高端功率器件。并且目前，公司已和清華大學(xué)等國內(nèi)高校在光電融合、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域進(jìn)行了深入布局，將為我國在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展提供助力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該公司聯(lián)席CEO陳橋梁先生表示，龍騰半導(dǎo)體作為陜西省半導(dǎo)體及集成電路重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，通過不斷的技術(shù)革新、產(chǎn)品升級(jí)與IDM戰(zhàn)略布局，成功構(gòu)建了“應(yīng)用+設(shè)計(jì)+工藝+材料+設(shè)備”五位一體的融合創(chuàng)新商業(yè)模式。在8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項(xiàng)目方面，一期已順利投產(chǎn)，二期晶圓產(chǎn)線也在如火如荼地進(jìn)行中，預(yù)計(jì)全部達(dá)產(chǎn)后將具有年產(chǎn)8英寸晶圓60萬片的生產(chǎn)能力。

龍騰半導(dǎo)體在當(dāng)前雙碳目標(biāo)的引領(lǐng)下，正在積極深化在人工智能、電動(dòng)化、數(shù)字化及低空經(jīng)濟(jì)等領(lǐng)域的應(yīng)用布局與技術(shù)創(chuàng)新。公司致力于通過不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與業(yè)務(wù)模式的轉(zhuǎn)型升級(jí)，為半導(dǎo)體的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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印度國防部表示，SiC/GaN技術(shù)是國防、航空航天和清潔能源領(lǐng)域下一代應(yīng)用的關(guān)鍵推動(dòng)因素。這類先進(jìn)技術(shù)可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強(qiáng)性能，使其在未來作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。

隨著未來作戰(zhàn)系統(tǒng)對(duì)更輕、更緊湊電源的需求不斷增長，碳化硅/氮化鎵技術(shù)為軍事和商業(yè)領(lǐng)域的通信、情報(bào)、偵察和無人系統(tǒng)(包括電動(dòng)汽車和可再生能源)提供了重要基礎(chǔ)。報(bào)道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術(shù)中心，可通過本土技術(shù)初步生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應(yīng)用。

印度多個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目加速推進(jìn)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解到，今年印度多個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目有新進(jìn)展，具體如下：

今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。

與此同時(shí)，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長的本土化。這一項(xiàng)目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比。

8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech正式收購了美國公司Nisene。據(jù)悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專業(yè)知識(shí)，結(jié)合Polymatech的藍(lán)寶石基半導(dǎo)體技術(shù)，將幫助后者成為一家多晶圓公司。

8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、SiC和GaN技術(shù)。

9月4日，美國Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的SiC制造工廠已奠基動(dòng)工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，預(yù)計(jì)2025年全面投產(chǎn)。

9月20日，印度Zoho集團(tuán)宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設(shè)一座SiC制造工廠。該工廠的設(shè)計(jì)將覆蓋整個(gè)SiC生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預(yù)計(jì)包括7.2萬片SiC外延晶圓、7.2萬個(gè)MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動(dòng)汽車、汽車及可再生能源領(lǐng)域。

9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專注于為國家安全、下一代電信和綠色能源應(yīng)用提供先進(jìn)的感應(yīng)、通信和電力電子技術(shù)，生產(chǎn)紅外、GaN和SiC芯片。據(jù)悉，印度半導(dǎo)體任務(wù)以及巴拉特半導(dǎo)體公司、3rdiTech公司和美國太空部隊(duì)的戰(zhàn)略技術(shù)合作將為其提供支持。

11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬美元的種子輪融資。

該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足射頻器件的需求，同時(shí)提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產(chǎn)能力，以應(yīng)對(duì)功率器件市場(chǎng)需求。資金還將用于增強(qiáng)器件的可靠性，符合市場(chǎng)的多種標(biāo)準(zhǔn)。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場(chǎng)的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。

結(jié)語

近年來，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，促使一些國家開始重視該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。印度今年多個(gè)三代半項(xiàng)目落地，可以從側(cè)面反映其在推動(dòng)本土技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢(shì) (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí))，AlGaN緩沖層厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圓翹曲。

研究發(fā)現(xiàn)，AlN單晶復(fù)合襯底表面存在的Si、O雜質(zhì)會(huì)造成寄生漏電通道，使得HEMTs器件無法正常關(guān)斷。團(tuán)隊(duì)據(jù)此創(chuàng)新提出二次生長AlN埋層方法覆蓋雜質(zhì)層，使其在超寬禁帶材料中無法離化，從而顯著抑制漏電。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，團(tuán)隊(duì)所提出的350 nm無摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV，HEMTs器件關(guān)態(tài)耐壓超8 kV，動(dòng)態(tài)電流崩塌＜20%，閾值電壓漂移＜10%，初步通過可靠性評(píng)估。

圖：基于6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制造的GaN晶圓，轉(zhuǎn)移特性曲線，動(dòng)態(tài)輸出特性曲線和動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)移特性曲線（來源：致能科技）

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8英寸SiC晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體）

資料顯示，通用半導(dǎo)體成立于2019年，致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。

在融資方面，通用半導(dǎo)體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機(jī)構(gòu)。

在產(chǎn)品方面，通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī)；2022年成功推出國內(nèi)首臺(tái)18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備（針對(duì)3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備（針對(duì)3D HBM）。

值的一提的是，2023年12月，通用半導(dǎo)體自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線已完成交付。
通用半導(dǎo)體表示，隨著公司激光隱切設(shè)備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場(chǎng)應(yīng)用規(guī)模的不斷擴(kuò)大，且公司持續(xù)保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入，迭代升級(jí)各產(chǎn)品系列。（來源：通用半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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利用3C-SiC制備場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可解決柵氧界面缺陷多導(dǎo)致的器件可靠性差等問題。但3C-SiC基晶體管進(jìn)展緩慢，主要是缺乏單晶襯底。前期大量研究表明，3C-SiC在生長過程中很容易發(fā)生相變，已有的生長方法不能獲得單一晶型的晶體。

根據(jù)經(jīng)典晶體生長理論，對(duì)于光滑界面晶體，同質(zhì)二維形核需要克服臨界勢(shì)壘，存在臨界Gibbs自由能或過飽和度，而生長則可以在任意小的過飽和度下進(jìn)行。對(duì)于異質(zhì)形核，由于引入了新的固-固界面能，二維形核需克服更高的臨界勢(shì)壘。因此在相同過飽和度下，同質(zhì)形核和生長在能量上明顯優(yōu)于異質(zhì)形核和生長，使得后者很難發(fā)生。

近期，中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心的陳小龍團(tuán)隊(duì)提出了調(diào)控固-液界面能，在異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長的學(xué)術(shù)思想。

主要包括：1)3C(111)面和4H(0001)面的晶格失配度小，固-固界面能很低；2)4H和3C體相Gibbs自由能的差別較??；3)如果通過調(diào)控熔體成份，使得3C(111)-熔體的界面能較4H(0001)-熔體的界面能足夠低，二維形核以及后續(xù)生長的Gibbs自由能則對(duì)于3C相更有利。該團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)、搭建了超高溫熔體表面張力和固-液接觸角測(cè)試設(shè)備，在高溫下測(cè)量了不同成份熔體的表面張力，熔體與4H-SiC、3C-SiC的接觸角，獲得了4H-SiC、3C-SiC與高溫熔體的固-液界面能的變化規(guī)律，驗(yàn)證了界面能調(diào)控的可行性。該團(tuán)隊(duì)利用高溫液相法，實(shí)現(xiàn)了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶，如圖1和圖2所示。

圖1. 采用高溫液相法，在六方碳化硅(4H-SiC)籽晶上實(shí)現(xiàn)了2-4英寸、厚度4-10 mm、立方碳化硅(3C-SiC)的異質(zhì)形核和晶體穩(wěn)定生長

沿晶體厚度方向的Raman散射光譜測(cè)量結(jié)果表明，生長一開始，3C-SiC即在4H-SiC籽晶上形核、生長，兩者共存區(qū)小于20 μm，見圖2(a-b)，進(jìn)一步證實(shí)了上述理論。(111)生長面的X射線搖擺曲線半高寬的平均值為30 arcsec，表明生長的3C-SiC具有高的結(jié)晶質(zhì)量。3C-SiC單晶的室溫電阻率只有0.58 mΩ·cm，為商業(yè)化4H-SiC晶片電阻率(15-28 mΩ·cm)的~1/40，有望降低器件的能量損耗。

圖2. 3C-SiC晶型的確定。a) 在(111)生長面上隨機(jī)選取20個(gè)點(diǎn)的Raman散射光譜圖，插圖為測(cè)試點(diǎn)在晶體上的位置分布圖。b) 沿晶體厚度方向的Raman散射光譜圖。c) 300 K測(cè)量的光致發(fā)光(PL)圖譜。d) 高角環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖。插圖為沿[110]晶帶軸的選區(qū)電子衍射(SAED)圖晶圓級(jí)3C-SiC單晶的生長填補(bǔ)了國內(nèi)外空白，使3C-SiC晶體的量產(chǎn)成為可能，也為開發(fā)性能優(yōu)異的電力電子器件提供了新的契機(jī)。同時(shí)，異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長的機(jī)制拓展了傳統(tǒng)的晶體生長理論。

來源：中國工陶

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該公司計(jì)劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計(jì)算和無線通信以及更小的電力電子設(shè)備。

該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉積碳原子，并在可擴(kuò)展的基底上制造單晶金剛石。以前已經(jīng)生產(chǎn)過金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。

Diamond Foundry 表示，其下一個(gè)目標(biāo)是降低金剛石晶圓的缺陷密度，以實(shí)現(xiàn)比Si高 17,200倍、比SiC高60倍的品質(zhì)因數(shù)。

目前，Diamond Foundry在華盛頓州經(jīng)營一家鉆石和晶圓生產(chǎn)工廠。

據(jù)悉，該公司成立于2012年，業(yè)務(wù)涉及珠寶和奢侈品市場(chǎng)以及半導(dǎo)體行業(yè)。該公司在其 Linkedin 網(wǎng)站上表示，已獲得 5.15 億美元的融資，并正在執(zhí)行一項(xiàng)數(shù)十億美元的擴(kuò)張計(jì)劃，利用零排放能源將溫室氣體轉(zhuǎn)化為金剛石Si片。

據(jù)他們所說，公司可以通過將金剛石以原子方式粘合到以埃級(jí)精度減薄的集成電路 (IC) 晶圓上，實(shí)現(xiàn)了最終的熱芯片封裝。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

從熱導(dǎo)性上看，沒有其他材料能像單晶金剛石那樣有效地導(dǎo)熱，從而使芯片運(yùn)行得更快、使用壽命更長。這就讓金剛石晶圓在工作芯片晶體管的原子距離內(nèi)提供了一條熱高速公路。它以理想的效率散熱，減少熱點(diǎn)并使芯片的計(jì)算速度提高三倍。

同時(shí)，這還是一個(gè)極端的電絕緣體，最薄的金剛石切片可以隔離非常高的電壓，從而使電力電子器件的小型化達(dá)到新的水平。

得益于這些領(lǐng)先特性，Diamond Foundry認(rèn)為公司的解決方案適用于所有領(lǐng)先的高功率芯片，經(jīng)過驗(yàn)證的硅芯片與金剛石半導(dǎo)體基板的結(jié)合極大地加速了云和人工智能計(jì)算，這意味著使用數(shù)據(jù)中心一半的空間即可獲得相同的性能。

這些優(yōu)勢(shì)也讓其能簡化逆變器設(shè)計(jì)，會(huì)因?yàn)榻饎偸A的導(dǎo)熱性和電絕緣性的極端特性使得新穎的架構(gòu)能夠從根本上推進(jìn)小型化、效率和魯棒性。

這個(gè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)也讓其能在無線通信領(lǐng)域提供幫助。

據(jù)介紹，GaN半導(dǎo)體為越來越多的最有效的無線通信提供動(dòng)力。但金剛石晶圓解決了過熱和電壓問題，使GaN在每一項(xiàng)指標(biāo)上都優(yōu)于SiC。

而金剛石基 GaN MOSFET 的功率密度是不含金剛石的GaN的三倍。通過降低熱應(yīng)力以及將 GaN 原子互連到DF（Diamond Foundry）單晶金剛石，提高了可靠性。

類似的公司 Diamfab SA（法國格勒諾布爾）于2019年在歐洲成立。Diamfab 合成并摻雜在其他基板上生長的金剛石外延層，以期用金剛石制造卓越的功率器件。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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“今天，我們公司在擴(kuò)大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來幾十年所需的產(chǎn)能?！盜lan說道?！霸赥I，我們的熱情是通過讓電子產(chǎn)品變得更便宜來創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界通過半導(dǎo)體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對(duì)當(dāng)今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理半導(dǎo)體?！?/p>

2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標(biāo)志著該州歷史上最大的經(jīng)濟(jì)投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個(gè)額外工作崗位以及數(shù)千個(gè)間接工作崗位，首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。

“TI的制造業(yè)務(wù)不斷增長猶他州將為我們州帶來變革，為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個(gè)高薪就業(yè)機(jī)會(huì)，以制造至關(guān)重要的技術(shù)。”猶他州州長斯賓塞·考克斯?！拔覀?yōu)榘雽?dǎo)體制造而感到自豪猶他州猶他州的項(xiàng)目——將為我們國家的經(jīng)濟(jì)和國家安全奠定基礎(chǔ)的創(chuàng)新提供動(dòng)力。”

建設(shè)更強(qiáng)大的社區(qū)

作為TI對(duì)教育承諾的一部分，公司將投資900萬美元在Alpine 學(xué)區(qū)，為幼兒園至12年級(jí)的所有學(xué)生開發(fā)該州第一個(gè)科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)(STEM)學(xué)習(xí)社區(qū)。該多年計(jì)劃將把STEM概念更深入地融入到學(xué)區(qū)85,000名學(xué)生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導(dǎo)向的專業(yè)發(fā)展。該學(xué)區(qū)范圍內(nèi)的計(jì)劃將為學(xué)生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。

高山學(xué)區(qū)負(fù)責(zé)人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關(guān)系將幫助我們的學(xué)生培養(yǎng)必要的知識(shí)和技能，為他們?cè)谏钪腥〉贸晒σ约霸诩夹g(shù)領(lǐng)域可能的職業(yè)生涯做好準(zhǔn)備?！毙ざ鳌しǘ魉刮炙埂！芭c城市合作萊希、德州儀器和我們的學(xué)校，這項(xiàng)合作投資將影響學(xué)生及其家庭的子孫后代?！?/p>

可持續(xù)建設(shè)

TI長期致力于負(fù)責(zé)任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領(lǐng)先能源與環(huán)境設(shè)計(jì) (LEED) 建筑評(píng)級(jí)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級(jí)第4版。
LFAB2的目標(biāo)是由 100% 可再生電力提供動(dòng)力，并采用先進(jìn)的12吋設(shè)備和工藝萊希將進(jìn)一步減少廢物、水和能源的消耗。事實(shí)上，LFAB2 的水回收率預(yù)計(jì)是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。

構(gòu)建半導(dǎo)體制造的下一個(gè)時(shí)代

LFAB2 將補(bǔ)充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達(dá)拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國建設(shè)四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產(chǎn)。

在《芯片》和《科學(xué)法案》的預(yù)期支持下，TI 的制造擴(kuò)張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應(yīng)。這些在制造和技術(shù)方面的投資體現(xiàn)了公司對(duì)長期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導(dǎo)體行業(yè)觀察）

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