印度國(guó)防部表示，SiC/GaN技術(shù)是國(guó)防、航空航天和清潔能源領(lǐng)域下一代應(yīng)用的關(guān)鍵推動(dòng)因素。這類(lèi)先進(jìn)技術(shù)可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強(qiáng)性能，使其在未來(lái)作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。

隨著未來(lái)作戰(zhàn)系統(tǒng)對(duì)更輕、更緊湊電源的需求不斷增長(zhǎng)，碳化硅/氮化鎵技術(shù)為軍事和商業(yè)領(lǐng)域的通信、情報(bào)、偵察和無(wú)人系統(tǒng)(包括電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源)提供了重要基礎(chǔ)。報(bào)道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術(shù)中心，可通過(guò)本土技術(shù)初步生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應(yīng)用。

印度多個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目加速推進(jìn)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解到，今年印度多個(gè)SiC/GaN項(xiàng)目有新進(jìn)展，具體如下：

今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。

與此同時(shí)，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長(zhǎng)的本土化。這一項(xiàng)目專(zhuān)注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比。

8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech正式收購(gòu)了美國(guó)公司Nisene。據(jù)悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專(zhuān)業(yè)知識(shí)，結(jié)合Polymatech的藍(lán)寶石基半導(dǎo)體技術(shù)，將幫助后者成為一家多晶圓公司。

8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來(lái)5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專(zhuān)注于硅、SiC和GaN技術(shù)。

9月4日，美國(guó)Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的SiC制造工廠已奠基動(dòng)工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，預(yù)計(jì)2025年全面投產(chǎn)。

9月20日，印度Zoho集團(tuán)宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設(shè)一座SiC制造工廠。該工廠的設(shè)計(jì)將覆蓋整個(gè)SiC生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預(yù)計(jì)包括7.2萬(wàn)片SiC外延晶圓、7.2萬(wàn)個(gè)MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、汽車(chē)及可再生能源領(lǐng)域。

9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國(guó)將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專(zhuān)注于為國(guó)家安全、下一代電信和綠色能源應(yīng)用提供先進(jìn)的感應(yīng)、通信和電力電子技術(shù)，生產(chǎn)紅外、GaN和SiC芯片。據(jù)悉，印度半導(dǎo)體任務(wù)以及巴拉特半導(dǎo)體公司、3rdiTech公司和美國(guó)太空部隊(duì)的戰(zhàn)略技術(shù)合作將為其提供支持。

11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬(wàn)美元的種子輪融資。

該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足射頻器件的需求，同時(shí)提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產(chǎn)能力，以應(yīng)對(duì)功率器件市場(chǎng)需求。資金還將用于增強(qiáng)器件的可靠性，符合市場(chǎng)的多種標(biāo)準(zhǔn)。此外，這筆投資還將支持原型開(kāi)發(fā)，尤其是面向印度本土市場(chǎng)的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。

結(jié)語(yǔ)

近年來(lái)，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，促使一些國(guó)家開(kāi)始重視該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。印度今年多個(gè)三代半項(xiàng)目落地，可以從側(cè)面反映其在推動(dòng)本土技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢(shì) (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí))，AlGaN緩沖層厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圓翹曲。

研究發(fā)現(xiàn)，AlN單晶復(fù)合襯底表面存在的Si、O雜質(zhì)會(huì)造成寄生漏電通道，使得HEMTs器件無(wú)法正常關(guān)斷。團(tuán)隊(duì)據(jù)此創(chuàng)新提出二次生長(zhǎng)AlN埋層方法覆蓋雜質(zhì)層，使其在超寬禁帶材料中無(wú)法離化，從而顯著抑制漏電。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，團(tuán)隊(duì)所提出的350 nm無(wú)摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV，HEMTs器件關(guān)態(tài)耐壓超8 kV，動(dòng)態(tài)電流崩塌＜20%，閾值電壓漂移＜10%，初步通過(guò)可靠性評(píng)估。

圖：基于6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制造的GaN晶圓，轉(zhuǎn)移特性曲線，動(dòng)態(tài)輸出特性曲線和動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)移特性曲線（來(lái)源：致能科技）

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8英寸SiC晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體）

資料顯示，通用半導(dǎo)體成立于2019年，致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。

在融資方面，通用半導(dǎo)體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機(jī)構(gòu)。

在產(chǎn)品方面，通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī)；2022年成功推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備（針對(duì)3D Memory)；2023年成功研發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備（針對(duì)3D HBM）。

值的一提的是，2023年12月，通用半導(dǎo)體自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線已完成交付。
通用半導(dǎo)體表示，隨著公司激光隱切設(shè)備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場(chǎng)應(yīng)用規(guī)模的不斷擴(kuò)大，且公司持續(xù)保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入，迭代升級(jí)各產(chǎn)品系列。（來(lái)源：通用半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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利用3C-SiC制備場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可解決柵氧界面缺陷多導(dǎo)致的器件可靠性差等問(wèn)題。但3C-SiC基晶體管進(jìn)展緩慢，主要是缺乏單晶襯底。前期大量研究表明，3C-SiC在生長(zhǎng)過(guò)程中很容易發(fā)生相變，已有的生長(zhǎng)方法不能獲得單一晶型的晶體。

根據(jù)經(jīng)典晶體生長(zhǎng)理論，對(duì)于光滑界面晶體，同質(zhì)二維形核需要克服臨界勢(shì)壘，存在臨界Gibbs自由能或過(guò)飽和度，而生長(zhǎng)則可以在任意小的過(guò)飽和度下進(jìn)行。對(duì)于異質(zhì)形核，由于引入了新的固-固界面能，二維形核需克服更高的臨界勢(shì)壘。因此在相同過(guò)飽和度下，同質(zhì)形核和生長(zhǎng)在能量上明顯優(yōu)于異質(zhì)形核和生長(zhǎng)，使得后者很難發(fā)生。

近期，中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心的陳小龍團(tuán)隊(duì)提出了調(diào)控固-液界面能，在異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長(zhǎng)的學(xué)術(shù)思想。

主要包括：1)3C(111)面和4H(0001)面的晶格失配度小，固-固界面能很低；2)4H和3C體相Gibbs自由能的差別較小；3)如果通過(guò)調(diào)控熔體成份，使得3C(111)-熔體的界面能較4H(0001)-熔體的界面能足夠低，二維形核以及后續(xù)生長(zhǎng)的Gibbs自由能則對(duì)于3C相更有利。該團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)、搭建了超高溫熔體表面張力和固-液接觸角測(cè)試設(shè)備，在高溫下測(cè)量了不同成份熔體的表面張力，熔體與4H-SiC、3C-SiC的接觸角，獲得了4H-SiC、3C-SiC與高溫熔體的固-液界面能的變化規(guī)律，驗(yàn)證了界面能調(diào)控的可行性。該團(tuán)隊(duì)利用高溫液相法，實(shí)現(xiàn)了相同過(guò)飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長(zhǎng)過(guò)程中的相變，在國(guó)際上首次生長(zhǎng)出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶，如圖1和圖2所示。

圖1. 采用高溫液相法，在六方碳化硅(4H-SiC)籽晶上實(shí)現(xiàn)了2-4英寸、厚度4-10 mm、立方碳化硅(3C-SiC)的異質(zhì)形核和晶體穩(wěn)定生長(zhǎng)

沿晶體厚度方向的Raman散射光譜測(cè)量結(jié)果表明，生長(zhǎng)一開(kāi)始，3C-SiC即在4H-SiC籽晶上形核、生長(zhǎng)，兩者共存區(qū)小于20 μm，見(jiàn)圖2(a-b)，進(jìn)一步證實(shí)了上述理論。(111)生長(zhǎng)面的X射線搖擺曲線半高寬的平均值為30 arcsec，表明生長(zhǎng)的3C-SiC具有高的結(jié)晶質(zhì)量。3C-SiC單晶的室溫電阻率只有0.58 mΩ·cm，為商業(yè)化4H-SiC晶片電阻率(15-28 mΩ·cm)的~1/40，有望降低器件的能量損耗。

圖2. 3C-SiC晶型的確定。a) 在(111)生長(zhǎng)面上隨機(jī)選取20個(gè)點(diǎn)的Raman散射光譜圖，插圖為測(cè)試點(diǎn)在晶體上的位置分布圖。b) 沿晶體厚度方向的Raman散射光譜圖。c) 300 K測(cè)量的光致發(fā)光(PL)圖譜。d) 高角環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖。插圖為沿[110]晶帶軸的選區(qū)電子衍射(SAED)圖晶圓級(jí)3C-SiC單晶的生長(zhǎng)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)外空白，使3C-SiC晶體的量產(chǎn)成為可能，也為開(kāi)發(fā)性能優(yōu)異的電力電子器件提供了新的契機(jī)。同時(shí)，異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長(zhǎng)的機(jī)制拓展了傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)理論。

來(lái)源：中國(guó)工陶

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該公司計(jì)劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過(guò)來(lái)又可以改善人工智能計(jì)算和無(wú)線通信以及更小的電力電子設(shè)備。

該公司使用一種稱(chēng)為異質(zhì)外延的工藝來(lái)沉積碳原子，并在可擴(kuò)展的基底上制造單晶金剛石。以前已經(jīng)生產(chǎn)過(guò)金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。

Diamond Foundry 表示，其下一個(gè)目標(biāo)是降低金剛石晶圓的缺陷密度，以實(shí)現(xiàn)比Si高 17,200倍、比SiC高60倍的品質(zhì)因數(shù)。

目前，Diamond Foundry在華盛頓州經(jīng)營(yíng)一家鉆石和晶圓生產(chǎn)工廠。

據(jù)悉，該公司成立于2012年，業(yè)務(wù)涉及珠寶和奢侈品市場(chǎng)以及半導(dǎo)體行業(yè)。該公司在其 Linkedin 網(wǎng)站上表示，已獲得 5.15 億美元的融資，并正在執(zhí)行一項(xiàng)數(shù)十億美元的擴(kuò)張計(jì)劃，利用零排放能源將溫室氣體轉(zhuǎn)化為金剛石Si片。

據(jù)他們所說(shuō)，公司可以通過(guò)將金剛石以原子方式粘合到以埃級(jí)精度減薄的集成電路 (IC) 晶圓上，實(shí)現(xiàn)了最終的熱芯片封裝。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

從熱導(dǎo)性上看，沒(méi)有其他材料能像單晶金剛石那樣有效地導(dǎo)熱，從而使芯片運(yùn)行得更快、使用壽命更長(zhǎng)。這就讓金剛石晶圓在工作芯片晶體管的原子距離內(nèi)提供了一條熱高速公路。它以理想的效率散熱，減少熱點(diǎn)并使芯片的計(jì)算速度提高三倍。

同時(shí)，這還是一個(gè)極端的電絕緣體，最薄的金剛石切片可以隔離非常高的電壓，從而使電力電子器件的小型化達(dá)到新的水平。

得益于這些領(lǐng)先特性，Diamond Foundry認(rèn)為公司的解決方案適用于所有領(lǐng)先的高功率芯片，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅芯片與金剛石半導(dǎo)體基板的結(jié)合極大地加速了云和人工智能計(jì)算，這意味著使用數(shù)據(jù)中心一半的空間即可獲得相同的性能。

這些優(yōu)勢(shì)也讓其能簡(jiǎn)化逆變器設(shè)計(jì)，會(huì)因?yàn)榻饎偸A的導(dǎo)熱性和電絕緣性的極端特性使得新穎的架構(gòu)能夠從根本上推進(jìn)小型化、效率和魯棒性。

這個(gè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)也讓其能在無(wú)線通信領(lǐng)域提供幫助。

據(jù)介紹，GaN半導(dǎo)體為越來(lái)越多的最有效的無(wú)線通信提供動(dòng)力。但金剛石晶圓解決了過(guò)熱和電壓?jiǎn)栴}，使GaN在每一項(xiàng)指標(biāo)上都優(yōu)于SiC。

而金剛石基 GaN MOSFET 的功率密度是不含金剛石的GaN的三倍。通過(guò)降低熱應(yīng)力以及將 GaN 原子互連到DF（Diamond Foundry）單晶金剛石，提高了可靠性。

類(lèi)似的公司 Diamfab SA（法國(guó)格勒諾布爾）于2019年在歐洲成立。Diamfab 合成并摻雜在其他基板上生長(zhǎng)的金剛石外延層，以期用金剛石制造卓越的功率器件。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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“今天，我們公司在擴(kuò)大制造足跡的過(guò)程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長(zhǎng)期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來(lái)幾十年所需的產(chǎn)能?！盜lan說(shuō)道?！霸赥I，我們的熱情是通過(guò)讓電子產(chǎn)品變得更便宜來(lái)創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界通過(guò)半導(dǎo)體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對(duì)當(dāng)今幾乎所有類(lèi)型的電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理半導(dǎo)體?！?/p>

2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標(biāo)志著該州歷史上最大的經(jīng)濟(jì)投資。LFAB2 將為T(mén)I創(chuàng)造約800個(gè)額外工作崗位以及數(shù)千個(gè)間接工作崗位，首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。

“TI的制造業(yè)務(wù)不斷增長(zhǎng)猶他州將為我們州帶來(lái)變革，為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個(gè)高薪就業(yè)機(jī)會(huì)，以制造至關(guān)重要的技術(shù)?！豹q他州州長(zhǎng)斯賓塞·考克斯?！拔覀?yōu)榘雽?dǎo)體制造而感到自豪猶他州猶他州的項(xiàng)目——將為我們國(guó)家的經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全奠定基礎(chǔ)的創(chuàng)新提供動(dòng)力?！?/p>

建設(shè)更強(qiáng)大的社區(qū)

作為T(mén)I對(duì)教育承諾的一部分，公司將投資900萬(wàn)美元在Alpine 學(xué)區(qū)，為幼兒園至12年級(jí)的所有學(xué)生開(kāi)發(fā)該州第一個(gè)科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)(STEM)學(xué)習(xí)社區(qū)。該多年計(jì)劃將把STEM概念更深入地融入到學(xué)區(qū)85,000名學(xué)生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導(dǎo)向的專(zhuān)業(yè)發(fā)展。該學(xué)區(qū)范圍內(nèi)的計(jì)劃將為學(xué)生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問(wèn)題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。

高山學(xué)區(qū)負(fù)責(zé)人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關(guān)系將幫助我們的學(xué)生培養(yǎng)必要的知識(shí)和技能，為他們?cè)谏钪腥〉贸晒σ约霸诩夹g(shù)領(lǐng)域可能的職業(yè)生涯做好準(zhǔn)備?！毙ざ鳌しǘ魉刮炙?。“與城市合作萊希、德州儀器和我們的學(xué)校，這項(xiàng)合作投資將影響學(xué)生及其家庭的子孫后代。”

可持續(xù)建設(shè)

TI長(zhǎng)期致力于負(fù)責(zé)任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領(lǐng)先能源與環(huán)境設(shè)計(jì) (LEED) 建筑評(píng)級(jí)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級(jí)第4版。
LFAB2的目標(biāo)是由 100% 可再生電力提供動(dòng)力，并采用先進(jìn)的12吋設(shè)備和工藝萊希將進(jìn)一步減少?gòu)U物、水和能源的消耗。事實(shí)上，LFAB2 的水回收率預(yù)計(jì)是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。

構(gòu)建半導(dǎo)體制造的下一個(gè)時(shí)代

LFAB2 將補(bǔ)充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達(dá)拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國(guó)建設(shè)四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)。

在《芯片》和《科學(xué)法案》的預(yù)期支持下，TI 的制造擴(kuò)張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應(yīng)。這些在制造和技術(shù)方面的投資體現(xiàn)了公司對(duì)長(zhǎng)期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導(dǎo)體行業(yè)觀察）

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早在2019年，世界先進(jìn)就以2.36億美元收購(gòu)格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠，用于各式傳感器的生產(chǎn)。目前世界先進(jìn)有5座8英寸工廠，但旗下一直都沒(méi)有12英寸工廠。如果其在新加坡成功建廠，屆時(shí)臺(tái)積電、聯(lián)電、力積電以及世界先進(jìn)四大中國(guó)臺(tái)灣工廠都擁有自己的12英寸晶圓工廠。

據(jù)悉，世界先進(jìn)今年的資本支出將低于100億元新臺(tái)幣（3.09億美元），而2022年為194億元新臺(tái)幣（6億美元）。根據(jù)世界先進(jìn)這兩年的營(yíng)收數(shù)據(jù)看，若要投資20億美元建廠加上后期的運(yùn)營(yíng)成本，將加大公司的財(cái)務(wù)壓力。

世界先進(jìn)今年就曾表示，公司考慮在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)或者新加坡建造一座12英寸晶圓廠，但是沒(méi)有具體說(shuō)明情況。業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，世界先進(jìn)建造12英寸晶圓廠的相關(guān)事宜需要股東臺(tái)積電的技術(shù)支持，但臺(tái)積電一直沒(méi)有放行，最近獲其同意后，為降低地緣政治影響，世界先進(jìn)傾向在新加坡建廠。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)了解，該12英寸廠鄰近世界先進(jìn)先前從格芯買(mǎi)下的廠區(qū)，并且距離恩智浦和臺(tái)積電的合資企業(yè)SSMC約10分鐘車(chē)程。

隨著業(yè)界主流從8英寸轉(zhuǎn)向12英寸，目前僅有8英寸工廠的世界先進(jìn)無(wú)論是從制作成本還是設(shè)備獲取方面都在逐漸失去相應(yīng)的優(yōu)勢(shì)。為了獲得更多訂單，世界先進(jìn)規(guī)劃建立12英寸工廠，擺脫原先以量產(chǎn)8英寸晶圓的局面。

世界先進(jìn)一旦完成12英寸工廠的建設(shè)，將有助于其獲得更多國(guó)際IDM的委外訂單，搶占更多的車(chē)用、工控市場(chǎng)，將營(yíng)收進(jìn)一步擴(kuò)大。

世界先進(jìn)昨（23）日重申，對(duì)任何投資方案維持先前于法說(shuō)會(huì)曾提到“不排除任何可能”的態(tài)度。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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報(bào)道稱(chēng)，三菱電機(jī)計(jì)劃于2025財(cái)年開(kāi)始量產(chǎn)300mm 功率硅晶圓生產(chǎn)線。目標(biāo)是到2026財(cái)年將其硅功率半導(dǎo)體晶圓的加工能力提升至2021財(cái)年的一倍

目前三菱電機(jī)最新的IGBT已經(jīng)進(jìn)入到了第七代，其推出的新型RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳統(tǒng)的RC-IGBT降低了50%左右。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

今年3月，三菱電機(jī)宣布，將在截至2026年3月的五年內(nèi)將之前宣布的投資計(jì)劃翻一番，達(dá)到約2600億日元，主要用于建設(shè)新的晶圓廠，以增加碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

具體而言，三菱電機(jī)計(jì)劃在2026年4月開(kāi)始稼動(dòng)位于日本熊本縣菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圓的新工廠。此外，還計(jì)劃對(duì)碳化硅6英寸晶圓工廠（位于日本熊本縣合志市）進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，到2026年，碳化硅產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)擴(kuò)大至現(xiàn)在的5倍左右。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理赤田智史透露，預(yù)計(jì)到2030年，三菱電機(jī)SiC功率模塊營(yíng)收占比將會(huì)提升到30%以上。

在新的領(lǐng)域，三菱電機(jī)也在加速布局。今年7月底，三菱電機(jī)宣布其已投資日本氧化鎵晶圓開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開(kāi)發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體，為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。Novel Crystal Technology是世界上最早開(kāi)發(fā)、制造和銷(xiāo)售功率半導(dǎo)體用氧化鎵晶圓的公司之一，擁有三菱電機(jī)制造氧化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的晶圓制造技術(shù)，是氧化鎵晶圓領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）

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據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開(kāi)的董事會(huì)上審議通過(guò)了《關(guān)于對(duì)外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，總投資5.1億元人民幣。

如今，隨著公司戰(zhàn)略規(guī)劃和經(jīng)營(yíng)發(fā)展需要、項(xiàng)目所需設(shè)施設(shè)備及其他費(fèi)用的增加，捷捷微電宣布擬對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行增加投資，增加投資后的項(xiàng)目投資總額為8.09億元。

據(jù)了解，捷捷半導(dǎo)體是捷捷微電于2014年9月在南通蘇通科技產(chǎn)業(yè)園成立的全資子公司，是集功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、新型元件的研發(fā)、制造和銷(xiāo)售為一體的高科技企業(yè)。

由其承建的“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，所生產(chǎn)的6英寸晶圓以硅基材料為晶圓原料，項(xiàng)目投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)100萬(wàn)片6英寸晶圓以及100億只器件封測(cè)的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、安防通訊、交/直流電源、汽車(chē)電子、家用電器、儀器儀表、消費(fèi)電子、數(shù)字照相機(jī)等市場(chǎng)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)電路的共/差模保護(hù)、RF耦合/IC驅(qū)動(dòng)接收保護(hù)、電磁波干擾抑制、靜電抑制及瞬態(tài)噪聲抑制等，具有廣闊的市場(chǎng)前景。

2022年3月26日，該項(xiàng)目中6英寸晶圓“中試線”已具備試生產(chǎn)能力，首批具有高浪涌防護(hù)能力的6英寸晶圓正式產(chǎn)出下線，良率高達(dá)97.79%。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）

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