賽微電子擬分別購買芯東來原股東海南依邁、智能傳感產(chǎn)業(yè)基金、潯元投資、海創(chuàng)智能裝備持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%股權(quán)，合計不超過公司總股本的11%。此次收購估值約5.20億元，屬于關(guān)聯(lián)交易但不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，已通過董事會審議，無需提交股東大會。

圖片來源：賽微電子公告截圖

資料顯示，芯東來是一家專注于光刻機整機研發(fā)、生產(chǎn)與服務(wù)的企業(yè)，成立于2023年，業(yè)務(wù)涵蓋光刻機再造、新機安裝調(diào)試及零配件供應(yīng)，能夠提供完整的光刻機解決方案。

此次收購后，芯東來將成為賽微電子的參股子公司。賽微電子表示，此舉旨在完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局、降低關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)風(fēng)險、提升國產(chǎn)光刻機的應(yīng)用比例，從而加強公司在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的競爭力。

賽微電子成立于2008年，2015年在創(chuàng)業(yè)板掛牌上市，是國內(nèi)領(lǐng)先的MEMS芯片制造商，同時涉足GaN外延材料、半導(dǎo)體設(shè)備銷售以及晶圓級封裝測試等業(yè)務(wù)。

在氮化鎵領(lǐng)域，賽微電子已具備6?8英寸GaN?on?Si（硅基）以及GaN?on?SiC（碳化硅基）外延材料的成熟生長工藝，并在青島擁有8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)線。

此外，賽微電子自2018年起，持續(xù)參股聚能創(chuàng)芯。聚能創(chuàng)芯擁有6?8英寸硅基GaN外延材料、功率器件和芯片設(shè)計全鏈路技術(shù)，是賽微電子實現(xiàn)國產(chǎn)化、降低對國外光刻機/外延材料依賴的重要布局。

在今年6月，賽微電子宣布將其全資子公司——瑞典Silex Micro systems AB的45.24%控股股權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括Bure、Creades在內(nèi)的七位交易方，交易對價為23.75億瑞典克朗，約合人民幣17.83億元。此舉有利于其優(yōu)化資源配置、聚焦國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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資料顯示，QST襯底是由美國公司Qromis開發(fā)的專用于GaN生長的復(fù)合材料襯底。信越化學(xué)于2019年獲得Qromis的授權(quán)，并開始生產(chǎn)直徑為150mm和200mm的QST襯底，以及各種尺寸的GaN/QST外延襯底。2024年9月，信越化學(xué)開始與Qromis合作，交付300mm QST襯底樣品。

信越化學(xué)與Qromis兩家公司一直為imec先進的300mm CMOS晶圓廠提供300mm QST襯底。imec已開始使用這些300mm QST襯底開發(fā)GaN功率器件。在實驗中，使用Aixtron的Hyperion MOCVD系統(tǒng)在300mm QST襯底上制備了5μm厚的GaN HEMT結(jié)構(gòu)。對該樣品的評估顯示，其擊穿電壓超過800V。這表明，即使在QST襯底上生長大直徑GaN晶體，GaN晶體的生長依然穩(wěn)定，而QST襯底的熱膨脹系數(shù)與GaN相匹配。

業(yè)界指出，在硅片上生長氮化鎵時，隨著直徑的增大，會出現(xiàn)諸如“襯底翹曲”等問題。300mm QST襯底與氮化鎵具有相同的熱膨脹系數(shù)，因此可以外延生長300mm氮化鎵而不會出現(xiàn)“翹曲”或“裂紋”。預(yù)計采用大直徑襯底進行大規(guī)模生產(chǎn)將降低器件成本。

信越化學(xué)已開始擴建其150毫米和200毫米QST基板的生產(chǎn)設(shè)施，目前正在進行300毫米QST基板的大規(guī)模生產(chǎn)。

稍早之前，imec宣布，AIXTRON、格芯、科磊、新思科技和維易科成為其300毫米（12英寸）氮化鎵低壓和高壓電力電子應(yīng)用開放創(chuàng)新計劃的首批合作伙伴。

上述項目是imec氮化鎵電力電子工業(yè)聯(lián)盟計劃（IIAP）的組成部分，旨在研發(fā)300毫米氮化鎵外延生長技術(shù)，以及低壓、高壓氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）工藝流程。

目前市場上氮化鎵產(chǎn)能主要集中在200毫米規(guī)格，imec依托自身在200毫米氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)積累， 推出了300毫米氮化鎵項目，邁出了技術(shù)發(fā)展的下一步。imec計劃2025年底前在其300毫米潔凈室中全面部署相關(guān)技術(shù)能力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管

11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應(yīng)用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列，正式進軍車規(guī)級GaN市場。該系列命名為CoolGaN? 100V G1，已開始提供符合AEC-Q101標準的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN?高壓(HV)車規(guī)級晶體管及多種雙向開關(guān)。

圖片來源：英飛凌

英飛凌科技GaN業(yè)務(wù)線負責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：”通過將GaN功率技術(shù)引入快速發(fā)展的軟件定義汽車和電動汽車市場，英飛凌將進一步鞏固其在汽車半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先優(yōu)勢。此次推出100V GaN車規(guī)級晶體管解決方案和即將擴展的高壓產(chǎn)品組合，是我們開發(fā)高能效、高可靠性的車規(guī)級功率晶體管進程中的重要里程碑。”

相比傳統(tǒng)硅基器件，GaN功率器件能實現(xiàn)更小的尺寸、提供更高的能效，同時降低系統(tǒng)成本。在軟件定義汽車從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的過程中，基于GaN的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不僅能提升性能，還可支持線控轉(zhuǎn)向、實時底盤控制等先進功能，極大改善駕乘舒適性與操控性。

CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管主要適用于區(qū)域控制和主DC-DC轉(zhuǎn)換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類音頻放大器等應(yīng)用場景，為車載信息娛樂系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。

02、GE Aerospace發(fā)布第4代碳化硅MOSFET器件

11月12日，GE Aerospace宣布在紐約尼斯卡尤納的研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）芯片，這將提升切換速度、效率和耐用性。

圖片來源：GE Aerospace官網(wǎng)

據(jù)了解，這款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸為5毫米×5毫米，提供1200V和11mΩ的電壓，擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的200°C溫度額定。 隨著各行業(yè)在混合動力和純電動車（HEV和BEV）平臺中采用先進半導(dǎo)體技術(shù)，以及更高效的電力解決方案，這些先進電力設(shè)備將在效率和功率密度上帶來重大突破，以滿足日益增長的能源和電力需求。

GE Aerospace 總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示：“我們最新的第四代SiC MOSFET在性能上帶來了飛躍性的變化，使其在汽車、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電力行業(yè)等多個行業(yè)中極具吸引力。”這些行業(yè)有機會在所有這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)效率、可靠性和功率密度的顯著提升?！?/p>

03、SemiQ推出新型SOT-227封裝高性能碳化硅模塊

11月13日，SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模塊DSon（DSon）分別是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模塊采用肖特基勢場二極管（SBD），在高溫下開關(guān)損耗更低，尤其與非SBD的GCMX模塊相比。

圖片來源：SemiQ Inc官網(wǎng)

該設(shè)備面向中壓高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務(wù)器電源和儲能系統(tǒng)。所有模塊均通過晶圓級柵極氧化層燒入測試進行篩查，電壓超過1400伏，并進行了800 mJ的雪崩測試（34 mΩ模塊為330 mJ），它們專為堅固、易于安裝和熱性能而設(shè)計，具有隔離背板和直接安裝到散熱器的能力。

7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模塊實現(xiàn)了4.66mJ（3.72mJ導(dǎo)通，0.94mJ關(guān)斷）的低開關(guān)損耗和593nC的體二極管反向恢復(fù)電荷。結(jié)到殼的熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W，具體取決于模塊。

資料顯示，SemiQ Inc是一家總部位于美國的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體專業(yè)企業(yè)，專注為高壓場景提供高性能碳化硅解決方案，產(chǎn)品包括分立、模塊和裸芯片格式的MOSFET和二極管等。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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納微半導(dǎo)體計劃將本次發(fā)行凈收益用于營運資金及其他一般公司用途。納微半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre表示，此次融資將助力納微半導(dǎo)體轉(zhuǎn)型，加速進軍高功率市場，包括人工智能數(shù)據(jù)中心、高性能計算、能源和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施以及工業(yè)電氣化等。

此前納微半導(dǎo)體公布的財報顯示，第三季度該總收入為1010萬美元，GAAP營業(yè)虧損為1940萬美元。在該季度，納微半導(dǎo)體提出了“納微2.0”戰(zhàn)略，重點轉(zhuǎn)向高功率市場，聚焦GaN與高壓SiC技術(shù)。

與此同時，納微半導(dǎo)體公布了公司最新氮化鎵/碳化硅業(yè)務(wù)進展：

累計出貨超過3億顆GaN器件；目前納微半導(dǎo)體正處于轉(zhuǎn)型期，并計劃在2027年完成高壓GaN的部署。納微半導(dǎo)體將加速推出面向機架式、系統(tǒng)級和電網(wǎng)級的高功率產(chǎn)品，并加速擴展中壓GaN器件、高壓GaN器件和電源芯片、高壓SiC模塊系列產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：GlobalFoundries官網(wǎng)新聞稿

格芯將在其位于佛蒙特州伯靈頓的制造工廠對獲得許可的氮化鎵技術(shù)進行鑒定，利用該工廠在高壓硅基氮化鎵技術(shù)方面的專業(yè)知識，為尋求下一代功率器件的客戶加快量產(chǎn)速度。

據(jù)了解，格芯正在開發(fā)全面的氮化鎵產(chǎn)品組合，包括高性能650V和80V技術(shù)，旨在支持電動汽車、數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)和快速充電電子設(shè)備。

GlobalFoundries電源業(yè)務(wù)高級副總裁TéaWilliams表示：“隨著這項經(jīng)過驗證的氮化鎵技術(shù)的加入，我們將加快下一代氮化鎵芯片的開發(fā)，并提供差異化的解決方案，以解決從數(shù)據(jù)中心、汽車到工廠車間等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的關(guān)鍵電源缺口?！?/p>

GaN屬于寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移速度快、開關(guān)頻率高，導(dǎo)致開關(guān)損耗僅為硅器件的十分之一左右。隨著AI訓(xùn)練、云計算以及電動汽車對高功率、高效率電源的需求快速增長，傳統(tǒng)硅基功率器件已難以滿足功率密度和能效的雙重挑戰(zhàn)，GaN逐漸成為成為數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源和車載充電系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)。

格芯獲臺積電GaN授權(quán)，聚焦美國本土相關(guān)市場產(chǎn)品布局；而數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英偉達10月也圍繞GaN技術(shù)展開行動，發(fā)揮其重要潛力。

英偉達攜手GaN廠商，引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心能源革新

10月，#英偉達?在官網(wǎng)發(fā)布題為《構(gòu)建800伏直流電生態(tài)系統(tǒng)，打造高效可擴展的AI工廠》的技術(shù)文章，并同步更新了其800V系統(tǒng)的供應(yīng)商名單。該名單包括了英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、德州儀器、羅姆等功率半導(dǎo)體廠商，也包括全球領(lǐng)先的氮化鎵廠商-英諾賽科。

文章中，英偉達提出在設(shè)施級別生成800VDC并將其直接輸送到800VDC計算機架，使用更簡單的三線設(shè)置（POS、RTN、PE）而不是交流四線設(shè)置，從而減少銅纜和成本，提高效率。

該架構(gòu)依賴于高壓GaN/SiC功率器件提供的低損耗開關(guān)能力，尤其在高頻固態(tài)變壓器（SST）和高壓固態(tài)繼電器的實現(xiàn)上發(fā)揮關(guān)鍵作用。

傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體在高頻、高壓場景下難以為繼，只有氮化鎵功率器件能夠同時滿足這些嚴苛要求。GaN的禁帶寬度約為3.4電子伏特（eV），幾乎是硅（1.12eV）的三倍。這一特性意味著GaN能夠承受更高的電壓和電場強度而不會發(fā)生擊穿。

結(jié)語

格芯的氮化鎵技術(shù)授權(quán)為美國本土高壓功率器件的快速布局奠定了基礎(chǔ)，而英偉達的800V直流生態(tài)則為數(shù)據(jù)中心提供了高效、低損耗的供電方案。兩者在高壓GaN技術(shù)上的相互呼應(yīng)，將加速AI算力、工業(yè)自動化和電動汽車等關(guān)鍵領(lǐng)域的能源轉(zhuǎn)型，預(yù)示著從硅到氮化鎵的功率時代正加速到來。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，SDI將獲得優(yōu)先權(quán)，深度參與英飛凌針對超大型數(shù)據(jù)中心AI處理器所使用的關(guān)鍵導(dǎo)線架開發(fā)專案。該專案聚焦于處理AI運算所產(chǎn)生的高功率、高密度、高頻率需求，旨在為新世代AI硬件提供高效、可靠的散熱與封裝解決方案。雙方將依據(jù)共同的技術(shù)路線圖進行緊密協(xié)作，確保開發(fā)出的產(chǎn)品能夠穩(wěn)定支持碳化硅和氮化鎵元件在高壓、高溫等嚴苛環(huán)境下的持久運行。

SDI總經(jīng)理陳維德表示，通過此次合作，公司將優(yōu)先投入AI加速器導(dǎo)線架的關(guān)鍵專案開發(fā)，正式成為全球功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)在AI服務(wù)器高功率元件供應(yīng)鏈中的重要戰(zhàn)略伙伴。

這項合作不僅是對SDI實力與品質(zhì)的肯定，更象征著順德在AI與第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁入了新的里程碑。公司將以穩(wěn)定的供貨能力支持AI服務(wù)器市場的高速增長，并預(yù)估AI相關(guān)應(yīng)用營收有望在2026年實現(xiàn)倍數(shù)增長，進一步鞏固其在全球人工智能半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵角色。

公開資料顯示，SDI成立于1953年，1967年改組為公司，總部位于中國臺灣彰化，自1983年成立電子事業(yè)部門以來，其已逐步轉(zhuǎn)型成為專業(yè)的半導(dǎo)體導(dǎo)線架及先進封裝材料供應(yīng)商。SDI公司股票于1996年正式上市，目前資本額約新臺幣18億，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子（特別是電動車）、工業(yè)控制和高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。

宣布與英飛凌達成戰(zhàn)略合作的同時，#順德工業(yè) 也公布了最新的運營數(shù)據(jù)。公司已在2025年11月5日提報董事會通過了截至9月30日的2025年第三季度（即臺灣會計中的114年第三季度）合并財務(wù)報告。報告顯示，順德工業(yè)今年前三季度（1月至9月）累計實現(xiàn)營業(yè)收入約新臺幣76.64億元。在盈利能力方面，前三季歸屬于母公司業(yè)主的凈利潤約為新臺幣1.58億元，對應(yīng)基本每股盈余（EPS）為新臺幣0.86元。

此外，公司在2025年11月7日公告了10月合并營收為新臺幣7.92億元，雖然較去年同期略有下降，但分析認為，隨著此次與英飛凌的戰(zhàn)略合作啟動，以及全球電動車和AI數(shù)據(jù)中心對高功率半導(dǎo)體需求的回升，其未來營收結(jié)構(gòu)和盈利能力有望得到顯著改善。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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公示的名單中，涉及碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)如下：

河北同光半導(dǎo)體股份有限公司：主要從事碳化硅單晶的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是國內(nèi)較早從事第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)之一。作為河北省重點扶持的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，同光半導(dǎo)體專注于碳化硅（SiC）單晶襯底研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。同時，該公司依托中科院技術(shù)團隊，突破國外技術(shù)壟斷，已建成國內(nèi)領(lǐng)先的SiC量產(chǎn)線，客戶覆蓋頭部企業(yè)，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。

河北普興電子科技股份有限公司：致力于半導(dǎo)體材料的外延業(yè)務(wù)，在碳化硅外延片等方面有相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品，為碳化硅器件制造提供關(guān)鍵材料。

中國電子科技集團公司第十三研究所：在半導(dǎo)體領(lǐng)域有廣泛研究，在氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料和器件的研發(fā)與生產(chǎn)方面具有深厚的技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

圖片來源：河北省工業(yè)和信息化廳公示截圖

在全球科技競爭浪潮中，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵領(lǐng)域，正引發(fā)廣泛關(guān)注。河北省積極把握這一科技變革機遇，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域精準發(fā)力，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展態(tài)勢與廣闊前景。

產(chǎn)業(yè)布局上，河北正加速構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

材料生產(chǎn)環(huán)節(jié)，河北同光、普興電子等企業(yè)形成集群優(yōu)勢，其生產(chǎn)的碳化硅襯底和外延片不僅滿足省內(nèi)需求，還積極拓展國內(nèi)外市場。

器件制造與應(yīng)用領(lǐng)域同樣發(fā)展迅速，一批新興企業(yè)踴躍投身功率器件、射頻器件等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域。

設(shè)備領(lǐng)域，河北今年也取得了關(guān)鍵進展。今年5月河北晶馳機電有限公司舉行了河北省首臺（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐交付儀式。

晶馳機電此次交付的12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐采用了電阻式物理氣相傳輸（PVT）方法，通過創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)和熱場設(shè)計，結(jié)合先進的過程控制理論和自動化控制方法，實現(xiàn)了均勻的徑向溫度和寬范圍精準可調(diào)的軸向溫度梯度。這種設(shè)計使得設(shè)備能夠精準控制長晶過程中的工藝參數(shù)，并實現(xiàn)高度智能化運行。消息顯示，該設(shè)備能夠無縫“一鍵切換”生產(chǎn)8英寸和12英寸的碳化硅單晶，大大提高了設(shè)備的靈活性和生產(chǎn)效率。

資料顯示，2024年年末，晶馳機電在河北石家莊建成了一個半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項目，并于同年11月初投產(chǎn)。該項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計劃時間為2025年—2026年。該項目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，致力于推動我國半導(dǎo)體材料裝備的自主創(chuàng)新發(fā)展。

除此之外，河北產(chǎn)學(xué)研合作不斷深化，科研機構(gòu)、高校與企業(yè)緊密聯(lián)動，加速科技成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用，產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展格局逐步形成。

以上因素推動之下，河北第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正蓬勃發(fā)展，未來可期。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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圖片來源：國博電子公告截圖

國博電子表示，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對手機等終端應(yīng)用進行設(shè)計優(yōu)化，填補了業(yè)內(nèi)硅基氮化鎵功放終端射頻應(yīng)用的空白。新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮了新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢，在兼顧功率、效率、帶寬等指標的前提下，實現(xiàn)了對傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù)，在業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領(lǐng)域的量產(chǎn)交付。

此外，新產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶進一步降低能耗，降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計的復(fù)雜度，助力客戶進一步提升手機等終端的數(shù)據(jù)傳輸速率、降低工作能耗。

國博電子預(yù)計公司新產(chǎn)品將持續(xù)對現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代，并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場景推廣應(yīng)用，該產(chǎn)品系列有望為公司營收提供第二增長曲線。

資料顯示，國博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品覆蓋防務(wù)與民用領(lǐng)域。在防務(wù)領(lǐng)域，為陸、海、空、天等各型裝備配套關(guān)鍵產(chǎn)品；在民用領(lǐng)域，是基站射頻器件核心供應(yīng)商，產(chǎn)品性能達國際先進水平。

10月30日，國博電子公布最新財報，數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度，國博電子實現(xiàn)營業(yè)收入15.69億元，當(dāng)期凈利潤為2.47億元，其中，T/R 組件和射頻模塊收入9.44億元，占比88.19%；射頻芯片收入9086.8萬元，占比8.49%。

射頻企業(yè)錨定氮化鎵，競逐新賽道

射頻企業(yè)布局氮化鎵（GaN）領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢。一方面，射頻企業(yè)本身具備射頻設(shè)計、電路優(yōu)化等全鏈條經(jīng)驗，能降低氮化鎵研發(fā)門檻，加速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化；同時，氮化鎵的高頻、高功率等特性，可精準匹配5G、毫米波通信等場景需求，與射頻企業(yè)技術(shù)升級方向高度契合。此外，從市場看，5G、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域催生大量氮化鎵器件需求，射頻企業(yè)布局可搶占新市場，構(gòu)建第二增長曲線。

除國博電子外，行業(yè)內(nèi)還有銳石創(chuàng)芯、銳捷創(chuàng)芯、慧智微、卓勝微、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等多家射頻企業(yè)在氮化鎵前端模塊、功率放大器等方向持續(xù)技術(shù)攻堅。

例如，銳石創(chuàng)芯聚焦氮化鎵射頻前端模塊開發(fā)，采用低溫共燒陶瓷（LTCC）封裝技術(shù)，將功率放大器模塊尺寸縮小50%，顯著提升散熱效率，其產(chǎn)品在專網(wǎng)通信、衛(wèi)星載荷等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供貨，成為細分市場的重要參與者。

中瓷電子原是國內(nèi)領(lǐng)先的電子陶瓷供應(yīng)商，2023年通過資產(chǎn)重組，收購了河北博威集成電路有限公司和北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)，新增了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等業(yè)務(wù)，構(gòu)建了氮化鎵通信基站射頻芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：安森美

據(jù)介紹，安森美的垂直氮化鎵技術(shù)采用單芯片設(shè)計，可應(yīng)對1,200伏及以上高壓，高頻開關(guān)大電流，能效卓越。基于該技術(shù)構(gòu)建的高端電源系統(tǒng)能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。而且，與目前市售的橫向GaN器件相比，垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。此外，安森美目前已開始向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。

安森美是一家專注于推動能源效率和創(chuàng)新的半導(dǎo)體供應(yīng)商。作為一家IDM（整合器件制造）公司，安森美在電源管理、傳感和連接等領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。公司致力于通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對全球能源挑戰(zhàn)，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、通信、醫(yī)療和消費電子等市場。近年來，安森美將戰(zhàn)略重心放在了智能化電源和智能化感知上，尤其在第三代半導(dǎo)體（如SiC和GaN）領(lǐng)域持續(xù)投入，是電動汽車和可再生能源市場的關(guān)鍵參與者。

垂直氮化鎵：開啟功率半導(dǎo)體新時代

傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件多采用橫向結(jié)構(gòu)（通常是GaN-on-Si，即在硅襯底上生長氮化鎵），電流沿芯片表面橫向流動。這種結(jié)構(gòu)在高頻低壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，但在需要處理高電壓和大電流時，會受到限制。

垂直氮化鎵（vGaN）的核心特殊性在于采用了GaN-on-GaN技術(shù)，實現(xiàn)了垂直電流導(dǎo)通。一方面，垂直結(jié)構(gòu)天然適合承受更高的電壓，因為擊穿電壓主要取決于垂直方向上的漂移層厚度，能更有效地應(yīng)對1200V及以上的高壓；另一方面，電流垂直流動，使得器件設(shè)計更加緊湊，能在更小的芯片面積上處理更大的功率；并且，使用同質(zhì)GaN襯底（GaN-on-GaN）可以顯著減少晶格失配引起的缺陷，提高器件的可靠性和耐用性。

總的來說，垂直GaN填補了橫向GaN和碳化硅（SiC）之間的應(yīng)用空白，特別是在需要兼顧高壓、高頻和高功率密度的領(lǐng)域，是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一次重大技術(shù)升級。

在應(yīng)用場景方面，垂直氮化鎵技術(shù)尤其適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴苛要求的關(guān)鍵大功率應(yīng)用領(lǐng)域。例如AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領(lǐng)域。

具體來看，應(yīng)用在AI數(shù)據(jù)中心，可減少元器件數(shù)量，提高AI計算系統(tǒng)800V DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率密度，顯著優(yōu)化單機架成本；

在電動汽車領(lǐng)域可以打造更小、更輕、更高效的逆變器，提升電動汽車續(xù)航里程；應(yīng)用在充電基礎(chǔ)設(shè)施，可以實現(xiàn)更快、更小、更穩(wěn)健的充電設(shè)備；

應(yīng)用在可再生能源，可以提升太陽能和風(fēng)能逆變器的電壓處理能力，降低能量損耗；儲能系統(tǒng)（ESS）則為電池變流器和微電網(wǎng)提供快速、高效、高密度的雙向供電；

工業(yè)自動化領(lǐng)域可以開發(fā)體積更小、散熱性能更好、能效更高的電機驅(qū)動和機器人系統(tǒng)；在航空航天領(lǐng)域可以打造性能更強、穩(wěn)健性更高、設(shè)計更緊湊的方案。

結(jié)語

垂直GaN技術(shù)由于技術(shù)壁壘高，全球能實現(xiàn)突破的企業(yè)較少，安森美此次推出的垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體是行業(yè)內(nèi)的一個重要里程碑，它預(yù)示著GaN技術(shù)正從傳統(tǒng)的中低壓消費市場，逐步向高壓、大功率的工業(yè)、汽車和AI數(shù)據(jù)中心等核心基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域滲透，進一步加速全球電氣化和能效提升的進程。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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功率半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布，其高性能氮化鎵功率器件IGD70R270D2S已成功應(yīng)用于海信最新推出的43R7Q電視適配器。

海信43R7Q適配器采用英飛凌氮化鎵功率器件，其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗及熱管理能力，協(xié)同航嘉電氣的適配器設(shè)計經(jīng)驗，使電源效率提升約1%~1.5%，發(fā)熱量降低10%，同時大幅縮小了適配器體積。

英飛凌介紹，在開發(fā)過程中，各方團隊曾面臨EMI干擾和散熱優(yōu)化等挑戰(zhàn)。英飛凌憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，與海信及合作伙伴航嘉電氣緊密協(xié)作，通過優(yōu)化PCB布局和系統(tǒng)設(shè)計，成功解決了技術(shù)難題。

英飛凌與海信計劃進一步擴大合作，將氮化鎵技術(shù)拓展至更大尺寸電視及激光電視電源方案，持續(xù)推動行業(yè)創(chuàng)新。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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