盡管第三代半導體國際大廠擁有先發(fā)優(yōu)勢，但近年來國內(nèi)廠商奮起直追，已有部分頭部企業(yè)實現(xiàn)了趕超國際先進水平，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢喜人。2024年，國內(nèi)第三代半導體相關企業(yè)都取得了哪些重要進展，對產(chǎn)業(yè)發(fā)展將帶來哪些影響？

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

關鍵詞一：價格戰(zhàn)

近年來，碳化硅在新能源汽車、光儲充、軌道交通、高壓電網(wǎng)等應用領域持續(xù)滲透，各類應用場景共同推動碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模逐年擴大。

面對碳化硅市場需求持續(xù)增長趨勢，國內(nèi)相關廠商激進投資碳化硅襯底產(chǎn)能擴張計劃，2023及2024年，眾多6/8英寸碳化硅襯底項目相繼落地實施，其中部分項目已投產(chǎn)或即將投產(chǎn)。

隨著產(chǎn)能急劇增長，碳化硅襯底產(chǎn)量已經(jīng)超出了實際的市場需求量，伴隨產(chǎn)能過剩而來的是激烈的價格戰(zhàn)。2024年年初，有市場消息稱，國內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報價參照國際市場每片750-800美元的價格，快速下殺，價格跌幅近三成。而在2024年下半年，據(jù)國內(nèi)市場多位行業(yè)人士透露，2024年中期6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到第四季度，價格進一步下降至450美元甚至400美元。

關鍵詞二：掘金海外市場

碳化硅產(chǎn)業(yè)競爭情況正在加劇，尤其是碳化硅襯底/外延領域，國內(nèi)市場經(jīng)過持續(xù)的擴產(chǎn)潮，已出現(xiàn)產(chǎn)能過?，F(xiàn)象，對企業(yè)的經(jīng)營造成了較大壓力，進入海外市場無疑是一個緩解緊張局面的新突破口。

在材料細分領域，世紀金芯在4月與日本某客戶簽訂了碳化硅襯底片訂單，將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸碳化硅襯底共13萬片；而在設備領域，高測股份在3月成功獲得了國際客戶。

為提升海外市場影響力，國內(nèi)第三代半導體相關廠商還積極攻略國際頂級展會。其中，在2024年6月舉辦的PCIM Europe展會上，英諾賽科、三安半導體、士蘭微、基本半導體、瑞能半導體、芯聚能等17家國內(nèi)三代半相關企業(yè)精彩亮相，向世界展示了碳化硅/氮化鎵在電子電力領域的最新技術及應用。

關鍵詞三：重大項目

2024年，重投天科第三代半導體碳化硅材料產(chǎn)業(yè)園在2月正式啟用、重慶三安8英寸碳化硅襯底工廠在9月點亮通線、士蘭微廈門8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線在10月進入土方工程收尾階段、長飛先進武漢基地在12月搬入首批設備、格力電器珠海碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)……2024年，這些第三代半導體產(chǎn)業(yè)重大項目均在積極推進當中。

這些項目或投資巨大、或產(chǎn)能較高、或推動產(chǎn)業(yè)向8英寸轉型升級，相關進展都是業(yè)內(nèi)關注的焦點，并成為壯大國內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模和影響力的關鍵布局之一。

尤其是部分8英寸碳化硅襯底、芯片項目，將與國際巨頭在8英寸碳化硅領域同臺競技，有望實現(xiàn)國產(chǎn)化替代并出口至海外市場。

關鍵詞四：大基金扶持

2024年5月，根據(jù)國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司正式成立，注冊資本達3440億元人民幣，高于一期和二期的總和。

從投資領域來看，國家大基金一期和二期此前均投資過第三代半導體相關廠商，覆蓋碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的材料、器件、設備等完整產(chǎn)業(yè)鏈，如天科合達、三安光電、爍科晶體、士蘭微、華潤微、賽微電子、北方華創(chuàng)、中微公司等。

未來更多第三代半導體相關廠商有望獲得國家大基金三期的投資，借助更多的資金和資源，共同推動材料、器件、設備等領域核心技術的國產(chǎn)替代進程。

關鍵詞五：融資潮

2024年，據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈有近50家企業(yè)獲得融資，遍及材料、器件、設備等各個細分賽道。盡管與2023年相比在數(shù)量上有所回落，但這一數(shù)字依然顯示出投資者對碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景的認可與信心。

從已披露的融資金額來看，多家企業(yè)完成了超5億元人民幣單筆融資，其中包括中車時代半導體在3月完成的6.3億元和在4月完成的43.28億元戰(zhàn)略融資、芯粵能在9月完成的10億元A輪融資以及晶能微電子在10月完成的5億元B輪融資。

從融資用途來看，已經(jīng)獲得融資的企業(yè)，大多數(shù)都將融資資金用于碳化硅產(chǎn)能擴充、技術研發(fā)、市場拓展等方面，有望進一步提升競爭力，獲得更大發(fā)展空間。

而在氮化鎵領域，2024年的融資大都流向了英諾賽科等頭部廠商，顯示了產(chǎn)業(yè)向頭部玩家集中整合的趨勢。

關鍵詞六：赴港上市

2024年，第三代半導體頭部廠商赴港上市風起。英諾賽科在12月30日成功在港交所鳴鑼上市，天岳先進、天域半導體港股上市進程正在積極推進當中，有望帶動更多第三代半導體相關廠商跟進。

2024年里，部分第三代半導體相關廠商A股IPO的終止，而天域半導體轉戰(zhàn)港股以及英諾賽科成功上市的消息提振了相關廠商IPO的信心，同時天岳先進也宣布了“A+H”兩地上市的計劃。

通過在香港上市，相關企業(yè)可以吸引更多的國際投資者，有利于公司在全球范圍內(nèi)進行業(yè)務拓展和提升市場競爭力。

關鍵詞七：大尺寸晶圓

盡管目前碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然以6英寸為主，并正在向8英寸過渡，但部分廠商已進行前瞻性布局，令業(yè)界震動的是，12英寸碳化硅已問世。

2024年11月天岳先進發(fā)布了12英寸N型碳化硅襯底，爍科晶體在12月成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底和12英寸N型碳化硅單晶襯底，兩大廠商的12英寸成果，宣告12英寸碳化硅的大門已正式敞開。

大尺寸晶圓在降本增效方面的優(yōu)勢是顯著的，也是第三代半導體相關廠商共同的目標。未來1-2年，碳化硅產(chǎn)業(yè)有望完成8英寸轉型，繼而向12英寸進發(fā)。

關鍵詞八：產(chǎn)業(yè)整合

2024年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)加速整合的趨勢已十分明顯，廠商收并購、剝離非核心業(yè)務動作頻頻。

其中，芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權的重組草案在9月通過了董事會決議；友阿股份在11月發(fā)布公告稱正在籌劃發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式購買尚陽通控股權；聞泰科技則12月發(fā)布公告擬出售9家標的公司股權和標的經(jīng)營資產(chǎn)，將集中資源專注于半導體業(yè)務。

通過收并購，相關廠商或切入新的賽道、拓寬業(yè)務布局，或通過全資控股，在內(nèi)部管理、工藝平臺、供應鏈等方面實現(xiàn)更深層次的整合，更好地實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展；而通過剝離非核心業(yè)務，相關企業(yè)能夠更加專注于半導體等熱門領域，實現(xiàn)長遠發(fā)展。

關鍵詞九：車企碳化硅戰(zhàn)略合作

2024年，吉利、長城、小米等車企紛紛與意法半導體、英飛凌、安森美等海外大廠簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議，國產(chǎn)新能源汽車廠商與國際碳化硅功率器件頭部玩家組CP蔚然成風。

國際大廠在碳化硅功率器件領域擁有先發(fā)優(yōu)勢，在技術方面有過人之處，率先得到了車企青睞，而本土企業(yè)近年類也取得了長足進步，開始分食市場大蛋糕，包括芯聯(lián)集成、士蘭微、三安光電、方正微、基本半導體等。

其中，埃安AION RT在9月開啟全球預售，搭載了基本半導體750V全碳化硅功率模塊；芯聯(lián)集成與廣汽埃安在10月簽訂了一項長期合作戰(zhàn)略協(xié)議，芯聯(lián)集成將為廣汽埃安旗下全系新車型提供碳化硅MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊。

隨著技術的升級迭代以及成本的進一步下探，國內(nèi)器件廠商有望獲得更多與車企攜手合作的機會。

關鍵詞十：引燃新興應用

2024年，AI數(shù)據(jù)中心、低空經(jīng)濟、機器人賽道熱度持續(xù)上漲，國內(nèi)化合物半導體企業(yè)也逐漸打開第三代半導體新興應用市場。

在AI數(shù)據(jù)中心應用場景，英諾賽科、鎵未來、氮矽科技、能華微等廠商完成了AI服務器電源的研發(fā)及驗證，共同推動氮化鎵在AI數(shù)據(jù)中心服務器電源應用的產(chǎn)業(yè)化進程；在機器人賽道，東漸氮化鎵與海神機器人在7月達成戰(zhàn)略合作，雙方將聯(lián)手推動氮化鎵技術在機器人領域的滲透應用。

在AI數(shù)據(jù)中心、低空經(jīng)濟、機器人等新興應用領域，碳化硅/氮化鎵將扮演關鍵角色，成為各大廠商不可錯過的發(fā)展機遇，也為碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴張?zhí)峁┝烁笙胂罂臻g。

以上就是集邦化合物半導體提煉出的2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)（國內(nèi)市場）十大關鍵詞，那么，大家心目中的十大關鍵詞又是什么呢？過去一年國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)又給大家留下了哪些深刻印象？歡迎到評論區(qū)留言。

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據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，2024年以來碳化硅/氮化鎵領域共產(chǎn)生15起收并購動態(tài)，其中包括涉資數(shù)十億元的大動作。這一系列收并購事件，都有什么特點，又有哪些共性，這些案例都對相關企業(yè)產(chǎn)生了什么樣的影響，筆者將在下文逐一解讀。

碳化硅/氮化鎵領域收并購事件一覽

從交易金額來看，在這15起并購案當中，已披露的最大交易額為58.97億元，出現(xiàn)在新芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州72.33%股權事件中。交易完成后，芯聯(lián)越州將成為芯聯(lián)集成全資子公司。

分廠商地域分布來看，國內(nèi)企業(yè)主導的收并購案例較少，包括思瑞浦收購創(chuàng)芯微85.26%股份、中瓷電子收購國聯(lián)萬眾5.3971%股份、芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州72.33%股份以及友阿股份收購尚陽通控股權。

上述4起交易完成后，被收購方都將成為收購方的全資或控股子公司。其中，思瑞浦、中瓷電子、芯聯(lián)集成主導的并購，交易雙方同為產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)，而友阿股份收購尚陽通控股權，更多的是百貨企業(yè)在碳化硅領域的一次跨界布局。

剩下的11起并購案主角均為國際廠商，其中包括PI、Kymera、格芯、Guerrilla、Nisene、MACOM、安森美均為美國企業(yè)，X-FAB、愛思強為德國企業(yè)，BluGlass為澳大利亞廠商，瑞薩電子則為日本企業(yè)。

相比于國內(nèi)廠商基本圍繞公司股權進行收并購，國際廠商的收并購大多數(shù)都是聚焦技術研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、市場拓展或者產(chǎn)能提升中的某一個方面。

從產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)來看，這些收并購案例分布在材料、器件、設備等各個領域。其中，材料環(huán)節(jié)包括Kymera收購Fiven，設備領域僅有愛思強收購生產(chǎn)基地，其他大部分動態(tài)的主角都是器件相關廠商，或與器件企業(yè)直接面對終端應用，市場需求變化更加活躍有關。

碳化硅產(chǎn)業(yè)收并購水花尚小

整體來看，這15起并購案當中，僅僅只涉及碳化硅相關業(yè)務的案例相對較少，包括Kymera收購碳化硅材料廠商Fiven、印度Polymatech收購美國公司Nisene、芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州剩余股權、友阿股份籌劃收購尚陽通控股權、安森美收購Qorvo的SiC JFET技術業(yè)務。

這幾起圍繞碳化硅的收購，芯聯(lián)集成是為了實現(xiàn)對芯聯(lián)越州的全資控股，友阿股份也是為了控股尚陽通，其他案例都是收購方為了擴充產(chǎn)品線或拓展業(yè)務領域而進行的并購，且相關廠商的業(yè)務整合并沒有在產(chǎn)業(yè)內(nèi)激起多大水花，對市場競爭格局影響較小。

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，未來幾年碳化硅整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約668億人民幣）。

當前，伴隨著新能源汽車、光儲充等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅加速滲透，市場能見度較高，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商均積極把握市場發(fā)展的機遇，尋求進一步拓展業(yè)務。

在終端應用需求增長的驅動下，全球碳化硅功率器件大廠紛紛在各地投資建廠，帶動襯底/外延企業(yè)配套進行產(chǎn)能擴充以及設備廠商出貨量增長。在此背景下，2024年碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈整體仍然維持上行趨勢，產(chǎn)業(yè)發(fā)展的阻力尚不明顯，整合洗牌的力度較小。

雖然目前碳化硅玩家收并購動作并不多，但隨著競爭日趨激烈，特別是已有廠商曝出了破產(chǎn)清算的消息，產(chǎn)業(yè)或將在不久的將來步入洗牌和重組階段。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)已步入整合期

反觀氮化鎵領域，收并購事件發(fā)生頻率更高，2024年的第三代半導體產(chǎn)業(yè)收并購案例大部分都涉及氮化鎵相關業(yè)務，主導方包括BluGlass、思瑞浦、PI、瑞薩電子、格芯、MACOM等，而部分被并購企業(yè)在業(yè)內(nèi)擁有更大的影響力，包括Transphorm、Odyssey等。氮化鎵領域，行業(yè)洗牌的力度顯然更大，即使是頭部企業(yè)，也避免不了被并購的命運。

得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性，氮化鎵技術近年來迅速滲透進入消費電子市場，具體而言，氮化鎵已經(jīng)在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用，并正在向可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源產(chǎn)品延伸。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，預估2030年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模有望上升至43.76億美元（約318.75億人民幣）。

目前，碳化硅的應用探索正在朝高壓、大功率方向發(fā)展，氮化鎵作為碳化硅的有力競爭者，在低壓、低功率快充市場被大規(guī)模采用后，未來發(fā)展目標也瞄準了高壓、高功率應用市場。

但與在消費電子市場的快速發(fā)展相比，氮化鎵在高壓高功率市場的應用進展較緩，不如預期，這就導致部分廠商經(jīng)營狀況不佳。其中，美國一家同樣押注垂直GaN技術的企業(yè)NexGen Power Systems已在2023年圣誕節(jié)前夕倒閉。

成本、供應鏈成熟度等問題在一定程度上制約了氮化鎵產(chǎn)業(yè)規(guī)模在短期內(nèi)的爆發(fā)。盡管部分廠商嘗試降低氮化鎵功率器件的制造成本，但整體成本仍然較高；氮化鎵的供應鏈生態(tài)和產(chǎn)能、技術仍不夠成熟，面對新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機器人等應用場景，氮化鎵的供應鏈成熟度和技術可靠性仍有待提升。

氮化鎵市場體量較小，而短期內(nèi)的發(fā)展阻力卻較大，有限的資源將更多流向重磅玩家，產(chǎn)業(yè)并購整合的趨勢將進一步明朗。

總結

2024年碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)的十多起收并購進展，盡管影響力大小不一，但對企業(yè)和行業(yè)發(fā)展都有一定的促進作用。

其中，思瑞浦、PI、Kymera、瑞薩電子、格芯、Guerrilla、Polymatech、MACOM、安森美通過并購整合，進一步拓寬了自身的技術路線布局或產(chǎn)品線，有利于拓展新的應用場景或市場，也在一定程度上推動了相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

中瓷電子與芯聯(lián)集成都通過股權收購，使得被收購對象成為了旗下全資子公司，通過全資控股，雙方將在內(nèi)部管理、工藝平臺、供應鏈等方面實現(xiàn)更深層次的整合，有望更好地實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展。

BluGlass與愛思強都通過并購進一步強化了生產(chǎn)制造能力，為未來將出現(xiàn)的市場需求提前做好產(chǎn)能準備。

作為一家碳化硅晶圓代工廠，X-FAB通過收購M-MOS獲得了芯片設計能力，實現(xiàn)了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，這也是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大趨勢。目前，部分碳化硅襯底廠商業(yè)務布局正在向器件、設備等領域延伸，而部分設備廠商則通過自研設備殺入襯底賽道，未來，擁有IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局優(yōu)勢的玩家更有可能立于不敗之地。

而友阿股份對尚陽通的并購，是企業(yè)跨界布局碳化硅產(chǎn)業(yè)的又一個案例。當前，碳化硅產(chǎn)業(yè)盡管競爭越來越激烈，但仍然足夠吸引新玩家入局，企業(yè)跨界布局的腳步從未停歇，收并購的好戲也將持續(xù)上演。

展望2025年，碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)在收并購方面注定將不會風平浪靜。（文：集邦化合物半導體Zac）

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目前，功率氮化鎵在消費電子領域應用已漸入佳境，并正在逐步向各類應用場景滲透。整體來看，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進入快速發(fā)展階段。

功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

從技術方面來看，9月11日英飛凌宣布，其已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術和效率顯著提升。

12英寸氮化鎵技術的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設備，有利于加快全面規(guī)?；慨a(chǎn)并降低產(chǎn)線建設成本。

從產(chǎn)業(yè)化方面來看，消費電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領域。

在當前十分火熱的新能源汽車領域，越來越多的氮化鎵相關廠商開始探索氮化鎵車用可能性。其中，車載充電機（OBC）被視為最佳突破點，第一個符合汽車AEC-Q101標準的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產(chǎn)品。

AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應對更高端的AI運算，服務器電源的效能、功率密度必須進一步提高，氮化鎵已成為關鍵解決技術之一。

而在機器人等電機驅動場景，氮化鎵的應用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。TI、EPC等持續(xù)推動著氮化鎵于電機驅動領域的應用，并不斷吸引新玩家進入。

從市場規(guī)模來看，TrendForce集邦咨詢認為，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。

“助燃”機器人產(chǎn)業(yè)，為什么是氮化鎵？

從氮化鎵功率器件市場規(guī)模數(shù)據(jù)不難看出，盡管目前功率氮化鎵的主戰(zhàn)場仍然是消費電子市場，但未來在汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景的應用能見度較高，規(guī)模有望占據(jù)半壁江山。

而在除消費電子之外的各類潛力應用場景中，以電機驅動為基礎的機器人產(chǎn)業(yè)特別是人形機器人領域是功率氮化鎵當前導入進度較慢但未來有著廣闊應用空間的市場。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，在2025年各機器人大廠逐步實現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預估2027年全球人形機器人市場產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復合成長率將達154%。

人形機器人市場規(guī)模增長的原因是多方面的，包括科技進步、市場需求、政策支持等。從技術方面來看，機器人的核心系統(tǒng)構成包括傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)。這其中，氮化鎵有非常豐富的應用場景，包括電機控制、激光雷達系統(tǒng)、DC-DC轉換器以及電池BMS等。

人形機器人的動力核心是電機與電機驅動芯片，電機驅動芯片是電機實現(xiàn)精準高效控制的關鍵，這也是電機驅動芯片導入氮化鎵技術的最主要原因。氮化鎵技術導入電機驅動芯片后，為機器人驅動系統(tǒng)提供了更高的能效比、更優(yōu)的熱管理和更合理化的設計。

具體來看，氮化鎵器件的應用，提升了系統(tǒng)整體效率、減輕了重量和體積、延長了機器人使用壽命并增強其在各種工作環(huán)境中的可靠性。

而在激光雷達系統(tǒng)中，使用氮化鎵器件與使用傳統(tǒng)的硅器件相比，展現(xiàn)出了更快的響應速度和更低的功耗，使得雷達系統(tǒng)能夠以更窄的脈沖寬度、更大的峰值電流和更高的功率運行，從而顯著提升圖像的分辨率和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

整體來看，氮化鎵功率器件正在機器人的運動、感官等重要零部件發(fā)揮作用，推動機器人的普及應用。

部分功率器件大廠進軍機器人領域

在機器人產(chǎn)業(yè)氮化鎵應用需求驅動下，TI、EPC、納微、東漸氮化鎵等企業(yè)圍繞機器人應用開始了在氮化鎵業(yè)務方面的新一輪群雄逐鹿，并各自取得了一定的成果。

TI在今年7月推出了適用于電機集成式伺服驅動器和機器人應用的48V、850W小型三相氮化鎵逆變器參考設計TIDA-010936。同月，東漸氮化鎵與海神機器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)新一代高性能芯片，以推進智慧物業(yè)管理機器人場景應用。

8月在PCIM Asia 2024展會上，EPC展示了一款人形機器人樣品。該機器人中的一些關節(jié)組件采用了氮化鎵技術。

10月，納微半導體正式發(fā)布了新一代高度集成的氮化鎵功率芯片GaNSlim系列，納微開啟進入48V AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和機器人市場。

此外，今年國內(nèi)也有一起工業(yè)機器人搭載氮化鎵技術的案例落地——新工綠氫在年初推出自主研發(fā)設計的“天工一號”自動駕駛充電機器人。

總結

盡管目前已有不少氮化鎵相關廠商涉足機器人領域，但短期內(nèi)氮化鎵技術在機器人場景的應用仍然面臨挑戰(zhàn)。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導體材料，氮化鎵的制備成本較高，這主要是由于其制備過程需要昂貴的原材料和設備，以及較高的能耗。如何降低氮化鎵的制備成本，提高其市場競爭力，是氮化鎵市場應用當前面臨的挑戰(zhàn)之一；此外，如何提高氮化鎵器件的穩(wěn)定性和壽命，確保其在實際應用中的可靠性，也是當前研究的重點。

隨著成本的進一步下探以及可靠性持續(xù)提升，氮化鎵技術將向AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、機器人等要求更嚴苛的領域進一步滲透。

長遠來看，機器人特別是人形機器人的大規(guī)模應用，將使人們的生活更加便捷和舒適，未來發(fā)展?jié)摿薮?，前景是光明的。隨著人形機器人市場規(guī)模的持續(xù)增長，氮化鎵產(chǎn)業(yè)有望吃到又一波紅利。（文：集邦化合物半導體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

2023年，羅姆采用臺積電650V耐壓氮化鎵HEMT工藝，推出了屬于羅姆EcoGaN系列的新產(chǎn)品，目前新產(chǎn)品已被用于包括Delta Electronics,Inc.旗下品牌Innergie的45W AC適配器“C4 Duo”在內(nèi)的消費電子和工業(yè)領域應用。

據(jù)介紹，臺積電看好未來氮化鎵功率器件在電動汽車（EV）的車載充電器和逆變器等車載應用中的環(huán)境效益，正在加強自身的氮化鎵技術實力。

值得一提的是，圍繞氮化鎵車用場景，氮化鎵器件廠商VisIC與移動技術公司AVL（在汽車行業(yè)以及鐵路、海洋和能源等領域提供開發(fā)、仿真和測試服務）近日達成合作，共同研發(fā)電動汽車（EV）用高效率氮化鎵逆變器技術。

在目前十分火熱的新能源汽車市場，豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開始將氮化鎵用于汽車的各個部分，特別是在車載充電機（OBC）和高壓直流轉換器等關鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示，將氮化鎵器件應用于新能源汽車的車載充電器、DC-DC轉換器等部件時，可在節(jié)能70%的同時使充電效率達到98%，增加5%續(xù)航。

TrendForce集邦咨詢預計，至2025年左右，氮化鎵將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中。再遠到2030年，OEM或考慮將該技術移入到牽引逆變器。（集邦化合物半導體Zac整理）

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12月6日，據(jù)外媒報道，氮化鎵器件廠商VisIC與移動技術公司AVL（在汽車行業(yè)以及鐵路、海洋和能源等領域提供開發(fā)、仿真和測試服務）達成合作，共同研發(fā)電動汽車（EV）用高效率氮化鎵逆變器技術。

發(fā)力氮化鎵車用場景，VisIC持續(xù)擴展合作伙伴朋友圈

這是2024年下半年以來，VisIC為深化氮化鎵車用布局達成的又一次合作。目前，VisIC的氮化鎵車用業(yè)務已攜手化合物半導體材料供應商IQE、全球電子行業(yè)器件組裝和封裝材料廠商賀利氏和燒結設備制造商PINK等企業(yè)。

具體來看，去年9月，VisIC與IQE達成戰(zhàn)略合作，攜手開發(fā)用于電動汽車逆變器的高可靠性D-Mode氮化鎵產(chǎn)品。利用IQE在氮化鎵技術方面的成熟專業(yè)知識，VisIC和IQE將在IQE的英國工廠合作開發(fā)200mm（8英寸）D-Mode氮化鎵功率外延片。

而在今年7月，VisIC宣布已與賀利氏和PINK達成合作，致力于打造出一款更適合電動汽車應用的功率模塊，加速GaN技術在電動汽車應用中的普及，VisIC的D3GaN技術是這款功率模塊的核心。

氮化鎵在車用領域究竟有怎樣的應用優(yōu)勢，吸引了VisIC在短期內(nèi)多次加碼相關應用合作？

助燃新能源汽車產(chǎn)業(yè)，氮化鎵也有用武之地

說起氮化鎵，人們首先想到的或許是快充。早在2021年10月，蘋果推出了旗下首款搭載氮化鎵技術的充電器，并在全球范圍內(nèi)率先支持USB PD3.1快充標準，一舉刷新了USB PD充電器單口輸出最高功率，達到140W。

盡管目前氮化鎵已經(jīng)在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用，并正在向可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源等細分領域延伸，但氮化鎵的應用領域遠不止消費電子領域。

據(jù)悉，氮化鎵通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領域，微波射頻方向包含了5G通信、雷達預警、衛(wèi)星通訊等；電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等；光電子方向則包括了LED、激光器、光電探測器等。

在諸多應用場景當中，新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機器人有望成為除消費電子外，氮化鎵廠商未來重點投入的幾大細分市場。

其中，AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應對更高端的AI運算，服務器電源的效能、功率密度必須進一步提高，氮化鎵已成為關鍵解決技術之一。在機器人等電機驅動場景，氮化鎵的應用潛力也在逐漸浮現(xiàn)。

而在目前十分火熱的新能源汽車市場，豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開始將氮化鎵用于汽車的各個部分，特別是在車載充電機（OBC）和高壓直流轉換器等關鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示，將氮化鎵器件應用于新能源汽車的車載充電器、DC-DC轉換器等部件時，可在節(jié)能70%的同時使充電效率達到98%，增加5%續(xù)航。

本次VisIC與AVL公司合作，則是聚焦新能源汽車更為關鍵的主驅逆變器產(chǎn)品，有望進一步擴大氮化鎵車用范圍。未來，隨著氮化鎵耐壓能力的進一步提升，在可承受800V甚至1200V高電壓而又具備更高性價比時，氮化鎵在新能源汽車等高壓應用市場的存在感將進一步增強。

玩家齊發(fā)力，氮化鎵車用未來可期

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。

TrendForce集邦咨詢預計，至2025年左右，氮化鎵將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中。再遠到2030年，OEM或考慮將該技術移入到牽引逆變器。在此背景下，全球氮化鎵相關廠商紛紛加速布局，并取得了一定的進展。

車載OBC被視為氮化鎵技術最佳突破點，第一個符合汽車AEC-Q101標準的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年由Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）發(fā)布。

近年來，針對新能源汽車主驅逆變器、OBC、DC-DC轉換器、激光雷達等各類應用，意法半導體、安森美、英飛凌、EPC、納微、Transphorm、VisIC等各大廠商紛紛進行了相關探索，并推出了部分產(chǎn)品。

整體來看，雖然氮化鎵進入主驅逆變器、OBC等動力系統(tǒng)部件還面臨著一些技術問題，但相信在上述功率器件大廠持續(xù)投入資源的推動下，氮化鎵有望成為新能源汽車功率部件中的關鍵角色。（文：集邦化合物半導體Zac）

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據(jù)韓媒報道，12月4日，韓國半導體封裝企業(yè)LB Semicon與晶圓代工廠DB HiTek（東部高科）宣布，雙方將合作開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品。

目前，東部高科正在推進SiC和GaN半導體業(yè)務，而LB Semicon也計劃通過確保相應的封裝和測試能力來提高其可靠性和技術水平。

與現(xiàn)有的基于硅晶圓的功率半導體相比，SiC/GaN半導體被認為是具有高耐熱性和高電壓特性的產(chǎn)品。東部高科表示，后續(xù)相關產(chǎn)品預計主要應用于能源存儲系統(tǒng)（ESS）和人工智能（AI）基礎設施等領域。

據(jù)集邦化合物半導體了解，東部高科今年一直在加速推進SiC/GaN業(yè)務。

2024年5月，東部高科表示將在今年第三季度引進GaN器件生產(chǎn)所需的相關設備，并在今年年底前完成量產(chǎn)準備，預計該GaN代工廠將在明年年初開始運營。

6月，東部高科、三星電子、SK Siltron以及無晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導體業(yè)務協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導體先進技術開發(fā)項目”。該項目將聚焦GaN功率半導體的研發(fā)。

7月，GaN外延企業(yè)Apro Semicon表示將與DB HiTek合作生產(chǎn)GaN芯片。

10月，東部高科宣布將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴建半導體潔凈室，計劃先行建設8英寸SiC產(chǎn)線。

目前，東部高科已進入建立8英寸試點工藝的最后階段。計劃從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設備，建立正式的量產(chǎn)體系。項目投產(chǎn)后，DB HiTek 8英寸SiC晶圓產(chǎn)能將達3.5萬片/月，這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬片提高23%，達到19萬片。（文：集邦化合物半導體Morty編譯）

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在此背景下，英飛凌CoolSiC MOSFET 400V系列、納微全新4.5kW服務器電源方案等創(chuàng)新產(chǎn)品在近期相繼問世，推動碳化硅/氮化鎵在AI服務器電源（PSU）的應用熱度持續(xù)上漲。

碳化硅/氮化鎵：PSU升級突破口

近年來，生成式AI的火熱應用和AI芯片算力的爆發(fā)增長，使得全球數(shù)據(jù)中心耗電量激增，為應對AI帶來的高能耗危機，升級數(shù)據(jù)中心PSU成為重要突破口。

目前，全球AI和超大規(guī)模計算數(shù)據(jù)中心的PSU有三種外形規(guī)格，包括通用冗余電源的CRPS185、CRPS265以及開放計算項目的OCP。三種規(guī)格電源高度和寬度尺寸相同，只有長度不同，其中，每個CRPS185電源尺寸都是固定的，長寬高分別為185毫米、73.5毫米、40毫米。因此，在尺寸無法改變的情況下，AI服務器功率需求的增加就需要從提升功率密度入手。

功率密度的提升可以通過提高開關頻率來實現(xiàn)，在硅基產(chǎn)品已到達物理性能極限的情況下，氮化鎵器件的高開關頻率特性使其更加適合高密度CRPS應用。而碳化硅器件與硅基產(chǎn)品相比，可以在更高的溫度和電壓下運行，實現(xiàn)更高效的功率轉換并減少能量損失。

從實際應用情況來看，納微通過將碳化硅功率器件以及氮化鎵功率芯片混合使用設計出的CRPS服務器電源參考設計，顯著地提升了功率密度和效率。今年7月，納微發(fā)布圍繞納微旗下GaNSafe高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅功率器件打造的全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源方案，據(jù)稱，該方案以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率領跑AI數(shù)據(jù)中心PSU行業(yè)。

碳化硅/氮化鎵功率器件大廠AI服務器電源爭奪戰(zhàn)

目前，碳化硅/氮化鎵功率器件廠商們關于AI服務器電源的爭奪戰(zhàn)已經(jīng)打響，除納微外，英飛凌、安森美、EPC、德州儀器、鎵未來、能華微、氮矽科技等玩家已入局。

英飛凌

其中，英飛凌在今年6月發(fā)布了專為AI服務器的AC/DC級開發(fā)的全新CoolSiC MOSFET 400V系列產(chǎn)品，與現(xiàn)有的650V SiC和Si MOSFET相比，新系列傳導和開關損耗都較低，提升AI服務器電源功率密度達到100W/in3以上，并且效率達到99.5%，較使用650V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。

針對AI服務器54V輸出平臺，英飛凌開發(fā)了3.3kW PSU專用DEMO板，采用了英飛凌的CoolGaN、CoolSiC、CoolMOS設計，可實現(xiàn)整機基準效率97.5%，功率密度達到96W/in3，能夠解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求。

在PCIM Asia 2024展會上，英飛凌相關負責人表示，降低數(shù)據(jù)中心能耗是AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求，也是英飛凌積極努力的方向。英飛凌推出的新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術，導通損耗更低、開關效率更高、可靠性更好，在性能方面有顯著提升，能夠滿足AI服務器電源應用需求。

安森美

安森美針對PSU輸出功率、轉換效率與功率密度的“三高”挑戰(zhàn)，推出了最新一代T10 PowerTrench?系列和EliteSiC 650V MOSFET的組合，為數(shù)據(jù)中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了更高能效和更好的熱性能。

該產(chǎn)品組合中，EliteSiC 650V SiC M3S MOSFET是為應對數(shù)據(jù)中心的能效挑戰(zhàn)提供的方案，能夠滿足開放式機架V3（ORV3） PSU高達97.5%的峰值效率要求，T10 PowerTrench?系列則通過優(yōu)化的封裝技術，增強了散熱效果，能夠滿足數(shù)據(jù)中心對于高功率轉換效率和小型化的需求。

基于上述相關產(chǎn)品，安森美現(xiàn)場應用工程師Sangjun Koo在PCIM Asia 2024展會期間和集邦化合物半導體的交流過程中表示，安森美正在積極布局AI數(shù)據(jù)中心領域，也收到了很多來自AI數(shù)據(jù)中心市場的訂單需求。

EPC

在本次PCIM展會上，EPC展示了應用氮化鎵的人形機器人樣品，以及一輛在車載激光雷達部件中導入了EPC氮化鎵功率器件的無人駕駛小電車。

除人形機器人、激光雷達等場景外，AI數(shù)據(jù)中心PSU也是EPC正在重點布局的領域之一。在和集邦化合物半導體的交流中，EPC可靠性事業(yè)部副總裁張聲科表示，EPC的低壓氮化鎵器件能夠覆蓋所有48V轉12V的服務器的電源轉換器件需求。

TI

TI早在2021年便與服務器電源供應商臺達就數(shù)據(jù)中心PSU達成合作，基于其GaN技術和C2000 MCU實時控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用PSU。

TI在GaN技術以及C2000 MCU實時控制解決方案上有長達十年的投資，與臺達合作，TI可采用創(chuàng)新的半導體制造工藝來制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺達等企業(yè)打造差異化應用，更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

為引領產(chǎn)業(yè)發(fā)展，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術路線圖，表明了未來持續(xù)強化該領域布局的決心。

為應對AI數(shù)據(jù)中心電源指數(shù)級的功率需求提升，納微半導體正持續(xù)開發(fā)新的服務器電源平臺，將電源功率水平從3kW迅速提升到10kW，預計在2024年第四季度推出。

除了已推出的輸出功率為3kW和3.3kW的PSU外，英飛凌全新8kW和12kW PSU也將在不久的將來推出，以進一步提高AI數(shù)據(jù)中心的能效。借助12kW參考板，英飛凌有望推出全球首款達到這一性能水平的AI數(shù)據(jù)中心PSU。

國內(nèi)廠商方面，鎵未來已與知名院校達成合作，共同完成業(yè)界首款3.5kWCRPS無風扇服務器電源的開發(fā)并量產(chǎn)，通過兩相交錯圖騰柱PFC及LLC實現(xiàn)97.6%高效率, 功率密度高達73.6W/Inch3。氮矽科技多款相關產(chǎn)品已送樣國內(nèi)頭部知名企業(yè)，并完成了相關的可靠性測試；能華微1200V GaN產(chǎn)品也已經(jīng)送樣知名服務器電源廠，正在進行可靠性評估，各大廠商正在共同推動氮化鎵在AI數(shù)據(jù)中心PSU應用的產(chǎn)業(yè)化進程。

綜合來看，AI服務器電源功率密度和效率正在持續(xù)提升，是碳化硅/氮化鎵功率器件廠商重點聚焦的兩大性能指標，有望催生出各類實戰(zhàn)表現(xiàn)亮眼的產(chǎn)品，也將吸引更多碳化硅/氮化鎵玩家入局。

總結

數(shù)據(jù)中心電源領域是近年來碳化硅/氮化鎵頭部廠商重點耕耘的方向之一，目前部分廠商碳化硅/氮化鎵產(chǎn)品在數(shù)據(jù)中心電源市場的應用已經(jīng)取得了一定進展，而AI的強勢崛起推動該市場進一步發(fā)展。

隨著AI技術的不斷演進和數(shù)據(jù)算力需求的持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心的能源效率和功率密度要求會越來越嚴苛，對各大廠商碳化硅/氮化鎵功率器件產(chǎn)品的性能要求也會越來越高。

隨著碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，以及AI生態(tài)的持續(xù)繁榮，碳化硅、氮化鎵和AI的交集也會越來越多，各大廠商關于AI服務器電源的爭奪戰(zhàn)將會日趨激烈。（文：集邦化合物半導體Zac）

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source：揚州經(jīng)開區(qū)發(fā)布

該項目總投資11億元，其中一期項目投資5.8億元，設備投資3億元，計劃利用現(xiàn)有國宇電子廠區(qū)內(nèi)土地擴建分立器件功率芯片生產(chǎn)線，建設6英寸功率FRED芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)能48萬片，達產(chǎn)后預計年開票10億元，年凈利潤1.4億元，納稅5000萬元；項目二期規(guī)劃生產(chǎn)IGBT、硅基GaN等高功率半導體芯片。

公開資料顯示，國宇電子主要從事半導體器件芯片的研發(fā)生產(chǎn)。其主要產(chǎn)品有電源、節(jié)能燈、鎮(zhèn)流器、電機驅動、變壓器等用VDMOS場效應功率晶體管、肖特基二極管、快恢復二極管等產(chǎn)品，廣泛應用于家電、綠色照明、計算機、汽車電子、網(wǎng)絡通訊、工業(yè)控制等領域。

近期，除國宇電子項目外，還有多個氮化鎵相關項目披露了最新進展。

11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領域。項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。

9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術突破，同時氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。

9月9日，廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會分局發(fā)布了“冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產(chǎn)新建項目”的環(huán)評文件受理公告。公告顯示，冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產(chǎn)項目總投資1.055億元，計劃年加工氮化鎵功率半導體1500萬件。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：國星光電

該模塊采用風華芯電自主研發(fā)的扇出面板級封裝形式，其通過銅球鍵合工藝實現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點結構，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實現(xiàn)互連，達到4個功率管有效互連效果，并形成半橋拓撲結構，實現(xiàn)模塊內(nèi)部結構的高密度集成，減少產(chǎn)品體積，提升性能。

為了驗證模塊的性能，風華芯電將基于扇出面板級封裝的氮化鎵半橋模塊應用于100W開關電源中，該開關電源整體尺寸為60×50×27mm，體積有效減少，且電源峰值效率可達到95%。此外，該模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品對比，開通速度提升17.59%，開通損耗下降10.7%。

據(jù)悉，半導體封裝技術可分為基板型封裝和晶圓級封裝，基板型封裝里面產(chǎn)品有IC、MOS、功率器件等封裝類型，國星光電子公司風華芯電業(yè)務涉及基板型封裝的功率器件，已具備第三代半導體功率器件的封裝量產(chǎn)能力。

在第三代半導體領域，國星光電已完成氮化鎵基功率器件外延片的產(chǎn)品開發(fā)；正在發(fā)力第三代半導體封測技術，推出了低雜感碳化硅封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品，其中SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認證，碳化硅器件T0-247—2L通過了工藝驗證，具備量產(chǎn)能力。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元（約19.45億人民幣），至2030年有望上升至43.76億美元（約314.13億人民幣），CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。（來源：國星光電，集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

公開資料顯示，ENGIN-IC成立于2014年，自創(chuàng)立以來一直專注于服務美國國防工業(yè)。該公司自籌資金，并利用小型企業(yè)創(chuàng)新研究（SBIR）合同、國防部（DoD）研究項目和為國防主承包商定制集成電路芯片開發(fā)項目來構建其產(chǎn)品。

目前，ENGIN-IC的產(chǎn)品組合包括60多種標準MMICs和更多定制MMICs，包括高效率功率放大器、集成發(fā)射/接收芯片、相位移位器、時延單元（TDUs）、混頻器和調(diào)制器，以及S波段至K波段的切換濾波器模塊和L波段至K波段的發(fā)射/接收模塊。

值得一提的是，MACOM近日宣布將引領一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領域。該項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和MMICs的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。（集邦化合物半導體Zac整理）

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