圖片來源：中科無線半導(dǎo)體

據(jù)官方披露，該芯片依托GaN 2DEG材料的天然優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)破解人形機(jī)器人關(guān)節(jié)長(zhǎng)期存在的高溫失效、空間狹小、輕量化不足、高精度難以兼顧四大行業(yè)痛點(diǎn)，為工業(yè)機(jī)器人、具身智能、航空航天及特種裝備提供國(guó)產(chǎn)化、高可靠、小型化的新一代位置感知核心方案。

核心性能方面，該芯片基于GaN與AlScN技術(shù)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)180℃極端工況下性能無衰減，耐高溫上限可達(dá)250–400℃，角度精度穩(wěn)定在30–100弧秒，溫漂低至0.01–0.03°/℃，可直接貼裝于電機(jī)線圈附近，無需復(fù)雜散熱結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)高密度集成。

同時(shí)，芯片搭載21bit超高分辨率、低噪聲高精度ADC與可編程校準(zhǔn)技術(shù)，角度誤差僅±0.1°，響應(yīng)延時(shí)＜2μs，帶寬范圍1–5MHz，最高支持30萬轉(zhuǎn)/分鐘檢測(cè)，可將機(jī)器人軌跡控制精度從±0.2mm提升至±0.05mm，滿足跑跳、抓取、精密裝配等高動(dòng)態(tài)、高精度作業(yè)需求。

官方介紹，該芯片具備高溫可靠、微型輕量化、超高精度、低功耗、高集成、高輻照耐受六大核心優(yōu)勢(shì)，單芯片多傳感融合設(shè)計(jì)使其體積較傳統(tǒng)方案縮減40%–50%，適配超薄、微型、中空關(guān)節(jié)設(shè)計(jì)，同時(shí)滿足航空航天、特種裝備的抗輻射要求。

據(jù)悉，中科無線半導(dǎo)體長(zhǎng)期專注氮化鎵集成電路與機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制芯片研發(fā)，此次CT-21X芯片的發(fā)布，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高溫高精度GaN磁編碼芯片的市場(chǎng)空白。

該芯片預(yù)計(jì)2026年Q3正式量產(chǎn)交付，目前已開放樣品測(cè)試與定制開發(fā)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該芯粒基于300毫米（12英寸）標(biāo)準(zhǔn)硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研的隱切減薄工藝實(shí)現(xiàn)超薄片化，在極致輕薄的同時(shí)，保障了結(jié)構(gòu)完整性與性能穩(wěn)定性。

更關(guān)鍵的是，團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成，將復(fù)雜計(jì)算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外搭配獨(dú)立輔助芯片，大幅簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)并降低組件間能量損耗。

性能測(cè)試顯示，這款芯粒中的氮化鎵晶體管可承受78伏耐壓，射頻截止頻率超過300吉赫茲，能滿足高頻通信場(chǎng)景需求；集成的數(shù)字電路庫(kù)運(yùn)行穩(wěn)定，反相器開關(guān)速度僅33皮秒，且全晶圓范圍內(nèi)表現(xiàn)一致，具備大規(guī)模量產(chǎn)潛力。經(jīng)四項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試驗(yàn)證，該技術(shù)可應(yīng)對(duì)高溫、高壓等實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，符合商用落地要求。

傳統(tǒng)硅基技術(shù)在高功率、高頻場(chǎng)景下已逐漸逼近物理極限，而氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體，具備更高功率密度、更快開關(guān)速度和更低能耗的優(yōu)勢(shì)。

英特爾通過300毫米硅基氮化鎵晶圓工藝，可兼容現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施，有望顯著降低量產(chǎn)成本，推動(dòng)技術(shù)普及。

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三星電子此前于2023年宣布，其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年開始量產(chǎn)，但實(shí)際上已經(jīng)落后于計(jì)劃。最新的行業(yè)動(dòng)態(tài)顯示，三星首條8英寸氮化鎵（GaN）生產(chǎn)線預(yù)計(jì)最早將于2026年第二季度投入量產(chǎn)，初期營(yíng)收預(yù)計(jì)低于1000億韓元。

報(bào)道指出，三星已建立起一套全面的氮化鎵解決方案生態(tài)系統(tǒng)，涵蓋除芯片設(shè)計(jì)以外的所有方面，并能夠獨(dú)立生產(chǎn)氮化鎵外延片。

此外，三星計(jì)劃于年內(nèi)啟動(dòng)其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體代工廠生產(chǎn)線。該公司在SiC領(lǐng)域擁有端到端的能力，包括設(shè)計(jì)，使其能夠在不同的電壓范圍內(nèi)與氮化鎵（GaN）技術(shù)形成互補(bǔ)。

此前的報(bào)道還透露，三星已投資約1000億至2000億韓元用于先進(jìn)工藝設(shè)備，包括來自Aixtron的MOCVD系統(tǒng)，以支持SiC和GaN晶圓的加工。

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圖片來源：致能半導(dǎo)體
致能8”藍(lán)寶石上氮化鎵晶圓，襯底厚度僅50μm

氮化鎵材料因其高頻率、高耐壓等特性，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域被寄予厚望。但在實(shí)際應(yīng)用中，散熱問題一直是制約其性能發(fā)揮的關(guān)鍵瓶頸之一。不同襯底材料的選擇，直接影響器件的熱管理表現(xiàn)。藍(lán)寶石作為一種襯底材料，具備良好的絕緣性能和高溫穩(wěn)定性，與氮化鎵的熱匹配和晶格匹配也較為理想，外延結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單。然而，藍(lán)寶石的熱導(dǎo)率偏低，長(zhǎng)期以來被認(rèn)為是影響器件散熱的主要短板。通過減薄襯底厚度，可以有效縮短熱流傳導(dǎo)路徑，從而改善器件的整體散熱能力。

致能半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展主要體現(xiàn)在襯底減薄工藝的精細(xì)化控制上。據(jù)該公司介紹，在將襯底厚度從常規(guī)的200微米逐步降至100微米、最終達(dá)到50微米的過程中，器件的熱性能獲得了顯著提升。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)藍(lán)寶石襯底厚度為200微米時(shí)，器件的結(jié)殼熱阻約為每瓦1.6攝氏度，與同類硅基氮化鎵器件相當(dāng)；厚度降至100微米時(shí)，熱阻下降至每瓦1.1攝氏度，表現(xiàn)明顯優(yōu)于硅基方案；而達(dá)到50微米厚度后，熱阻進(jìn)一步降至每瓦0.8攝氏度，約為同規(guī)格硅基氮化鎵器件的一半。

圖片來源：致能半導(dǎo)體
致能藍(lán)寶石上氮化鎵器件熱阻與同規(guī)格友商硅上氮化鎵器件對(duì)比

得益于藍(lán)寶石上氮化鎵器件的優(yōu)異熱阻性能,在應(yīng)用中也展現(xiàn)出相對(duì)硅上氮化鎵器件的明顯熱性能優(yōu)勢(shì)。下表展示了在大功率應(yīng)用場(chǎng)景下，器件在不同電壓和負(fù)載下的溫升情況?？梢钥闯?，在所有條件下，致能的藍(lán)寶石上氮化鎵器件溫升都遠(yuǎn)小于同規(guī)格的友商硅上氮化鎵器件，展現(xiàn)出了卓越的散熱能力。

圖片來源：致能半導(dǎo)體
致能藍(lán)寶石基氮化鎵器件在大功率應(yīng)用中與相似規(guī)格友商硅基氮化鎵器件溫升對(duì)比

在實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證中，襯底厚度對(duì)器件溫度的影響也得到了量化體現(xiàn)。致能半導(dǎo)體在一款較大功率的圖騰柱PFC電源板上，對(duì)100微米和50微米兩種襯底厚度的器件進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試。結(jié)果顯示，在90伏輸入電壓條件下，50微米襯底器件的殼溫比100微米器件降低了13.6攝氏度；在264伏輸入電壓條件下，降幅達(dá)到14.5攝氏度。此外，在多種電壓和負(fù)載工況下，藍(lán)寶石基氮化鎵器件的溫升表現(xiàn)均低于同規(guī)格的硅基氮化鎵器件。

圖片來源：致能半導(dǎo)體
圖騰柱PFC電源測(cè)試板及100μm襯底（U79AHST010E）vs.50μm襯底（U79AHSS

值得關(guān)注的是，致能半導(dǎo)體還透露，已完成30微米藍(lán)寶石超薄襯底的技術(shù)儲(chǔ)備。這意味著未來在熱管理性能方面仍有進(jìn)一步提升的空間。對(duì)于追求高功率密度和高能效的系統(tǒng)應(yīng)用而言，襯底減薄技術(shù)為解決氮化鎵器件的散熱難題提供了一條可行的技術(shù)路徑。

行業(yè)分析人士認(rèn)為，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)對(duì)器件效率、可靠性和體積的要求不斷提高，襯底技術(shù)作為產(chǎn)業(yè)鏈上游的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其進(jìn)展直接影響下游應(yīng)用方案的競(jìng)爭(zhēng)力。藍(lán)寶石上氮化鎵技術(shù)在中高壓領(lǐng)域原本具備耐壓和可靠性方面的優(yōu)勢(shì)，散熱瓶頸的逐步突破，有助于拓展其在更多大功率場(chǎng)景中的適用范圍。

總體來看，藍(lán)寶石襯底減薄技術(shù)的推進(jìn)，反映了氮化鎵功率器件在材料與工藝層面的持續(xù)演進(jìn)。隨著相關(guān)技術(shù)在量產(chǎn)階段的進(jìn)一步驗(yàn)證，其在中高壓功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力有望進(jìn)一步增強(qiáng)。

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此次發(fā)布擴(kuò)展了瑞薩的產(chǎn)品組合，新增了四款基于瑞薩專有零待機(jī)功耗（ZSP）技術(shù)的控制器IC。

其中，核心產(chǎn)品RRW11011是一款集成交錯(cuò)式功率因數(shù)校正（PFC）與HWLLC的組合控制器，專為實(shí)現(xiàn)高功率密度與高效率而設(shè)計(jì)。該組合控制器使設(shè)計(jì)人員能在滿足USB擴(kuò)展功率范圍（EPR）及其它可變負(fù)載充電系統(tǒng)所需寬輸出范圍（5V至48V）的同時(shí)，有效降低工作溫度。

新方案還包含RRW30120 USB功率傳輸（USB PD）協(xié)議和閉環(huán)控制器（支持最高240W USB功率傳輸）、RRW40120半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器，以及RRW43110智能同步整流控制器。在240W USB EPR電源適配器設(shè)計(jì)中，該方案實(shí)現(xiàn)了高達(dá)3W/cc的功率密度和96.5%的峰值效率。

該平臺(tái)支持500W及以上功率輸出，可廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)及基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)。全新的HWLLC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將超高效、緊湊型電源架構(gòu)從100W級(jí)設(shè)計(jì)擴(kuò)展至500W級(jí)，為電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車等設(shè)備打造新一代高速充電器。

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三星半導(dǎo)體在2023年曾宣布其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年投產(chǎn)，但實(shí)際進(jìn)度有所滯后。據(jù)最新行業(yè)消息，三星的首條8英寸GaN生產(chǎn)線預(yù)計(jì)最快將于2026年第二季度投產(chǎn)，初期營(yíng)收規(guī)模預(yù)計(jì)不超過1000億韓元。

報(bào)道稱，三星電子已構(gòu)建了除芯片設(shè)計(jì)外的GaN解決方案體系，能夠自主生產(chǎn)GaN外延晶圓。

此外，三星電子還計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓代工生產(chǎn)線的運(yùn)營(yíng)。三星在SiC領(lǐng)域具備包括設(shè)計(jì)在內(nèi)的全流程能力，可與GaN在不同耐壓區(qū)間形成互補(bǔ)。

此前有媒體報(bào)道，三星已投資約1000億至2000億韓元引進(jìn)先進(jìn)工藝設(shè)備，其中包括Aixtron的MOCVD設(shè)備，用于碳化硅和氮化鎵（GaN）晶圓的加工。

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雙方將聚焦第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高端電力電子裝備領(lǐng)域的應(yīng)用，開展技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)配套及協(xié)同發(fā)展等全方位深度合作，重點(diǎn)探索高壓氮化鎵功率器件的聯(lián)合開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化落地路徑。

根據(jù)雙方簽署的官方協(xié)議，合作核心圍繞新風(fēng)光變頻器、儲(chǔ)能變頻器（PCS）、SST等核心產(chǎn)品對(duì)高頻、高壓元器件的實(shí)際需求，共同研發(fā)定制化GaN器件及功率模塊。

產(chǎn)業(yè)化落地方面，遠(yuǎn)山新材料相關(guān)GaN器件量產(chǎn)后，新風(fēng)光將在同等條件下優(yōu)先采購(gòu)，遠(yuǎn)山新材料則優(yōu)先保障技術(shù)支持與產(chǎn)能供給，未來?xiàng)l件成熟時(shí)，雙方還將探討戰(zhàn)略投資、股權(quán)合作等深化合作可能。

新風(fēng)光成立于2004年8月，是山東能源集團(tuán)控股的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、山東省屬企業(yè)中首家科創(chuàng)板上市公司，專注于電力電子技術(shù)相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心產(chǎn)品涵蓋變頻器、儲(chǔ)能變頻器、靜止無功發(fā)生器等，廣泛應(yīng)用于新能源、電力、工業(yè)等領(lǐng)域，在高壓級(jí)聯(lián)儲(chǔ)能、電能質(zhì)量?jī)?yōu)化等場(chǎng)景具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

遠(yuǎn)山新材料則是一家專注于第三代半導(dǎo)體材料與器件的高科技企業(yè)，具備了行業(yè)前沿的1200V-3000V藍(lán)寶石基底高壓氮化鎵（GaN）器件的研發(fā)與生產(chǎn)能力。

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展，氮化鎵等核心器件憑借耐高溫、低損耗、高頻高效的特性，成為高端電力電子裝備升級(jí)的核心支撐，廣泛應(yīng)用于新能源儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

行業(yè)分析認(rèn)為，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體材料、器件及裝備領(lǐng)域逐步突破，但高端器件與核心裝備的協(xié)同配套仍有短板，雙方的戰(zhàn)略合作實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游互補(bǔ)，既能推動(dòng)定制化器件研發(fā)量產(chǎn)，也能加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高端電力電子領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，助力行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：英諾賽科

作為本屆大會(huì)的焦點(diǎn)之一，中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（Innoscience）憑借在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的深厚積淀，成功斬獲“NVIDIA GTC MGX生態(tài)合作伙伴獎(jiǎng)”。值得注意的是，英諾賽科是本屆大會(huì)中唯一獲獎(jiǎng)的中國(guó)芯片企業(yè)。

圖片來源：英諾賽科

本屆GTC大會(huì)以“AI工業(yè)化與規(guī)?；瘧?yīng)用”為核心，重點(diǎn)聚焦AI Factory建設(shè)與數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)。隨著GPU功耗的攀升，傳統(tǒng)電力架構(gòu)已難以滿足高密度計(jì)算的需求。大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，800V HVDC（高壓直流）數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)成為多方關(guān)注的技術(shù)高地。

在該架構(gòu)生態(tài)中，英諾賽科展示了其尖端的電源解決方案。其核心產(chǎn)品——800V-to-50V全氮化鎵電源模塊方案，精準(zhǔn)切入了AI服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵前級(jí)轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。該模塊集成了英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件（包含8顆650V GaN和32顆100V GaN），能夠?qū)?00V高壓直流母線電壓直接轉(zhuǎn)換為50V服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)電壓，為后端GPU提供穩(wěn)定且高效的動(dòng)力支撐。

圖片來源：英諾賽科

此外，在NVIDIA本次展示的800V HVDC AI數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)生態(tài)中，超過半數(shù)的NVIDIA合作伙伴電源系統(tǒng)方案均采用了英諾賽科的氮化鎵功率器件，這意味著英諾賽科GaN技術(shù)已成為AI高壓直流供電架構(gòu)的主流選擇和關(guān)鍵核心器件之一。

相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，英諾賽科的氮化鎵技術(shù)具備高密度集成、極致能效表現(xiàn)和顯著降低系統(tǒng)成本三大優(yōu)勢(shì)，能更好適配AI服務(wù)器小型化趨勢(shì)，降低數(shù)據(jù)中心能耗與運(yùn)維成本。

作為目前全球產(chǎn)能規(guī)模較大的氮化鎵供應(yīng)商，英諾賽科通過與英偉達(dá)MGX生態(tài)的合作，完成了從基礎(chǔ)器件供應(yīng)商向定制化解決方案提供商的角色演進(jìn)。

目前，該公司已推出800V–50V、800V-12V、800V-6V等多種規(guī)格的電源模塊，旨在覆蓋不同代際AI硬件的電壓需求。雖然在高性能模擬芯片領(lǐng)域，全球市場(chǎng)仍由歐美傳統(tǒng)巨頭主導(dǎo)，但在GaN這一新興細(xì)分賽道，中國(guó)企業(yè)正通過產(chǎn)能布局與800V先進(jìn)制程的快速迭代，在AI算力供應(yīng)鏈中占據(jù)一席之地。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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晶升股份：聚焦碳化硅設(shè)備，市場(chǎng)拓展與業(yè)務(wù)調(diào)整并行

晶升股份在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域表現(xiàn)突出。在中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)，作為中國(guó)大陸較早進(jìn)入的碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備廠商，公司已實(shí)現(xiàn)向臺(tái)灣地區(qū)批量交付設(shè)備，替代了此前臺(tái)灣地區(qū)客戶依賴的德國(guó)、日本等國(guó)外廠商設(shè)備。目前，公司與數(shù)家臺(tái)灣地區(qū)主要客戶展開緊密合作，定制化能力及技術(shù)支持水平獲認(rèn)可，在當(dāng)?shù)負(fù)碛休^高市場(chǎng)占有率。

經(jīng)營(yíng)層面，2025年晶升股份受碳化硅及光伏行業(yè)低迷影響，經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)承壓。但自2025年底起，新增訂單逐步恢復(fù)，2026年碳化硅設(shè)備訂單已呈現(xiàn)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)，近期已有批量訂單陸續(xù)交付，經(jīng)營(yíng)低谷已過。

對(duì)于8英寸碳化硅需求，晶升股份稱，當(dāng)前需求增速不及2023-2024年6英寸需求爆發(fā)期，但訂單的確定性和可靠性更高。

在2026年業(yè)務(wù)規(guī)劃上，半導(dǎo)體長(zhǎng)晶設(shè)備業(yè)務(wù)需求將增長(zhǎng)，晶升股份除主營(yíng)產(chǎn)品外，將持續(xù)推進(jìn)半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備與核心耗材領(lǐng)域的進(jìn)口替代，加速新產(chǎn)品、新材料落地。光伏板塊受行業(yè)產(chǎn)能過剩影響，新增設(shè)備需求疲軟，晶升股份將聚焦存量長(zhǎng)晶設(shè)備的系統(tǒng)改造與升級(jí)。

芯聯(lián)集成：多元布局，碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)齊頭并進(jìn)

芯聯(lián)集成自成立以來便制定了清晰的發(fā)展路徑，規(guī)劃“三步走”戰(zhàn)略，從傳感器和功率器件基礎(chǔ)起步，逐步拓展至模擬IC、車規(guī)MCU，最終成為一站式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。在功率器件領(lǐng)域，公司深耕硅、碳化硅、氮化鎵等全系列功率器件及模組，為業(yè)務(wù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯聯(lián)集成盈利能力持續(xù)改善，2025年預(yù)計(jì)全年毛利率5.56%，歸母凈利潤(rùn)同比減虧40.31%。展望2026年，公司提出“營(yíng)業(yè)收入超100億元，實(shí)現(xiàn)有厚度的盈利轉(zhuǎn)正”目標(biāo)，這得益于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，碳化硅等高附加值業(yè)務(wù)占比提升。

在業(yè)務(wù)布局上，芯聯(lián)集成構(gòu)建了汽車、人工智能、高端消費(fèi)、工業(yè)控制四大增長(zhǎng)引擎。汽車領(lǐng)域，單車配套價(jià)值量持續(xù)攀升，從主驅(qū)功率芯片擴(kuò)展至多個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)；人工智能領(lǐng)域，2024年啟動(dòng)布局，相關(guān)產(chǎn)品已導(dǎo)入超10家機(jī)器人客戶；高端消費(fèi)領(lǐng)域，MEMS業(yè)務(wù)依托完整工藝平臺(tái)保持領(lǐng)先；工業(yè)控制領(lǐng)域，持續(xù)拓展高附加值應(yīng)用場(chǎng)景。

在核心業(yè)務(wù)方面，硅基功率器件行業(yè)2026年進(jìn)入景氣上行通道，中低壓MOSFET漲價(jià)，芯聯(lián)集成已執(zhí)行新價(jià)格體系，有望加速扭虧。AI服務(wù)器電源系統(tǒng)代工方案已導(dǎo)入三類客戶，2026年AI相關(guān)業(yè)務(wù)收入占比預(yù)計(jì)超10%。BCD業(yè)務(wù)受汽車電動(dòng)化智能化和AI算力爆發(fā)驅(qū)動(dòng)，車規(guī)級(jí)高壓BCD工藝平臺(tái)優(yōu)勢(shì)明顯，2026年高壓BCD業(yè)務(wù)收入有望同比增長(zhǎng)三倍。

此外，芯聯(lián)集成與星宇股份、九峰山實(shí)驗(yàn)室合作建設(shè)Micro LED研發(fā)與制造基地，GaN業(yè)務(wù)2024年下半年啟動(dòng)客戶送樣驗(yàn)證，已進(jìn)入產(chǎn)品導(dǎo)入期，聚焦AI數(shù)據(jù)中心電源和新能源汽車需求。

結(jié)語

芯聯(lián)集成與晶升股份在碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的布局與發(fā)展，反映了第三代半導(dǎo)體材料在多個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景和巨大市場(chǎng)潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的逐步拓展，這兩家公司有望在第三代半導(dǎo)體浪潮中取得更優(yōu)異的成績(jī)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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羅姆和臺(tái)積電在技術(shù)轉(zhuǎn)讓完成后將友好結(jié)束雙方在車用GaN領(lǐng)域的合作關(guān)系。同時(shí)，兩家公司將繼續(xù)加強(qiáng)合作，致力于開發(fā)更高效率、更緊湊的電源系統(tǒng)。

臺(tái)積電已于2025年7月宣布將逐步退出氮化鎵代工業(yè)務(wù)，并預(yù)計(jì)在2027年7月31日正式終止該項(xiàng)業(yè)務(wù)。

臺(tái)積電退出GaN自有業(yè)務(wù)后，正加速推進(jìn)技術(shù)授權(quán)合作，這一舉動(dòng)有望為數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車及人形機(jī)器人等前沿應(yīng)用注入了強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)能。

除了羅姆之外，格芯于2025年11月與臺(tái)積電簽署了氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議，藉由臺(tái)積電的技術(shù)加持，格芯旨在強(qiáng)化其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及汽車等關(guān)鍵電源應(yīng)用領(lǐng)域的布局，推動(dòng)半導(dǎo)體電源技術(shù)邁向高效能的新世代。

今年1月28日，世界先進(jìn)正式宣布與臺(tái)積電簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，引入其650V高壓與80V低壓氮化鎵制程技術(shù)。這項(xiàng)合作預(yù)計(jì)于2026年初啟動(dòng)開發(fā)作業(yè)，并計(jì)劃在2028年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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