而在近日，國(guó)內(nèi)又有一個(gè)碳化硅襯底項(xiàng)目通過(guò)了竣工驗(yàn)證，步入投產(chǎn)階段。近日據(jù)山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)消息，爍科晶體碳化硅二期項(xiàng)目已順利通過(guò)竣工驗(yàn)收，標(biāo)志著該項(xiàng)目正式投產(chǎn)。

source：爍科晶體

據(jù)悉，爍科晶體碳化硅二期項(xiàng)目位于山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)瀟河產(chǎn)業(yè)園太原起步區(qū)（北區(qū)）。從建設(shè)進(jìn)度來(lái)看，該項(xiàng)目在2023年8月完成備案，同年10月提交建設(shè)申請(qǐng)，并在2023年9月開(kāi)始建設(shè)，11月主體封頂。項(xiàng)目于2024年3月進(jìn)入機(jī)電與設(shè)備安裝階段，并計(jì)劃于同年4月開(kāi)始試運(yùn)行。目前，項(xiàng)目已圓滿完成驗(yàn)收，正式宣告投產(chǎn)。

產(chǎn)能方面，二期項(xiàng)目的建成，預(yù)計(jì)將為爍科晶體帶來(lái)每年新增20萬(wàn)片6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)能，其中包括N型碳化硅單晶襯底20萬(wàn)片/年、高純襯底2.5萬(wàn)片/年、莫桑晶體1.3噸/年。

8英寸進(jìn)展方面，爍科晶體于2021年8月研制出8英寸碳化硅晶體，隨后在2022年1月，爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)介紹，中國(guó)電科（山西）SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目于2023年9月份開(kāi)始建設(shè)，10月份進(jìn)入主體鋼結(jié)構(gòu)施工，11月主體完成封頂，現(xiàn)在已具備設(shè)備進(jìn)廠條件，預(yù)計(jì)將在今年1月底前開(kāi)始設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，3月可投入試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2025年投產(chǎn)，投產(chǎn)后年產(chǎn)能可達(dá)30萬(wàn)片SiC襯底。

據(jù)悉，中國(guó)電科（山西）SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目投資5億元，主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動(dòng)力配套等在內(nèi)的總面積1.6萬(wàn)平方米的綜合性廠房。

此前，中國(guó)電科（山西）SiC材料產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目于2019年4月開(kāi)工建設(shè)，9月主體封頂，12月設(shè)備開(kāi)始搬入，2020年2月實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目投產(chǎn)。一期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)18萬(wàn)片N型SiC單晶襯底、5萬(wàn)片高純半絕緣型SiC單晶襯底的產(chǎn)能。

資料顯示，爍科晶體成立于2018年，從事第三代半導(dǎo)體材料SiC生產(chǎn)和研發(fā)。公司通過(guò)自主創(chuàng)新和自主研發(fā)掌握了SiC生長(zhǎng)裝備制造、高純SiC粉料制備工藝，N型SiC單晶襯底和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝，形成了SiC粉料制備、單晶生長(zhǎng)、晶片加工等整套生產(chǎn)線，并在國(guó)內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。

2021年8月，爍科晶體成功研制出8英寸SiC晶體。2022年1月，爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型SiC襯底小批量生產(chǎn)，向8英寸國(guó)產(chǎn)N型SiC襯底的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。

成立至今，爍科晶體共完成兩輪融資，分別是2019年12月的A輪和2023年1月的B輪，投資方分別為中國(guó)電科和電科投資。

近年來(lái)，中電科在SiC領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。例如：2023年11月，中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運(yùn)行。

據(jù)悉，中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開(kāi)發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)，占地面積約10萬(wàn)平方米。2022年11月，中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線，標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地進(jìn)入試生產(chǎn)和驗(yàn)證階段。該項(xiàng)目分兩期實(shí)施，其中一期投資19.3億元，將建設(shè)成立第三代化合物外延材料產(chǎn)業(yè)基地等，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成6-8英寸化合物外延片12.6萬(wàn)片/年的產(chǎn)能。

此外，據(jù)中國(guó)電科2023年7月消息，隨著中國(guó)新能源汽車生產(chǎn)量突破2000萬(wàn)輛大關(guān)，中國(guó)電科國(guó)基南方、55所研制的新能源汽車用650V-1200V SiC MOSFET出貨量突破1200萬(wàn)只，實(shí)現(xiàn)大批量穩(wěn)定供貨。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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