公告顯示，星沅光電本輪總增資2400萬元，除研究院外，另有3家機構(gòu)合計出資1600萬元。增資前，研究院持有星沅光電20%股權(quán)；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%，星沅光電注冊資本將由625萬元增至812.5萬元，其他股東均放棄優(yōu)先認(rèn)購權(quán)。

圖片來源：長光華芯公告截圖

此次增資的核心關(guān)聯(lián)的是化合物半導(dǎo)體賽道。公告明確，星沅光電核心業(yè)務(wù)為高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發(fā)生產(chǎn)，而磷化銦是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的重要品類，與長光華芯主業(yè)的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導(dǎo)體材料體系。

長光華芯采用IDM模式進(jìn)行半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，構(gòu)建了砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺，是全球少數(shù)幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一。

長光華芯表示，公司本次向關(guān)聯(lián)方增資系為了保障星沅光電的產(chǎn)線建設(shè)與日常運營資金需求，加快開發(fā)高端磷化銦激光器芯片、器件及相關(guān)模塊、子系統(tǒng)，提升公司核心競爭力。

據(jù)悉，磷化銦具有優(yōu)異的光電特性，是AI數(shù)據(jù)中心高速光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域的核心材料，屬于當(dāng)前高景氣的化合物半導(dǎo)體賽道。長光華芯通過本次增資，實現(xiàn)從成熟GaAs激光芯片向高增長InP芯片的延伸，完善化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局，助力國產(chǎn)高端光芯片替代。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、投資超1.5億歐元，6英寸磷化銦工廠落子歐洲

近期，一座宣稱為“世界首座”的6英寸（150mm）級磷化銦光子芯片工業(yè)晶圓廠在荷蘭埃因霍溫正式動工。這不僅是一座制造廠，更是一條極具戰(zhàn)略意義的工業(yè)級中試線，旨在大幅加速磷化銦芯片從前沿概念邁向商業(yè)化應(yīng)用的整個流程。

該工廠所生產(chǎn)的6英寸光子晶圓是一種薄薄的圓形晶片，其顛覆性在于，晶片上制造的芯片是利用“光”而非傳統(tǒng)的“電”來進(jìn)行數(shù)據(jù)的處理與傳輸。在算力需求呈指數(shù)級爆炸的今天，這種高能效的晶圓對于建設(shè)節(jié)能型人工智能數(shù)據(jù)中心、部署6G網(wǎng)絡(luò)、推動醫(yī)療創(chuàng)新以及支撐超級計算機的運行都起著至關(guān)重要的作用。

該項目的落地匯聚了歐洲頂級的產(chǎn)學(xué)研資源，由荷蘭主要研究機構(gòu)TNO、埃因霍溫理工大學(xué)（TU/e）、PhotonDelta、SMART Photonics以及埃因霍溫高科技園區(qū)等多方聯(lián)手合作開展。

在資金注入上，該工廠的投資額超過了1.5億歐元，并且直接獲得了《歐洲芯片法案》的資金資助。按照規(guī)劃時間表，這座承載厚望的工廠將于2028年實現(xiàn)全面投產(chǎn)。屆時，它將具備每年生產(chǎn)多達(dá)1萬片晶圓以及1000萬個光子芯片的龐大產(chǎn)能，光子芯片商業(yè)化有望步入發(fā)展快車道。

02、6G利好磷化銦，全球廠商加速布局

除了歐洲的大手筆投資，宏觀政策的定調(diào)與新一代通信技術(shù)的演進(jìn)，正賦予磷化銦不可替代的產(chǎn)業(yè)使命。

中國對未來產(chǎn)業(yè)的布局正全面提速，2026年政府工作報告中明確提出，要建立未來產(chǎn)業(yè)投入增長和風(fēng)險分擔(dān)機制，并重點培育發(fā)展未來能源、量子科技、具身智能、腦機接口以及6G等極具潛力的未來產(chǎn)業(yè)。

作為繼5G之后的下一代全球通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系，6G被業(yè)界廣泛譽為萬物互聯(lián)的“引擎”和數(shù)字時代的“底座”。未來，6G網(wǎng)絡(luò)將支持峰值速率達(dá)到Tbps級、空口時延低至0.1毫秒，連接密度提升至每平方公里千萬級，并通過空天地海一體化架構(gòu)實現(xiàn)從深海到深空的全域覆蓋。

在這一龐大的6G產(chǎn)業(yè)帝國中，處于產(chǎn)業(yè)鏈上游基礎(chǔ)層的化合物半導(dǎo)體材料（如砷化鎵、氮化鎵、磷化銦）、太赫茲射頻器件等構(gòu)筑了產(chǎn)業(yè)基石。

其中，磷化銦憑借其優(yōu)異的高頻、高速及光電轉(zhuǎn)換等性能，將成為6G通信技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵材料之一，推動其在太赫茲通信、光電融合、衛(wèi)星通信及量子技術(shù)等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，有望在6G產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮下深度受益。

巨大的市場潛能引發(fā)了全球范圍內(nèi)的激烈角逐。目前的全球磷化銦廠商主要集中在日本、美國和中國，國際廠商憑借深厚的技術(shù)積累依然占據(jù)著主導(dǎo)地位。其中，日本住友電工是全球磷化銦襯底市場的龍頭，其采用垂直布里奇曼法（VB法）生產(chǎn)，可穩(wěn)定供應(yīng)2-6英寸的優(yōu)質(zhì)襯底，產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于光通信與射頻器件領(lǐng)域，并與全球頭部的光模塊廠商保持著深度合作。此外，美國AXT、法國的InPact等公司同樣占據(jù)舉足輕重的地位。

面對國際巨頭的主導(dǎo)地位，中國國內(nèi)廠商在國產(chǎn)替代的進(jìn)程中加速突破，正成為推動全球磷化銦產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心力量。

其中，云南鍺業(yè)（持股云南鑫耀）作為國內(nèi)磷化銦襯底的領(lǐng)軍企業(yè)，已成功實現(xiàn)6英寸磷化銦襯底的量產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，且產(chǎn)品已順利進(jìn)入國內(nèi)頭部光模塊廠商的供應(yīng)鏈。

有研新材承擔(dān)了國家02專項“6英寸磷化銦單晶片制備”項目，其2-4英寸襯底已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，而關(guān)鍵的6英寸襯底已完成技術(shù)攻關(guān)，具備了快速產(chǎn)業(yè)化的能力。

三安光電作為國內(nèi)化合物半導(dǎo)體IDM龍頭，深度布局了磷化銦全產(chǎn)業(yè)鏈，其生產(chǎn)的磷化銦外延片及光芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)批量供貨，并被應(yīng)用于800G/1.6T高速光模塊中，規(guī)模優(yōu)勢與技術(shù)迭代能力強勁。
陜西銦杰半導(dǎo)體致力于國產(chǎn)替代，技術(shù)團隊具備扎實的晶體生長和外延工藝研發(fā)能力，產(chǎn)品線覆蓋了2-4英寸襯底及外延片，正聯(lián)合國內(nèi)機構(gòu)全力推動磷化銦技術(shù)國產(chǎn)化進(jìn)程。

03、結(jié)語

無論是在歐洲斥巨資投建6英寸磷化銦工廠，還是2026年中國政府工作報告將6G列為未來產(chǎn)業(yè)重點，都彰顯了磷化銦在數(shù)字基建中不可替代的戰(zhàn)略地位。盡管美日國際廠商目前占據(jù)主導(dǎo)，但在國產(chǎn)替代浪潮下，中國企業(yè)正憑借技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)能擴張加速突圍。隨著6G商用時代的逼近，全球磷化銦產(chǎn)業(yè)必將迎來新一輪的爆發(fā)與重塑。

（集邦化合物半導(dǎo) 秦妍 整理）

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圖片來源：JX官網(wǎng)新聞稿截圖

此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計算，總投資額約達(dá)33億日元（約合2200萬美元），旨在將公司InP襯底的產(chǎn)能提升約50%（相比2025年水平）。此舉明確指向由生成式AI驅(qū)動的全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮。

AI推動光通信材料需求急增
此次大規(guī)模擴產(chǎn)的核心驅(qū)動力是AI算力對高速光通信的爆炸性需求。

磷化銦（InP）襯底是制造高性能光通信器件的關(guān)鍵核心材料。隨著生成式AI的快速普及，全球數(shù)據(jù)中心的建設(shè)正在加速，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和之間的數(shù)據(jù)傳輸量呈指數(shù)級增長。InP襯底對于生產(chǎn)光通信中的光發(fā)射器和接收器至關(guān)重要，是保障數(shù)據(jù)在光模塊中實現(xiàn)高速、大容量、低能耗傳輸?shù)幕?/p>

JX金屬在7月份宣布了首輪約15億日元的投資計劃（將產(chǎn)能提高約20%）。然而，鑒于AI持續(xù)演進(jìn)帶來的InP需求激增速度遠(yuǎn)超預(yù)期，公司決定進(jìn)一步追加投資。

JX金屬在新聞稿中表示，建立一個能應(yīng)對InP襯底需求急劇增加的系統(tǒng)已成為當(dāng)務(wù)之急。

InP：未來光電融合技術(shù)的關(guān)鍵
作為全球少數(shù)幾家擁有40多年InP襯底制造經(jīng)驗的制造商之一，JX金屬此舉不僅是為了滿足當(dāng)前光通信市場的需求，更是對未來技術(shù)的戰(zhàn)略布局。

InP襯底除了廣泛應(yīng)用于光通信模塊外，還是光電融合技術(shù)（Photonic-Electronic Convergence Technology）的潛在核心材料。光電融合技術(shù)被視為下一代信息通信基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵，它有望將高速數(shù)據(jù)處理能力和極低的能耗帶入板間、甚至芯片封裝間的通信。

通過此次總額達(dá)33億日元的投資，JX金屬將顯著強化其在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的全球競爭力和供應(yīng)鏈地位，為全球AI和高速通信基礎(chǔ)設(shè)施提供強有力的支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：九峰山實驗室（圖為九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片）

該成果不僅將關(guān)鍵性能指標(biāo)提升至國際領(lǐng)先水平，更是國內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備上實現(xiàn)從核心設(shè)備到關(guān)鍵材料的全面國產(chǎn)化，為我國光電子器件產(chǎn)業(yè)的規(guī)?；l(fā)展提供了有力支撐。

作為光通信、量子計算等前沿領(lǐng)域的核心材料，磷化銦（InP）的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用一直受限于大尺寸制備的技術(shù)瓶頸。長期以來，行業(yè)主流停留在3英寸工藝階段，高昂的生產(chǎn)成本難以滿足光通信、激光雷達(dá)、太赫茲通信等下游產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長需求。

九峰山實驗室此次的突破在于，依托國產(chǎn)MOCVD設(shè)備和國內(nèi)合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化銦襯底技術(shù)，成功解決了大尺寸外延均勻性控制這一世界性難題。

其自主研發(fā)的6英寸外延生長工藝，使得FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)差小于1.5nm，組分與厚度均勻性小于1.5%；PIN探測器材料本底濃度小于4×101?cm?3，遷移率大于11000cm2/V·s，這些關(guān)鍵性能指標(biāo)均達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

此項技術(shù)突破有望將國產(chǎn)光芯片的制造成本降低至3英寸工藝的60%至70%，顯著增強我國光芯片的市場競爭力。

九峰山實驗室本次技術(shù)突破的另一大亮點是其協(xié)同創(chuàng)新模式。通過聯(lián)合國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，實驗室實現(xiàn)了從襯底、外延設(shè)備到關(guān)鍵工藝的“全鏈路”突破。其中，云南鑫耀作為合作方，其6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已取得突破，即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

這一模式對促進(jìn)我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展、奠定產(chǎn)業(yè)自主可控的基礎(chǔ)具有深遠(yuǎn)影響。未來，九峰山實驗室將繼續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺，并推動下游產(chǎn)品驗證，為我國光電子產(chǎn)業(yè)的升級貢獻(xiàn)力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該公司預(yù)計未來InP襯底的需求將持續(xù)走高，也正在考慮根據(jù)需要靈活地進(jìn)行進(jìn)一步投資。

早在2019年，JX先進(jìn)金屬公司便已將其重點業(yè)務(wù)（包括半導(dǎo)體材料、信息通信材料等先進(jìn)材料）定位為增長戰(zhàn)略的核心，該公司一直在努力打造繼半導(dǎo)體濺射靶材、壓延銅箔等主力產(chǎn)品之后的下一代收入支柱，磷化銦襯底被寄予厚望。

資料顯示，磷化銦可廣泛應(yīng)用于光通信收發(fā)器件、可穿戴設(shè)備中的接近傳感器及工業(yè)級圖像傳感器領(lǐng)域。作為全球少數(shù)具備磷化銦襯底量產(chǎn)能力的制造商之一，JX先進(jìn)金屬已深耕該材料研發(fā)與生產(chǎn)長達(dá)四十余年。該公司看好磷化銦未來前景，認(rèn)為隨著光通信越來越多地用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸，市場對磷化銦襯底的需求也在不斷增長。

業(yè)界指出，在AI技術(shù)重塑全球產(chǎn)業(yè)格局的今天，半導(dǎo)體材料作為底層支撐正經(jīng)歷深刻變革。磷化銦憑借超高速電子傳輸、精準(zhǔn)光譜匹配、耐極端環(huán)境等特性，有望成為AI時代高速通信、高頻計算與量子技術(shù)的核心材料。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該設(shè)備專為砷化物/磷化物應(yīng)用設(shè)計，采用創(chuàng)新的注入器和先進(jìn)溫控技術(shù)，使關(guān)鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時，具備全自動盒到盒操作能力，并通過原位清洗確保工藝穩(wěn)定性，為高質(zhì)量PIC生產(chǎn)提供了可靠保障。

愛思強成立于1983年，其技術(shù)解決方案廣泛應(yīng)用于激光/LED、顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、電源管理等前沿領(lǐng)域。

SMART Photonics是愛思強的長期合作伙伴，成立于2012年，依托埃因霍溫理工大學(xué)的技術(shù)支持，已成為歐洲領(lǐng)先的InP PIC代工廠。

此次設(shè)備交付，標(biāo)志著兩家公司在磷化銦光子集成電路制造領(lǐng)域的合作進(jìn)入新階段，將為全球光電子產(chǎn)業(yè)鏈提供更強大的技術(shù)支持。

業(yè)界指出，近年，得益于5G/6G通信、醫(yī)療健康、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及汽車激光雷達(dá)等傳感技術(shù)的廣泛應(yīng)用，基于磷化銦的光子集成電路市場需求快速上升。愛思強G10-AsP系統(tǒng)有望提升SMART Photonics在GaAs/InP材料領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)能力，助力其應(yīng)對快速增長的市場需求。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

source：先導(dǎo)科技集團

消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底實現(xiàn)投產(chǎn)運營。未來，半導(dǎo)體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠房下線，有力補強光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。

此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠房將承擔(dān)核心材料制造，具體來看：

M1廠房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線（應(yīng)用于5G射頻芯片）
M2廠房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線（光通信激光器核心材料）
M3廠房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線
M4廠房?? 鍺片生產(chǎn)基地（紅外探測器關(guān)鍵材料）

資料顯示，先導(dǎo)科技集團有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月，該項目落戶光谷，投資120億元建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項目。項目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。

“這相當(dāng)于在光谷建造了一個‘化合物半導(dǎo)體超市’?！表椖靠偣こ處熇蠲魍嘎叮椖窟_(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片，滿足全球15%的高端需求。

化合物半導(dǎo)體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，我國砷化鎵襯底進(jìn)口依存度仍高達(dá)83%，磷化銦更是超過90%。

化合物半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關(guān)鍵變革的重要節(jié)點。從市場規(guī)模來看，隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費電子等眾多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料需求的持續(xù)攀升，化合物半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)出增長態(tài)勢。業(yè)界預(yù)測，未來幾年全球化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率，市場前景極為廣闊。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，各國科研團隊與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入，致力于攻克技術(shù)難題。在材料生長工藝上，分子束外延（MBE）和金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等先進(jìn)技術(shù)持續(xù)優(yōu)化，能夠生長出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導(dǎo)體材料，為后續(xù)芯片制造奠定堅實基礎(chǔ)。在芯片設(shè)計與制造工藝方面，也取得了諸多突破，例如新型器件結(jié)構(gòu)的研發(fā)，有效提升了化合物半導(dǎo)體芯片的性能與集成度。

競爭格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢。國際上，歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術(shù)、品牌和市場優(yōu)勢，在高端產(chǎn)品領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。

美國的Wolfspeed在碳化硅（SiC）領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源等對功率器件要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域，為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面技術(shù)成熟，產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設(shè)備提供了穩(wěn)定高效的信號處理能力。

同時，韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力，積極布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，在中低端市場通過成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢具備較強競爭力。

隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力，近年來取得了顯著進(jìn)展。

source：穩(wěn)懋半導(dǎo)體

穩(wěn)懋半導(dǎo)體等企業(yè)專注于化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，憑借豐富的代工經(jīng)驗與較高的生產(chǎn)效率，在全球化合物半導(dǎo)體代工市場占據(jù)重要份額，為全球眾多設(shè)計公司提供生產(chǎn)制造服務(wù)。

而上述提到的先導(dǎo)科技集團在光谷投資建設(shè)的120億元化合物半導(dǎo)體基地，更是國內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個重要縮影。

越來越多的國內(nèi)企業(yè)開始涉足化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無到有的突破，逐步縮小與國際先進(jìn)水平的差距。但整體而言，國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)實力、高端人才儲備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面，與國際領(lǐng)先水平仍存在一定差距。

從應(yīng)用領(lǐng)域拓展來看，除了傳統(tǒng)的通信、電子領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測器等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。業(yè)界表示，可預(yù)見的是，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低，化合物半導(dǎo)體將在更多領(lǐng)域大放異彩，成為推動全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體南清整理）

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根據(jù)公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導(dǎo)體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項目（一期）”，并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線，主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片。本次投資為項目一期，項目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導(dǎo)體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、背光、超高清顯示等多個領(lǐng)域。自2023年起，兆馳半導(dǎo)體進(jìn)一步布局光通信領(lǐng)域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期，國內(nèi)還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項目披露了最新進(jìn)展，分別由縱慧芯光、芯辰半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)建設(shè)。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢能資本”消息，芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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該項目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備，擴建全球首個6英寸（150mm）InP生產(chǎn)線，以擴大InP器件的規(guī)?；a(chǎn)。

6英寸InP晶圓（ source：Coherent）

據(jù)悉，今年3月，Coherent宣布已建立全球首個6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設(shè)了6英寸InP產(chǎn)能，未來將實現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費電子及可穿戴設(shè)備用先進(jìn)傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用場景。

Coherent預(yù)期在未來幾年，InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢，鞏固其在通信和傳感領(lǐng)域的可持續(xù)競爭力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）與砷化鎵（GaAs）領(lǐng)域都有不同程度進(jìn)展。

·碳化硅領(lǐng)域

2024年4月，Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金，用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體（分別為碳化硅和單晶金剛石）的商業(yè)化。

9月26日，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。

·砷化鎵領(lǐng)域

9月27日，為簡化運營，Coherent將其位于英國北部達(dá)勒姆郡牛頓艾克利夫（Newton Aycliffe,County Durham）的晶圓廠出售給了英國政府，售價為2000萬英鎊。

Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國防領(lǐng)域制造III-V族化合物半導(dǎo)體射頻微電子和光電子器件，生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機等軍事技術(shù)的砷化鎵半導(dǎo)體。

Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示：“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡化運營努力的一部分，這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長期增長和盈利能力的領(lǐng)域?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）

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對于此次調(diào)價的原因，銦杰半導(dǎo)體指出，原材料高純銦價格自2024年1月開始持續(xù)上漲，漲幅超40%，同時，其余材料成本也都有所上升，在此背景下，公司決定調(diào)整產(chǎn)品價格。

據(jù)了解，銦資源極度稀缺，是戰(zhàn)略金屬資源之一，在科技領(lǐng)域用途廣泛。據(jù)曲合期貨行情中心顯示，近一年來，銦的報價從2000元/千克上漲至今年5月10日的3000元/千克，漲幅達(dá)50%，價格創(chuàng)2016年以來新高。

而磷化銦是一種多功能的化合物半導(dǎo)體材料，在光電子和微電子行業(yè)中扮演著重要角色，尤其在5G高速通信、光模塊、自動駕駛激光雷達(dá)以及可穿戴設(shè)備傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)重要的基礎(chǔ)材料。

銦杰半導(dǎo)體致力于磷化銦化合物半導(dǎo)體多晶材料的研究與開發(fā)，擁有完全自主產(chǎn)權(quán)的設(shè)備、工藝和控制系統(tǒng)，據(jù)稱已實現(xiàn)核心材料進(jìn)口替代，是國內(nèi)唯一一家可以批量生產(chǎn)高純磷化銦多晶的本土企業(yè)。目前，該公司正在建設(shè)年產(chǎn)220噸磷化銦材料生產(chǎn)線項目。

從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看，磷化銦材料漲價將傳導(dǎo)至下游光電芯片等領(lǐng)域，相關(guān)廠商如三安光電、長光華芯、縱慧芯光、源杰半導(dǎo)體等。若后續(xù)更多材料廠商作出產(chǎn)品調(diào)整的通知，光電芯片等下游產(chǎn)品的價格或?qū)⑼缴蠞q。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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