2024年度,公司預計實現(xiàn)營業(yè)收入30.93億元左右,同比增長15%左右;預計實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為虧損2.55億元左右,同比下降487.82%左右;預計歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤為虧損2.55億元左右,同比增虧141.65%左右。
立昂微表示,報告期內,得益于半導體行業(yè)景氣度的見底回升及公司加強市場拓展、調整產品結構,公司主要產品產銷量同比實現(xiàn)了大幅增長。折合6英寸的半導體硅片銷量約1514.17萬片(含對立昂微母公司的銷量218.90萬片),同比增長約53.82%,其中12英寸硅片銷量約110.30萬片(折合6英寸約441.19萬片),同比增長約121.23%;半導體功率器件芯片銷量約182.40萬片,同比增長約6.30%;化合物半導體射頻芯片銷量約4萬片,同比增長約123.04%。
圖片來源:拍信網正版圖庫
報告期內,受益于市場需求的增長,公司預計實現(xiàn)主營收入約30.65億元同比增長約14.87%,創(chuàng)出歷史新高。其中:公司半導體硅片業(yè)務板塊預計實現(xiàn)營業(yè)收入約22.37億元(含對立昂微母公司的3.33億元),同比增長約24.82%;化合物半導體射頻芯片板塊預計實現(xiàn)營業(yè)收入約2.95億元,同比增長約115.08%。
報告期內,公司功率器件芯片進入車規(guī)電子領域并已大批量交付國內外知名汽車廠商,F(xiàn)RD芯片以一級供應商的身份進入國內某重要公司的供應鏈。射頻芯片業(yè)務和技術已進入全球第一梯隊,射頻芯片產品進入低軌衛(wèi)星終端客戶并實現(xiàn)大規(guī)模出貨;開發(fā)了二維可尋址VCSEL工藝技術,成為行業(yè)內首家量產維可尋址激光雷達VCSEL芯片的制造廠商。
受益于產品技術實現(xiàn)完全突破,公司射頻芯片已基本覆蓋國內主流手機芯片設計客戶,國產替代加速;多規(guī)格、小批量、多用途、高附加值的特殊用途產品持續(xù)放量。在客戶總量、訂單數、產能利用率、出貨量、銷售額等方面均有大幅度增長,毛利率大幅轉正。(集邦化合物半導體整理)
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]]>公開資料顯示,該公司經營范圍含電子專用材料制造、集成電路芯片及產品制造、半導體分立器件制造、電子專用材料研發(fā)、電子專用材料銷售、半導體分立器件銷售等。
立昂微成立于2002年3月,專注于集成電路用半導體材料、半導體功率芯片、集成電路芯片設計、開發(fā)、制造、銷售。其主營業(yè)務主要分三大板塊,分別是半導體硅片、半導體功率器件芯片、化合物半導體射頻芯片。
據了解,2024年下半年以來,除立昂微外,還有多家功率器件廠商成立了新公司。
其中,時代電氣旗下中車時代半導體于9月26日全資成立了合肥中車時代半導體有限公司,注冊資本3.1億人民幣,經營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。
揚杰科技于11月1日全資成立了揚州東興揚杰研發(fā)有限公司,注冊資本500萬人民幣,經營范圍含電力電子元器件銷售、電子產品銷售、新材料技術研發(fā)等。
宏微科技等于11月26日成立了上海宏微愛賽半導體有限公司,注冊資本500萬人民幣,經營范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設備銷售、電力電子元器件銷售等。(集邦化合物半導體Zac整理)
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]]>近日,國內又有2個砷化鎵、磷化銦相關項目幾乎同時披露了最新進展,分別是海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目、唐晶量子化合物半導體外延片項目,兩個項目合計投資額超過50億元。
source:立昂微
海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目通線
12月24日,據杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡稱:立昂微)官微消息,海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目于12月23日正式通線。
據介紹,海寧立昂東芯注冊成立于2021年,是立昂微化合物半導體射頻芯片業(yè)務板塊新的生產基地項目。項目規(guī)劃總投資50億元,布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵(GaN HEMT)以及垂直腔面激光器(VCSEL)等產品領域,建成后將達到年產36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產規(guī)模。
唐晶量子化合物半導體外延片項目投產
12月22日,據“長安號”消息,西安高新區(qū)近日舉行了2024年下半年重點項目集中竣工投產活動,本次活動共有23個重點項目正式竣工投產,總投資達335.22億元,其中包括唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產項目。
據報道,唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產項目建設了一條砷化鎵和磷化銦化合物半導體外延片生產線,用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產。
砷化鎵、磷化銦產線建設趨火
近期,砷化鎵、磷化銦產業(yè)似乎掀起了一股投資擴產潮,除上述兩個項目外,還有多個廠商披露了在砷化鎵、磷化銦領域的最新項目進展或規(guī)劃。
其中,常州縱慧芯光半導體科技有限公司旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”在今年10月已完成封頂。該項目總投資5.5億元,規(guī)劃用地40畝,預計明年1月投產,達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。
珠海華芯微電子有限公司首條6英寸砷化鎵晶圓生產線近日正式調通,并生產出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓,預計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產。
12月9日,高意(Coherent)宣布,其根據《芯片與科學法案》與美國商務部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元(約2.4億人民幣),以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴建。該項目將通過增加先進的晶圓制造設備,擴建全球首個6英寸磷化銦生產線,以擴大磷化銦器件的規(guī)模化生產。
隨后在12月21日,兆馳股份發(fā)布公告,擬投資建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產線。本次投資為項目一期,項目一期建設擬投資金額不超過5億元。
作為上述這些擴產項目的主角之一,?砷化鎵具有多種優(yōu)勢,包括高頻率、高速度、高功率、低噪聲和低功耗,?這些特性使得砷化鎵在微波通信、高速集成電路、光電子器件等領域表現(xiàn)出色。
而磷化銦具有較高的電子遷移率和飽和電子漂移速度,適合制造高頻和高速電子設備?,此外,磷化銦在光電特性方面也表現(xiàn)出色,適合光電子和光通信應用,磷化銦襯底制造的半導體器件廣泛應用于光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等領域。
從應用領域來看,近期的砷化鎵、磷化銦擴產項目也基本都是圍繞微波射頻、VCSEL激光芯片、光通信等場景展開,有望進一步推動砷化鎵、磷化銦器件在各個領域的滲透。(文:集邦化合物半導體Zac)
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]]>11月29日,立昂微發(fā)布公告稱,公司擬將全資子公司海寧立昂東芯微電子有限公司(下文簡稱海寧立昂東芯)100%的股權轉讓給公司控股子公司杭州立昂東芯微電子有限公司。本次股權轉讓是公司合并報表范圍內的公司之間的股權轉讓,不會導致公司合并報表范圍發(fā)生變化。轉讓完成后,公司全資子公司海寧東芯變更為公司二級控股子公司。
本次股權轉讓受讓方立昂東芯的經營范圍包括:生產:化合物半導體芯片;批發(fā)、零售:電子產品,機電設備及配件,計算機軟硬件及配件;技術開發(fā)、技術咨詢、技術服務、成果轉讓:集成電路及半導體芯片等。
本次交易標的海寧東芯的經營范圍包括:一般項目:集成電路制造;集成電路銷售;集成電路設計;技術服務、技術開發(fā)、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣等。
本次股權轉讓的轉讓價格參考坤元資產評估有限公司于2023年11月10日出具的《杭州立昂微電子股份有限公司擬進行股權轉讓涉及的海寧立昂東芯微電子有限公司股東全部權益價值評估項目資產評估報告》對海寧東芯的評估價值。
該評估報告的評估基準日為2023年9月30日,海寧東芯的實繳注冊資本為3260萬元,評估價值為32605.0156萬元,實收資本與評估價值之間的差異較小。自評估基準日至2023年11月20日,海寧東芯的實收資本已增加至34600萬元。
考慮到海寧東芯目前處于建設投入階段,尚未開展經營業(yè)務,實收資本與評估價值之間差異較小,因此經股權轉讓各方協(xié)商,本次股權轉讓的轉讓價格確定為海寧東芯截至2023年11月20日的實收資本34600萬元。
受讓方應于本協(xié)議簽署日起9個月內,向轉讓方付清全部股權轉讓價款。
立昂東芯作為一家專門從事砷化鎵、氮化鎵微波射頻集成電路芯片代工服務的公司,致力于打造中國第一家具有相當大規(guī)模產能的6英寸砷化鎵、氮化鎵微波射頻芯片代工生產線,產品服務迅速發(fā)展的4G、5G無線通信和人工智能領域。立昂微和杭州耀高企業(yè)管理合伙認企業(yè)(有限合伙人)分別持有該公司股份占比達86.21%、9%。
立昂微表示,公司將全資子公司海寧東芯全部股權轉讓給控股子公司立昂東芯的目的系為優(yōu)化公司管理架構,合理配置資源,加強公司化合物半導體射頻芯片產品業(yè)務的統(tǒng)一管理。海寧東芯與立昂東芯的主營業(yè)務一致,均為化合物半導體射頻芯片的研發(fā)、生產和銷售,公司于2021年設立海寧東芯的目的即為增加化合物半導體射頻芯片產品產能。
目前立昂東芯的化合物半導體射頻芯片產品已初具規(guī)模,海寧東芯有望于2024年投入運營,將海寧東芯轉讓給立昂東芯有助于加強公司化合物半導體射頻芯片產品業(yè)務的統(tǒng)一管理,具有必要性和合理性。(文:集邦化合物半導體Morty整理)
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