除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機外，艾恩半導(dǎo)體對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一款硅基中束流離子注入機。

除此之外，由艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)制造的碳化硅大束流離子注入機，預(yù)計將于今年年底推向市場，有望填補國產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。

資料顯示，離子注入機是芯片制造領(lǐng)域僅次于光刻工藝的重要環(huán)節(jié)，其注入效果決定了芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件最基本、最核心的電學(xué)性能，對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。

由于技術(shù)復(fù)雜度高、驗證周期長的特點，長期以來離子注入機被國外大廠壟斷，國產(chǎn)化率極低，國內(nèi)半導(dǎo)體廠商極易被“卡脖子”。這一背景下，近年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極瞄準(zhǔn)該領(lǐng)域發(fā)展。

艾恩半導(dǎo)體專注于芯片制造核心設(shè)備——離子注入機研發(fā)、制造，2024年年底，在其天使投資人——魯信集團直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的“牽線搭橋”下，艾恩半導(dǎo)體將公司總部遷入山東、落地濟南高新區(qū)。

source：艾恩半導(dǎo)體

據(jù)悉，魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立之初便進行投資孵化，積極通過招商引資助其落戶山東，將有效補強山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，充分發(fā)揮承上啟下作用，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，助力國產(chǎn)離子注入機供應(yīng)鏈自主可控盡快成為現(xiàn)實。

山東作為中國工業(yè)大省，正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。山東已將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)納入新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新行動計劃核心板塊，明確提出實施“標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略材料攻堅行動”。

目前，山東已形成涵蓋襯底材料、外延生長、芯片設(shè)計、器件制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈，涌現(xiàn)出山東天岳、山東晶鎵、艾恩半導(dǎo)體等眾多知名企業(yè)。

區(qū)域布局上，濟南依托國家集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地，聚焦碳化硅基功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)，打造國際先進產(chǎn)業(yè)基地；青島發(fā)揮整機應(yīng)用優(yōu)勢，形成從材料到封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈；濟寧強化上游材料基礎(chǔ)，濰坊布局研發(fā)創(chuàng)新，其他地市差異化協(xié)同發(fā)展。

其中，濟南近期發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項目獲得國家支持。

1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會在無錫組織召開科技成果評價會。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團周旗鋼教授以及來自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項科技成果進行了評價。

專家組一致認(rèn)為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項目，獨創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機驅(qū)動并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國際發(fā)明展金獎

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長劉凱教授攜項目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項目面向極端服役環(huán)境對高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項目相關(guān)成果已獲得多項國家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語

在“雙碳”目標(biāo)與智能制造升級的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領(lǐng)域，推動能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

source：芯干線科技

AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測試，順利通過某全球某一線AI服務(wù)器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗證，預(yù)計在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。

3C消費電子領(lǐng)域，芯干線為某全球一線手機品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增強型(E-mode)氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻150mΩ，DFN5x6封裝。

專業(yè)音頻領(lǐng)域，芯干線針對高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過國際一線品牌的認(rèn)證并實現(xiàn)量產(chǎn)。

新能源儲能領(lǐng)域，芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導(dǎo)通電阻，在導(dǎo)通電阻與動態(tài)性能上均實現(xiàn)了相當(dāng)大的提升。

展望2025，芯干線計劃將研發(fā)投入提升至營收的25%，重點突破車規(guī)級SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標(biāo)在新能源汽車功率半導(dǎo)體市場實現(xiàn)從0到1的突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

據(jù)悉，中微公司此次簽約的微觀加工設(shè)備研發(fā)中心項目，將擴大在南昌高新區(qū)的研發(fā)投入力度。

項目重點聚焦于多個關(guān)鍵領(lǐng)域，包括用于先進封裝產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造相關(guān)設(shè)備與工藝的開發(fā)、第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）功率器件相關(guān)制造設(shè)備與工藝的開發(fā)、Micro LED用MOCVD設(shè)備應(yīng)用推廣以及Mini LED用MOCVD設(shè)備性能提升等。這些研發(fā)方向不僅契合當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，也體現(xiàn)了中微公司在高端微觀加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)實力和戰(zhàn)略布局。

公開資料顯示，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，中微公司已經(jīng)取得了顯著進展。據(jù)悉，中微公司推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoPD5，目前已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進行生產(chǎn)驗證，并取得了重復(fù)訂單；其中微公司啟動了SiC功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，并取得了較大的技術(shù)進展。公司已將樣機付運至客戶端開展生產(chǎn)驗證，并正與多家客戶正在推進合作。

source：中微半導(dǎo)體（圖為中微半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備）

值得關(guān)注的是，據(jù)中微公司2024年年度業(yè)績快報公告，公司2024年營業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，刻蝕設(shè)備銷售約72.77億元，同比增長約54.73%；MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%；LPCVD設(shè)備2024年實現(xiàn)首臺銷售，全年設(shè)備銷售約1.56億元。

2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤約16.26億元，較上年同期減少8.93%。凈利潤下降的主要原因是2024年公司研發(fā)投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為27.05%。

據(jù)成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，在今年更早的2月18日，中微公司與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備。

同時，中微公司還將建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。項目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計劃購地約50余畝，用于建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施，以滿足量產(chǎn)需求。項目擬于2025年啟動建設(shè)，2027年正式投入生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 王琪 整理）

未來網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺專項政策扶持，江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點發(fā)展方向，打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

科研攻堅方面，依托南京大學(xué)、東南大學(xué)、南京理工大學(xué)等高校，南京持續(xù)推進碳化硅器件、氮化鎵外延片等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

其中，東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點實驗室，致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！

SEMICON China 2025展會期間，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備新銳創(chuàng)企新凱來“首秀”，引發(fā)現(xiàn)場極大關(guān)注。新凱來展出了工藝裝備、量檢測裝備等全系列產(chǎn)品，并發(fā)布了五款新品，涉及先進制程、第三代半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。

五款新品分別是：

EPI（峨眉山）：專攻先進制程及第三代半導(dǎo)體。
ALD（阿里山）：支持5nm及更先進制程。
PVD（普陀山）：金屬鍍膜精度微米級，已進入國內(nèi)晶圓代工大廠驗證階段。
ETCH（武夷山）：聚焦第三代半導(dǎo)體刻蝕。
CVD（長白山）：適配5nm，兼容多種制程節(jié)點。

據(jù)悉，EPI外延層是半導(dǎo)體制造中的重要技術(shù)，尤其是在先進制程和第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。ETCH蝕刻是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一道相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝，目前主要由國際巨頭主導(dǎo)；CVD化學(xué)氣相沉積是半導(dǎo)體制造中需求量最大的設(shè)備之一，PVD物理氣相沉積、ALD原子層沉積等都是半導(dǎo)體制造工藝當(dāng)中非常重要的高端設(shè)備。

資料顯示，新凱來致力于半導(dǎo)體裝備及零部件、電子制造設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與服務(wù)，該公司核心團隊具備20年以上電子設(shè)備技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗。近年，新凱來完成了全系列裝備開發(fā)，初步滿足邏輯、存儲等半導(dǎo)體制造企業(yè)的需求。截至2024年底，大部分裝備已經(jīng)取得突破，開始驗證和應(yīng)用。

2、電科裝備大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案亮相

SEMICON China 2025期間，媒體聚焦電科裝備最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案進行報道。

電科裝備經(jīng)過多年發(fā)展，電科裝備培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學(xué)機械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。

報道指出，該公司最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案采用最新激光剝離工藝進行晶體切片，相較于傳統(tǒng)加工產(chǎn)線采用的多線切割晶體切片技術(shù)，激光剝離設(shè)備可以使激光聚焦在碳化硅晶體內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生一層裂紋，從而避免了傳統(tǒng)多線切割造成的切割線損，平均每片切割研磨損耗僅為原來的40%左右，顯著降低加工成本。

目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進入用戶產(chǎn)線開展試驗驗證，并與多家頭部企業(yè)達成意向合作。

3、高測股份展示碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案

高測股份首次亮相該展會，帶來了公司聚焦晶圓加工制造環(huán)節(jié)，全面迭代布局的8英寸碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案。

在切割環(huán)節(jié)，高測股份2018年、2021年，先后推出針對半導(dǎo)體硅、碳化硅切割的金剛線切片專機，通過持續(xù)優(yōu)化切割工藝和參數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)對不同尺寸、不同材質(zhì)晶圓的高精度切割，不斷提升線切的切割效率、切片質(zhì)量，降低材料損耗。

在倒角環(huán)節(jié)，高測股份2024年推出全自動晶圓倒角機，采用獨特的雙工位獨立研磨設(shè)計，適用于4寸、6寸、8寸半導(dǎo)體晶圓材料的邊緣倒角加工。

source：高測股份

在研磨環(huán)節(jié)，高測股份全自動減薄機采用In-feed加工原理，通過砂輪旋轉(zhuǎn)及垂直進給對旋轉(zhuǎn)的晶圓進行磨削加工，實現(xiàn)高精度、高剛性、高穩(wěn)定性、高效加工能力、低損傷加工，全面兼容6-8英寸晶圓磨削加工，表面粗糙度控制在3nm以下，滿足高端芯片制造對晶圓表面質(zhì)量的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

在第三代半導(dǎo)體材料加工需求激增的背景下，針對市場對工藝整合與效率提升愈發(fā)迫切的訴求，高測股份“切、倒、磨”一體化方案全流程緊密銜接，從切割設(shè)備的高效切割，到倒角設(shè)備對晶圓邊緣的精細處理，再到減薄設(shè)備對晶圓表面的打磨拋光，實現(xiàn)了從原材料到成品的一站式加工。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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01新疆北屯40億元半導(dǎo)體材料項目簽約，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

據(jù)第十師北屯市公眾號消息，近日，新疆第十師北屯市與北京卓融和遠科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“北京卓融和遠科技”）正式簽約總投資40億元的半導(dǎo)體材料項目，標(biāo)志著該地區(qū)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)了解，新疆北屯卓融和遠半導(dǎo)體材料項目位于北屯市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資40億元。項目選址北屯市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，將依托當(dāng)?shù)刎S富的礦產(chǎn)資源、區(qū)位優(yōu)勢及政策環(huán)境，重點發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及材料研發(fā)制造，涵蓋碳化硅（SiC）、金剛石等核心材料。

企查查顯示，江蘇卓遠半導(dǎo)體有限公司間接持有北京卓融和遠科技30%股權(quán)。江蘇卓遠半導(dǎo)體成立于2018年，是一家以創(chuàng)新開發(fā)為主導(dǎo)，以先進技術(shù)為基石的第三代半導(dǎo)體高新科技企業(yè)。公司自成立以來一直專注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅SiC晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

02廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體

3月5日，廣西梧州市長洲區(qū)舉行重大項目集中開竣工活動，其中龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園項目正式啟動。該項目總投資約50億元，占地面積250畝，聚焦合成立方氧化鋯與合成碳化硅晶體材料生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)1萬噸合成立方氧化鋯晶體及30噸合成碳化硅晶體，建成后將形成集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)加工、銷售貿(mào)易于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

作為長洲區(qū)寶石產(chǎn)業(yè)升級的核心項目，產(chǎn)業(yè)園將引入智能化生產(chǎn)設(shè)備，推動傳統(tǒng)珠寶加工向綠色化、高端化轉(zhuǎn)型。同時，項目將聯(lián)動京東科技等企業(yè)，深化數(shù)字經(jīng)濟與實體經(jīng)濟融合，預(yù)計帶動就業(yè)超千人，并為村級集體經(jīng)濟增收提供新路徑。長洲區(qū)政府表示，將通過“專班推進+要素保障”模式，確保項目2025年內(nèi)投產(chǎn)見效。

03元山電子啟動二期車規(guī)級SiC項目，加速國產(chǎn)碳化硅模組量產(chǎn)

據(jù)“濟南報業(yè)時政融媒”報道，2月24日，元山（濟南）電子科技有限公司（以下簡稱“元山電子”）投資建設(shè)的車規(guī)級碳化硅功率模組自動化產(chǎn)線”已取得新的進展。該項目的一期試線建設(shè)已全面完成，二期正加快建設(shè)，今年一季度完成自動化產(chǎn)線搭建并開始投產(chǎn)。

此前2024年12月，元山電子宣布車規(guī)級碳化硅功率模組全自動量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷，標(biāo)志著其二期項目進入投產(chǎn)沖刺階段。該項目總投資3億元，規(guī)劃建設(shè)60萬只碳化硅功率模塊產(chǎn)線，預(yù)計達產(chǎn)后年產(chǎn)值超5億元，可滿足新能源汽車、儲能、光伏等領(lǐng)域的高功率需求。

在2024年12月元山電子車規(guī)級碳化硅功率模組全自動量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷的同時，晶能微電子的車規(guī)級 Si/SiC 封測產(chǎn)線擴建項目（總投資超億元）也在同期推進，雙方通過技術(shù)互補與產(chǎn)能協(xié)同，加速國產(chǎn)碳化硅模組的規(guī)?；瘧?yīng)用。

公開資料顯示，元山電子成立于2020年，專注于碳化硅模組研發(fā)，其產(chǎn)品性能已達國內(nèi)領(lǐng)先水平。此次二期項目將進一步優(yōu)化工藝，引入全自動封裝技術(shù)，提升車規(guī)級產(chǎn)品的可靠性與一致性。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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其中，杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導(dǎo)體可靠性測試設(shè)備生產(chǎn)基地項目備受矚目。該項目預(yù)計在未來三年實現(xiàn)營收超7.5億元，將有力推動杭州在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

杭州高裕電子科技股份有限公司成立于2009年10月16日，注冊資本5250萬元人民幣，是國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件可靠性試驗設(shè)備、測試設(shè)備研制及元器件可靠性整體解決方案集成商。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于國防電子工業(yè)和國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)等，已在行業(yè)內(nèi)樹立起良好口碑。

該公司業(yè)務(wù)范圍全面覆蓋電子元器件可靠性試驗設(shè)備與測試設(shè)備研制，除主機設(shè)備及試驗電源、老化測試板、老化測試座等相關(guān)配件銷售外，還為客戶定制自動化老化測試產(chǎn)線，并提供第三方可靠性測試、失效分析和技術(shù)咨詢服務(wù)，構(gòu)建了完整的產(chǎn)業(yè)服務(wù)生態(tài)。

隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新焦點，高裕電子在杭州西湖區(qū)建設(shè)的生產(chǎn)基地將進一步提升其在半導(dǎo)體可靠性測試領(lǐng)域的競爭力，助力杭州在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賽道上再進一步，推動區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善與升級，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新與高質(zhì)量發(fā)展貢獻力量。（集邦化合物半導(dǎo)體viki整理）

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據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測項目都在按計劃推進；公司射頻芯片主要為設(shè)計公司代工，Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW均已實現(xiàn)量產(chǎn)，包括晶圓制造和封裝測試；BAW項目諧振器收集已完成，已開始全流程樣品試做；公司第三代半導(dǎo)體封測已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示，杭州美迪凱光電科技股份有限公司成立于2010年8月，是一家從事光學(xué)光電子、半導(dǎo)體光學(xué)、半導(dǎo)體微納電路、智能終端的研發(fā)、制造和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的趨勢下，封測領(lǐng)域不時傳出廠商新動態(tài)，近期三菱電機、晶能微電子等企業(yè)都披露了新進展。

11月20日，據(jù)三菱電機官網(wǎng)消息，三菱電機將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預(yù)計于2026年10月開始運營。

另據(jù)溫嶺發(fā)布消息，近日，晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期項目正式開工。據(jù)悉，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與晶能微電子簽約車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地項目，項目共分兩期實施建設(shè)。其中，一期擴建項目主要建設(shè)一條車規(guī)級Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線，已于今年7月正式投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：投資順義

據(jù)悉，該項目總投資6.3億元，占地60畝，總建筑面積6.47萬平方米，2023年8月開工建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、2棟綜合配套建筑、6棟危化品庫房、1棟動力中心以及地下車庫等11棟單體建筑。

該項目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、制造及應(yīng)用等多個環(huán)節(jié)，致力于實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條的覆蓋，包括設(shè)計、晶圓加工、襯底和外延制備以及設(shè)備和材料的研發(fā)。

近年來，北京順義區(qū)加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2023年2月，北京順義區(qū)印發(fā)《順義區(qū)進一步促進第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡稱：措施），加快打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。措施適用于從事第三代等先進半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計/制造環(huán)節(jié)，封裝測試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會團體、民辦非企業(yè)等機構(gòu)。

在項目建設(shè)方面，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平方米的三代半標(biāo)廠，第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項目（一期）7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半企業(yè)入駐。

截至目前，順義區(qū)初步形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了國聯(lián)萬眾、泰科天潤、瑞能半導(dǎo)體、特思迪等重點企業(yè)20余家。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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