據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項(xiàng)目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測項(xiàng)目都在按計(jì)劃推進(jìn)；公司射頻芯片主要為設(shè)計(jì)公司代工，Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，包括晶圓制造和封裝測試；BAW項(xiàng)目諧振器收集已完成，已開始全流程樣品試做；公司第三代半導(dǎo)體封測已實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示，杭州美迪凱光電科技股份有限公司成立于2010年8月，是一家從事光學(xué)光電子、半導(dǎo)體光學(xué)、半導(dǎo)體微納電路、智能終端的研發(fā)、制造和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的趨勢下，封測領(lǐng)域不時(shí)傳出廠商新動(dòng)態(tài)，近期三菱電機(jī)、晶能微電子等企業(yè)都披露了新進(jìn)展。

11月20日，據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，三菱電機(jī)將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預(yù)計(jì)于2026年10月開始運(yùn)營。

另據(jù)溫嶺發(fā)布消息，近日，晶能微電子車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測基地二期項(xiàng)目正式開工。據(jù)悉，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與晶能微電子簽約車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目，項(xiàng)目共分兩期實(shí)施建設(shè)。其中，一期擴(kuò)建項(xiàng)目主要建設(shè)一條車規(guī)級(jí)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線，已于今年7月正式投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：投資順義

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資6.3億元，占地60畝，總建筑面積6.47萬平方米，2023年8月開工建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、2棟綜合配套建筑、6棟?；穾旆?、1棟動(dòng)力中心以及地下車庫等11棟單體建筑。

該項(xiàng)目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、制造及應(yīng)用等多個(gè)環(huán)節(jié)，致力于實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條的覆蓋，包括設(shè)計(jì)、晶圓加工、襯底和外延制備以及設(shè)備和材料的研發(fā)。

近年來，北京順義區(qū)加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2023年2月，北京順義區(qū)印發(fā)《順義區(qū)進(jìn)一步促進(jìn)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡稱：措施），加快打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。措施適用于從事第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計(jì)/制造環(huán)節(jié)，封裝測試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會(huì)團(tuán)體、民辦非企業(yè)等機(jī)構(gòu)。

在項(xiàng)目建設(shè)方面，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平方米的三代半標(biāo)廠，第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（一期）7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號(hào)已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半企業(yè)入駐。

截至目前，順義區(qū)初步形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了國聯(lián)萬眾、泰科天潤、瑞能半導(dǎo)體、特思迪等重點(diǎn)企業(yè)20余家。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：麗水發(fā)布

據(jù)介紹，該項(xiàng)目為麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)簽約的第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目，總投資23億元，屬于新能源汽車、智能電網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈上游，將建設(shè)芯片制造生產(chǎn)線，布局外延制造、封裝測試等生產(chǎn)線。

據(jù)此前報(bào)道，截至2022年底，麗水經(jīng)開區(qū)先后引進(jìn)了中欣晶圓、旺榮半導(dǎo)體、兆晶新材料等29家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目，總投資近500億元。

另據(jù)“蓮都發(fā)布”官微消息，瀚薪芯昊碳化硅器件及模塊研發(fā)和封裝項(xiàng)目于9月19日在浙江省麗水市蓮都區(qū)啟動(dòng)。

據(jù)悉，瀚薪芯昊碳化硅器件及模塊研發(fā)和封裝項(xiàng)目位于蓮都經(jīng)開區(qū)，項(xiàng)目計(jì)劃總投資12億元，總用地面積88畝，其中一期用地面積42.14畝，計(jì)劃于2026年6月投產(chǎn)運(yùn)營，經(jīng)過兩年的產(chǎn)能爬坡，至2028年6月，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)出30萬臺(tái)碳化硅功率模塊、5000萬顆碳化硅功率器件。

根據(jù)瀚薪芯昊母公司上海瀚薪科技有限公司（以下簡稱：瀚薪科技）規(guī)劃，未來兩年，其將在蓮都投資建設(shè)碳化硅器件設(shè)計(jì)制造研發(fā)中心、測試中心、模塊封裝以及碳化硅產(chǎn)品的運(yùn)營中心。

官網(wǎng)資料顯示，瀚薪科技于2019年10月12日在上海注冊成立，是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的廠商。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：吳中發(fā)布

該項(xiàng)目占地面積110.9畝，建筑面積約30萬平方米，計(jì)劃總投資16.8億元，規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。

目前，廠房主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，二次結(jié)構(gòu)完成60%；研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)已封頂，二次結(jié)構(gòu)完成50%，各項(xiàng)建設(shè)工作正在推進(jìn)中。項(xiàng)目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)。

近日另據(jù)“吳中發(fā)布”消息，江蘇省蘇州市吳中區(qū)近期全力沖刺第四季度加力提速重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)，其中涉及一個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目——蘇州寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱：寶士曼）第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目。

該項(xiàng)目占地面積50畝，建筑面積約7.5萬平方米，項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，2024年計(jì)劃投資3.5億元。該項(xiàng)目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，年產(chǎn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備250套，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值8.5億元。

目前，該項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)完工，市政綠化施工中，預(yù)計(jì)2025年3月竣工投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該項(xiàng)目占地面積50畝，建筑面積約7.5萬平方米，項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，2024年計(jì)劃投資3.5億元。該項(xiàng)目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，年產(chǎn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備250套，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值8.5億元。

目前，該項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)完工，市政綠化施工中，預(yù)計(jì)2025年3月竣工投產(chǎn)。

資料顯示，寶士曼成立于2021年9月，是蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱：博湃半導(dǎo)體）全資子公司，是一家以從事專用設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：國科測試

官網(wǎng)資料顯示，國科測試成立于2019年8月，位于中國（江蘇）自由實(shí)驗(yàn)貿(mào)易區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)陽浦路98號(hào)。公司分別在蘇州總部、西安和青島等地設(shè)有研發(fā)中心及實(shí)驗(yàn)室四個(gè)。

國科測試在蘇州總部有6000多平米的生產(chǎn)基地，專注于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域電學(xué)檢測系統(tǒng)及機(jī)器視覺設(shè)備的智能制造，并在廣東東莞設(shè)立全資子公司，進(jìn)軍新能源領(lǐng)域，研發(fā)生產(chǎn)新能源電芯生產(chǎn)所需的分容老化檢測設(shè)備及機(jī)器視覺檢測設(shè)備，并拓展新能源終端制造產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)悉，國科測試全程參與了國內(nèi)首條第三代半導(dǎo)體陶瓷基板自動(dòng)線的開發(fā)建設(shè)，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，攻克了光學(xué)及電學(xué)測試方面多項(xiàng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)關(guān)鍵測試設(shè)備的國產(chǎn)化替代及產(chǎn)業(yè)化。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)公告，奧特維擬使用自有和自籌資金36056.68萬元收購其控股子公司松瓷機(jī)電之少數(shù)股東持有的松瓷機(jī)電33.21%股權(quán)。本次交易完成后，奧特維對松瓷機(jī)電的直接持股比例將由40.63%增加至73.84%，其合并報(bào)表范圍未發(fā)生變化。

奧特維表示，自控股子公司松瓷機(jī)電合并入公司以來，憑借技術(shù)、性能較為先進(jìn)的單晶爐產(chǎn)品得到天合光能、晶科能源、晶澳太陽能等知名客戶認(rèn)可，市場地位上升較快，成為了公司核心子公司之一。

官網(wǎng)資料顯示，奧特維創(chuàng)立于2010年，是光伏、鋰電和半導(dǎo)體專業(yè)領(lǐng)域的智能裝備制造商。奧特維旗下?lián)碛袏W特維智能、松瓷機(jī)電、奧特維旭睿、奧特維科芯、立朵科技、無錫智遠(yuǎn)等子公司，產(chǎn)品覆蓋光伏產(chǎn)業(yè)鏈的拉棒、硅片、電池、組件四大環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品多主柵串焊機(jī)、硅片分選機(jī)擁有較強(qiáng)的市場競爭力，獲得了行業(yè)龍頭企業(yè)客戶的認(rèn)可，市場占有率較高。其自主研發(fā)了鋰電模組、PACK智能生產(chǎn)線及鋰電池外觀分選設(shè)備，得到行業(yè)知名客戶多批次多項(xiàng)目的復(fù)選采購；并于2021年正式推出半導(dǎo)體鍵合設(shè)備，已獲得批量訂單。

作為奧特維控股子公司，松瓷機(jī)電專注于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長專用設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售及提供綜合性解決方案。其推出的1400單晶爐、1600單晶爐、低氧型單晶爐及單晶車間智能化解決方案，已獲得國內(nèi)外多家知名企業(yè)認(rèn)可復(fù)購。

松瓷機(jī)電現(xiàn)有3萬多平米的重型廠房生產(chǎn)基地，同時(shí)擁有光伏研發(fā)實(shí)驗(yàn)室及半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，擁有Virtual Reactor、CGSIM等仿真軟件進(jìn)行熱場模擬，可滿足大尺寸N型晶圓與重?fù)诫s拉晶工藝的研發(fā)試制及第三代半導(dǎo)體材料設(shè)備的開發(fā)與試驗(yàn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該項(xiàng)目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動(dòng)力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米。

目前，該項(xiàng)目生產(chǎn)廠房已進(jìn)入三層、四層結(jié)構(gòu)施工階段，動(dòng)力中心進(jìn)入三層結(jié)構(gòu)施工階段，綜合配套建筑施工已基本完成，正在進(jìn)行收尾工作。

從配套設(shè)施來看，與第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房（一期）科創(chuàng)芯園壹號(hào)相比，二期工程配備了特氣站、?；穾煲约?萬平方米的動(dòng)力中心，可提供穩(wěn)定可靠的能源和動(dòng)力支持，能夠滿足企業(yè)生產(chǎn)需求。

近年來，順義區(qū)大力支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。去年2月，順義區(qū)經(jīng)濟(jì)和信息化局印發(fā)《順義區(qū)進(jìn)一步促進(jìn)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡稱：措施）。

措施適用于在本行政區(qū)域內(nèi)依法注冊登記、經(jīng)營，并形成一定區(qū)域貢獻(xiàn)（包括但不限于就業(yè)、科技進(jìn)步、經(jīng)濟(jì)發(fā)展等）的市場主體，從事第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計(jì)/制造環(huán)節(jié)，封裝測試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會(huì)團(tuán)體、民辦非企業(yè)等機(jī)構(gòu)。

目前，順義區(qū)正在加速促進(jìn)三代半項(xiàng)目落地，規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平方米的三代半標(biāo)廠，目前一期7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號(hào)已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半相關(guān)企業(yè)入駐。

而在今年6月1日，北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇在順義舉辦。會(huì)上，北京順義科技創(chuàng)新集團(tuán)總經(jīng)理何磊代表順義區(qū)人民政府與4家公司簽署合作協(xié)議。伴隨著合作協(xié)議簽署，4個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目正式簽約落地順義，總投資額近10億元，其中包括SiC功率器件用陶瓷封裝基板項(xiàng)目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

第一步，必創(chuàng)科技擬于2024年內(nèi)通過增資取得創(chuàng)世威納約10%股權(quán)，該次交易完成后創(chuàng)世威納將成為必創(chuàng)科技參股公司；第二步，必創(chuàng)科技擬在創(chuàng)世威納完成2024年業(yè)績承諾的基礎(chǔ)上，于2025年內(nèi)通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式進(jìn)一步收購創(chuàng)世威納約55%股權(quán)，該次交易完成后創(chuàng)世威納將成為必創(chuàng)科技控股子公司。

公告顯示，創(chuàng)世威納擁有15年微米納米鍍膜與刻蝕經(jīng)驗(yàn)，其推出的系列鍍膜機(jī)、刻蝕機(jī)及其他真空設(shè)備可以滿足市面上多種膜系、刻蝕形貌的工藝要求。創(chuàng)世威納根據(jù)科研和工業(yè)的不同需求，提供標(biāo)準(zhǔn)化程度高、集成度高、設(shè)計(jì)輕巧、滿足多樣化研究的科研設(shè)備，以及生產(chǎn)效率高、穩(wěn)定性高、材料利用率高的生產(chǎn)型設(shè)備，已經(jīng)在半導(dǎo)體、微電子、光電器件、新材料、航空航天、通訊、核工業(yè)等行業(yè)獲得了成熟應(yīng)用。

官網(wǎng)資料顯示，必創(chuàng)科技成立于2005年，總部位于北京，2017年在創(chuàng)業(yè)板上市，是一家智能傳感器和光電儀器產(chǎn)品、系統(tǒng)解決方案和應(yīng)用服務(wù)提供商。產(chǎn)品方面，必創(chuàng)科技自主研發(fā)生產(chǎn)的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)系列產(chǎn)品、金屬化光纖、MEMS壓力傳感器芯片、通用光柵光譜儀、熒光光譜儀、拉曼光譜儀、精密位移控制單元及OLED/LCD顯示器件光色評(píng)價(jià)系統(tǒng)等多項(xiàng)產(chǎn)品的技術(shù)性能指標(biāo)均達(dá)到國內(nèi)較高水平，部分指標(biāo)達(dá)到國際較高水平。

關(guān)于本次收購，必創(chuàng)科技表示，本次股權(quán)投資事項(xiàng)有助于豐富其在科研及先進(jìn)制造領(lǐng)域的產(chǎn)品和服務(wù)，并加強(qiáng)在半導(dǎo)體、光電器件、航空航天等領(lǐng)域的布局。其在新材料與特種材料表征領(lǐng)域已經(jīng)積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和良好的客戶群體，并逐步布局針對第三代半導(dǎo)體、Micro LED發(fā)光器件、鈣鈦礦光伏材料等領(lǐng)域的量測和檢測，與創(chuàng)世威納整合后將進(jìn)一步滲透到材料制備端，有利于其加快和完善產(chǎn)業(yè)布局和資源整合，從而把握設(shè)備國產(chǎn)化、核心元器件國產(chǎn)化生產(chǎn)的機(jī)會(huì)。

必創(chuàng)科技8月28日晚間發(fā)布的2024年半年度報(bào)告顯示，半導(dǎo)體光電量測及檢測業(yè)務(wù)是必創(chuàng)科技在原有光電效應(yīng)、熒光及拉曼產(chǎn)品線的基礎(chǔ)上，針對新型材料機(jī)理與器件表征研究、晶圓檢測、光刻工藝、薄膜沉積的量測和檢測需求，進(jìn)行了產(chǎn)品和應(yīng)用的拓展。

在第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、AlN及Micro LED，新型光伏材料及鈣鈦礦等領(lǐng)域，原有的Si晶圓量測和檢測手段缺乏針對組分、內(nèi)應(yīng)力、載流子濃度、發(fā)光的均勻性等特有指標(biāo)的晶圓級(jí)無損、快速檢測的方法，必創(chuàng)科技通過寬場熒光成像、共焦光致發(fā)光光譜、共焦拉曼光譜、光譜響應(yīng)度等新技術(shù)進(jìn)行補(bǔ)充和搭配。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體材料作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基石，已經(jīng)上升到大國科技競爭的核心領(lǐng)域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經(jīng)濟(jì)等先進(jìn)生產(chǎn)力的快速發(fā)展，對半導(dǎo)體材料的需求急劇增長，然而硅基半導(dǎo)體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動(dòng)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與高速發(fā)展，全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)材料的限制，從材料或結(jié)構(gòu)角度出發(fā)，積極探索新一代半導(dǎo)體材料或運(yùn)用先進(jìn)封裝技術(shù)，以期開創(chuàng)行業(yè)新篇章。

在此背景下，第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展應(yīng)運(yùn)而生。大會(huì)以“‘芯’材料·新領(lǐng)航”為主題，聚焦于第三代半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展新機(jī)遇。通過集結(jié)全球智慧，共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑，致力于從應(yīng)用需求出發(fā)，逆向推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。同時(shí)，通過產(chǎn)學(xué)研的緊密結(jié)合，推動(dòng)先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。此次大會(huì)能激發(fā)出更多的創(chuàng)新思維，加強(qiáng)行業(yè)間的合作，為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。

組織單位

大會(huì)主題

“芯”材料 新領(lǐng)航
主辦單位
中國生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專業(yè)委員會(huì)
DT新材料
聯(lián)合主辦
深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
支持單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
橫琴粵澳深度合作區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
香港科技大學(xué)深港協(xié)同創(chuàng)新研究院
香港城市大學(xué)深圳研究院
香港青年科學(xué)家協(xié)會(huì)
北京大學(xué)深圳系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
協(xié)辦單位
深圳市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)會(huì)
深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)
深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院
粵港澳大灣區(qū)先進(jìn)電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
山東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
承辦單位
深圳市德泰中研信息科技有限公司

支持媒體

DT新材料、DT芯材、DT半導(dǎo)體、洞見熱管理、 Carbontech、《半導(dǎo)體芯科技》、《化合物半導(dǎo)體》、 芯師爺、21ic 電子網(wǎng)、芯榜、電子發(fā)燒友、夯邦、集邦化合物半導(dǎo)體

時(shí)間地點(diǎn)

2024年11月6—8日 深圳國際會(huì)展中心（寶安）

日程安排

大會(huì)議題

主論壇：“芯”材料 新領(lǐng)航
（1）宏觀政策解讀
（2）科技前沿新突破
（3）產(chǎn)業(yè)進(jìn)展與趨勢
（4）產(chǎn)業(yè)投資分析與方向

圓桌對話： AI和新能源風(fēng)口下的“芯”機(jī)遇與挑戰(zhàn)

「先進(jìn)封裝技術(shù)」分論壇：搶抓AI新機(jī)遇
（1）AI時(shí)代先進(jìn)封裝及Chiplet應(yīng)用專場

AI時(shí)代先進(jìn)封裝發(fā)展與產(chǎn)業(yè)趨勢解析

Chiplet高密度集成技術(shù)賦能AI算力提升

2.5D/3D封裝設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證

高精度裝備創(chuàng)新助推先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)騰飛

先進(jìn)封裝精密檢測設(shè)備創(chuàng)新應(yīng)用

圓桌對話： Chiplet互聯(lián)接口標(biāo)準(zhǔn)化落地問題探討

（2）先進(jìn)封裝互連技術(shù)專場

AI芯片互連技術(shù)創(chuàng)新及挑戰(zhàn)

3D 堆疊技術(shù)中硅通孔（TSV）刻蝕與填充

3D封裝晶圓減薄中如何解決翹曲、裂片問題

先進(jìn)封裝互連低溫?zé)Y(jié)焊料的應(yīng)用

三維互連熱管理創(chuàng)新解決方案與材料選擇

多芯片高速互連接口設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)對策與EDA解決方案

（3）面板級(jí)封裝關(guān)鍵設(shè)備及材料機(jī)遇專場

板級(jí)封裝技術(shù)成本優(yōu)勢與發(fā)展前景

面板廠商設(shè)備升級(jí)切入板級(jí)封裝的機(jī)遇

板級(jí)封裝貼片機(jī)技術(shù)突破與市場機(jī)遇

探索TGV技術(shù)推動(dòng)PLP面板級(jí)封裝創(chuàng)新與發(fā)展

高端環(huán)氧樹脂技術(shù)創(chuàng)新與突破

圓桌論壇：板級(jí)封裝國產(chǎn)設(shè)備和材料新機(jī)遇

（4）TGV玻璃基板專場

先進(jìn)封裝特種平板玻璃材料創(chuàng)新與應(yīng)用

玻璃通孔（TGV）技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

玻璃通孔工藝挑戰(zhàn)和解決方案

玻璃基板電鍍重布線技術(shù)解析與探索

激光通孔技術(shù)加速TGV產(chǎn)業(yè)化落地

高密度玻璃載板：ROS技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用探索

「碳化硅半導(dǎo)體」分論壇：800伏快充卷動(dòng)碳化硅風(fēng)云
（1）800V高壓快充碳化硅市場與應(yīng)用專場

碳化硅功率器件在新能源車端的應(yīng)用

800V高壓電氣拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

從高壓快充看碳化硅在電力設(shè)備中的運(yùn)用

車規(guī)級(jí)碳化硅芯片/器件制造技術(shù)突破及應(yīng)用進(jìn)展

碳化硅器件耐用性檢驗(yàn)——芯片研發(fā)環(huán)節(jié)高溫門極偏置測試

圓桌對話：800V高壓快充碳化硅市場機(jī)遇與挑戰(zhàn)！

（2）800V高壓快充碳化硅特色封裝及可靠性驗(yàn)證專場

碳化硅模塊封裝如何提升耐高溫能力——SiC特色封裝設(shè)計(jì)路線

車規(guī)級(jí)碳化硅封裝可靠性測試與驗(yàn)證

碳化硅功率模塊封裝用關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)

碳化硅功率器件封裝用高熱導(dǎo)率陶瓷基板

碳化硅功率器件封裝用低電阻率的金屬連接件、燒結(jié)銀/銅工藝

耐高壓封裝絕緣材料、熱管理材料突破

功率模塊設(shè)計(jì)與仿真流程

（3）碳化硅晶圓（襯底與外延片）專場

8 inch SiC外延片生長技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

大尺寸襯底制造難點(diǎn)及技術(shù)突破

碳化硅晶圓切割良率提升及翹曲防范——激光切割

8 inch碳化硅晶圓磨拋工藝方案

碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國產(chǎn)解決方案

CVD SiC陶瓷材料在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用和發(fā)展

襯底片、外延片的精確測量方案

（4）碳化硅晶體生長專場

8英寸碳化硅晶體生長良率與速率控制

8英寸碳化硅晶體生長位錯(cuò)控制

長晶爐設(shè)計(jì)及關(guān)鍵參數(shù)控制

熱場設(shè)計(jì)、晶體制備工藝設(shè)計(jì)——控溫技術(shù)及設(shè)備

碳化硅晶體缺陷控制——快速退火爐及技術(shù)應(yīng)用

「氮化鎵半導(dǎo)體」分論壇：氮化鎵AI時(shí)代開疆拓土

（1）氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)專場

高性能氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)

高可靠性氮化鎵功率器件研究

氮化鎵功率器件制造關(guān)鍵挑戰(zhàn)和解決方案

氮化鎵功率器件創(chuàng)新封裝技術(shù)研究進(jìn)展

氮化鎵功率器件測試技術(shù)挑戰(zhàn)及實(shí)踐

（2）氮化鎵半導(dǎo)體材料與設(shè)備專場

氮化鎵單晶襯底生長研究

氮化鎵晶體生長HVPE爐研究進(jìn)展

功率器件用氮化鎵外延技術(shù)研究及展望

氮化鎵外延翹曲、裂紋挑戰(zhàn)與解決策略

氮化鎵外延MOCVD設(shè)備進(jìn)展和突破

（3）數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件應(yīng)用專場

數(shù)據(jù)中心功率器件應(yīng)用趨勢與變化（需求）

數(shù)據(jù)中心開關(guān)電源技術(shù)的挑戰(zhàn)

氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心電源的應(yīng)用實(shí)踐

數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件創(chuàng)新方案

工業(yè)級(jí)氮化鎵功率器件可靠性驗(yàn)證

圓桌對話：數(shù)據(jù)中心氮化鎵方案創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
（4）氮化鎵功率器件多元應(yīng)用發(fā)展專場

氮化鎵大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵因素

氮化鎵器件在車載OBC中的應(yīng)用及技術(shù)創(chuàng)新

應(yīng)用于光伏微逆變器的氮化鎵功率器件整體方案

高壓氮化鎵功率器件為應(yīng)用創(chuàng)造更多可能性

可靠性驗(yàn)證創(chuàng)新方案加速氮化鎵功率器件應(yīng)用

多物理場仿真在氮化鎵可靠性驗(yàn)證領(lǐng)域的應(yīng)用

圓桌對話：氮化鎵功率器件可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)

咨詢報(bào)名

聯(lián)系人：
龔志明 177 0403 8566 （微信同號(hào)）
周林強(qiáng) 177 2467 7536 （微信同號(hào)）
黃如琪 170 1760 8934 （微信同號(hào)）
劉東妮 180 3806 7192 （微信同號(hào)）

地 址：深圳市寶安區(qū)福永街道龍王古廟工業(yè)區(qū)深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院1棟1201