據(jù)了解,立琻半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體光電器件研發(fā)制造基地位于江蘇太倉高新區(qū),一期投資10億元,于去年11月正式落成,打造化合物半導(dǎo)體光電器件研發(fā)制造基地,主要產(chǎn)品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導(dǎo)體光電器件。
資料顯示,立琻半導(dǎo)體成立于2021年3月,主要產(chǎn)品包括紫外高功率半導(dǎo)體光源芯片、像素化矩陣式智能車燈光源芯片等。公司在2023年3月完成近億元A輪融資,由中鑫資本領(lǐng)投,這是其繼去年7月獲得LG Innotek入股以來又一筆融資。
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根據(jù)立琻半導(dǎo)體資料顯示,其成功收購世界500強LG的光電化合物半導(dǎo)體事業(yè)部資產(chǎn),包括近萬件專利(其中90%為海外專利)、相關(guān)技術(shù)與成套工藝設(shè)備,并在2022年3月完成交割,成為國內(nèi)擁有化合物半導(dǎo)體高價值專利數(shù)最多的公司之一。
近年來,立琻半導(dǎo)體積極把握當(dāng)前汽車產(chǎn)業(yè)“新能源化和智能化”的發(fā)展契機,布局汽車下一代光電芯片的研發(fā)與車規(guī)級芯片制造,通過布局InGaN(銦鎵氮)基像素化矩陣式智能車大燈光源芯片、AlGaN(鋁鎵氮)基高效大功率深紫外光源芯片、GaAs (砷化鎵)基紅外激光雷達芯片三款光電芯片產(chǎn)品,加快推進汽車向智能化方向發(fā)展。
據(jù)立琻半導(dǎo)體芯片技術(shù)總監(jiān)劉樂功介紹,InGaN基像素化矩陣式智能車大燈光源芯片的自主研發(fā)工作正有序推進,今年年底將給下游客戶提供樣品。
在此基礎(chǔ)上,立琻半導(dǎo)體還聯(lián)合中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所建立AlGaN基深紫外大功率高效LED聯(lián)合實驗室,并與材料科學(xué)姑蘇實驗室共同研發(fā),攻克深紫外LED產(chǎn)業(yè)化的共性關(guān)鍵技術(shù)。
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]]>該標(biāo)準(zhǔn)由晶能光電牽頭,寧波大央科技、佛山照明、漢華光電子以及中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、國星光電、立達信、鴻利智匯、珈偉新能等共同提案。標(biāo)準(zhǔn)于2020年6月立項,并確定聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)編號為T/CSA 073-202X。
該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了紫外LED誘蚊燈的技術(shù)要求和試驗方法,適用于各種室內(nèi)場所光源峰值波長范圍為365nm~400nm的紫外LED誘蚊燈,氣味、溫度、二氧化碳等輔助LED紫外誘蚊方式的誘蚊燈,可以參考使用。
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據(jù)悉,紫外LED誘蚊燈作為一種現(xiàn)有的蚊蟲防控技術(shù),在我國的商用以及家用市場具有廣泛的應(yīng)用。目前我國商用誘蚊燈的年出貨量在每年1000萬臺以上,其光源主要以傳統(tǒng)CCFL燈管為主;家用市場的年出貨量為3000萬臺以上,光源主要以365nm以上的紫外LED光源為主。預(yù)計到2025年,紫外LED誘蚊燈的市場替換率將達到90%。
但鑒于之前沒有紫外LED誘蚊燈的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范,市場出現(xiàn)了各種粗制濫造的低劣產(chǎn)品,影響了紫外LED誘蚊燈的市場,嚴(yán)重制約了紫外LED誘蚊燈產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。本團體標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布,有助于進一步規(guī)范室內(nèi)紫外LED誘蚊燈的產(chǎn)品質(zhì)量,推動市場良性競爭。(LEDinside整理)
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]]>不同于成熟的藍光LED,由于紫外LED的核心材料具有更低的In含量和更高的Al含量,這使得外延層缺陷密度高、p-AlGaN材料中空穴濃度低、極化效應(yīng)強、載流子輸運不平衡等問題極為突出。因此,紫外LED的發(fā)光效率仍遠低于成熟的藍光LED。當(dāng)發(fā)光波長低于370nm時,紫外LED更是面臨著發(fā)光效率驟降的難題,成為阻礙其高端應(yīng)用的最大障礙。
針對以上問題,廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所先進材料平臺從材料生長和器件設(shè)計兩方面對紫外LED展開了較系統(tǒng)深入的技術(shù)研發(fā)。
首先,采用MOCVD精細(xì)生長模式調(diào)控技術(shù)成功制備出高質(zhì)量AlGaN材料和高內(nèi)量子效率的AlGaN量子阱;同時,研究人員采用極化場調(diào)控技術(shù)和能帶工程,將多元合金p-AlInGaN/AlGaN短周期超晶格材料(SPSL)引入到AlGaN基紫外LED的電子阻擋層(EBL)結(jié)構(gòu)中,成功研制出高內(nèi)量子效率的紫外LED器件。
結(jié)果表明SPSL-EBL能改善紫外LED器件的載流子傳輸特性,降低器件的開啟電壓,使得發(fā)光波長在368 nm的紫外LED器件發(fā)光效率比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提高了101.6%,此項研究將會為高效率的全固態(tài)紫外光源的研發(fā)開辟新路徑。
以上部分工作結(jié)果近日發(fā)表于國際權(quán)威期刊《Journal of Materials Chemistry C》。
圖1 (a) 基于p-AlInGaN/AlGaN SPSL-EBL的紫外LED器件結(jié)構(gòu)示意圖;
(b) 368 nm紫外LED外延片(左)和晶圓上的芯片照片(右)。
圖2 (a)- (d)和(e)- (h)分別為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)和基于SPSL-EBL結(jié)構(gòu)的紫外LED截面STEM圖,
兩種樣品的晶體質(zhì)量良好,各異質(zhì)結(jié)界面清晰;
(j)和(k)分別為傳統(tǒng)紫外LED基于SPSL紫外LED在200mA正向電流注入下的點亮照片,
芯片B的紫外光功率相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的紫外LED提高了101.6%
來源:廣東省科學(xué)院
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