本土化產品是指英飛凌將根據(jù)中國需求進行產品定義。

本土化生產方面，英飛凌指出，公司汽車業(yè)務目前已有多種產品完成本土化量產并計劃于2027年覆蓋主流產品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器件、模擬混合信號、傳感器及存儲器件等產品。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉參觀兩款首次于國內進行實體展示的晶圓

01材料革新與系統(tǒng)重構：英飛凌定義能效新范式

作為全球功率半導體領域的領軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機器人及人工智能領域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強大的技術創(chuàng)新能力與市場競爭力。

在此次峰會中，英飛凌重點發(fā)布的四大創(chuàng)新產品矩陣尤為矚目：

PSOC Control C3 MCU：實現(xiàn)電機和功率轉換系統(tǒng)的實時控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產品，具有實時控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達180MHz。在ModusToolbox系統(tǒng)設計工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機控制和功率轉換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應用中，PSOC Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。

新一代中壓CoolGaN半導體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運營成本。該系列半導體器件能夠助力中壓電機系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數(shù)據(jù)中心提供更高的效率，在音頻應用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

CoolMOS 8高壓超結（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級結（SJ）技術，產品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費類和工業(yè)應用。作為寬禁帶半導體的高性價比替代方案之一，能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的功率密度，同時確保器件的可靠性。CoolMOS 8可以輕松替換CoolMOS 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數(shù)據(jù)中心和電信領域對交流輸入電壓的特定要求。

XDP數(shù)字電源（DigitalPower）：包括XDP XDPP1140/48數(shù)字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠實現(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設計與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時又能夠優(yōu)化成本。

同時，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOSTDM2454xx四相功率模塊也在國內首次亮相。而在大會的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機器人、具身智能人形機器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數(shù)據(jù)中心電源模塊、用于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓練模型的12kW PSU等展品。

ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會者參觀體驗

總體來看，在氮化鎵技術領域，該公司不僅實現(xiàn)了300mm GaN功率半導體晶圓的量產突破，其新一代中壓CoolGaN器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領域的能耗和成本。與此同時，英飛凌在硅基半導體領域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術助于大幅提高功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性。

在機器人領域，英飛凌提供從電源產品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機驅動的全棧解決方案，通過模塊化設計加速產品上市周期，推動機器人領域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機器人技術，展現(xiàn)了在人機協(xié)作與智能制造等智能機器人應用場景中的前沿探索。
針對人工智能基礎設施的高能效需求，英飛凌全面構建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進的混合技術矩陣，為AI服務器和數(shù)據(jù)中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數(shù)據(jù)中心及支持AI訓練模型部署。得益于AI浪潮的推動，預計2025財年，英飛凌AI業(yè)務營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉強調，英飛凌正通過覆蓋”電網-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術解決方案，賦能產業(yè)發(fā)展和應用場景的擴維升級，特別是其邊緣AI方案結合安全芯片和連接產品的組合，已在IoT智能小車等場景實現(xiàn)落地應用。

02英飛凌加速布局機器人產業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同

英飛凌將機器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導體技術-涵蓋感知、連接、人機交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導體產品組合-系統(tǒng)級解決方案”全鏈條。

氮化鎵正驅動著機器人走向輕量化革命，據(jù)英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉表示：“在機器人關節(jié)中，將氮化鎵技術用于電機驅動可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力?！?這一點在業(yè)界的相關統(tǒng)計數(shù)據(jù)中也可以窺見一斑，數(shù)據(jù)顯示，以人形機器人為例，若搭載30個采用氮化鎵技術的關節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。

此外，英飛凌的創(chuàng)新技術和全棧解決方案正賦能機器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實時決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機器人中，基于CoolGaN的驅動系統(tǒng)使動態(tài)響應速度提升25-50%。

目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關節(jié)控制器，集成驅動、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術團隊深度參與客戶設計，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。

03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進階

作為深耕中國市場30年的領先半導體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運營、創(chuàng)新、生產、生態(tài)的立體化本土布局。

在此次ICIC 2025大會上，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎之上，英飛凌將深入推進本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運營、創(chuàng)新、生產、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價值，推動在華業(yè)務的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展?！?/p>

對于英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網到核心，驅動AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算等市場為主要驅動力，依托領先的半導體技術和本土應用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價值創(chuàng)造，推動各種應用場景落地，引領行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

談及本土化生產，英飛凌表示將擴大MCUs、MOSFETs等通用半導體產品的本地化生產制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導體產品，廣泛應用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費電子等領域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴大此類通用半導體器件的本地化生產，既能快速響應本土客戶需求，增強供應鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復雜產品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產積累經驗。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

芯片采用SIP封裝技術，內置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。

應用領域

該芯片主要應用于多關節(jié)具身機器人及智能裝備領域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標，通過芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號控制上100條仿真肌肉及伺服電機系統(tǒng)來完成復雜的原子操作，單個姿態(tài)運動達32個自由度。

通過“邊緣物理模型”輸出PWM信號控制物理量信號，使機器人具有人一樣的復雜肢體動作和物理質量的約束。

當前，隨著人口老齡化問題日益突出，機器人市場需求逐步提升，氮化鎵在其中的作用逐漸受到關注。

此前，英飛凌預計氮化鎵功率半導體正處于高速增長軌道，并在多個行業(yè)逐步邁向關鍵拐點。

在機器人領域，英飛凌指出，得益于氮化鎵在提升能效和縮小體積方面的優(yōu)勢，推動人形機器人、護理機器人和送貨無人機市場增長。隨著機器人技術集成自然語言處理（NLP）和計算機視覺等AI先進技術，GaN將為打造更高效、更緊湊的設計帶來必要的能效。（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

英飛凌指出，氮化鎵功率半導體正處于高速增長軌道，并在多個行業(yè)逐步邁向關鍵拐點。目前消費類充電器和適配器已率先實現(xiàn)突破，今年將有更多應用達到拐點。

部分重點預測內容如下：

機器人——得益于氮化鎵在提升能效和縮小體積方面的優(yōu)勢，推動人形機器人、護理機器人和送貨無人機市場增長。隨著機器人技術集成自然語言處理（NLP）和計算機視覺等AI先進技術，GaN將為打造更高效、更緊湊的設計帶來必要的能效。

USB-C適配器和充電器——預測基于GaN技術的USB-C適配器和充電器將在市場占據(jù)主導地位，提供更緊湊、更高功率輸出的解決方案，同時在能源效率和環(huán)境可持續(xù)性方面樹立新的行業(yè)標桿。

家用電器——受更高能效等級、降低能耗需求和系統(tǒng)成本優(yōu)化的驅動，GaN有望在家電市場取得快速發(fā)展。

住宅太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)——GaN技術將進一步提升住宅太陽能和ESS的效，隨著全球向可再生能源轉型，高效的電力轉換與傳輸,率和性能，同時有助于降低物料清單（BoM）成本。

48v功率架構——預測隨著GaN技術的廣泛應用，汽車行業(yè)對48V功率架構的采用將持續(xù)增長。

AI數(shù)據(jù)中心——預測GaN將助力AI數(shù)據(jù)中心降低能耗與冷卻需求，以緊湊高效的設計滿足AI和高性能計算日益增長的需求。（集邦化合物半導體Flora整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

據(jù)悉，泰瑞達此次收購的自動化測試設備團隊共計約80人，將為泰瑞達在功率半導體測試系統(tǒng)的加速開發(fā)上提供強大助力。近年來，隨著科技的飛速發(fā)展，功率半導體領域迎來了新的變革，尤其是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙器件的崛起。這些新材料具有更高的頻率、電壓和電流能力，正在重新定義測試系統(tǒng)的需求標準。

英飛凌方面，通過簽訂服務協(xié)議，其不僅確保了獲得持續(xù)的制造支持，還增強了對專業(yè)測試設備內部需求響應的靈活性，同時受益于泰瑞達的規(guī)模經濟。而泰瑞達則憑借此次收購獲得了額外的資源和專業(yè)知識，將加速其在功率半導體領域的發(fā)展路線圖，同時與關鍵市場領導者合作開發(fā)新的解決方案。

對于此次收購，泰瑞達半導體測試事業(yè)部總裁RickBurns表示，我們很高興能與英飛凌建立這種戰(zhàn)略合作伙伴關系。收購并整合英飛凌在雷根斯堡的技術和團隊，將擴大我們在功率半導體市場的領導地位。英飛凌的技術將增強我們市場領先的ETS產品組合，表明我們致力于繼續(xù)提供創(chuàng)新解決方案，以滿足客戶不斷變化的需求。

公開資料顯示，泰瑞達是一家全球領先的自動化測試設備和機器人解決方案供應商，成立于1960年，總部位于美國馬薩諸塞州。公司主要業(yè)務包括設計、開發(fā)、制造和銷售自動化測試系統(tǒng)和機器人產品。泰瑞達在全球半導體測試設備市場中占據(jù)重要地位。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，泰瑞達占據(jù)了約51%的市場份額。其主要競爭對手包括日本愛德萬和美國科休。該公司自1960年成立以來，通過內部研發(fā)和外部并購不斷發(fā)展壯大。近年來，公司通過收購Universal Robots、Energid和Mobile Industrial Robots等公司，進一步拓展了其在工業(yè)自動化領域的業(yè)務。

財報方面，泰瑞達在2024年第四季度的凈營收達到7.53億美元，該公司預計2025年第一季度的營收將達到6.60億至7.00億美元。（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

據(jù)介紹，項目首棟建筑計劃于2026年初投入運營，后續(xù)的產能擴張將根據(jù)市場需求靈活管理。英飛凌表示，隨著全球脫碳和氣候保護工作推動對功率模塊的需求（例如在工業(yè)應用和可再生能源領域），高度自動化的工廠將在英飛凌制造格局多元化方面發(fā)揮關鍵作用。

英飛凌首席運營官Rutger Wijburg表示：“脫碳和數(shù)字化是半導體行業(yè)強勁增長動力，英飛凌在泰國建最先進的后端工廠，未來以滿足客戶需求并增強供應鏈韌性。這是英飛凌戰(zhàn)略的關鍵一步，旨在進一步多元化公司的制造布局，并在成本方面進行優(yōu)化，同時還可與英飛凌前端產能的擴張相匹配?！?/p>

圖片來源：拍信網正版圖庫

英飛凌將支持在位于東南亞中心的泰國發(fā)展半導體生態(tài)系統(tǒng)，覆蓋供應鏈中的關鍵部件和材料。通過加強與當?shù)仄髽I(yè)和機構的合作，該公司將加強半導體生態(tài)系統(tǒng)和培養(yǎng)熟練勞動力。通過與大學和當?shù)仄髽I(yè)家的密切合作，英飛凌協(xié)助培養(yǎng)了一批在先進半導體領域擁有專業(yè)知識的高技能工程師人才。

公司已經制定了全面的培訓和教育計劃，以提高員工在人工智能、數(shù)字化和自動化方面的能力。目前，第一批泰國工程師已在其他英飛凌工廠成功完成了該培訓計劃。

值得一提的是，在功率半導體方面，泰國首座碳化硅晶圓廠也于2024年落地。2024年9月，泰國投資委員會宣布支持由Hana Microelectronics和PTT集團共同成立的合資企業(yè)FT1 Corporation，投資115億泰銖（約合24.24億人民幣）建設泰國首座碳化硅晶圓廠。

新工廠將引進韓國芯片制造商技術，用于生產6英寸和8英寸的碳化硅晶圓，預計將在2027年第一季度正式投產，主要服務于汽車、數(shù)據(jù)中心及儲能等市場，滿足這些行業(yè)日益增長的需求。（集邦化合物半導體Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

目前，功率氮化鎵在消費電子領域應用已漸入佳境，并正在逐步向各類應用場景滲透。整體來看，功率氮化鎵產業(yè)已進入快速發(fā)展階段。

功率氮化鎵產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

從技術方面來看，9月11日英飛凌宣布，其已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數(shù)量的芯片，技術和效率顯著提升。

12英寸氮化鎵技術的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設備，有利于加快全面規(guī)?；慨a并降低產線建設成本。

從產業(yè)化方面來看，消費電子仍然是功率氮化鎵產業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領域。

在當前十分火熱的新能源汽車領域，越來越多的氮化鎵相關廠商開始探索氮化鎵車用可能性。其中，車載充電機（OBC）被視為最佳突破點，第一個符合汽車AEC-Q101標準的功率氮化鎵產品在2017年發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產品。

AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應對更高端的AI運算，服務器電源的效能、功率密度必須進一步提高，氮化鎵已成為關鍵解決技術之一。

而在機器人等電機驅動場景，氮化鎵的應用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。TI、EPC等持續(xù)推動著氮化鎵于電機驅動領域的應用，并不斷吸引新玩家進入。

從市場規(guī)模來看，TrendForce集邦咨詢認為，功率氮化鎵產業(yè)正處于關鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產業(yè)規(guī)模加速成長。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。

“助燃”機器人產業(yè)，為什么是氮化鎵？

從氮化鎵功率器件市場規(guī)模數(shù)據(jù)不難看出，盡管目前功率氮化鎵的主戰(zhàn)場仍然是消費電子市場，但未來在汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景的應用能見度較高，規(guī)模有望占據(jù)半壁江山。

而在除消費電子之外的各類潛力應用場景中，以電機驅動為基礎的機器人產業(yè)特別是人形機器人領域是功率氮化鎵當前導入進度較慢但未來有著廣闊應用空間的市場。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，在2025年各機器人大廠逐步實現(xiàn)量產的前提下，預估2027年全球人形機器人市場產值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復合成長率將達154%。

人形機器人市場規(guī)模增長的原因是多方面的，包括科技進步、市場需求、政策支持等。從技術方面來看，機器人的核心系統(tǒng)構成包括傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)。這其中，氮化鎵有非常豐富的應用場景，包括電機控制、激光雷達系統(tǒng)、DC-DC轉換器以及電池BMS等。

人形機器人的動力核心是電機與電機驅動芯片，電機驅動芯片是電機實現(xiàn)精準高效控制的關鍵，這也是電機驅動芯片導入氮化鎵技術的最主要原因。氮化鎵技術導入電機驅動芯片后，為機器人驅動系統(tǒng)提供了更高的能效比、更優(yōu)的熱管理和更合理化的設計。

具體來看，氮化鎵器件的應用，提升了系統(tǒng)整體效率、減輕了重量和體積、延長了機器人使用壽命并增強其在各種工作環(huán)境中的可靠性。

而在激光雷達系統(tǒng)中，使用氮化鎵器件與使用傳統(tǒng)的硅器件相比，展現(xiàn)出了更快的響應速度和更低的功耗，使得雷達系統(tǒng)能夠以更窄的脈沖寬度、更大的峰值電流和更高的功率運行，從而顯著提升圖像的分辨率和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

整體來看，氮化鎵功率器件正在機器人的運動、感官等重要零部件發(fā)揮作用，推動機器人的普及應用。

部分功率器件大廠進軍機器人領域

在機器人產業(yè)氮化鎵應用需求驅動下，TI、EPC、納微、東漸氮化鎵等企業(yè)圍繞機器人應用開始了在氮化鎵業(yè)務方面的新一輪群雄逐鹿，并各自取得了一定的成果。

TI在今年7月推出了適用于電機集成式伺服驅動器和機器人應用的48V、850W小型三相氮化鎵逆變器參考設計TIDA-010936。同月，東漸氮化鎵與海神機器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)新一代高性能芯片，以推進智慧物業(yè)管理機器人場景應用。

8月在PCIM Asia 2024展會上，EPC展示了一款人形機器人樣品。該機器人中的一些關節(jié)組件采用了氮化鎵技術。

10月，納微半導體正式發(fā)布了新一代高度集成的氮化鎵功率芯片GaNSlim系列，納微開啟進入48V AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和機器人市場。

此外，今年國內也有一起工業(yè)機器人搭載氮化鎵技術的案例落地——新工綠氫在年初推出自主研發(fā)設計的“天工一號”自動駕駛充電機器人。

總結

盡管目前已有不少氮化鎵相關廠商涉足機器人領域，但短期內氮化鎵技術在機器人場景的應用仍然面臨挑戰(zhàn)。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導體材料，氮化鎵的制備成本較高，這主要是由于其制備過程需要昂貴的原材料和設備，以及較高的能耗。如何降低氮化鎵的制備成本，提高其市場競爭力，是氮化鎵市場應用當前面臨的挑戰(zhàn)之一；此外，如何提高氮化鎵器件的穩(wěn)定性和壽命，確保其在實際應用中的可靠性，也是當前研究的重點。

隨著成本的進一步下探以及可靠性持續(xù)提升，氮化鎵技術將向AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、機器人等要求更嚴苛的領域進一步滲透。

長遠來看，機器人特別是人形機器人的大規(guī)模應用，將使人們的生活更加便捷和舒適，未來發(fā)展?jié)摿薮?，前景是光明的。隨著人形機器人市場規(guī)模的持續(xù)增長，氮化鎵產業(yè)有望吃到又一波紅利。（文：集邦化合物半導體Zac）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

漆間啟表示，日本相關公司管理層廣泛支持彼此合作，但在行政階層卻進展不多。面對市場領導者、德國的英飛凌科技（Infineon Technologies），日本相關企業(yè)與之差距逐步拉開，壓力增大。

漆間啟在彭博的訪談中強調，日本國內競爭者太多，而功率半導體產業(yè)需要不斷創(chuàng)新技術，在現(xiàn)在還有機會贏得市占時，企業(yè)合作是有依據(jù)的，“我們不應該一直彼此爭斗，我們需要團結”。

目前，全球的工業(yè)技術公司競相研發(fā)出更小、更輕、效能更佳的半導體，供應給電動汽車或是其他需要高電壓的電子設備。

日本是個汽車生產大國，但在電動汽車推廣方面卻還在掙扎。日本政府現(xiàn)在提供2000億日圓補貼，助力公司規(guī)劃、研發(fā)新一代使用碳化硅（SiC）的功率半導體。該投資計劃，帶動了一些日本半導體大廠之間合作。

漆間啟認為，日商的結盟不僅是在產能方面，也要在研發(fā)和銷售上合作，才能取得一定優(yōu)勢。

集邦化合物半導體了解到，在碳化硅領域，已有日本大企開展合作。

·日本電裝與富士電機

2024年11月29日，日本電裝與富士電機共同投資的碳化硅（SiC）半導體項目獲得補貼，該項目投資額達2116億日元（折合人民幣約102億元），補助金額最高達705億日元（折合人民幣約34億元）。

據(jù)悉，在該合作項目中，電裝將負責生產SiC襯底，而富士電機將負責制造SiC功率器件，并將擴建所需設施。項目預計產能為每年31萬片/年，并計劃從2027年5月開始供貨。

·羅姆與東芝

5月，羅姆宣布將與東芝就半導體業(yè)務方面進行業(yè)務談判，預計談判將持續(xù)一年左右。兩家公司旨在加強旗下半導體業(yè)務全方面合作，涵蓋技術開發(fā)、生產、銷售、采購和物流等領域。

同月，羅姆和東芝宣布將合作生產碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體器件，這一計劃還得到了日本政府的支持。

合作項目總投資為3883億日元（折合人民幣約180億元），其中政府將支持1294億日元（折合人民幣約60億元），占比高達三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責生產SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產Si芯片為主。

·日裝與三菱電機

2023年10月，Coherent宣布成立一家子公司獨立運營SiC業(yè)務，該子公司已獲得日裝和三菱電機共計10億美元的投資（分別投資5億美元）。此外，三方還簽訂了長期供貨協(xié)議，Coherent將為這兩家日本公司供應6/8英寸SiC襯底和外延片。（集邦化合物半導體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source：江蘇姜堰

其中，CoolGaN G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費應用；CoolGaN G5系列基于GIT（Gate Injection Transistor，柵注入晶體管）技術推出新一代650V晶體管，以及基于G5的IPS驅動產品，適用于消費、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領域的應用。

據(jù)悉，自2023年以來，英飛凌正在加速布局GaN業(yè)務。2023年5月，作為項目主導方，英飛凌宣布將參與一個由45家合作伙伴共同建設的歐洲聯(lián)合科研項目ALL2GaN，目的是開發(fā)從芯片到模塊的集成GaN功率設計，主要面向電信、數(shù)據(jù)中心和服務器等應用。

當年10月，英飛凌以8.3億美元完成收購GaN Systems。GaN Systems是全球前五大GaN功率器件廠商之一，收購GaN Systems后，英飛凌在一定程度上改變了GaN功率器件市場競爭格局。

而在今年9月12日，英飛凌宣布率先開發(fā)全球首項12英寸氮化鎵功率半導體技術。按照英飛凌的說法，這項技術能夠徹底改變行業(yè)的游戲規(guī)則，相較于8英寸晶圓，12英寸晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因晶圓直徑擴大，每片晶圓上芯片數(shù)量增加了2.3倍，顯著提高了效率。

目前，英飛凌已在Villach廠利用現(xiàn)有12英寸硅生產設備的整合試產線，成功地生產出12英寸GaN晶圓。

當前，消費電子是功率GaN產業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領域。而在汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機器人等領域，氮化鎵也都有較大的應用潛力，并取得了一定的成果，前景光明。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN?Power?Device市場分析報告》顯示，隨著各大廠商對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

在此背景下，英飛凌CoolSiC MOSFET 400V系列、納微全新4.5kW服務器電源方案等創(chuàng)新產品在近期相繼問世，推動碳化硅/氮化鎵在AI服務器電源（PSU）的應用熱度持續(xù)上漲。

碳化硅/氮化鎵：PSU升級突破口

近年來，生成式AI的火熱應用和AI芯片算力的爆發(fā)增長，使得全球數(shù)據(jù)中心耗電量激增，為應對AI帶來的高能耗危機，升級數(shù)據(jù)中心PSU成為重要突破口。

目前，全球AI和超大規(guī)模計算數(shù)據(jù)中心的PSU有三種外形規(guī)格，包括通用冗余電源的CRPS185、CRPS265以及開放計算項目的OCP。三種規(guī)格電源高度和寬度尺寸相同，只有長度不同，其中，每個CRPS185電源尺寸都是固定的，長寬高分別為185毫米、73.5毫米、40毫米。因此，在尺寸無法改變的情況下，AI服務器功率需求的增加就需要從提升功率密度入手。

功率密度的提升可以通過提高開關頻率來實現(xiàn)，在硅基產品已到達物理性能極限的情況下，氮化鎵器件的高開關頻率特性使其更加適合高密度CRPS應用。而碳化硅器件與硅基產品相比，可以在更高的溫度和電壓下運行，實現(xiàn)更高效的功率轉換并減少能量損失。

從實際應用情況來看，納微通過將碳化硅功率器件以及氮化鎵功率芯片混合使用設計出的CRPS服務器電源參考設計，顯著地提升了功率密度和效率。今年7月，納微發(fā)布圍繞納微旗下GaNSafe高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅功率器件打造的全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源方案，據(jù)稱，該方案以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率領跑AI數(shù)據(jù)中心PSU行業(yè)。

碳化硅/氮化鎵功率器件大廠AI服務器電源爭奪戰(zhàn)

目前，碳化硅/氮化鎵功率器件廠商們關于AI服務器電源的爭奪戰(zhàn)已經打響，除納微外，英飛凌、安森美、EPC、德州儀器、鎵未來、能華微、氮矽科技等玩家已入局。

英飛凌

其中，英飛凌在今年6月發(fā)布了專為AI服務器的AC/DC級開發(fā)的全新CoolSiC MOSFET 400V系列產品，與現(xiàn)有的650V SiC和Si MOSFET相比，新系列傳導和開關損耗都較低，提升AI服務器電源功率密度達到100W/in3以上，并且效率達到99.5%，較使用650V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。

針對AI服務器54V輸出平臺，英飛凌開發(fā)了3.3kW PSU專用DEMO板，采用了英飛凌的CoolGaN、CoolSiC、CoolMOS設計，可實現(xiàn)整機基準效率97.5%，功率密度達到96W/in3，能夠解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求。

在PCIM Asia 2024展會上，英飛凌相關負責人表示，降低數(shù)據(jù)中心能耗是AI產業(yè)發(fā)展的迫切需求，也是英飛凌積極努力的方向。英飛凌推出的新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術，導通損耗更低、開關效率更高、可靠性更好，在性能方面有顯著提升，能夠滿足AI服務器電源應用需求。

安森美

安森美針對PSU輸出功率、轉換效率與功率密度的“三高”挑戰(zhàn)，推出了最新一代T10 PowerTrench?系列和EliteSiC 650V MOSFET的組合，為數(shù)據(jù)中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了更高能效和更好的熱性能。

該產品組合中，EliteSiC 650V SiC M3S MOSFET是為應對數(shù)據(jù)中心的能效挑戰(zhàn)提供的方案，能夠滿足開放式機架V3（ORV3） PSU高達97.5%的峰值效率要求，T10 PowerTrench?系列則通過優(yōu)化的封裝技術，增強了散熱效果，能夠滿足數(shù)據(jù)中心對于高功率轉換效率和小型化的需求。

基于上述相關產品，安森美現(xiàn)場應用工程師Sangjun Koo在PCIM Asia 2024展會期間和集邦化合物半導體的交流過程中表示，安森美正在積極布局AI數(shù)據(jù)中心領域，也收到了很多來自AI數(shù)據(jù)中心市場的訂單需求。

EPC

在本次PCIM展會上，EPC展示了應用氮化鎵的人形機器人樣品，以及一輛在車載激光雷達部件中導入了EPC氮化鎵功率器件的無人駕駛小電車。

除人形機器人、激光雷達等場景外，AI數(shù)據(jù)中心PSU也是EPC正在重點布局的領域之一。在和集邦化合物半導體的交流中，EPC可靠性事業(yè)部副總裁張聲科表示，EPC的低壓氮化鎵器件能夠覆蓋所有48V轉12V的服務器的電源轉換器件需求。

TI

TI早在2021年便與服務器電源供應商臺達就數(shù)據(jù)中心PSU達成合作，基于其GaN技術和C2000 MCU實時控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用PSU。

TI在GaN技術以及C2000 MCU實時控制解決方案上有長達十年的投資，與臺達合作，TI可采用創(chuàng)新的半導體制造工藝來制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺達等企業(yè)打造差異化應用，更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

為引領產業(yè)發(fā)展，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術路線圖，表明了未來持續(xù)強化該領域布局的決心。

為應對AI數(shù)據(jù)中心電源指數(shù)級的功率需求提升，納微半導體正持續(xù)開發(fā)新的服務器電源平臺，將電源功率水平從3kW迅速提升到10kW，預計在2024年第四季度推出。

除了已推出的輸出功率為3kW和3.3kW的PSU外，英飛凌全新8kW和12kW PSU也將在不久的將來推出，以進一步提高AI數(shù)據(jù)中心的能效。借助12kW參考板，英飛凌有望推出全球首款達到這一性能水平的AI數(shù)據(jù)中心PSU。

國內廠商方面，鎵未來已與知名院校達成合作，共同完成業(yè)界首款3.5kWCRPS無風扇服務器電源的開發(fā)并量產，通過兩相交錯圖騰柱PFC及LLC實現(xiàn)97.6%高效率, 功率密度高達73.6W/Inch3。氮矽科技多款相關產品已送樣國內頭部知名企業(yè)，并完成了相關的可靠性測試；能華微1200V GaN產品也已經送樣知名服務器電源廠，正在進行可靠性評估，各大廠商正在共同推動氮化鎵在AI數(shù)據(jù)中心PSU應用的產業(yè)化進程。

綜合來看，AI服務器電源功率密度和效率正在持續(xù)提升，是碳化硅/氮化鎵功率器件廠商重點聚焦的兩大性能指標，有望催生出各類實戰(zhàn)表現(xiàn)亮眼的產品，也將吸引更多碳化硅/氮化鎵玩家入局。

總結

數(shù)據(jù)中心電源領域是近年來碳化硅/氮化鎵頭部廠商重點耕耘的方向之一，目前部分廠商碳化硅/氮化鎵產品在數(shù)據(jù)中心電源市場的應用已經取得了一定進展，而AI的強勢崛起推動該市場進一步發(fā)展。

隨著AI技術的不斷演進和數(shù)據(jù)算力需求的持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心的能源效率和功率密度要求會越來越嚴苛，對各大廠商碳化硅/氮化鎵功率器件產品的性能要求也會越來越高。

隨著碳化硅、氮化鎵產業(yè)的進一步發(fā)展，以及AI生態(tài)的持續(xù)繁榮，碳化硅、氮化鎵和AI的交集也會越來越多，各大廠商關于AI服務器電源的爭奪戰(zhàn)將會日趨激烈。（文：集邦化合物半導體Zac）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。