source：長飛先進

據(jù)介紹，長飛先進武漢基地項目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進武漢基地項目正推進建設(shè)并對設(shè)備進行安裝調(diào)試，預(yù)計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)長飛先進官微此前消息，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。

據(jù)了解，近期除長飛先進武漢基地外，還有2個碳化硅芯片/模塊項目披露了最新進展，分別位于江蘇東臺、福建廈門。

11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個項目投資10-15億元，分兩期實施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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環(huán)球晶圓表示，補助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市（ Missouri）的先進半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計劃。美國商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項專案里程碑的情況，于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項補助。

此外，作為獎勵條款的一部分，環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線，制造6英寸（150mm）或8英寸（200mm）碳化硅外延。

source：環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面，環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面，環(huán)球晶圓在中國臺灣生產(chǎn)碳化硅襯底，在美國德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉，其碳化硅產(chǎn)品已通過一線大廠認證。針對碳化硅襯底，公司的制造產(chǎn)能主要在中國臺灣。

環(huán)球晶圓此前表示，待該地滿載后，出于對美國德州電費和土地成本的考量，公司不排除在德州進行長晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面，環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購，環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：長江新區(qū)

資料顯示，金信新材料主要研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體碳化硅晶錠、半導(dǎo)體超高純碳化硅粉料及超純碳化硅結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于芯片和光伏領(lǐng)域。

金信新材料董事長董世昌表示，金信新材料攻克了碳化硅原料超高純度提純以及6到8英寸碳化硅晶錠生產(chǎn)的技術(shù)難題，實現(xiàn)了8英寸碳化硅襯底材料的規(guī)?；a(chǎn)。

據(jù)悉，大尺寸高純度碳化硅晶錠指的是一種尺寸較大、純度較高的碳化硅晶體材料，通常呈圓柱形或長方體形。這種晶錠可用于制備高純度、高性能的碳化硅單晶和多晶材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子、電力、航空航天等領(lǐng)域。

圍繞8英寸碳化硅晶錠，國內(nèi)企業(yè)在材料和設(shè)備方面都有突破。材料方面，今年2月，中宜創(chuàng)芯公司實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶晶錠；設(shè)備方面，今年8月，江蘇通用半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。

值得一提的是，今年9月，世界首款碳化硅AR眼鏡鏡片亮相。它外形與日常太陽鏡無異，但與傳統(tǒng)AR眼鏡鏡片相比，更加輕薄，單片重量只有2.7克、厚度僅0.55毫米。而據(jù)金信新材料董事長董世昌介紹，目前，金信新材料還在著手開發(fā)AI產(chǎn)業(yè)用AR鏡片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設(shè)，2023年4月開始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當(dāng)年10月設(shè)備移入，12個月實現(xiàn)通線。項目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測中心和超級能源站。

值得一提的是，該項目關(guān)鍵核心工藝國產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過70%，據(jù)稱是全球第二組、亞洲第一座全自動化第三代半導(dǎo)體芯片制造工廠，同時，成為全球首個導(dǎo)人全自動缺陷檢測方案的碳化硅芯片制造工廠。

近年來，格力持續(xù)加碼在芯片領(lǐng)域的布局。2012年，格力建設(shè)全國第一條國產(chǎn)化IPM功率模塊線；2018年，其成立珠海零邊界集成電路有限公司；同年格力電器與長安汽車等8家企業(yè)合資成立湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司；2019年，格力斥資30億入股聞泰科技參與完成安世半導(dǎo)體的收購；2020年，格力電器入股三安光電；2022年成立格力電子元器件有限公司。目前，格力在芯片領(lǐng)域已形成較完整的產(chǎn)業(yè)布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過驗證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡化了入門流程，并顯著降低了設(shè)計風(fēng)險和產(chǎn)品開發(fā)時間。

通過將經(jīng)過驗證的工藝模塊與強大的設(shè)計規(guī)則、控制計劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實現(xiàn)了更快的原型制作、更簡便的設(shè)計評估和更短的市場上市時間。該平臺為客戶提供了競爭優(yōu)勢，允許設(shè)計師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達九個月實現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時，減小了活動區(qū)域設(shè)計單元尺寸。XSICM03平臺憑借穩(wěn)健的設(shè)計規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過驗證的工藝模塊，平臺確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫和增強的設(shè)計支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評論道：“通過其簡化的方法，我們的下一代工藝平臺滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對高性能SiC器件日益增長的需求。公司通過加速原型制作和設(shè)計評估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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官微資料顯示，清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案，團隊依托納米金屬燒結(jié)材料與封裝設(shè)備研發(fā)基礎(chǔ)，開發(fā)了全系列銀/銅燒結(jié)材料與配套解決方案。其中，具有獨立知識產(chǎn)權(quán)的銀燒結(jié)產(chǎn)品已通過車規(guī)級認證并形成批量訂單，銅燒結(jié)產(chǎn)品已向國內(nèi)外眾多頭部客戶提供制樣并完成驗證。

據(jù)悉，銀/銅燒結(jié)工藝是以碳化硅為代表的高性能功率器件芯片封裝的核心技術(shù)，技術(shù)門檻較高。此次融資完成后，清連科技將進一步提升銀/銅燒結(jié)產(chǎn)品與設(shè)備的量產(chǎn)能力，加速客戶服務(wù)中心建設(shè)。

值得一提的是，近期還有另外一家碳化硅銀燒結(jié)技術(shù)相關(guān)廠商完成了新一輪融資。

10月22日，據(jù)中科光智官微消息，中科光智完成了A+輪融資，融資金額為數(shù)千萬元人民幣，由重慶科技創(chuàng)新投資集團有限公司控股（持股比例99%）子公司重慶科創(chuàng)長嘉私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資。

2024年上半年，中科光智研發(fā)出高精度全自動貼片機、納米銀壓力燒結(jié)機兩款碳化硅芯片封裝工藝設(shè)備，均已進入市場驗證階段。銀燒結(jié)技術(shù)用于電力電子功率模塊、碳化硅器件封裝等，能夠顯著提高這些器件的可靠性、效率和壽命。

值得關(guān)注的是，清連科技本輪融資新增股東之一的哈勃科技（哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司）為華為投資控股有限公司全資子公司，投資領(lǐng)域為第三代半導(dǎo)體（碳化硅）、EDA工具、芯片設(shè)計、激光設(shè)備、半導(dǎo)體核心材料等多個領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：晶盛機電

據(jù)介紹，晶盛機電圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體襯底材料開發(fā)了一系列關(guān)鍵設(shè)備并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域，賦能全球半導(dǎo)體及光伏等產(chǎn)業(yè)。此前，晶盛機電已于2016年成立晶盛機電日本株式會社，開啟半導(dǎo)體裝備國際化研發(fā)之路，并與普萊美特日本株式會社共同設(shè)立了合資公司，逐步在全球構(gòu)建起研發(fā)和供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)。

據(jù)悉，晶盛機電正在持續(xù)拓展海外市場。10月23日晚間，晶盛機電公布了2024年第三季度報告。晶盛機電表示，報告期內(nèi)，其碳化硅材料實現(xiàn)8英寸產(chǎn)能的快速爬坡，并拓展了海外客戶。

今年以來，除晶盛機電外，國內(nèi)碳化硅相關(guān)廠商加速出海步伐，并各自取得了一定的進展。

3月22日，據(jù)高測股份官微消息，其8英寸半導(dǎo)體金剛線切片機再簽新訂單，設(shè)備交付后將發(fā)往歐洲某半導(dǎo)體企業(yè)，這是高測股份半導(dǎo)體設(shè)備收獲的首個海外客戶。

而在4月，世紀金芯與日本某客戶簽訂碳化硅襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸碳化硅襯底共13萬片，訂單價值約2億美元（約14.57億人民幣）。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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在此背景下，國內(nèi)外功率器件大廠圍繞碳化硅芯片開始了新一輪角逐，市場上不時傳出各類利好消息。近日，美國商務(wù)部表示，已與德國汽車零部件供應(yīng)商博世（Bosch）達成初步協(xié)議，將為博世在加州的碳化硅功率半導(dǎo)體工廠興建計劃，提供多達2.25億美元（約16.38億人民幣）的補貼。

據(jù)悉，美國商務(wù)部將以這筆補貼支持博世將在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元（約138.33億人民幣），把制造設(shè)施轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體工廠的計劃。博世預(yù)期，這座半導(dǎo)體工廠2026年起將以200毫米（8英寸）晶圓生產(chǎn)芯片。美國商務(wù)部稱，博世這座工廠產(chǎn)能全開時，在全美碳化硅芯片制造產(chǎn)能中的占比將超過40%。

博世持續(xù)蓄力碳化硅

隨著碳化硅在汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)，作為全球第一大汽車零部件及系統(tǒng)供應(yīng)商，博世早在2019年就開始探索碳化硅車用業(yè)務(wù)。

2021年底，博世開始在德國羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應(yīng)用于電動和混動汽車的電力電子器件中。目前，博世針對該工廠的規(guī)劃已經(jīng)過多次修改，投資金額和產(chǎn)能不能提升。

近年來，博世在全球范圍內(nèi)持續(xù)加碼碳化硅布局，尤其是中國和美國兩個大市場。

隨著中國新能源汽車市場的火熱發(fā)展，博世在2023年1月12日與蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會簽署投資協(xié)議，并宣布在蘇州投資建立博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地。

據(jù)悉，博世計劃在未來幾年內(nèi)累計向該項目投資約70億人民幣。項目研發(fā)生產(chǎn)方向則將圍繞新能源汽車核心部件，包括商用車電動化所需的配備了新一代碳化硅功率模塊單元的電驅(qū)產(chǎn)品。

隨后在2023年8月，博世表示，其已經(jīng)收購了加州芯片制造商TSI Semiconductors，將在美國建立碳化硅芯片制造基地。隨著博世在美國獲得補貼，并開始碳化硅芯片工廠建設(shè)計劃，該公司碳化硅芯片產(chǎn)能有望進一步提升。

值得關(guān)注的是，博世位于加州羅斯維爾市的碳化硅工廠將生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片，將推動博世成為碳化硅功率器件領(lǐng)域又一家轉(zhuǎn)型8英寸的廠商。

8英寸碳化硅芯片投產(chǎn)潮來襲

TrendForce集邦咨詢認為，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。

由于8英寸有利于降低碳化硅器件成本，在碳化硅產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈的情況下，包括意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國際功率器件大廠以及士蘭微、方正微電子等國內(nèi)廠商都在致力于通過8英寸轉(zhuǎn)型降本增效，提升競爭力。

國際廠商方面，作為全球碳化硅襯底龍頭，Wolfspeed是目前少有的已量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的廠商。今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美國紐約的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達到了20%。

意法半導(dǎo)體則計劃在2025年將碳化硅產(chǎn)品全面升級為8英寸。為達成這一目標(biāo)，意法半導(dǎo)體與三安光電合資在重慶建設(shè)8英寸碳化硅器件廠，目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中，預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)。

英飛凌則在今年8月宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項目正式啟動運營，預(yù)計2025年可實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

安森美位于韓國富川的碳化硅晶圓廠已于2023年完成擴建，計劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗證后過渡到8英寸生產(chǎn)，屆時產(chǎn)能將擴大到當(dāng)前規(guī)模的10倍。

羅姆在日本福岡縣筑后工廠的碳化硅新廠房已于2022年開始量產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)將切換為8英寸晶圓產(chǎn)線。按照羅姆的規(guī)劃，其預(yù)計在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。

為順應(yīng)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢，三菱電機位于熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運營。該工廠的運作日期將從2026年4月變更為2025年11月。

國內(nèi)企業(yè)中，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項目已進入土方工程收尾階段，一期項目預(yù)計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)；芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計劃今年四季度正式開始向客戶送樣，2025年進入規(guī)模量產(chǎn)；方正微電子當(dāng)前有兩個Fab，其中，F(xiàn)ab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線預(yù)計將于2024年底通線。

從上述各大廠商的8英寸發(fā)展規(guī)劃可以看出，2025年有望成為8英寸碳化硅器件密集投產(chǎn)期，進而推動碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全面進入8英寸時代。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

此前，鐳赫技術(shù)曾在2023年12月完成千萬級人民幣天使輪融資，由東方富海獨家投資。本輪融資資金主要用于購買設(shè)備零部件、建設(shè)廠房以及擴充團隊。

公開資料顯示，鐳赫技術(shù)由王巖松博士和Philippe GASTALDO博士于2022年創(chuàng)立，是一家結(jié)合了歐洲技術(shù)基礎(chǔ)與國內(nèi)本地化團隊而成的新興半導(dǎo)體前道檢測量測設(shè)備供應(yīng)商。

目前，鐳赫技術(shù)已完成檢測系列所有設(shè)備的內(nèi)部開發(fā)，覆蓋12英寸硅片、碳化硅（SiC）及先進封裝等方面，共推出七款檢測設(shè)備，涵蓋檢測系列各品類，覆蓋多種尺寸和材料。

在量測設(shè)備方面，鐳赫技術(shù)計劃在2025年一季度開始進行測試，預(yù)計明年上半年完成全部檢測量測設(shè)備的首測，各類設(shè)備驗證時間到2025年年終，此后實現(xiàn)各類設(shè)備批量生產(chǎn)。

近期，除鐳赫技術(shù)外，國內(nèi)還有多家碳化硅檢測量測設(shè)備相關(guān)廠商完成了新一輪融資，顯示了設(shè)備賽道的火熱發(fā)展，其中包括國科測試、忱芯科技等。

10月29日，據(jù)天眼查披露消息，第三代半導(dǎo)體檢測設(shè)備企業(yè)蘇州國科測試科技有限公司（以下簡稱：國科測試）近日完成數(shù)千萬元人民幣A輪融資，由鑫霓資產(chǎn)獨家投資，本輪融資資金將會用于批量產(chǎn)業(yè)化、人才建設(shè)、晶圓AOI研發(fā)和市場開拓。

國科測試在蘇州總部有6000多平米的生產(chǎn)基地，專注于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域電學(xué)檢測系統(tǒng)及機器視覺設(shè)備的智能制造。

12月3日，據(jù)忱芯科技官微消息，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體測試裝備提供商忱芯科技近期已完成B輪融資，金額為2億元，本輪融資由國投創(chuàng)業(yè)領(lǐng)投，陽光融匯和老股東火山石投資跟投。本輪融資資金將主要用于公司前瞻產(chǎn)品研發(fā)、新產(chǎn)品量產(chǎn)及全球化業(yè)務(wù)布局。

目前，忱芯科技的碳化硅功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)產(chǎn)品線涵蓋了碳化硅基功率半導(dǎo)體器件的測試環(huán)節(jié)，覆蓋功率半導(dǎo)體晶圓級測試、芯片級測試、單管/模塊級測試和系統(tǒng)級測試。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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從技術(shù)趨勢分析，第三季SiC（碳化硅）逆變器滲透率較前一季微增1%，但較去年同期下降2%。值得關(guān)注的是，中國市場貢獻全球約65%的SiC逆變器裝機量，盡管其核心零件的功率模塊仍由國際半導(dǎo)體廠商主導(dǎo)，但“國產(chǎn)替代”策略正在推動本土廠商實現(xiàn)突破，未來可能挑戰(zhàn)國際企業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

在一級供應(yīng)商的競爭格局上，比亞迪受益于旗下車型熱銷，第三季牽引逆變器裝機市占率季增1%，達18%，首度超越日廠Denso，成為市占率最高的公司。匯川技術(shù)的市占率亦提升至6%，顯示出中國廠商在該領(lǐng)域的競爭力持續(xù)增強?？傮w而言，中國廠商、日本廠商和Tesla合計占據(jù)全球裝機量的一半，而歐美廠商影響力則逐漸減弱。

TrendForce集邦咨詢表示，牽引逆變器區(qū)域的分化日益明顯，中國市場裝機量占全球總量的61%，歐洲則在市場萎縮的壓力下積極改革，削減支出以提升電動車產(chǎn)業(yè)鏈的競爭力。短期內(nèi)，中國市場的穩(wěn)定需求將繼續(xù)支撐牽引逆變器市場的增長。長期來看，歐洲汽車產(chǎn)業(yè)鏈若能成功實施改革，將有助于提振全球牽引逆變器與電動車市場的整體表現(xiàn)。來源：TrendForce集邦咨詢

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