該研究所在IEDM 2023會議的一場演講中表示，目前用于電信或雷達的GaN高電子遷移率晶體管 (HEMT) 技術采用的是小型GaN-on-SiC襯底，需要在專用無塵室中進行處理。

值得注意的是，用于生長GaN層的高性能SiC襯底非常昂貴，而且只有相對較小的尺寸。而該研發(fā)項目在CMOS兼容的無塵室中相繼開發(fā)了直徑為8英寸和12英寸的GaN-on-Si，旨在以降低襯底成本，并從現有的高性能無塵室設施中獲益。

圖片來源：拍信網正版圖庫

因此，在功率密度方面，CEA-Leti的GaN-on-Si技術在28 GHz的性能正逐步超越GaN-on-SiC技術。

CEA-Leti 科學家 Erwan Morvan表示，這項研究的目標是通過與8英寸CMOS兼容的GaN-on-Si技術，在約30GHz下達到現有最先進的GaN HEMT性能，并與GaN-on-SiC技術競爭。

Erwan Morvan認為，與CMOS兼容的8英寸硅基SiN/AlN/GaN MIS-HEMT技術在5G/6G基礎設施、衛(wèi)星通信、無人機探測雷達或地球觀測等應用中潛力較大。利亞這項技術制作的器件，在保持高功率密度、高效率、重量輕和結構緊湊的同時，還能降低設備成本。
據悉，這項工作中開發(fā)的器件專為射頻放大器和開關而設計，可用于30GHz左右的這些應用。

雖然這項工藝技術的可靠性測試才剛剛開始，但 CEA-Leti 將在這一領域持續(xù)開展研發(fā)工作，包括提高其 MIS-HEMT 晶體管的原始輸出功率和效率，集成其改進的工藝模塊以提高器件性能并將工作頻率提高到100GHz以上，以及在12英寸硅晶片上實現芯片的3D集成。（集邦化合物半導體Zac編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。