英諾賽科發(fā)布三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品

5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款GaN驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，分別是INS1001DE（單通道驅(qū)動(dòng)器）、INS2001FQ（半橋驅(qū)動(dòng)器）和INS2001W（半橋驅(qū)動(dòng)器），可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽(yáng)能微逆、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

source：英諾賽科

其中，單通道GaN驅(qū)動(dòng)器INS1001DE與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，輸入電壓更寬（6V-20V），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉電阻），保護(hù)功能更多（欠壓/過(guò)壓/過(guò)溫保護(hù)）；100V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器INS2001FQ/INS2001W與行業(yè)同類型產(chǎn)品對(duì)比，VCC靜態(tài)電流更低（35uA），驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)（1Ω上拉/0.2Ω下拉電阻），傳輸延遲更短（14ns），延遲匹配更優(yōu)（1ns）。

另?yè)?jù)英諾賽科官微消息，5月16日，英諾賽科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，該系列產(chǎn)品針對(duì)消費(fèi)類電子領(lǐng)域定制開(kāi)發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機(jī)、平板、筆記本快充應(yīng)用。

該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路，無(wú)損電流采樣，以及眾多保護(hù)功能；具備零反向恢復(fù)電荷，2MHz高開(kāi)關(guān)頻率，高達(dá)80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

6月4日，據(jù)CGD官微消息，其今日推出兩款新型ICeGaN產(chǎn)品系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的DFN封裝，堅(jiān)固可靠。

source：劍橋氮化鎵器件

其中，DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，在設(shè)計(jì)上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計(jì)，有助于優(yōu)化PCB布局和簡(jiǎn)單并聯(lián)。

BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查，其熱阻為0.28K/W。BHDFN的外形尺寸為10x10mm，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用TOLL封裝的GaN功率IC進(jìn)行通用布局，便于使用和評(píng)估。

CGD產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN產(chǎn)品系列GaN功率IC適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、微型逆變器和其他工業(yè)應(yīng)用，能夠帶來(lái)更高的功率密度和效率。

另?yè)?jù)CGD官微消息，5月30日，CGD與中國(guó)臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能GaN解決方案方面加強(qiáng)合作。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開(kāi)發(fā)功率密度超過(guò)30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。（來(lái)源：劍橋氮化鎵器件、英諾賽科，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

CGD與ITRI簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄

5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國(guó)臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能 GaN 解決方案方面加強(qiáng)合作。

CGD首席商務(wù)官Andrea Bricconi表示，CGD 將于6月在紐倫堡舉行的PCIM展會(huì)上展示部分 ITRI 的電路板設(shè)計(jì)。通過(guò)利用CGD獨(dú)特的IC芯片架構(gòu)和ITRI的專利設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了縮小應(yīng)用尺寸、高能效、高功率密度，提高了競(jìng)爭(zhēng)力。

ITRI商用電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增強(qiáng)型GaN ICeGaN系列產(chǎn)品提高了易用性，促進(jìn)了智能溫度控制，并提高了柵極可靠性。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開(kāi)發(fā)功率密度超過(guò)30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。

資料顯示，CGD是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。

佳恩半導(dǎo)體與西安電子科技大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱佳恩半導(dǎo)體）與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

此次合作，雙方將共同研究開(kāi)展GaN功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于GaN器件制造平臺(tái)開(kāi)展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)GaN功率器件特點(diǎn)，開(kāi)展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開(kāi)展GaN功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

作為一家功率半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)公司，佳恩半導(dǎo)體致力于高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造及銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，并建有IGBT產(chǎn)品性能測(cè)試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室。

產(chǎn)品方面，佳恩半導(dǎo)體自主研發(fā)的產(chǎn)品涵蓋了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。

終端應(yīng)用方面，佳恩半導(dǎo)體研發(fā)的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于變頻器、高鐵配套設(shè)施、工業(yè)逆變控制、無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、UPS、汽車充電樁及消費(fèi)類開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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