01 納微半導體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關

3月12日，納微半導體發(fā)布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅動器。通過單級BDS（雙向開關）變換器實現(xiàn)電源技術范式躍遷。納微半導體指出，該技術將推動傳統(tǒng)雙級拓撲向單級架構轉型，目標市場涵蓋電動汽車充電（車載充電機OBC及充電樁）、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及電機驅動等領域，有望開啟數(shù)十億美元級市場機遇。

source：納微半導體

首批650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片包括料號為NV6427（典型導通電阻為100 mΩ）和NV6428（典型導通電阻為50 mΩ）的兩款產品，采用頂部散熱的TOLT-16L（晶體管外形引腳頂部冷卻）封裝，已通過品質認證并已進入量產階段。

全新IsoFast電氣隔離型高速驅動器，專為驅動雙向氮化鎵器件設計。其瞬態(tài)抗擾度較現(xiàn)有驅動器提升4倍（最高達200 V/ns），且無需外部負壓供電，可在高壓系統(tǒng)中實現(xiàn)可靠、快速、精準的功率控制。首批產品包括采用SOIC-16N封裝的NV1702（雙通道數(shù)字隔離型雙向氮化鎵柵極驅動器）及采用SOIC-14W封裝的NV1701（半橋氮化鎵數(shù)字隔離器）兩款料號，兩款樣品可提供給符合資質的客戶。

02 CGD推出新能源車主驅逆變器的GaN解決方案

近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術，目標瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。

Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同一功率模塊，在實現(xiàn)效率最大化的同時，為碳化硅 (SiC) 解決方案提供了更具成本效益的替代選擇。

source：CGD

CGD介紹，該方案分利用了ICeGaN與IGBT器件的協(xié)同優(yōu)勢：二者具有相近的閾值電壓（ICeGaN?約3V，IGBT為4-5V）、兼容的電壓驅動范圍（0-20V）以及卓越的柵極可靠性。在混合并聯(lián)架構中，ICeGaN 器件憑借其低導通損耗和低開關損耗的特性，將在輕載工況下發(fā)揮主導作用；而IGBT則在高負載或峰值輸出條件下展現(xiàn)優(yōu)勢。該混合方案既受益于IGBT的高飽和電流與雪崩鉗位能力，又兼具ICeGaN 的超高效開關特性。在高溫環(huán)境下，IGBT的雙極特性使其在更低導通電壓下提前開啟，有效補償ICeGaN的電流損耗；而在低溫條件下，ICeGaN將承擔更多電流。系統(tǒng)通過智能的檢測與保護功能，動態(tài)優(yōu)化Combo ICeGaN的驅動模式，同步擴展兩種器件的安全工作區(qū)（SOA），提高系統(tǒng)可靠性。

CGD預計該方案將于今年進入工程樣機階段并于年底前推出Combo ICeGaN的演示模塊和評估版。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

CGD創(chuàng)始人兼CEO Giorgia Longobardi 博士表示：”當前新能源車主驅逆變器要么采用低成本但輕載效率低的IGBT，要么選擇高性能但昂貴的SiC器件。我們全新的Combo ICeGaN 解決方案通過巧妙融合GaN與IGBT技術的優(yōu)勢，將徹底革新電動汽車產業(yè)——在降低系統(tǒng)成本的同時保持最優(yōu)的能效水平，這意味著更快的充電速度與更長的續(xù)航里程。”（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

這筆資金將幫助 CGD 擴大在劍橋、北美、中國臺灣和歐洲的業(yè)務，為不斷增長的客戶提供 CGD 獨特的價值主張；并將推動實施 CGD 繼續(xù)向大功率工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和汽車市場提供高效的 GaN 產品的增長戰(zhàn)略。

資料顯示， CGD是一家無晶圓半導體公司，由劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于2016年自劍橋大學分拆后成為獨立公司，致力于開發(fā)功率器件的革命性技術。

CGD 的使命是通過提供最高效、最可靠的產品來塑造電力電子的未來。CGD 的設計、開發(fā)和商業(yè)化，實現(xiàn)了 GaN 器件和 IC 在能源效率和緊湊性上的根本性轉變，適用于大批量生產。CGD 技術受到強大的知識產權組合的保護，領先的創(chuàng)新技能和雄心推動著 CGD 不斷的進步。（集邦化合物半導體整理）

英諾賽科發(fā)布三款GaN驅動器產品

5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出三款GaN驅動器產品，分別是INS1001DE（單通道驅動器）、INS2001FQ（半橋驅動器）和INS2001W（半橋驅動器），可廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、汽車電子、電池化成、太陽能微逆、馬達驅動等多個領域。

source：英諾賽科

其中，單通道GaN驅動器INS1001DE與行業(yè)同類型產品對比，輸入電壓更寬（6V-20V），驅動能力更強（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉電阻），保護功能更多（欠壓/過壓/過溫保護）；100V半橋GaN驅動器INS2001FQ/INS2001W與行業(yè)同類型產品對比，VCC靜態(tài)電流更低（35uA），驅動能力更強（1Ω上拉/0.2Ω下拉電阻），傳輸延遲更短（14ns），延遲匹配更優(yōu)（1ns）。

另據(jù)英諾賽科官微消息，5月16日，英諾賽科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，該系列產品針對消費類電子領域定制開發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機、平板、筆記本快充應用。

該系列產品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應驅動電路，無損電流采樣，以及眾多保護功能；具備零反向恢復電荷，2MHz高開關頻率，高達80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。

CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

6月4日，據(jù)CGD官微消息，其今日推出兩款新型ICeGaN產品系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過驗證的DFN封裝，堅固可靠。

source：劍橋氮化鎵器件

其中，DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，在設計上具有靈活性。在頂部尤其是雙側冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設計，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)。

BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查，其熱阻為0.28K/W。BHDFN的外形尺寸為10x10mm，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用TOLL封裝的GaN功率IC進行通用布局，便于使用和評估。

CGD產品市場營銷經理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN產品系列GaN功率IC適用于服務器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機驅動器、微型逆變器和其他工業(yè)應用，能夠帶來更高的功率密度和效率。

另據(jù)CGD官微消息，5月30日，CGD與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案方面加強合作。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場上首類商用化產品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準的領域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。（來源：劍橋氮化鎵器件、英諾賽科，集邦化合物半導體整理）

圖片來源：拍信網正版圖庫

CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能 GaN 解決方案方面加強合作。

CGD首席商務官Andrea Bricconi表示，CGD 將于6月在紐倫堡舉行的PCIM展會上展示部分 ITRI 的電路板設計。通過利用CGD獨特的IC芯片架構和ITRI的專利設計，這些設計實現(xiàn)了縮小應用尺寸、高能效、高功率密度，提高了競爭力。

ITRI商用電源設計團隊負責人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增強型GaN ICeGaN系列產品提高了易用性，促進了智能溫度控制，并提高了柵極可靠性。

據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場上首類商用化產品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準的領域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。

資料顯示，CGD是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。

佳恩半導體與西安電子科技大學達成戰(zhàn)略合作

5月28日，青島佳恩半導體有限公司（以下簡稱佳恩半導體）與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

此次合作，雙方將共同研究開展GaN功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數(shù)，基于GaN器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對GaN功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯(lián)，開展GaN功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

作為一家功率半導體技術設計公司，佳恩半導體致力于高端半導體功率器件的設計、開發(fā)、制造及銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導體芯片的設計和工藝集成技術，并建有IGBT產品性能測試、應用及可靠性試驗室。

產品方面，佳恩半導體自主研發(fā)的產品涵蓋了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。

終端應用方面，佳恩半導體研發(fā)的產品被廣泛應用于變頻器、高鐵配套設施、工業(yè)逆變控制、無刷電機驅動、電焊機、電磁感應加熱、UPS、汽車充電樁及消費類開關電源等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。