source:香港應(yīng)科院
據(jù)介紹,去年7月,應(yīng)科院“國(guó)際化應(yīng)用基礎(chǔ)研究機(jī)構(gòu)項(xiàng)目”在河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)正式啟動(dòng)。至今,深圳應(yīng)科院已開展多個(gè)項(xiàng)目的研發(fā)及測(cè)試,主要圍繞第三代半導(dǎo)體和新一代通訊技術(shù)領(lǐng)域,建立三個(gè)技術(shù)平臺(tái),包括氮化鎵高端電源技術(shù)開發(fā)及測(cè)試平臺(tái)、碳化硅智能電力系統(tǒng)開發(fā)及測(cè)試平臺(tái)、智慧校園模擬及實(shí)測(cè)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品的商業(yè)化。
據(jù)了解,第三代半導(dǎo)體是香港近年來重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域。今年5月,據(jù)港媒報(bào)道,香港立法會(huì)財(cái)務(wù)委員會(huì)批準(zhǔn)了高達(dá)28.4億港元(約25.85億人民幣)的撥款,用于設(shè)立一個(gè)專注于半導(dǎo)體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。
香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導(dǎo)體,包括碳化硅和氮化鎵,該研究中心將率先在大學(xué)、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導(dǎo)體進(jìn)行合作。
據(jù)報(bào)道,香港微電子研發(fā)院將落地元朗創(chuàng)新園,容納兩條第三代半導(dǎo)體的試驗(yàn)生產(chǎn)線,并允許初創(chuàng)公司、中小企業(yè)在將產(chǎn)品商業(yè)化之前完成運(yùn)行測(cè)試。此外,該中心生產(chǎn)的半導(dǎo)體還有望用于開發(fā)新能源汽車、實(shí)現(xiàn)可再生能源解決方案。
而在7月30日,據(jù)香港中通社消息,香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司(以下簡(jiǎn)稱麻省光子技術(shù))聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片中試線啟動(dòng)儀式。
儀式上,專注研發(fā)氮化鎵外延技術(shù)的麻省光子技術(shù)宣布,該公司計(jì)劃于香港科技園設(shè)立全港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心,并于香港科技園微電子中心(MEC)開設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線,預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元(約1.82億人民幣),帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>公告顯示,長(zhǎng)光華芯及全資子公司截至本公告披露之日,共獲得政府補(bǔ)助款項(xiàng)共計(jì)人民幣1127.40萬元,其中與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助1117.40萬元,與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助10萬元。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
長(zhǎng)光華芯表示,其根據(jù)《企業(yè)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則第16號(hào)——政府補(bǔ)助》的有關(guān)規(guī)定,確認(rèn)上述事項(xiàng)并劃分補(bǔ)助類型,上述政府補(bǔ)助預(yù)計(jì)對(duì)其利潤(rùn)產(chǎn)生一定積極影響。
根據(jù)長(zhǎng)光華芯8月30日晚間發(fā)布的2024年半年度報(bào)告,其上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.27億元,同比下滑10.39%;歸母凈利潤(rùn)-0.42億元,歸母扣非凈利潤(rùn)-0.73億元。
關(guān)于業(yè)績(jī)下滑原因,長(zhǎng)光華芯表示,由于春節(jié)前后人員波動(dòng),出現(xiàn)產(chǎn)能瓶頸,2024年一季度僅實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.52億元,同比減少41.91%,二季度克服相關(guān)瓶頸實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.75億元,同比增加44.62%;科研類模塊由于生產(chǎn)難度大,出現(xiàn)產(chǎn)出不足,不能完全交付情況,導(dǎo)致收入下降,其本年加大研發(fā)投入,研發(fā)費(fèi)用同比上升13.56%。
長(zhǎng)光華芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造與銷售。目前,長(zhǎng)光華芯已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、晶圓處理工藝(光刻)、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺(tái)和2英寸、3英寸、6英寸量產(chǎn)線,應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)。
材料方面,長(zhǎng)光華芯構(gòu)建了GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)、GaN(氮化鎵)三大材料體系,建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺(tái),縱向延伸開發(fā)器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器等下游產(chǎn)品,橫向擴(kuò)展VCSEL及光通信激光芯片領(lǐng)域。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)
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]]>值得注意的是,這次昂瑞微第二次沖刺IPO。2023年2月26日,昂瑞微便與中信建設(shè)簽署了輔導(dǎo)協(xié)議,并向北京監(jiān)管局報(bào)送了輔導(dǎo)備案登記材料,但在2023年輔導(dǎo)結(jié)束后撤回輔導(dǎo)備案。據(jù)悉,撤回申請(qǐng)主要是受到監(jiān)管IPO政策收緊影響,暫停了近半年時(shí)間的新股受理之后已重新啟動(dòng),昂瑞微順勢(shì)打算重啟上市計(jì)劃。
昂瑞微曾獲華為哈勃、小米集團(tuán)投資
官網(wǎng)顯示,昂瑞微成立于2012年,是一家深耕射頻前端和無線通信領(lǐng)域、多元化前瞻布局的復(fù)合型芯片設(shè)計(jì)公司,國(guó)家重點(diǎn)專精特新小巨人企業(yè)。公司總部位于北京,在北京、大連、廣州設(shè)有研發(fā)中心,在深圳、上海、西安、韓國(guó)設(shè)有銷售/技術(shù)支持中心,在蘇州設(shè)有生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心。
企查查官網(wǎng)顯示,昂瑞微成立至今已完成7輪融資,其中2020年共完成兩輪戰(zhàn)略融資,分別由小米集團(tuán)及華為哈勃投資,持股比例均為4.1626%。
來源:企查查
昂瑞微擁有基于CMOS、GaAs、SiGe、SOI、GaN等多種工藝的芯片設(shè)計(jì)和大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),核心產(chǎn)品線涵蓋三大類:射頻前端芯片、無線連接芯片、模擬類芯片,主要應(yīng)用于智能手機(jī)、汽車電子、儲(chǔ)能、工業(yè)、高性能計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴等領(lǐng)域。據(jù)悉,昂瑞微每年芯片的出貨量超過10億顆。
據(jù)悉,昂瑞微的產(chǎn)品拓展已進(jìn)入全線突破階段,射頻前端系列產(chǎn)品客戶包括榮耀、小米、三星、摩托羅拉、中興、聯(lián)想、OPPO、vivo、傳音、華勤、龍旗、聞泰等已進(jìn)入的知名品牌和方案商。
射頻前端市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化替代加速推進(jìn)
射頻前端行業(yè)涵蓋了射頻功率放大器、濾波器、射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器等產(chǎn)品,該市場(chǎng)目前仍被美國(guó)Skyworks、Qorvo、Broadcom、Qualcomm等和日本Murata壟斷,集中度很高。
不過,在5G技術(shù)的推動(dòng)及國(guó)家政策的支持下,國(guó)內(nèi)射頻前端技術(shù)正加速縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。隨著5G通信技術(shù)的廣泛應(yīng)用和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,射頻前端芯片的市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng),這為國(guó)內(nèi)廠商提供了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。
據(jù)悉,國(guó)內(nèi)射頻前端廠商通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí),在5G相關(guān)的射頻前端器件需求方面取得了進(jìn)展,尤其是在5G手機(jī)射頻前端方案方面,國(guó)內(nèi)廠商已取得一些突破,例如在Sub-6GHz UHB L-PAMiF產(chǎn)品中的競(jìng)爭(zhēng)力逐漸增強(qiáng)。
目前,國(guó)內(nèi)射頻前端主要玩家包括唯捷創(chuàng)芯、卓勝微、飛驤科技等,前兩家已是A股上市公司,飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)已到問詢狀態(tài)。其中,唯捷創(chuàng)芯在國(guó)產(chǎn)化率較低的射頻放大器領(lǐng)域占據(jù)國(guó)產(chǎn)主要份額。
近日,唯捷創(chuàng)芯及卓勝微已披露了2024年上半年業(yè)績(jī)。
唯捷創(chuàng)芯上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.71億元,同比增長(zhǎng)20.28%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為1126.86萬元,同比扭虧為盈。報(bào)告期內(nèi),唯捷創(chuàng)芯滲透新的客戶群體,高集成度模組L-PAMiD產(chǎn)品和接收端產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模逐步擴(kuò)大,推動(dòng)營(yíng)收同比增長(zhǎng)。
卓勝微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收22.85億元,同比增長(zhǎng)37.20%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3.54億元,同比下降3.32%。上半年,卓勝微擴(kuò)大了對(duì)射頻模組產(chǎn)品的市場(chǎng)開拓力度,其中,濾波器模組在產(chǎn)品中成長(zhǎng)速度位居第一,是其業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的根本驅(qū)動(dòng)因素。
目前,昂瑞微暫未披露業(yè)績(jī)相關(guān)數(shù)據(jù),但從獲得華為哈勃和小米集團(tuán)等投資可見,其發(fā)展?jié)撃苁艿缴漕l前端市場(chǎng)以及資本市場(chǎng)的認(rèn)可,未來發(fā)展值得期待。
長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,隨著射頻前端市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化替代加速進(jìn)行,包括昂瑞微等在內(nèi)的國(guó)內(nèi)廠商在技術(shù)、市場(chǎng)、資本等多方面均取得了積極的進(jìn)展,未來隨著5G技術(shù)的進(jìn)一步普及和應(yīng)用,國(guó)產(chǎn)射頻前端廠商有望獲得更多的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。(集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理)
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]]>source:合盛硅業(yè)
合盛硅業(yè)與桑達(dá)股份簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
8月26日,據(jù)合盛硅業(yè)官微消息,合盛硅業(yè)與深圳市桑達(dá)實(shí)業(yè)股份有限公司近日在北京正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,后者是中國(guó)電子旗下的首家信創(chuàng)企業(yè),為黨政及關(guān)鍵行業(yè)客戶提供數(shù)字化服務(wù)。
根據(jù)協(xié)議,雙方將持續(xù)深入開展新型數(shù)字化、探索碳資產(chǎn)合作、聯(lián)合推動(dòng)行業(yè)數(shù)字轉(zhuǎn)型等,特別是加快推動(dòng)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作,不斷提升科技創(chuàng)新水平。
目前,合盛硅業(yè)在新疆、浙江、四川、云南、黑龍江等地設(shè)有數(shù)字化智造基地,在上海和海南擁有高新技術(shù)研發(fā)中心,旗下主要涵蓋能源、工業(yè)硅、有機(jī)硅、碳素、新材料、碳化硅、光伏全產(chǎn)業(yè)鏈、儲(chǔ)能等多元業(yè)務(wù),相關(guān)產(chǎn)品廣泛用于航天軍工、電子通訊、醫(yī)療健康、汽車制造等各個(gè)領(lǐng)域。
在碳化硅領(lǐng)域,合盛硅業(yè)從2019年開始開展相關(guān)研發(fā),建成了高純料合成實(shí)驗(yàn)室、長(zhǎng)晶實(shí)驗(yàn)室、襯底加工實(shí)驗(yàn)室、外延實(shí)驗(yàn)室等,配備了從粉料合成到外延整線的生產(chǎn)設(shè)備和各個(gè)環(huán)節(jié)檢測(cè)儀器等。
今年以來,合盛硅業(yè)持續(xù)推進(jìn)碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。5月14日,合盛硅業(yè)在業(yè)績(jī)說明會(huì)上披露,其8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利,并實(shí)現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出,正在推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)。具體來看,合盛硅業(yè)計(jì)劃今年二季度末實(shí)現(xiàn)8英寸襯底片量產(chǎn)。
隨后在7月15日,合盛硅業(yè)旗下內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項(xiàng)目點(diǎn)火成功。該項(xiàng)目是合盛硅業(yè)布局呼和浩特“源網(wǎng)荷儲(chǔ)一體化”項(xiàng)目之一,也是合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古投資建設(shè)的首個(gè)產(chǎn)業(yè)類項(xiàng)目。
合作方面,8月21日,合盛硅業(yè)還與華能新能源股份有限公司以及華能投資管理有限公司正式簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,三方將在新能源領(lǐng)域開展合作。
能華半導(dǎo)體與南京大學(xué)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
8月24日,據(jù)能華半導(dǎo)體官微消息,能華半導(dǎo)體與南京大學(xué)固態(tài)照明與節(jié)能電子學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心近日在江蘇無錫共同簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。
據(jù)介紹,此次合作,雙方將通過共同開展科技創(chuàng)新項(xiàng)目,加速科技成果的轉(zhuǎn)化應(yīng)用,提升創(chuàng)新能力,并助力能華半導(dǎo)體拓展業(yè)務(wù)范圍。此外,雙方還將通過聯(lián)合舉辦論壇,研討會(huì)等活動(dòng)以提高行業(yè)外對(duì)氮化鎵材料和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)的了解,促進(jìn)行業(yè)內(nèi)的交流,同時(shí)讓行業(yè)各方更深入地了解能華半導(dǎo)體的技術(shù)和產(chǎn)品。另外,雙方將通過及時(shí)的信息共享機(jī)制更快了解市場(chǎng)的需求,為客戶提供更加有針對(duì)性的產(chǎn)品。
能華半導(dǎo)體于2010年成立,專注于氮化鎵領(lǐng)域,是少數(shù)同時(shí)掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司。
能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si)、藍(lán)寶石基GaN(GaN-on-Sapphire)、碳化硅基GaN(GaN-on-SiC)晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售。其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V,產(chǎn)能為6000片/月。
目前,能華半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)了GaN器件全功率范圍的量產(chǎn),主要應(yīng)用市場(chǎng)包括消費(fèi)電子、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心、照明電源、便攜儲(chǔ)能、微型逆變器、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
合作方面,能華半導(dǎo)體在今年4月還與芯賽威簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。據(jù)介紹,能華半導(dǎo)體與芯賽威的合作主要以電源驅(qū)動(dòng)芯片和氮化鎵器件技術(shù)為基礎(chǔ),為客戶提供更加小型化、高功率密度、高性價(jià)比的新一代電源管理方案。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>一、概況
-全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)格局
-全球GaN Power Device供應(yīng)鏈情形
-全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)并購動(dòng)態(tài)
-全球主要半導(dǎo)體廠商布局
二、GaN Power Device產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)分析
-GaN Power Device產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-GaN Epiwafer價(jià)格情況
-MOCVD設(shè)備情況
-GaN Power Device價(jià)格情況
-GaN Power Device供應(yīng)商分布
-GaN Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-GaN Power Device供應(yīng)商市場(chǎng)份額
-GaN Power Device市場(chǎng)分析 – 按應(yīng)用場(chǎng)景
-GaN Power Device市場(chǎng)分析 – 按元件類型
-GaN Power Device市場(chǎng)分析 – 按電壓等級(jí)
-Foundry情況
-GaN Power Device封裝方案
-GaN-on-Sapphire產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-Vertical GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN-on-Qst產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN Power IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
三、GaN Power Device應(yīng)用場(chǎng)景分析
-GaN Power Device應(yīng)用趨勢(shì)
-Data Center – AI芯片的功耗演進(jìn)
-Data Center – 服務(wù)器電源發(fā)展趨勢(shì)
-Data Center – GaN于服務(wù)器電源應(yīng)用分析
-Data Center – GaN應(yīng)用案例
-Data Center – AI服務(wù)器市場(chǎng)情況
-Data Center – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Motor Drive – GaN應(yīng)用概況
-Motor Drive – 機(jī)器人發(fā)展趨勢(shì)
-Motor Drive – GaN于人形機(jī)器人應(yīng)用分析
-Motor Drive – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Automotive – GaN應(yīng)用概況
-Automotive – GaN于激光雷達(dá)應(yīng)用分析
-Automotive – GaN于車載充電機(jī)應(yīng)用分析
-Automotive – GaN于牽引逆變器應(yīng)用分析
-Automotive – GaN廠商進(jìn)展
-Automotive – 新能源汽車市場(chǎng)情況
-Automotive – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Solar – GaN應(yīng)用概況
-Solar – 微型逆變器發(fā)展趨勢(shì)
-Solar – GaN應(yīng)用案例
-Solar – GaN市場(chǎng)規(guī)模
-Consumer – GaN應(yīng)用概況
-Consumer – 快速充電器發(fā)展趨勢(shì)
-Consumer – GaN應(yīng)用案例
-Consumer – GaN市場(chǎng)規(guī)模
四、主要廠商動(dòng)態(tài)分析
-Efficient Power Conversion
-Infineon
-Innoscience
-Navitas
-Power integrations
-Renesas
-Texas Instruments
– 01 -AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄
AI技術(shù)的演進(jìn),帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升,CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對(duì)更高端的AI運(yùn)算,服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高,GaN已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。臺(tái)達(dá)為全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商,市占率近5成。觀察其服務(wù)器電源的進(jìn)階過程,功率密度在過去10年里由33.7W/in3上升至100.3W/in3,同時(shí)功率等級(jí)來到了3.2kW甚及5.5kW,而下一代預(yù)計(jì)將達(dá)到8 kW以上。
TrendForce集邦咨詢研究表明,2024年AI服務(wù)器占整體服務(wù)器出貨的比重預(yù)估將達(dá)12.2%,較2023年提升約3.4%,而一般型服務(wù)器出貨量年增率僅有1.9%。
為了搶占商機(jī),英飛凌與納微半導(dǎo)體均在今年公布了針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的技術(shù)路線圖。英飛凌表示,將液冷技術(shù)與GaN相結(jié)合,在較低結(jié)溫下具有明顯的優(yōu)勢(shì),為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機(jī)會(huì),可以最大程度地提高效率,滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求,并克服服務(wù)器發(fā)熱量不斷增加所帶來的挑戰(zhàn)。
– 02 -電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景,GaN高頻特性潛力凸顯
在機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景,GaN的應(yīng)用潛力逐漸浮現(xiàn)。相對(duì)工業(yè)機(jī)器人,人形機(jī)器人(Humanoid Robot)由于自由度(Degrees of Freedom, DoF)急劇上升,對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求量大幅增加。人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)模組承擔(dān)了主要的發(fā)力與制動(dòng)任務(wù),為了獲得更高的爆發(fā)力,需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,GaN因此受到市場(chǎng)關(guān)注,特別是在腿部等負(fù)載較高的部位。
德州儀器、EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換)持續(xù)推動(dòng)著GaN于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用,并不斷吸引新玩家進(jìn)入。未來的機(jī)器人定會(huì)超乎想象,而精確、快速和強(qiáng)大的運(yùn)動(dòng)能力是其中之關(guān)鍵,驅(qū)動(dòng)其運(yùn)動(dòng)所需的電機(jī)也勢(shì)必隨之進(jìn)步,GaN將因此受益。
– 03 -GaN為汽車功率電子提供新方案
相對(duì)于SiC在汽車產(chǎn)業(yè)的繁榮景象,GaN汽車應(yīng)用亦不斷吸引著業(yè)界關(guān)注,其中車載充電機(jī)(OBC)被視為最佳突破點(diǎn)。第一個(gè)符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率GaN產(chǎn)品在2017年由Transphorm(現(xiàn)Renesas-瑞薩電子)發(fā)布,截至目前,已有多家廠商推出豐富的汽車級(jí)產(chǎn)品。
整體而言,雖然GaN進(jìn)入Inverter、OBC等動(dòng)力系統(tǒng)組件還面臨著多個(gè)技術(shù)問題,但相信在英飛凌、瑞薩等汽車芯片大廠的持續(xù)投資推動(dòng)下,GaN不久就會(huì)成為汽車功率組件中的關(guān)鍵角色。
– 04 -消費(fèi)電子仍是GaN的主戰(zhàn)場(chǎng)
消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng),并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。
具體而言,GaN已經(jīng)在低功率的手機(jī)快速充電器中被大規(guī)模采用,下一步GaN將進(jìn)入可靠性要求更為嚴(yán)格的筆電、家電電源。另外,其他蘊(yùn)藏潛力的消費(fèi)場(chǎng)景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻,幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長(zhǎng)。同時(shí),為了進(jìn)入更為復(fù)雜的大功率、高頻化場(chǎng)景,GaN在可靠性基礎(chǔ)上有望引入新結(jié)構(gòu)、新工藝,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。另外,從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來看,F(xiàn)abless(無晶圓廠)公司在過去一段時(shí)間里表現(xiàn)較為活躍,但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場(chǎng)逐步打開,未來將看到傳統(tǒng)IDM(集成器件制造)大廠的話語權(quán)顯著上升,為產(chǎn)業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。(文:TrendForce集邦咨詢)
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]]>納微Q2營(yíng)收同比增長(zhǎng)13%,推出16款GaNFast充電器
8月5日,納微半導(dǎo)體公布了截至2024年6月30日的第二季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。其2024年第二季度營(yíng)收增長(zhǎng)至2050萬美元(約1.47億人民幣),比2023年第二季度的1810萬美元增長(zhǎng)了13%。
按美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則(GAAP)計(jì)算,納微半導(dǎo)體2024年第二季度營(yíng)業(yè)虧損為3110萬美元(約2.23億人民幣),而2023年第二季度的虧損為2720萬美元;按非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則(non-GAAP)計(jì)算,納微半導(dǎo)體本季度營(yíng)業(yè)虧損為1330萬美元,而2023年第二季度的虧損為960萬美元。
分業(yè)務(wù)來看,企業(yè)/AI數(shù)據(jù)中心方面,納微擁有第三代快速碳化硅(Gen-3 Fast SiC)和大功率氮化鎵旗艦GaNSafe的產(chǎn)品組合,將二者進(jìn)行混合設(shè)計(jì)的方案開創(chuàng)了全新的AC-DC效率(97%)和功率密度(140W/in3)基準(zhǔn)。自2023年12月投資者日以來,納微數(shù)據(jù)中心在研客戶項(xiàng)目翻了一番,目前開發(fā)中的客戶項(xiàng)目超過60個(gè),24年第二季度又有7個(gè)數(shù)據(jù)中心電源項(xiàng)目推進(jìn)至客戶評(píng)審階段。
電動(dòng)汽車/電動(dòng)交通方面,納微22kW車載充電機(jī)(OBC)方案在2024年第二季度有15個(gè)客戶項(xiàng)目推進(jìn)至評(píng)審階段。納微預(yù)計(jì)在2025年底,電動(dòng)汽車業(yè)務(wù)將獲得首批由氮化鎵技術(shù)帶來的收入。
太陽能/儲(chǔ)能方面,納微目前有主要來自全球前10太陽能公司的超100個(gè)在研客戶項(xiàng)目。第二季度有6個(gè)客戶項(xiàng)目推進(jìn)至評(píng)審階段,預(yù)計(jì)明年在美國(guó)實(shí)現(xiàn)氮化鎵基微型逆變器的量產(chǎn)。
移動(dòng)/消費(fèi)電子方面,移動(dòng)電子客戶持續(xù)增加納微氮化鎵在快充產(chǎn)品中的應(yīng)用。預(yù)計(jì)2024年小米和OPPO對(duì)納微氮化鎵的采用率將達(dá)30%,在獲三星Galaxy S23和S24手機(jī)接連采用后,納微方案獲三星智能手機(jī)家族廣泛采用,包括新款Galaxy Z Flip6、Z Fold6和所有A系列手機(jī)。筆電方面,聯(lián)想和戴爾也再次采用了納微GaNFast技術(shù)。納微第二季度推出了16款全新納微GaNFast充電器,使采用納微方案的快充總數(shù)超過470款。
展望Q3,納微預(yù)計(jì)其營(yíng)收為2200萬美元,上下浮動(dòng)50萬美元;預(yù)計(jì)其Q3的非GAAP毛利率為40%,上下浮動(dòng)50個(gè)基點(diǎn);預(yù)計(jì)其非GAAP運(yùn)營(yíng)費(fèi)用約為2150萬美元。
MACOM 2024財(cái)年Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.905億美元,同比增28.3%
8月1日,半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM公布了截至2024年6月28日的2024財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。2024財(cái)年第三季度,MACOM實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.905億美元(約13.66億人民幣),同比增長(zhǎng)28.3%,環(huán)比增長(zhǎng)5.1%;毛利率為53.2%,去年同期為58.0%,上一財(cái)季為52.5%;調(diào)整后的毛利率為57.5%,去年同期為60.1%,上一財(cái)季為57.1%。
2024財(cái)年第三季度,MACOM凈利潤(rùn)為1990萬美元(約1.43億人民幣),或每股攤薄收益0.27美元;去年同期凈利潤(rùn)為1190萬美元,或每股攤薄收益0.17美元;上一財(cái)季凈利潤(rùn)為1500萬美元,或每股攤薄收益0.20美元。調(diào)整后的凈利潤(rùn)為4890萬美元,或每股攤薄收益0.66美元;去年同期調(diào)整后的凈利潤(rùn)為3850萬美元,或每股攤薄收益0.54美元;上個(gè)財(cái)季調(diào)整后的凈利潤(rùn)為4320萬美元,或每股攤薄收益0.59美元。
展望截至2024年9月27日的第四財(cái)季,MACOM預(yù)計(jì)營(yíng)收將在1.97億美元至2.03億美元之間。調(diào)整后毛利率預(yù)計(jì)在57%到59%之間,基于3%非GAAP所得稅稅率和7500萬股完全稀釋流通股的調(diào)整后每股攤薄收益預(yù)計(jì)在0.70至0.76美元之間。
Qorvo 2025年財(cái)年Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.87億美元,已推出D2PAK封裝碳化硅FET
7月30日,連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo發(fā)布了截至2024年6月29日的2025財(cái)年第一季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。根據(jù)GAAP計(jì)算,Qorvo 2025財(cái)年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.87億美元(約63.59億人民幣),毛利率為37.5%,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為460萬美元(約3297.74萬人民幣),每股攤薄收益為0.00美元。根據(jù)non-GAAP計(jì)算,毛利率為40.9%,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為9810萬美元,每股攤薄收益為0.87美元。
今年上半年,Qorvo發(fā)布了一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,在緊湊型D2PAK-7L封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS(on)。此款750V碳化硅FET作為Qorvo全新引腳兼容碳化硅FET系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá)60mΩ,適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)(PTC)加熱器模塊等電動(dòng)汽車(EV)類應(yīng)用。
展望2025財(cái)年第二季度,Qorvo預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約10.25億美元,上下浮動(dòng)2500萬美元,按non-GAAP計(jì)算毛利率在46%到47%之間,按non-GAAP計(jì)算每股攤薄收益在1.75美元到1.95美元之間。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>各國(guó)政府對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展給予了高度重視,從戰(zhàn)略高度出臺(tái)了一系列利好政策,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健發(fā)展保駕護(hù)航。
碳化硅、氮化鎵相關(guān)政策密集出臺(tái)
國(guó)內(nèi)方面,早在2021年,國(guó)家就出臺(tái)了一系列相關(guān)政策,全面加大了對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度。
例如,科技部在2021年12月發(fā)布了《國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2021年度公開指南擬立項(xiàng)項(xiàng)目公示清單》,其中包括了“面向大數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的8英寸硅襯底上氮化鎵基外延材料、功率電子器件及電源模塊關(guān)鍵技術(shù)研究”、“大尺寸SiC單晶襯底制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化物半導(dǎo)體的納米像元發(fā)光器件研究”、“中高壓SiC超級(jí)結(jié)電荷平衡理論研究及器件研制”、“晶圓級(jí)Si(100)基GaN單片異質(zhì)集成關(guān)鍵技術(shù)研究”、“GaN單晶新生長(zhǎng)技術(shù)研究”等眾多第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。
工信部則在2021年12月公布了《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2021年版)》,目錄按照《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》對(duì)新材料的劃分方法,分為先進(jìn)基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵戰(zhàn)略材料和前沿新材料三大類,每個(gè)大類里面又細(xì)分小類。其中,關(guān)鍵戰(zhàn)略材料中的先進(jìn)半導(dǎo)體材料和新型顯示材料包括了氮化鎵單晶襯底、氮化鎵外延片、碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅單晶襯底等第三代半導(dǎo)體材料。
而在近期,河北、陜西等省發(fā)布了第三代半導(dǎo)體相關(guān)支持政策,表明各地進(jìn)一步加大對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持力度。
其中,河北印發(fā)的《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展的若干措施》,包括在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領(lǐng)域組織實(shí)施一批技術(shù)改造項(xiàng)目,積極爭(zhēng)取將在建和擬建第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目納入國(guó)家“十四五”重大項(xiàng)目?jī)?chǔ)備庫。
陜西則印發(fā)《陜西省培育千億級(jí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群行動(dòng)計(jì)劃》,將重點(diǎn)開展第三代半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)與核心產(chǎn)品攻關(guān),打通晶體材料高效生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)制造等產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),打造千億級(jí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。
國(guó)際方面,美國(guó)政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,特別是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。美國(guó)通過《芯片與科學(xué)法案》(Chips for America Act)等立法,提供資金支持和稅收優(yōu)惠,以促進(jìn)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外,美國(guó)還通過國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)等機(jī)構(gòu),支持第三代半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用。
歐盟通過“地平線2020”計(jì)劃(Horizon 2020)等項(xiàng)目,支持半導(dǎo)體材料的研究和創(chuàng)新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項(xiàng)目”(IPCEI)等機(jī)制,提供資金支持,促進(jìn)成員國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作和創(chuàng)新。
此外,日本通過“新經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)戰(zhàn)略”等政策,韓國(guó)通過“半導(dǎo)體超級(jí)大國(guó)戰(zhàn)略”等政策,德國(guó)政府通過“高科技戰(zhàn)略”等政策,支持半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,其中包括促進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展。
目前,全球各國(guó)都在從政策方面持續(xù)對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行引導(dǎo)和扶持,有助于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透。
真金白銀扶持三代半產(chǎn)業(yè)
除政策引導(dǎo)和扶持外,在資金補(bǔ)貼方面,各國(guó)對(duì)于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展投入較大,且正在不斷加碼。
今年6月28日晚間,三安光電發(fā)布公告稱,其收到政府補(bǔ)助資金約3.64億元,占公司最近一期經(jīng)審計(jì)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)的99.41%。這將對(duì)三安光電2024年第二季度損益產(chǎn)生積極影響,進(jìn)而對(duì)其全年業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極影響。天岳先進(jìn)則在2022年1-7月累計(jì)獲得政府補(bǔ)助1843.42萬元。
從三安光電、天岳先進(jìn)等廠商收到金額可觀的政府補(bǔ)助資金,可以窺見我國(guó)對(duì)于第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)的補(bǔ)貼力度較大。
此外,東尼電子、時(shí)代電氣、晶湛半導(dǎo)體、中微公司等碳化硅相關(guān)廠商也都曾獲得政府的財(cái)政支持。
國(guó)際市場(chǎng)方面,美國(guó)持續(xù)向各大三代半相關(guān)廠商發(fā)放大額補(bǔ)貼。其中,作為芯片和科學(xué)法案的一部分,美國(guó)商務(wù)部今年2月宣布計(jì)劃向格芯(GF)提供15億美元(約108.54億人民幣)的直接資助,用于擴(kuò)大其在美國(guó)的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。2023年10月,格芯氮化鎵項(xiàng)目已獲得美國(guó)政府3500萬美元(約2.53億人民幣)的資助。
而在今年4月,據(jù)外媒報(bào)道,韓國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造商SK siltron宣布將從美國(guó)密歇根州政府獲得7700萬美元(約5.57億人民幣)的補(bǔ)貼,這筆資金包括投資補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠。報(bào)道稱,SK siltron正在擴(kuò)建其位于美國(guó)密歇根州貝城的碳化硅晶圓工廠,由其美國(guó)子公司SK siltron CSS主導(dǎo)建設(shè),SK siltron CSS計(jì)劃利用美國(guó)政府和密歇根州政府提供的資金,在2027年之前完成貝城工廠的擴(kuò)建。
日本政府通過“特定半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)補(bǔ)助項(xiàng)目”對(duì)企業(yè)在日本建設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體工廠進(jìn)行補(bǔ)助,補(bǔ)助率最多可達(dá)項(xiàng)目所需費(fèi)用的1/3。其中,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省向Resonac(原昭和電工)和住友電工提供了超過10億元人民幣的國(guó)家補(bǔ)貼,以擴(kuò)大碳化硅材料的生產(chǎn)規(guī)模。
這些補(bǔ)助體現(xiàn)了各國(guó)政府對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要性的認(rèn)識(shí),以及確保本國(guó)在全球第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中保持競(jìng)爭(zhēng)力的決心。通過這些補(bǔ)助,各國(guó)旨在推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)大。
除直接的資金補(bǔ)貼外,“國(guó)家隊(duì)”還通過投資入股相關(guān)廠商推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。今年上半年,中車時(shí)代半導(dǎo)體、長(zhǎng)電科技子公司等紛紛完成了新一輪融資或增資,背后都有國(guó)資的身影。
其中,中車時(shí)代半導(dǎo)體今年4月完成新一輪融資,由電投融合創(chuàng)新(常州)股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱電投融合創(chuàng)新基金)投資。電投融合創(chuàng)新基金成立于2022年6月,由國(guó)家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金(有限合伙)、常州市武進(jìn)區(qū)基金及其他國(guó)有資本共同發(fā)起成立。
而在今年6月,長(zhǎng)電科技汽車電子(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱長(zhǎng)電汽車電子)完成了注冊(cè)資本變更。變更后,長(zhǎng)電汽車電子新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司、上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(二期)有限公司等為股東,注冊(cè)資本由4億元增加11倍至48億元。
在當(dāng)前國(guó)際貿(mào)易形勢(shì)復(fù)雜、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求日益迫切的背景下,國(guó)資的介入有助于減少對(duì)外依賴,增強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)安全性。
第三代半導(dǎo)體翻開新篇章
在從多個(gè)方面支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商的同時(shí),各國(guó)的“國(guó)家隊(duì)”親自出手,參與這場(chǎng)日益火熱的全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爭(zhēng)奪戰(zhàn)。
國(guó)內(nèi)方面,今年3月,上海首次舉辦第三代半導(dǎo)體推介活動(dòng)?;顒?dòng)中,“寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地”揭牌,未來將由臨港新片區(qū)牽頭,代表上海把臨港新片區(qū)建設(shè)成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)介紹,上海臨港新片區(qū)計(jì)劃在未來3年內(nèi),通過相關(guān)措施,打造從器件設(shè)計(jì)、襯底生產(chǎn)、晶圓制造、模組封裝到終端應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈條。
國(guó)際方面,今年2月?lián)饷綀?bào)道,英國(guó)想要通過一個(gè)名為ORanGaN的項(xiàng)目,來構(gòu)建全新的自主供應(yīng)鏈,該項(xiàng)目專注于研發(fā)用于5G通信的射頻氮化鎵產(chǎn)品和設(shè)備。目前,英國(guó)還不完全具備開發(fā)和制造應(yīng)用于5G且商用的射頻氮化鎵器件的能力,ORanGaN項(xiàng)目的建立正是為了補(bǔ)強(qiáng)這一短板。ORanGaN項(xiàng)目得到了英國(guó)科學(xué)、創(chuàng)新和技術(shù)部(DSIT)的支持。
而在今年4月,韓國(guó)釜山市政府宣布投資400億韓元(約2.1億人民幣),在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,該項(xiàng)目已獲國(guó)家及市級(jí)基金資助。
“國(guó)家隊(duì)”出手,在壯大本國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力的同時(shí),有望帶動(dòng)更多本國(guó)廠商加入投建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大軍。
在政策扶持和資金支持雙重力量推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展態(tài)勢(shì),從項(xiàng)目落地實(shí)施方面可窺見一斑。僅2024年上半年,國(guó)內(nèi)就有數(shù)十個(gè)碳化硅相關(guān)項(xiàng)目披露新進(jìn)展。
而在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面,通過產(chǎn)學(xué)研合作,國(guó)家主導(dǎo)建設(shè)的科研機(jī)構(gòu)和高校助力三代半相關(guān)廠商加速實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)迭代和產(chǎn)業(yè)化。其中,清華大學(xué)蘇州汽車研究院和至信微電子簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”;安森德半導(dǎo)體與南方科技大學(xué)合作共建“南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院-安森德半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”;長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室于近日舉辦了碳化硅項(xiàng)目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式。
總結(jié)
各國(guó)對(duì)于本國(guó)三代半產(chǎn)業(yè)的引導(dǎo)和扶持,體現(xiàn)了各國(guó)對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的重視,尤其是在三代半產(chǎn)業(yè)全球競(jìng)爭(zhēng)日益加劇的大背景下,國(guó)家的大力支持可以為國(guó)內(nèi)三代半廠商提供良好的營(yíng)商環(huán)境,推動(dòng)國(guó)內(nèi)企業(yè)更好地參與全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)。
具體來看,各國(guó)的相關(guān)補(bǔ)助和產(chǎn)業(yè)基金可以為第三代半導(dǎo)體廠商的研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新提供資金支持,加速技術(shù)突破,縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。在國(guó)內(nèi),國(guó)家大基金一期和二期此前均投資過相關(guān)廠商,覆蓋碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的材料、設(shè)備、器件、模組等企業(yè),如士蘭微、華潤(rùn)微、三安光電、天科合達(dá)、世紀(jì)金光、賽微電子、北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體等。
同時(shí),國(guó)家的重視和支持,還能夠帶動(dòng)地方政府和民間資本的投入,形成國(guó)家引導(dǎo)、地方支持、民間投資的多元化投融資格局,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更加充足的資金保障。
此外,各國(guó)從戰(zhàn)略高度,一方面推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)化和升級(jí),促進(jìn)產(chǎn)業(yè)持續(xù)降本增效,提升整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的競(jìng)爭(zhēng)力;另一方面,通過扶持產(chǎn)業(yè)鏈上下游的關(guān)鍵環(huán)節(jié),促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同發(fā)展,形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng),壯大產(chǎn)業(yè)實(shí)力。
整體來看,各國(guó)引導(dǎo)和扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),不僅能夠推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí),還能夠在保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力等方面發(fā)揮重要作用。隨著各國(guó)加大扶持力度,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)將加劇。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
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]]>長(zhǎng)電科技表示,此次合作,雙方將重點(diǎn)建立高精度磁傳感器和電源管理解決方案的本地化封裝和測(cè)試能力,相關(guān)產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)等領(lǐng)域。
資料顯示,Allegro是一家傳感器和專用模擬功率IC無晶圓廠制造商,該公司的產(chǎn)品組合可為車輛電氣化、汽車ADAS安全功能、工業(yè)自動(dòng)化以及數(shù)據(jù)中心和清潔能源等領(lǐng)域的節(jié)能技術(shù)提供解決方案。
據(jù)悉,Allegro于2022年完成了對(duì)Heyday Integrated Circuits的收購,后者專門生產(chǎn)緊湊型、全集成的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,可在高壓氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。
2023年7月,Allegro宣布推出新型power-Thru隔離柵極驅(qū)動(dòng)器AHV85110,這款隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供了一種能夠驅(qū)動(dòng)GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的單封裝解決方案,是Power-Thru系列第一款產(chǎn)品。與競(jìng)品相比,該解決方案占位面積減少50%,效率提高40%。
迄今為止,Allegro已推出了4款GaN柵極驅(qū)動(dòng)器和1款SiC柵極驅(qū)動(dòng)器,工作電壓分別為1000V和1500V。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)
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]]>source:東漸第三代半導(dǎo)體
據(jù)介紹,雙方將聯(lián)合研發(fā)適用于海、陸、空機(jī)器人的新一代高性能芯片;同時(shí),打造“光儲(chǔ)充一體化”與“智慧物業(yè)管理機(jī)器人”的多場(chǎng)景應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)多維度降本增效。
官微資料顯示,東漸氮化鎵成立于2024年4月,是一家專注于氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的新興企業(yè)。東漸氮化鎵致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在電力電子、低空探測(cè)導(dǎo)航控制、5G/6G通信、新能源汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用,為客戶提供氮化鎵半導(dǎo)體解決方案。
海神機(jī)器人成立于2014年,總部位于上海,是“無人車+無人機(jī)+無人船”立體安防無人裝備制造廠商,并在全球范圍內(nèi)建立了多個(gè)研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)中心。海神機(jī)器人的核心技術(shù)包括自動(dòng)駕駛、遠(yuǎn)程駕駛、艦載起降、域控制器、整車制造和智控云平臺(tái)等。
此次東漸氮化鎵與海神機(jī)器人達(dá)成戰(zhàn)略合作,有望推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人領(lǐng)域的滲透應(yīng)用。
據(jù)了解,氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用可以提高機(jī)器人驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的能效比、熱管理性能,并實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。氮化鎵器件的高速開關(guān)特性有助于提高開關(guān)頻率,減少電機(jī)電流紋波,降低電機(jī)溫度,提升系統(tǒng)效率。
目前,國(guó)內(nèi)外多家電機(jī)企業(yè),包括西門子、安川電機(jī)、Elmo等,已經(jīng)在機(jī)器人電機(jī)中導(dǎo)入了氮化鎵技術(shù)。同時(shí),英飛凌、德州儀器、EPC、瑞薩電子等氮化鎵相關(guān)廠商也在積極布局該領(lǐng)域。
應(yīng)用案例方面,新工綠氫自主研發(fā)的“天工一號(hào)”自動(dòng)駕駛充電機(jī)器人,就采用了氮化鎵技術(shù)作為其核心技術(shù)之一,展示了氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人產(chǎn)品中的應(yīng)用潛力。
除機(jī)器人領(lǐng)域外,氮化鎵技術(shù)在其他領(lǐng)域的應(yīng)用熱度也在上漲,例如車用場(chǎng)景。電動(dòng)汽車氮化鎵器件廠商VisIC近日宣布已與全球電子行業(yè)器件組裝和封裝材料廠商賀利氏和燒結(jié)設(shè)備制造商PINK達(dá)成合作,利用D3GaN技術(shù)開發(fā)一種先進(jìn)的功率模塊。
據(jù)悉,這種開創(chuàng)性的功率模塊基于氮化硅陶瓷基板、創(chuàng)新的銀燒結(jié)工藝等先進(jìn)技術(shù),為電池電動(dòng)汽車(BEVs)提供了更高的可靠性和更好的性能,有望加速硅基氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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