source：Resonac

在這次共同開(kāi)發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。

鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型

據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提高了生產(chǎn)效率。

其中單晶碳化硅襯底成本較高，多晶碳化硅晶圓成本較低，根據(jù)此前Soitec公司數(shù)據(jù)，碳化硅鍵合襯底的材料成本相較于單晶碳化硅襯底片可以下降2/3以上，如果考慮過(guò)程中的生產(chǎn)加工費(fèi)用，碳化硅鍵合襯底的綜合成本相較于一片單晶碳化硅襯底片下降幅度也可達(dá)50%以上。

對(duì)比6英寸碳化硅晶圓，8英寸碳化硅晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產(chǎn)出可增加80-90％，碳化硅晶圓升級(jí)到8英寸將會(huì)給汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)帶來(lái)重大收益，因此，碳化硅晶圓走向8英寸是業(yè)界公認(rèn)的發(fā)展趨勢(shì)。

但8英寸碳化硅晶圓在長(zhǎng)晶方面受限于生長(zhǎng)良率低、周期長(zhǎng)等瓶頸導(dǎo)致成本難以有效降低，而碳化硅鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量碳化硅襯底進(jìn)行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長(zhǎng)晶襯底，與長(zhǎng)晶技術(shù)一同推進(jìn)碳化硅材料成本的降低。

目前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠(chǎng)商青禾晶元在8英寸碳化硅鍵合襯底技術(shù)方面已取得了一定進(jìn)展。今年4月11日，青禾晶元官方宣布，在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。

Resonac與Soitec本次合作圍繞8英寸碳化硅鍵合襯底制備進(jìn)行突破，有望通過(guò)降低8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)成本，為產(chǎn)業(yè)界客戶(hù)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

Resonac/Soitec發(fā)力8英寸碳化硅

在攜手研發(fā)8英寸碳化硅鍵合襯底的同時(shí)，Resonac和Soitec兩大廠(chǎng)商正在持續(xù)加碼8英寸碳化硅布局。

早在2022年，Soitec就曾與意法半導(dǎo)體達(dá)成合作，以驗(yàn)證8英寸碳化硅鍵合襯底，并表示有望在中期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2023年10月，Soitec位于法國(guó)伯寧總部的Bernin 4新工廠(chǎng)正式落成，致力于制造6英寸和8英寸的SmartSiC晶圓。初期，Bernin 4新工廠(chǎng)主要生產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓，計(jì)劃從2024年開(kāi)始遷移到8英寸晶圓。

Resonac則在外延領(lǐng)域進(jìn)展較快，據(jù)日媒此前報(bào)道，Resonac的8英寸碳化硅外延片品質(zhì)已經(jīng)達(dá)到了6英寸產(chǎn)品的同等水平。目前，其正在通過(guò)提高生產(chǎn)效率來(lái)降低成本，樣品評(píng)估已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化的最后階段，預(yù)計(jì)一旦成本優(yōu)勢(shì)超過(guò)6英寸產(chǎn)品，Resonac就會(huì)開(kāi)始轉(zhuǎn)型生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。

與此同時(shí)，Resonac子公司Resonac Corporation已開(kāi)始在日本山形縣東根市的山形工廠(chǎng)建造碳化硅晶圓（襯底及外延）新生產(chǎn)大樓，奠基儀式已于9月12日舉行。該新工廠(chǎng)預(yù)計(jì)將于2025年第三季度完工?；诖藬U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，Resonac將在2025年開(kāi)始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。

在雙方多年的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能布局基礎(chǔ)上，Resonac與Soitec此次合作有望加速8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)進(jìn)程，進(jìn)而推動(dòng)碳化硅在新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等下游應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透。

目前，國(guó)內(nèi)外碳化硅廠(chǎng)商8英寸布局正在如火如荼的進(jìn)行中，各大企業(yè)在產(chǎn)能擴(kuò)充、技術(shù)研發(fā)等方面頻頻傳出最新進(jìn)展，其中，產(chǎn)能建設(shè)能夠讓相關(guān)企業(yè)擁有8英寸碳化硅市場(chǎng)應(yīng)用“入場(chǎng)券”，而技術(shù)突破帶來(lái)的品質(zhì)提升與降本增效，則是企業(yè)8英寸轉(zhuǎn)型成功的必由之路。

未來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)有望誕生更多類(lèi)似SmartSiC的創(chuàng)新技術(shù)，也將有更多基于先進(jìn)技術(shù)的攜手合作案例。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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安森美將于2024年完成8英寸SiC晶圓認(rèn)證

據(jù)外媒報(bào)道，安森美計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出8英寸SiC晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美Q2營(yíng)收為17.35億美元，比上年第一季度下降1.3億美元，比去年第二季度下降2.65億美元。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說(shuō)：“我們?nèi)匀话从?jì)劃推進(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠(chǎng)的整個(gè)流程。8英寸SiC的認(rèn)證將在今年通過(guò)，明年開(kāi)始的收入將符合我們的預(yù)期?！?/p>

“正如我們最近與大眾汽車(chē)集團(tuán)達(dá)成的供應(yīng)協(xié)議所反映的那樣，我們也在繼續(xù)加強(qiáng)我們?cè)谄?chē)領(lǐng)域的碳化硅地位，同時(shí)與歐洲、北美和中國(guó)的領(lǐng)先全球原始設(shè)備制造商（OEM）一起擴(kuò)大生產(chǎn)?！?/p>

然而，安森美本季度的庫(kù)存有所增加，部分原因是近年來(lái)晶圓廠(chǎng)的出售所致。在市場(chǎng)不明朗的時(shí)期，許多公司的需求都在下降，因此第三季度預(yù)測(cè)持平。

“幾年前，我們剝離了4家晶圓廠(chǎng)，隨著需求回升，我們將開(kāi)始在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)內(nèi)生產(chǎn)這些產(chǎn)品，這筆固定成本高達(dá)1.6億美元，”El-Khoury表示：“我們必須消化這些晶圓廠(chǎng)轉(zhuǎn)型而積累的庫(kù)存，隨著我們將其轉(zhuǎn)移到公司的網(wǎng)絡(luò)中，我們開(kāi)始看到有益的一面?！?/p>

“正如在第一季度所指出的那樣，我們的核心市場(chǎng)需求正在趨于穩(wěn)定。由于客戶(hù)在2024 年保持謹(jǐn)慎態(tài)度，去庫(kù)存仍在繼續(xù)，部分地區(qū)的情況有所改善，”他說(shuō)。

針對(duì)8英寸SiC，安森美于2023年10月完成其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)SiC超大型制造工廠(chǎng)的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠(chǎng)滿(mǎn)載時(shí)，每年能生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)片8英寸SiC晶圓。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

Resonac 8英寸SiC外延片即將商業(yè)化

據(jù)日媒報(bào)道，Resonac的8英寸SiC外延片品質(zhì)已經(jīng)達(dá)到了6英寸產(chǎn)品的同等水平。目前，公司正在通過(guò)提高生產(chǎn)效率來(lái)降低成本，樣品評(píng)估已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化的最后階段。預(yù)計(jì)一旦成本優(yōu)勢(shì)超過(guò)6英寸產(chǎn)品，Resonac就會(huì)開(kāi)始轉(zhuǎn)型生產(chǎn)8英寸產(chǎn)品。

Resonac憑借在SiC單晶襯底上形成SiC外延層的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，擁有非?？捎^的SiC外延片市場(chǎng)份額，并向高端市場(chǎng)供應(yīng)SiC外延片。Resonac開(kāi)發(fā)的8英寸產(chǎn)品與其供應(yīng)給高端市場(chǎng)的6英寸SiC外延片擁有相同品質(zhì)。Resonac目前面臨的挑戰(zhàn)僅有成本問(wèn)題，公司正通過(guò)設(shè)置最佳參數(shù)和用料，來(lái)縮短生產(chǎn)時(shí)間并提高產(chǎn)量。

值得一提的是，除了量產(chǎn)8英寸SiC外延片外，Resonac還將在2025年開(kāi)始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。（
文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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Hidehito Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購(gòu)全球最大光刻膠制造商JSR，這將促進(jìn)日本供應(yīng)鏈急需的變革。他說(shuō)，Resonac是由Showa Denko （昭和電工）和Hitachi Chemical （日立化成）合并而成的化學(xué)品集團(tuán)，正在考慮如何在JSR的未來(lái)中發(fā)揮積極作用。

“我相信我們是JSR最合乎邏輯的合作伙伴，”Hidehito Takahashi表示?！拔覀兿?yún)⑴c其中，但這意味著將耗費(fèi)大量資金，所以我們必須考慮清楚該如何去做?！?/p>

日本有許多鮮為人知的公司，它們?cè)谀承╆P(guān)鍵材料（如半導(dǎo)體制造不可或缺的光刻膠和掩膜坯料）領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。但隨著客戶(hù)要求每片硅片具有更高的性能，開(kāi)發(fā)成本正在攀升。

Hidehito Takahashi表示，該行業(yè)需要整合以保持競(jìng)爭(zhēng)力。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

Hidehito Takahashi通過(guò)為1萬(wàn)億日元（69億美元）的收購(gòu)籌集資金，創(chuàng)建了Resonac，當(dāng)時(shí)昭和電工的市值還不到這個(gè)數(shù)字的一半。這家硅晶圓拋光漿料和蝕刻氣體等材料制造商為臺(tái)積電、英飛凌和羅姆等芯片制造商供貨。

他表示，我們的夢(mèng)想是創(chuàng)建一家年收入超過(guò)1萬(wàn)億日元、EBITDA利潤(rùn)率達(dá)到20%以上的芯片材料公司，能與3M公司、杜邦公司等全球巨頭并駕齊驅(qū)。

Hidehito Takahashi表示，Resonac芯片材料業(yè)務(wù)今年的利潤(rùn)將與2022年的業(yè)績(jī)持平，當(dāng)時(shí)該業(yè)務(wù)的銷(xiāo)售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4270億日元（29億美元）。他表示，人工智能的日益廣泛使用正在推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)堆疊芯片等更復(fù)雜半導(dǎo)體的需求，這讓負(fù)責(zé)提供了制造下一代芯片關(guān)鍵材料的Resonac受益。

Resonac一直在徹底改革其業(yè)務(wù)，將更多資源集中在芯片領(lǐng)域，Hidehito Takahashi表示，該公司將剝離更多與半導(dǎo)體無(wú)關(guān)的部門(mén)，其中包括該公司最古老的業(yè)務(wù)之一——石化材料。盡管尋找買(mǎi)家并不容易，但該公司正在積極尋找將該部門(mén)從資產(chǎn)負(fù)債表中剔除的方法。

據(jù)了解，2023年6月，JIC發(fā)布公告，計(jì)劃將以約9040億日元（約64億美元）收購(gòu)JSR 66.67%的股份，并表示其目標(biāo)是在2023年12月下旬開(kāi)始要約收購(gòu)。但由于其12月下旬仍未完成根據(jù)中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)法的必要程序和應(yīng)對(duì)措施，所以計(jì)劃被延后。JIC預(yù)估，公司啟動(dòng)要約收購(gòu)的時(shí)間最早將在2024年2月下旬或之后。

業(yè)界普遍認(rèn)為，JIC收購(gòu)JSR是日本官方實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體振興計(jì)劃的一部分。

在JIC此前發(fā)布的公告中，其表示半導(dǎo)體材料是決定半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和制造成敗的生命線(xiàn)，提高半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力對(duì)于增強(qiáng)日本的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力具有重要意義。

根據(jù)TrendForce報(bào)告顯示，隨著下游客戶(hù)庫(kù)存的持續(xù)改善、產(chǎn)能利用率逐步恢復(fù)，AI、智能汽車(chē)等應(yīng)用發(fā)展，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)將在2024年經(jīng)歷復(fù)蘇。屆時(shí)，半導(dǎo)體光刻膠需求將反彈，市場(chǎng)規(guī)模將恢復(fù)到2022年歷史峰值，并有望到2027年增至28億美元。

來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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同日Resonac宣布作為日本首家戰(zhàn)略材料制造合作伙伴加入位于美國(guó)得克薩斯州的半導(dǎo)體相關(guān)制造商聯(lián)盟“得克薩斯電子研究所”（TIE），后者的成員還包括AMD、美光科技、英特爾、應(yīng)用材料等公司。
資料顯示，Resonac前身為昭和電工（Showa Denko），是一家先進(jìn)的薄膜等封裝材料制造商。

作為一家先進(jìn)半導(dǎo)體材料廠(chǎng)商，發(fā)力以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料是其必由之路。現(xiàn)實(shí)也確實(shí)如此，Resonac正聚焦SiC材料。

事實(shí)上，Resonac早在2010年就開(kāi)始研發(fā)SiC外延技術(shù)，并在2015年推出第一代SiC外延技術(shù)，隨后在2019年推出每平方厘米SiC外延膜缺陷低于0.1個(gè)的第二代SiC外延技術(shù)。在這近十年時(shí)間內(nèi)，Resonac深耕技術(shù)研發(fā)，積蓄力量，等待爆發(fā)。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

近年來(lái)，Resonac加快了研發(fā)腳步，也迎來(lái)了收獲時(shí)刻。從2022年3月以6英寸線(xiàn)進(jìn)行第二代SiC外延片量產(chǎn)出貨，到Resonac從2022年9月起提供8英寸SiC外延片樣品，再到2023年3月開(kāi)始提供第三代SiC外延片樣品，Resonac都是在短短半年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了技術(shù)迭代升級(jí)，進(jìn)展迅速。

值得一提的是，Resonac的SiC材料業(yè)務(wù)，只提供襯底與外延產(chǎn)品，最終零件由客戶(hù)制造，因此Resonac和英飛凌、羅姆等半導(dǎo)體巨頭更多的是協(xié)同而非競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，攜手合作順理成章。

今年初，英飛凌擴(kuò)大與Resonac公司的合作。根據(jù)新協(xié)議，Resonac將為英飛凌提供用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料，預(yù)計(jì)占其未來(lái)十年需求量的兩位數(shù)份額。作為合作的一部分，英飛凌將向Resonac提供與SiC材料技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，這在一定程度上有助于Resonac提升SiC外延片技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量。

或許是受供貨需求的刺激，Resonac推出了規(guī)模龐大的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。Resonac將使SiC外延片的產(chǎn)量在2026年之前增至月產(chǎn)5萬(wàn)片（按直徑6英寸換算），增至今年初產(chǎn)能的約5倍，到2025年還將開(kāi)始量產(chǎn)8英寸SiC襯底。

如果說(shuō)Resonac之前的客戶(hù)大多集中在歐亞，那么此次在硅谷設(shè)立研發(fā)中心，則吹響了大規(guī)模進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)的號(hào)角。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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