source：士蘭微

該項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國內(nèi)第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生產(chǎn)線。將較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內(nèi)8吋碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

此次士蘭集宏8英寸制造生產(chǎn)項目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進化合物半導體器件生產(chǎn)線”兩個重要項目后，士蘭微電子落地廈門海滄的第三個重要項目。（來源：廈門廣電網(wǎng)）

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值得一提的是，這是至信微電子在短短半年時間內(nèi)完成的第三輪融資，足見其在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)實力已獲得高度認可。

據(jù)悉，至信微電子成立于2021年11月，總部位于深圳，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的企業(yè)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)的器件設(shè)計和工藝研發(fā)的能力，主打SiC MOSFET（碳化硅晶體管）及模組等系列產(chǎn)品。公司在華南、華東及中國臺灣省均設(shè)有分公司及辦事處。

4月24日，至信微電子官方消息，在“灣區(qū)領(lǐng)航”企業(yè)出海發(fā)展論壇暨2023深圳高成長企業(yè)TOP100發(fā)布會上，至信微電子成功登榜深圳高成長企業(yè)100強。

據(jù)悉，至信微電子已成功推出超過100種技術(shù)指標領(lǐng)先、參數(shù)規(guī)格齊全的高可靠SiC MOSFET、SiC SBD和SiC模塊產(chǎn)品，廣泛應用于新能源汽車、可再生能源存儲、工業(yè)和消費電子等領(lǐng)域。

2024年，至信微電子接連推出了兩款重量級產(chǎn)品：一款為1200V/7mΩ的SiC芯片，能夠承載高達266A的超大電流；另一款則是750V/5mΩ的SiC芯片，其承載電流能力更達到355A，這兩款產(chǎn)品的性能均達到了世界領(lǐng)先水平。

此外，至信微電子的1200V/80mΩ和1200V/40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品的良率高達98%。據(jù)悉，這一數(shù)字遠高于其他國內(nèi)制造商，進一步彰顯了至信微電子在半導體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢和行業(yè)領(lǐng)導地位。（集邦化合物半導體 Winter整理）

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source:清純半導體

資料顯示，清純半導體成立于2021年3月，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，專業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

成立至今，清純半導體已完成4輪融資，投資方包括美團龍珠、復容投資、蔚來資本、鴻富資產(chǎn)、澤森資本、蘇州趨勢基金、英飛源技術(shù)、士蘭微、銀杏谷資本、華登國際、高瓴創(chuàng)投、宏微科技、九洲創(chuàng)投、高瓴資本、禾望電氣、仁發(fā)投資、海創(chuàng)集團等眾多機構(gòu)，其中，復容投資、蔚來資本、高瓴創(chuàng)投等均參與了清純半導體多輪融資，對清純半導體發(fā)展前景有較大信心。

技術(shù)和產(chǎn)品方面，自成立以來，清純半導體突破不斷，先后推出國內(nèi)首款15V驅(qū)動SiC MOSFET及國內(nèi)最低導通電阻SiC MOSFET，并通過AEC-Q101車規(guī)認證和HV-H3TRB測試。

據(jù)稱，清純半導體是目前國內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET的企業(yè)，公司系列產(chǎn)品已經(jīng)在新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域得到廣泛應用。

據(jù)介紹，截至目前，清純半導體SiC MOSFET累計出貨達150萬顆，實現(xiàn)了多家新能源企業(yè)的批量供貨，新能源汽車主驅(qū)芯片驗證與導入進展順利，已服務超過50家客戶。

產(chǎn)能方面，2023年2月3日，清純半導體研發(fā)基地正式啟用。項目總面積4600平米，建設(shè)四大實驗平臺，總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬顆SiC器件的測試及篩選能力。

目前，清純半導體在SiC器件領(lǐng)域已具有較強實力，新一輪融資完成有助于公司擴大優(yōu)勢、鞏固自身的行業(yè)地位。

值得關(guān)注的是，近期，至信微電子、超芯星、東映碳材等SiC器件、襯底和材料廠商紛紛完成新一輪融資，顯示了資本市場十分重視SiC產(chǎn)業(yè)鏈，未來或?qū)鞒龈嗳谫Y消息。（集邦化合物半導體Zac整理）

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漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該項目規(guī)劃 VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規(guī)劃月產(chǎn)能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)鏈布局，有力推動車硅級功率器件國產(chǎn)化進程。

文：全球半導體觀察

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研發(fā)方面，鍇威特表示，公司截止三季度的研發(fā)費用投入總計達2,768萬元，同比增長了70.26%，研發(fā)投入占前三季度內(nèi)營收的16.95%，同比增加7.68個百分點，研發(fā)投入增長系公司加大了功率IC和SiC MOSFET等新品研發(fā)投入。其中，在SiC功率器件方面，公司將在現(xiàn)有設(shè)計及工藝平臺基礎(chǔ)上，圍繞新能源汽車、光伏發(fā)電應用領(lǐng)域等，展開產(chǎn)品系列化研發(fā)及可靠性改善提升的研究，不斷豐富產(chǎn)品系列。

技術(shù)方面，鍇威特表示，公司在超高壓平面MOSFET、高壓超結(jié)MOSFET、SiC MOSFET等方面已取得深厚技術(shù)積累，超高壓平面MOSFET最高耐壓已達1700V，同時具備650V-1700V SiC MOSFET設(shè)計能力，產(chǎn)品已覆蓋業(yè)內(nèi)主流電壓段，可用于新能源汽車領(lǐng)域。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

產(chǎn)品方面，鍇威特表示，公司SiC功率器件已順利實現(xiàn)產(chǎn)品布局，進入產(chǎn)業(yè)化階段，針對SiC功率器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計和生產(chǎn)工藝進行不斷探索和研發(fā)投入，已推出650V-1700V SiC MOSFET產(chǎn)品系列。未來，公司還將進一步促進第三代半導體功率器件產(chǎn)品的量產(chǎn)落地與技術(shù)升級。

資料顯示，鍇威特成立于2015年，專注于智能功率半導體器件與功率集成芯片設(shè)計、研發(fā)和銷售，產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及高可靠領(lǐng)域，現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、快恢復高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款產(chǎn)品。

2023年8月18日，鍇威特在上海證券交易所科創(chuàng)板正式掛牌上市。

鍇威特2023年第三季度報告顯示，公司2023年第三季度營收約3005.32萬元，同比減少46.40%，主要系本報告期下游市場需求下滑所致；歸屬于上市公司股東的凈利潤約-752.22萬元，同比減少168.84%，主要系公司銷量有所下降、研發(fā)費用增長所致。

目前，盡管鍇威特業(yè)績表現(xiàn)不佳，但隨著其SiC功率器件進入產(chǎn)業(yè)化階段，疊加新能源汽車、光伏能源、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展帶動SiC功率器件需求上漲，鍇威特有望迎來業(yè)績拐點。（集邦化合物半導體Zac整理）

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