01、保定1900噸/年碳化硅陶瓷項(xiàng)目投產(chǎn)

1月20日，據(jù)唐縣人民政府發(fā)布消息顯示，唐縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)堯錦新型建材有限公司反應(yīng)燒結(jié)碳化硅工程陶瓷項(xiàng)目完成竣工驗(yàn)收，正式投產(chǎn)運(yùn)營。

圖片來源：唐縣人民政府政務(wù)信息截圖

該項(xiàng)目總投資16491萬元，規(guī)劃年產(chǎn)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅制品1900噸。作為唐縣重點(diǎn)推進(jìn)的產(chǎn)業(yè)升級項(xiàng)目，它依托反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料耐高溫、耐磨損、抗熱震的優(yōu)異性能，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于冶金、化工、新能源等高端制造領(lǐng)域，市場前景廣闊。

項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可帶動當(dāng)?shù)?20人就業(yè)，年均實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入16858萬元，年納稅額達(dá)1652萬元，將有力拉動區(qū)域經(jīng)濟(jì)增長，提升唐縣在先進(jìn)陶瓷材料領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)競爭力。

保定堯錦新型建材有限公司成立于2020年12月03日，注冊地位于河北省保定市唐縣唐縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)白合工業(yè)園。經(jīng)營范圍包括一般項(xiàng)目：固體廢物治理，特種陶瓷制品、建筑砌塊、機(jī)制砂、水泥制品制造、銷售。

02、300噸重結(jié)晶碳化硅陶瓷項(xiàng)目落地湖北

1月14日，湖北省投資項(xiàng)目在線監(jiān)管平臺發(fā)布了年產(chǎn)300噸高密度重結(jié)晶碳化硅陶瓷項(xiàng)目的備案公示。

圖片來源：湖北省投資項(xiàng)目在線監(jiān)管平臺截圖

該項(xiàng)目選址于湖北省咸寧市赤壁市陸水湖街道玄素洞村玄素洞路142號，總投資1500萬元。項(xiàng)目規(guī)劃租用800平方米場地，新建700平方米標(biāo)準(zhǔn)化廠房，并購置3條破管爐生產(chǎn)線，專業(yè)生產(chǎn)高密度重結(jié)晶碳化硅陶瓷產(chǎn)品。

資料顯示，湖北省#創(chuàng)晶新材料有限公司 成立于2026年1月13日，企業(yè)經(jīng)營范圍涵蓋特種陶瓷、新型陶瓷、金屬基/陶瓷基復(fù)合材料、超導(dǎo)材料、電子專用材料等材料的生產(chǎn)與銷售。

重結(jié)晶碳化硅陶瓷是一種具備高強(qiáng)度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)異性能的新型工業(yè)材料，廣泛應(yīng)用于光伏、半導(dǎo)體、冶金、化工等高端制造領(lǐng)域。此次項(xiàng)目落地，既是湖北省創(chuàng)晶新材料有限公司在先進(jìn)陶瓷賽道的重要布局，也將為赤壁市乃至咸寧市的新材料產(chǎn)業(yè)注入新動能。

項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)300噸高密度重結(jié)晶碳化硅陶瓷的產(chǎn)能，不僅能有效填補(bǔ)區(qū)域內(nèi)高端陶瓷材料的產(chǎn)能缺口，還將帶動當(dāng)?shù)厣舷掠萎a(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，創(chuàng)造更多就業(yè)崗位與技術(shù)升級機(jī)會。

03、結(jié)語

當(dāng)前，全球新能源、半導(dǎo)體、高端裝備制造等產(chǎn)業(yè)正加速迭代，碳化硅陶瓷作為戰(zhàn)略級先進(jìn)材料，已成為支撐產(chǎn)業(yè)鏈升級的核心基石。其兼具超高熔點(diǎn)、優(yōu)異導(dǎo)熱性、抗腐蝕與抗熱震性，在光伏熱場組件、半導(dǎo)體外延爐腔體、冶金高溫爐襯、化工耐腐設(shè)備等關(guān)鍵場景中不可或缺，是替代傳統(tǒng)金屬與陶瓷材料、提升終端產(chǎn)品性能的“剛需核心材料”。

從行業(yè)格局看，全球碳化硅陶瓷市場正迎來爆發(fā)式增長，我國雖在中低端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；?yīng)，但高端產(chǎn)品仍存在部分進(jìn)口依賴，國產(chǎn)化替代空間廣闊且緊迫性突出。

從河北保定的產(chǎn)能釋放到湖北赤壁的項(xiàng)目落地，兩大碳化硅陶瓷項(xiàng)目的推進(jìn)不僅展現(xiàn)了國內(nèi)新材料產(chǎn)業(yè)的蓬勃活力，更將為光伏、半導(dǎo)體、高端制造等下游產(chǎn)業(yè)提供堅(jiān)實(shí)的材料支撐。未來，隨著更多優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目的落地與投產(chǎn)，我國先進(jìn)陶瓷產(chǎn)業(yè)有望進(jìn)一步夯實(shí)技術(shù)優(yōu)勢。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

其中，位于臨港新片區(qū)東方芯港地塊的“半導(dǎo)體核心零部件及系統(tǒng)項(xiàng)目”正式開工。該項(xiàng)目由上海#元創(chuàng)科芯半導(dǎo)體 有限公司投資50億元，占地約108畝，總建筑面積15萬平方米。

該項(xiàng)目計(jì)劃用18個月建成投產(chǎn)，投產(chǎn)后3年達(dá)產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約93.5億元 。項(xiàng)目主要建設(shè)MFC（氣體質(zhì)量流量控制器）、氣柜、氣體工程以及真空計(jì)、電源、靜電卡盤、SiC邊緣環(huán)、泵閥、精密量測、科學(xué)儀器、泛半導(dǎo)體特殊零部件等標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目單位母公司系先導(dǎo)科技集團(tuán)，資料顯示，先導(dǎo)科技集團(tuán)于1995年開始涉足稀散金屬行業(yè)，2003年在廣東清遠(yuǎn)正式成立，其半導(dǎo)體科技事業(yè)部在一至四代半導(dǎo)體領(lǐng)域均有布局，擁有完整的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝及提純技術(shù)，具備從材料、襯底、外延、到芯片、器件、模組的生產(chǎn)能力。據(jù)介紹，此次在臨港新開工的項(xiàng)目將助力提升我國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

近日，捷捷微電、藍(lán)箭電子、國聯(lián)萬眾、晶升股份、精進(jìn)電動、時代電氣等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)密集披露最新進(jìn)展，涵蓋8英寸產(chǎn)線升級、核心設(shè)備量產(chǎn)、終端產(chǎn)品出口及先進(jìn)技術(shù)定型等關(guān)鍵領(lǐng)域。

1、藍(lán)箭電子氮化鎵與碳化硅產(chǎn)品送樣，量產(chǎn)節(jié)奏待評估

1月22日，藍(lán)箭電子在互動平臺回答投資者提問時表示，公司的氮化鎵GaN產(chǎn)品和碳化硅Sic已成功完成了多款相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)和客戶送樣，該業(yè)務(wù)的具體推進(jìn)節(jié)奏與戰(zhàn)略規(guī)劃，將主要依據(jù)市場需求動態(tài)、客戶反饋及后續(xù)訂單情況等因素綜合評估后確定。公司將密切關(guān)注市場情況，保持技術(shù)儲備和產(chǎn)品迭代的靈活性，以穩(wěn)健、務(wù)實(shí)的策略推動相關(guān)業(yè)務(wù)的可持續(xù)發(fā)展。

圖片來源：互動平臺截圖

資料顯示，藍(lán)箭電子主要從事半導(dǎo)體封裝測試業(yè)務(wù)，為半導(dǎo)體行業(yè)及下游領(lǐng)域提供分立器件和集成電路產(chǎn)品。在在碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域以封測為核心，同步推進(jìn) SiC/GaN 器件封測技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品送樣與客戶拓展。

2、捷捷微電：與高校合作研發(fā)碳化硅，產(chǎn)品未量產(chǎn)市場待拓展

1月20日，捷捷微電在互動平臺稱，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)發(fā)明專利5件和實(shí)用新型專利6件，此外，公司還有8個發(fā)明專利尚在申請受理中。

圖片來源：互動平臺截圖

公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。公司下游客戶眾多并分散，且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車、光伏及儲能等新能源行業(yè)市場空間巨大，公司重點(diǎn)拓展汽車電子、電源類及工業(yè)類市場，努力提高這幾個領(lǐng)域的產(chǎn)品占比，目前在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用的產(chǎn)品銷售占比正逐步提升。

資料顯示，捷捷微電1995年成立、2017年創(chuàng)業(yè)板上市，公司專注功率半導(dǎo)體分立器件，覆蓋芯片到器件全流程，產(chǎn)品分四大類，應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域。

3、國聯(lián)萬眾碳化硅芯片晶圓工藝線升級為8英寸

1月20日，中瓷電子在互動平臺回答投資者提問時表示，子公司#國聯(lián)萬眾 碳化硅芯片晶圓工藝線經(jīng)過升級改造由6英寸升級為8英寸，目前已通線，處于產(chǎn)品升級及客戶導(dǎo)入階段，今后將有效提升國聯(lián)萬眾碳化硅功率產(chǎn)品的市場競爭力。

圖片來源：互動平臺截圖

中瓷電子是擁有氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的高科技企業(yè)。

此外，中瓷電子還透露，子公司博威公司正在進(jìn)行兩項(xiàng)募投項(xiàng)目，分別是氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目和通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。這些項(xiàng)目目前處于建設(shè)階段，主要服務(wù)于5G通信、微波通信和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。公司表示，投資者可以通過其指定的信息披露平臺獲取項(xiàng)目的最新進(jìn)展。

4、晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備業(yè)務(wù)增長趨勢明確

1月19日，晶升股份在回答投資者提問時表示，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇，目前公司業(yè)務(wù)整體情況較去年呈現(xiàn)逐步改善的態(tài)勢。碳化硅方面的新增批量需求已由6英寸轉(zhuǎn)為8英寸，8英寸碳化硅長晶設(shè)備業(yè)務(wù)增長趨勢明確，已簽訂單及意向性訂單均有增加。

同時，AR眼鏡和先進(jìn)封裝中介層等其他下游新興應(yīng)用為12英寸碳化硅設(shè)備帶來了新的增量需求。另外，半導(dǎo)體硅方面推出多款產(chǎn)品，意向性訂單正與客戶緊密溝通并積極推動中。

圖片來源：互動平臺截圖

資料顯示，晶升股份成立于2012年，2023年科創(chuàng)板上市，專注半導(dǎo)體級晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心為半導(dǎo)體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐。

晶升股份自2017年啟動碳化硅單晶爐研發(fā)，2018年首臺產(chǎn)品交付客戶，產(chǎn)品矩陣覆蓋6-12英寸，核心包括JSSD、SCET420、SCMP等系列PVT法碳化硅單晶爐及SCMP/LP系列TSSG法設(shè)備，適配導(dǎo)電型、半絕緣型襯底生長，8英寸SCMP系列已批量供應(yīng)三安光電、天岳先進(jìn)、比亞迪等頭部客戶。

5、精進(jìn)電動已向歐洲批量出口碳化硅控制器

1月19日，精進(jìn)電動在互動平臺回答投資者提問時表示，公司已向歐洲批量出口碳化硅控制器，用于歐洲重卡市場。另外公司有出口至歐洲的三合一產(chǎn)品配套客戶多個車型。為歐洲客戶開發(fā)的乘用車緊湊型三合一電驅(qū)動系統(tǒng)的開發(fā)工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。

圖片來源：互動平臺截圖

資料顯示，精進(jìn)電動成立于2008年，專注電驅(qū)動系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，自主掌握驅(qū)動電機(jī)、控制器、傳動總成及軟件控制核心技術(shù)，提供“三合一”電驅(qū)動總成等系統(tǒng)級解決方案，覆蓋乘用車、商用車及非汽車新能源領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，精進(jìn)電動核心聚焦800V高壓平臺SiC控制器研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，自主掌握全棧技術(shù)并采用國產(chǎn)自主可控車規(guī)級芯片，推出功率可達(dá)300kW、最高效率99.6%的SiC控制器及集成化三合一電驅(qū)系統(tǒng)。

產(chǎn)能方面，山東菏澤基地二期年產(chǎn)30萬臺碳化硅及硅基控制器項(xiàng)目于2025年啟動建設(shè)并分階段投產(chǎn)，2025年8月已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

6、時代電氣：當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型

1月16日，時代電氣在互動平臺回答投資者提問時表示，當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，第五代SiC技術(shù)也已完成布局。

目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵SiC MOSFET性能指標(biāo)基本對標(biāo)國際龍頭企業(yè)。

公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運(yùn)輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

圖片來源：互動平臺截圖

7、結(jié)語

此次國聯(lián)萬眾8英寸碳化硅芯片晶圓工藝線通線、晶升股份8英寸長晶設(shè)備批量供應(yīng)頭部客戶、精進(jìn)電動實(shí)現(xiàn)碳化硅控制器歐洲批量出口，以及時代電氣第四代溝槽柵產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定型，集中展現(xiàn)了國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從設(shè)備、芯片到終端應(yīng)用的階段性突破。

未來，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將逐步夯實(shí)規(guī)模化競爭基礎(chǔ)，進(jìn)一步銜接新能源汽車、通信等下游市場需求，推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)同升級。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：歌爾股份——圖為50°大視場角碳化硅光波導(dǎo)模組F50Se

據(jù)介紹，F(xiàn)50Se模組創(chuàng)新采用高折射率的碳化硅光波導(dǎo)材料，突破傳統(tǒng)玻璃基底30°視場角的物理限制，達(dá)到50°超大視場角。

同時，通過創(chuàng)新光柵設(shè)計(jì)與干法刻蝕工藝，有效消除AR光波導(dǎo)顯示中常見的殘影和彩虹紋干擾，顯著提升視覺純凈度；搭配全彩小型化LCoS光機(jī)，可實(shí)現(xiàn)1500尼特以上入眼亮度。通過系列創(chuàng)新，為輕薄型AR眼鏡提供兼具虛擬大屏、全彩色與高亮度的關(guān)鍵光學(xué)解決方案，提升觀影和娛樂場景體驗(yàn)。

作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅憑借高折射率、高熱導(dǎo)率的雙重優(yōu)勢，正成為破解AR眼鏡顯示瓶頸的關(guān)鍵材料，為行業(yè)技術(shù)迭代提供核心支撐。

其折射率可達(dá)2.6以上，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)玻璃（最高約1.9）與樹脂材料（最高約1.74），能有效約束光線傳播、擴(kuò)大視場角；同時，高折射率特性可壓縮光的有效波長、降低光柵周期，將環(huán)境光衍射角度移出人眼觀察范圍，從根源上緩解全彩顯示中常見的彩虹紋色散問題。

此外，碳化硅熱導(dǎo)率約490W/m·K，遠(yuǎn)超玻璃（約1W/m·K），可快速傳導(dǎo)光機(jī)模塊熱量，支持高亮度顯示與長時間穩(wěn)定運(yùn)行，還能簡化設(shè)備散熱設(shè)計(jì)、降低整機(jī)重量復(fù)雜度，為AR眼鏡輕薄化、高性能化升級奠定基礎(chǔ)。

歌爾光學(xué)在2025年9月CIOE展會上首發(fā)刻蝕全彩衍射光波導(dǎo)模組，厚度0.65mm、重量3.5g，采用全貼合技術(shù)消除空氣層，30°視場角內(nèi)無彩虹紋，透過率表現(xiàn)優(yōu)異；此次SPIE大會首發(fā)的F50Se模組，進(jìn)一步將視場角提升至50°，形成消費(fèi)級與專業(yè)級全覆蓋的產(chǎn)品矩陣。

除歌爾光學(xué)外，碳化硅光波導(dǎo)技術(shù)也在行業(yè)內(nèi)形成多點(diǎn)落地態(tài)勢。

秋果計(jì)劃Wigain Omnision XR眼鏡于2025年11月上市，據(jù)稱這是國內(nèi)首款深度整合大模型的消費(fèi)級碳化硅AR設(shè)備，搭載全彩碳化硅波導(dǎo)光學(xué)模組，視場角50°、入眼亮度900nit。

2025年2月，天科合達(dá)與慕德微納在徐州簽署投資合同并共同出資成立合資公司，聚焦AR衍射光波導(dǎo)鏡片的技術(shù)研發(fā)與市場推廣。雙方于同年3月的Semicon China展會上，共同展示了搭載碳化硅光波導(dǎo)技術(shù)的AR眼鏡演示機(jī)，標(biāo)志著合作成果進(jìn)入場景化驗(yàn)證階段。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟

資料顯示，早在2010年，格力電器便建立了IPM功率模塊生產(chǎn)線，2018年格力零邊界公司成立，聚焦芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。2023年，格力電器設(shè)立珠海格力電子元器件有限公司，主要負(fù)責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓制造、功率器件封裝測試、半導(dǎo)體檢測及相關(guān)產(chǎn)品服務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于商業(yè)空調(diào)、家用空調(diào)、生活家電、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領(lǐng)域。

珠海格力電子元器件有限公司擁有全球領(lǐng)先的全自動化第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片生產(chǎn)線，并配套建設(shè)行業(yè)首座超級能源站，工廠核心設(shè)備國產(chǎn)化率超70%，集成AI缺陷檢測系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)“外延片-晶圓-封裝”全流程自主可控。

2025年，珠海格力電子元器件有限公司完成SiC二極管和MOSFET的AEC-Q101認(rèn)證(含高溫反偏測試、功率溫度循環(huán)等)，工廠通過ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證、ANSI/ESD、S20.20-2021靜電防護(hù)管理體系IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證，已具備生產(chǎn)高可靠性家電芯片和車規(guī)級芯片的能力。

目前，格力碳化硅芯片已經(jīng)裝機(jī)出貨超過200萬臺空調(diào)，可以實(shí)現(xiàn)溫度降低和能效提升。格力用在光伏、儲能產(chǎn)品上的碳化硅器件，也可助力溫度降低和能效提升，2026年將量產(chǎn)。此外，格力用于中央空調(diào)冷水機(jī)組、物流車的碳化硅器件，也能實(shí)現(xiàn)能效提升，2026年也將陸續(xù)量產(chǎn)。

馮尹表示，格力的碳化硅工廠建設(shè)了6英寸、8英寸兼容機(jī)臺，具備全自動化天車系統(tǒng)，提供滿足車規(guī)級要求的測試服務(wù)。同時，格力碳化硅芯片工廠提供對外的代工流片服務(wù)。

針對當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，馮尹表示公司還面臨行業(yè)低價競爭、芯片推廣過程中客戶認(rèn)為公司產(chǎn)品價格高、以及機(jī)臺設(shè)備配件仍依賴進(jìn)口等痛點(diǎn)，對此其表示希望加強(qiáng)對外合作，協(xié)助更多芯片設(shè)計(jì)公司流片、與供應(yīng)商一起打通行業(yè)堵點(diǎn)。

值得一提的是，媒體此前報道，格力電器董事長董明珠在接待廣汽集團(tuán)董事長馮興亞時笑言，未來廣汽的汽車芯片中一半由格力產(chǎn)品替代。

上述言論很快在業(yè)界掀起熱議，對此廣汽集團(tuán)迅速給出回應(yīng)。

圖片來源：廣汽集團(tuán)官方微博

廣汽集團(tuán)發(fā)布官方微博表示，近期不少朋友關(guān)注廣汽與格力的合作動態(tài)，針對網(wǎng)傳“未來廣汽集團(tuán)的汽車芯片中一半由格力芯片替代”內(nèi)容，相關(guān)網(wǎng)傳表述并非事實(shí)。

廣汽集團(tuán)稱，2026年1月15日，廣汽集團(tuán)董事長馮興亞率隊(duì)訪問格力電器，與董事長董明珠及管理團(tuán)隊(duì)共商“人車家”智慧生態(tài)融合發(fā)展，探討產(chǎn)業(yè)協(xié)同。后續(xù)如有合作的具體進(jìn)展，公司會第一時間通過官方渠道發(fā)布。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：三菱電機(jī)官網(wǎng)新聞稿

相關(guān)產(chǎn)品將于1月21-23日在東京第40屆Nepcon Japan R&D and Manufacturing展首次公開亮相，并計(jì)劃在北美、歐洲、中國、印度等核心市場展會持續(xù)展出。

作為第三代半導(dǎo)體材料的核心應(yīng)用方向，SiC MOSFET憑借耐高溫、低損耗、高效率的特性，已成為新能源汽車及可再生能源領(lǐng)域的關(guān)鍵器件。

三菱電機(jī)自2010年起布局SiC功率半導(dǎo)體模塊業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于空調(diào)、工業(yè)設(shè)備及鐵路車輛逆變系統(tǒng)，此次推出的溝槽型裸片則是對其現(xiàn)有技術(shù)體系的重要升級。據(jù)官方資料顯示，四款新品均采用750V額定電壓設(shè)計(jì)，導(dǎo)通電阻覆蓋20mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ四個檔位，型號分別為WF0020P-0750AA、WF0040P-0750AA、WF0060P-0750AA及WF0080P-0750AA，可滿足不同功率等級器件的封裝需求。

據(jù)悉，在封裝適配性與環(huán)保性方面，新品表面電極支持焊接連接，背電極兼容焊接鍵合與銀燒結(jié)鍵合兩種工藝，為下游廠商提供靈活的封裝解決方案，可廣泛集成于各類功率器件中。產(chǎn)品嚴(yán)格符合RoHS指令（2011/65/EU，(EU) 2015/863）要求，在性能提升的同時實(shí)現(xiàn)綠色環(huán)保設(shè)計(jì)，契合全球新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：天域半導(dǎo)體

基于此次合作，雙方將整合各自優(yōu)勢資源——天域半導(dǎo)體在碳化硅材料領(lǐng)域的深厚積累，以及青禾晶元在鍵合設(shè)備定制與優(yōu)化方面的專長，攜手推進(jìn)鍵合材料（涵蓋鍵合碳化硅（bonded SiC）、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上壓電基板（POI）以及超大尺寸（12英寸及以上）SiC復(fù)合散熱基板等）的工藝研發(fā)與技術(shù)革新。

根據(jù)合作協(xié)議，天域半導(dǎo)體將負(fù)責(zé)bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC復(fù)合散熱基板及中介層等鍵合材料的工藝開發(fā)及規(guī)?；a(chǎn)導(dǎo)入工作。青禾晶元則承諾為天域半導(dǎo)體提供離子注入、晶圓級鍵合、精密拋光、晶體修復(fù)及剝離等關(guān)鍵設(shè)備，并給予相應(yīng)的技術(shù)支持。此次攜手，旨在充分發(fā)揮雙方在各自領(lǐng)域的專長，助力天域半導(dǎo)體在鍵合材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再上新臺階，從而穩(wěn)固并擴(kuò)大其市場版圖。

此次合作，不僅是技術(shù)層面的深度融合，更是天域半導(dǎo)體順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流，進(jìn)行的一次前瞻性戰(zhàn)略布局。近年來，全球半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點(diǎn)正逐步從傳統(tǒng)硅材料向碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移。新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對高性能功率器件的需求日益增長，而這些器件的核心材料正是碳化硅及其復(fù)合基板。天域半導(dǎo)體與青禾晶元的合作，正是對這一行業(yè)趨勢的精準(zhǔn)把握。

鍵合技術(shù)，作為一種將不同材料緊密結(jié)合的工藝，正成為推動新一代芯片性能躍升的關(guān)鍵因素。以SOI（絕緣體上硅）為例，其獨(dú)特的“三明治”結(jié)構(gòu)能有效減少漏電流和寄生電容，使芯片運(yùn)行更快、更節(jié)能、更抗輻射，廣泛應(yīng)用于人工智能、5G通信、汽車電子及航空航天等領(lǐng)域。而POI（絕緣體上壓電基板）則在聲學(xué)和光學(xué)器件中發(fā)揮著重要作用，如噪聲監(jiān)測、TWS耳機(jī)主動降噪、醫(yī)學(xué)成像及高分辨率顯示等。

至于Bonded SiC（鍵合碳化硅），其優(yōu)勢尤為突出：一方面，它能顯著提高高質(zhì)量碳化硅單晶的利用率，一片標(biāo)準(zhǔn)厚度的單晶拋光片可制造出50片以上的鍵合拋光片；另一方面，它能降低功率器件的導(dǎo)通電阻，優(yōu)化電學(xué)性能。更值得一提的是，鍵合技術(shù)有望成為解決AI芯片散熱難題的關(guān)鍵工藝，臺積電、英偉達(dá)等行業(yè)巨頭已在此領(lǐng)域展開探索，未來或?qū)⒋呱f片級的市場需求。天域半導(dǎo)體已在金剛石、GaN、AlN等前沿材料上實(shí)現(xiàn)了鍵合晶片的制備，進(jìn)一步拓寬了技術(shù)應(yīng)用的邊界。

展望未來，天域半導(dǎo)體將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級為核心驅(qū)動力，在保持碳化硅外延片領(lǐng)先優(yōu)勢的同時，積極探索更廣泛的材料應(yīng)用與解決方案。隨著與青禾晶元合作的不斷深入，天域半導(dǎo)體有望在先進(jìn)鍵合材料領(lǐng)域構(gòu)建起新的技術(shù)壁壘，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈的升級發(fā)展，為中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起貢獻(xiàn)重要力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

1、芯元基半導(dǎo)體B+輪融資

根據(jù)天眼查APP于1月7日公布的信息整理，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司B+輪融資，融資額未披露，參與投資的機(jī)構(gòu)包括金橋基金，泥藕資本，創(chuàng)谷資本。

圖片來源：天眼查信息截圖

資料顯示，芯元基半導(dǎo)體是一家半導(dǎo)體元件研發(fā)生產(chǎn)商，主要從事以GaN為主的第三代半導(dǎo)體材料和電子器件的生產(chǎn)、銷售，擁有LED芯片DPSS復(fù)合襯底、藍(lán)寶石襯底化學(xué)剝離和WLP晶圓級封裝等系列LED芯片生產(chǎn)技術(shù)。

2、能訊半導(dǎo)體完成D輪融資

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“能訊半導(dǎo)體”）近日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投和九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，融資額未披露。

圖片來源：企查查信息截圖

能訊半導(dǎo)體創(chuàng)立于2011年，總部位于江蘇昆山，是一家射頻氮化鎵芯片制造服務(wù)商。目前，能訊半導(dǎo)體已構(gòu)建了覆蓋氮化鎵外延生長、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)體系，包括：外延生長、工藝開發(fā)、晶圓制造、封裝測試及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、0.15μm、0.1μm工藝制程能力。

2025年12月，能訊半導(dǎo)體8英寸氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目簽約落戶安徽池州經(jīng)開區(qū)。2026年1月，西安電子科技大學(xué)聯(lián)合能訊半導(dǎo)體在IEDM發(fā)布超高功率密度GaN射頻器件技術(shù)，在10GHz工作頻率、115V高漏壓條件下，實(shí)驗(yàn)器件輸出了41W/mm的飽和功率密度。

3、序輪科技完成A3、A4輪戰(zhàn)略融資

近期，北京序輪科技有限公司（以下簡稱“序輪科技”）于近日完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資，投資機(jī)構(gòu)包括北方華創(chuàng)旗下產(chǎn)業(yè)基金諾華資本、北京電控產(chǎn)投基金與前海方舟基金投資。

資金將重點(diǎn)投入于產(chǎn)線與配套體系的升級，以把握市場規(guī)?；狭康年P(guān)鍵機(jī)遇；同時，也將在研發(fā)創(chuàng)新與人才建設(shè)上持續(xù)加碼，為長期競爭力提供堅(jiān)實(shí)支撐。

資料顯示，序輪科技專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝所需的高分子膠膜/膠帶材料，包括UV減粘膜、DAF（芯片貼裝膠膜）、IBF絕緣堆積膜，新能源汽車用功能膠帶、以及液體和薄膜類集成電路塑封料等，產(chǎn)品已全面覆蓋晶圓減薄、切割、芯片貼裝與堆疊、2.5D/3D封裝等關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于射頻、算力、存儲芯片等高端制造領(lǐng)域。

目前，序輪科技產(chǎn)能可達(dá)對應(yīng)約5億元銷售額的規(guī)模。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底研發(fā)取得新進(jìn)展，將加速產(chǎn)能建設(shè)與釋放

露笑科技表示，公司已全面掌握8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體生長工藝參數(shù)之間的耦合關(guān)系，成功生長出高質(zhì)量的8英寸碳化硅晶體。晶體結(jié)晶質(zhì)量高，晶型控制穩(wěn)定，確保了襯底的高性能和一致性。

圖片來源：露笑科技

公司在8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的關(guān)鍵參數(shù)，包括微管密度、表面粗糙度、位錯密度、電阻率分布均勻性等，均已達(dá)到或優(yōu)于行業(yè)主流標(biāo)準(zhǔn)。其中，微管密度極低，表面質(zhì)量滿足客戶要求，為下游客戶制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

同時，公司擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的生長設(shè)備和核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了從原料合成、晶體生長、到襯底加工的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)布局。公司已建立起可重復(fù)的8英寸碳化硅襯底制造工藝體系，技術(shù)成熟度高。

目前，露笑科技合肥基地一期項(xiàng)目已順利投產(chǎn)，為公司提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)產(chǎn)能。在此基礎(chǔ)上，公司正積極籌劃二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目。二期項(xiàng)目將重點(diǎn)聚焦于8英寸襯底及外延片的產(chǎn)線建設(shè)，旨在快速形成規(guī)?；a(chǎn)能力，以滿足新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能及工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?英寸碳化硅襯底日益增長的市場需求。

未來，露笑科技將前瞻性地布局下一代碳化硅技術(shù)，積極探索更大尺寸襯底的研發(fā)，致力于保持在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，鞏固公司的核心競爭優(yōu)勢。

“第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目”的募集資金計(jì)劃投資總額下調(diào)

1月16日，露笑科技發(fā)布公告表示，公司擬將“第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目”的募集資金計(jì)劃投資總額，從19.4億元下調(diào)至9.9億元，由此節(jié)余的9.5億元募集資金，將用于永久補(bǔ)充公司的流動資金。

圖片來源：露笑科技公告截圖

2020年8月，露笑科技與合肥市長豐縣人民政府簽署《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，擬在長豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，主要建設(shè)國際領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）的設(shè)備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地

根據(jù)最新公告，公司董事會會議已審議通過議案，同意對“第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目”（一期）的投資規(guī)模進(jìn)行調(diào)整。擬將總投資金額由21億元調(diào)整為11.50億元，募集資金計(jì)劃投資總額由19.40億元調(diào)整為9.90億元。

對此，露笑科技在公告中表示，該項(xiàng)目自規(guī)劃以來，行業(yè)總體競爭格局、市場環(huán)境發(fā)生了較大變化。首先，6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底市場競爭日趨激烈。在國家產(chǎn)業(yè)政策支持和下游市場發(fā)展預(yù)期的驅(qū)動下，全球碳化硅襯底廠商產(chǎn)能擴(kuò)張速度加快，導(dǎo)致6英寸產(chǎn)品的產(chǎn)能快速釋放。

然而，自2024年以來，受宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、歐美新能源政策調(diào)整等因素影響，全球新能源汽車市場增速放緩，下游汽車廠商需求疲軟，并持續(xù)利用議價優(yōu)勢壓低產(chǎn)品價格。同時，光伏逆變、軌道交通等其他應(yīng)用領(lǐng)域雖然需求增長，但短期內(nèi)難以消化龐大的襯底產(chǎn)能。此外，8英寸等更大尺寸的碳化硅襯底片陸續(xù)面世，也對6英寸產(chǎn)品形成了技術(shù)和市場上的沖擊。

露笑科技認(rèn)為，在此背景下，如果繼續(xù)按照原計(jì)劃大規(guī)模投入建設(shè)，將大幅增加公司的固定成本和經(jīng)營風(fēng)險，不符合公司長遠(yuǎn)利益。公司判斷，調(diào)整投資規(guī)模后的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)已能夠滿足現(xiàn)階段的發(fā)展需求，無需再按照原計(jì)劃進(jìn)行投入。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

雷軍表示，現(xiàn)在小米反小字營銷，力求每一個事情都準(zhǔn)確。新一代小米SU7汽車的“碳化硅高壓平臺”都明確到了752V、897V等具體數(shù)字，沒有叫800V或者900V。

雷軍認(rèn)為，以前的350V叫400V是“行業(yè)陋習(xí)”，小米愿意接受更高標(biāo)準(zhǔn)的要求，不應(yīng)該開玩笑，也不應(yīng)該發(fā)牢騷，能用大字說明用大字說明、能寫完整的寫完整、能寫準(zhǔn)確的寫準(zhǔn)確，不要講行業(yè)過去怎么說。

資料顯示，小米新一代SU7車型即將于同年4月上市。新車在三電系統(tǒng)、智能駕駛等核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全維升級，其中“全系標(biāo)配碳化硅高壓平臺”的配置策略，成為碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)在中端豪華純電市場規(guī)模化應(yīng)用的重要里程碑。

具體而言，新車標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版配備752V碳化硅高壓平臺，Max版升級為897V碳化硅高壓平臺；依托碳化硅材料高導(dǎo)熱、低損耗的優(yōu)異特性，新車形成梯度化超長續(xù)航矩陣，其中標(biāo)準(zhǔn)版CLTC續(xù)航720km、Pro版902km、Max版835km，最低能耗僅11.7kWh/100km。補(bǔ)能效率方面，Max版車型在常溫環(huán)境下自營充電樁實(shí)測可實(shí)現(xiàn)15分鐘最快補(bǔ)能CLTC續(xù)航670km的高效表現(xiàn)，大幅緩解用戶充電焦慮。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。