該工藝平臺(tái)支持450V至2300V寬電壓覆蓋，在高壓環(huán)境下驗(yàn)證了高可靠性與穩(wěn)定性，核心制程精準(zhǔn)優(yōu)化后良率超90%，可兼顧效率與產(chǎn)能。企業(yè)提供差異化定制化工藝支持，能根據(jù)客戶需求微調(diào)電氣特性與規(guī)格，適配多元場(chǎng)景。

根據(jù)規(guī)劃，1200V產(chǎn)品開(kāi)發(fā)已啟動(dòng)，將應(yīng)用于客戶工業(yè)設(shè)備的熱效率管理，經(jīng)樣片評(píng)估與可靠性驗(yàn)證后，預(yù)計(jì)2027年上半年量產(chǎn)。

SK啟方半導(dǎo)體是一家8英寸晶圓代工廠，于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來(lái)，并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身則為Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收購(gòu)，以其在設(shè)計(jì)和制造碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體方面的專業(yè)知識(shí)而聞名。

去年3月，SK啟方半導(dǎo)體宣布，已成功達(dá)成從SK集團(tuán)收購(gòu)其子公司SK Powertech98.59%股權(quán)的協(xié)議，交易金額高達(dá)250億韓元。收購(gòu)后，SK啟方半導(dǎo)體將進(jìn)一步推動(dòng)SiC技術(shù)在新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的應(yīng)用落地。

隨后的11月，SK啟方半導(dǎo)體公布SiC業(yè)務(wù)規(guī)劃：2025年底完成1200V工藝開(kāi)發(fā)，2026年上半年啟動(dòng)代工服務(wù)，將業(yè)務(wù)聚焦電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)、工業(yè)電源、可再生能源逆變器等高壓高效場(chǎng)景。

此次SiC工藝平臺(tái)是其收購(gòu)?fù)瘓F(tuán)SiC專業(yè)公司SK powertech后，整合雙方核心能力的首個(gè)成果，實(shí)現(xiàn)技術(shù)與資源協(xié)同，加速商業(yè)化落地。

SK啟方半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：”SiC平面MOSFET工藝平臺(tái)的開(kāi)發(fā)，標(biāo)志著SK keyfoundry已在全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)確立了獨(dú)立的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。依托我們兼具高良率與高可靠性的差異化工藝，我們將持續(xù)拓展高壓功率半導(dǎo)體解決方案，以滿足國(guó)內(nèi)外客戶的需求。”

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、天岳先進(jìn)：8英寸產(chǎn)品成核心增長(zhǎng)極，獲全球頭部客戶批量采購(gòu)

3月16日，天岳先進(jìn)發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表公告。其中提到，8英寸產(chǎn)品是公司當(dāng)前的核心增長(zhǎng)極，也是構(gòu)建長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。公司作為全球第一家具備8英寸導(dǎo)電型襯底量產(chǎn)供應(yīng)能力的企業(yè)，當(dāng)前8英寸產(chǎn)品的收入占比與出貨占比均持續(xù)提升，且已成功獲得全球頭部客戶的批量采購(gòu)。

在產(chǎn)品性能方面，8英寸產(chǎn)品在良率、質(zhì)量穩(wěn)定性和工藝成熟度上持續(xù)改善。規(guī)模效應(yīng)的釋放，使其盈利能力顯著優(yōu)于6英寸產(chǎn)品，且良率和質(zhì)量穩(wěn)定性在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。后續(xù)隨著產(chǎn)能逐步釋放，8英寸產(chǎn)品不僅將帶動(dòng)公司收入增長(zhǎng)，還將持續(xù)優(yōu)化公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和利潤(rùn)結(jié)構(gòu)。

從行業(yè)發(fā)展方向來(lái)看，大尺寸化是明確趨勢(shì)。新增技術(shù)投入、客戶導(dǎo)入和產(chǎn)業(yè)升級(jí)重心正持續(xù)向8英寸傾斜，預(yù)計(jì)今年8英寸出貨占比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。過(guò)去兩年，碳化硅襯底行業(yè)經(jīng)歷了較為充分的價(jià)格調(diào)整。目前，6英寸產(chǎn)品價(jià)格已逐步進(jìn)入相對(duì)穩(wěn)定區(qū)間，8英寸產(chǎn)品雖仍在以市場(chǎng)化方式推動(dòng)滲透，但整體價(jià)格明顯企穩(wěn)。

從需求側(cè)分析，隨著碳化硅相對(duì)硅基功率器件經(jīng)濟(jì)性持續(xù)改善，傳統(tǒng)功率領(lǐng)域，包括車(chē)規(guī)領(lǐng)域滲透率實(shí)現(xiàn)跨越式提升，同時(shí)數(shù)據(jù)中心、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源以及部分消費(fèi)和家電場(chǎng)景的導(dǎo)入加速。整體而言，行業(yè)正從此前的價(jià)格快速調(diào)整階段，逐步轉(zhuǎn)向“價(jià)格趨穩(wěn)、需求擴(kuò)容”的新階段，公司對(duì)今年的出貨增長(zhǎng)保持積極判斷。

02、中瓷電子：碳化硅器件批量供貨國(guó)內(nèi)頭部車(chē)企，產(chǎn)業(yè)鏈布局完整

3月16日，中瓷電子在投資者關(guān)系平臺(tái)上答復(fù)投資者關(guān)心的問(wèn)題。針對(duì)“公司是否有產(chǎn)品應(yīng)用于比亞迪公司的閃充系統(tǒng)”這一問(wèn)題，中瓷電子表示，充電市場(chǎng)是子公司國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾重點(diǎn)布局的領(lǐng)域。針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)閃充設(shè)備，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾開(kāi)發(fā)了多款碳化硅器件產(chǎn)品，并且已經(jīng)在國(guó)內(nèi)頭部車(chē)企實(shí)現(xiàn)批量供貨，性能和品質(zhì)表現(xiàn)優(yōu)異。

資料顯示，中瓷電子在碳化硅（SiC）領(lǐng)域已形成從芯片到模塊的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局。子公司國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾的8英寸SiC芯片生產(chǎn)線已于2025年10月量產(chǎn)。1200V/18mΩ與750V/14mΩ SiC MOS芯片已通過(guò)多家頭部車(chē)企驗(yàn)證，并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，下一代1200V/10mΩ低損耗芯片正在研發(fā)中。此外，中瓷電子還在積極布局低空經(jīng)濟(jì)（如無(wú)人機(jī)、人形機(jī)器人）等新興場(chǎng)景的SiC解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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格力電器介紹，目前公司正在推進(jìn)碳化硅JFET，溝槽MOSFET，超結(jié)MOSFET等新一代先進(jìn)SiC器件研發(fā)。

資料顯示，格力電器很早便已啟動(dòng)芯片全鏈條布局，目前已經(jīng)覆蓋了設(shè)計(jì)、制造、封裝等環(huán)節(jié)。

碳化硅領(lǐng)域，格力電器全資子公司珠海格力電子元器件有限公司于2022年12月啟動(dòng)建設(shè)亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅芯片工廠，2023年12月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品通線，2024年正式投產(chǎn)。

格力通過(guò)自主研發(fā)突破碳化硅芯片核心工藝，包括高溫離子注入、全自動(dòng)缺陷檢測(cè)等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管、溝槽MOS等工藝平臺(tái)，并完成AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，具備生產(chǎn)高可靠性家電芯片和車(chē)規(guī)級(jí)芯片的能力。

今年1月，媒體報(bào)道格力碳化硅芯片已經(jīng)裝機(jī)出貨超過(guò)200萬(wàn)臺(tái)空調(diào)，可以實(shí)現(xiàn)溫度降低和能效提升。同時(shí)，格力電器總裁助理、珠海格力電子元器件有限公司總經(jīng)理馮尹對(duì)外透露，格力電器碳化硅芯片工廠在量產(chǎn)家電用碳化硅芯片后，今年光伏儲(chǔ)能用、物流車(chē)用碳化硅芯片也將量產(chǎn)。

問(wèn)：格力的多元化一直備受關(guān)注，從手機(jī)到芯片，再到現(xiàn)在的數(shù)控機(jī)床、碳化硅芯片。你在布局這些板塊時(shí)是出于怎樣的考慮？

董明珠：本身我們就有這種想法。智能化發(fā)展是成體系的，不能靠某一個(gè)轉(zhuǎn)化器就說(shuō)是智能化。我認(rèn)為，更多的是要研究物與物之間的直接打通、人與物的打通。

以芯片為例，我們之所以做芯片，就是因?yàn)榧译姰a(chǎn)品也是靠海量芯片來(lái)支撐的，并且技術(shù)的不斷升級(jí)也與芯片息息相關(guān)。如果芯片都要靠買(mǎi)，又何談自主創(chuàng)新？最終只能永遠(yuǎn)跟在別人身后。所以，我們很早就啟動(dòng)芯片全鏈條布局，目前已經(jīng)覆蓋了設(shè)計(jì)、制造、封裝等環(huán)節(jié)。

未來(lái)，我們的芯片用量會(huì)持續(xù)放大，最終目標(biāo)是全部自主可控。只有掌握了關(guān)鍵核心技術(shù)，我們才能為全世界服務(wù)。我們不需要依靠別人，更多是希望給別人賦能，這才能體現(xiàn)企業(yè)的價(jià)值。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：Wolfspeed

Wolfspeed在2026年1月成功生產(chǎn)出單晶300mm碳化硅晶圓，Wolfspeed正在與 人工智能 (AI) 生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴展開(kāi)合作，探索300mm碳化硅襯底如何助力解決正日益限制下一代人工智能 (AI) 和高性能計(jì)算 (HPC) 封裝架構(gòu)的熱學(xué)、機(jī)械和電氣性能瓶頸。

隨著人工智能 (AI) 的工作負(fù)載快速增加，數(shù)據(jù)中心集成化正在將封裝尺寸、功率密度和功能復(fù)雜性推向傳統(tǒng)材料的極限之上。Wolfspeed的300mm碳化硅平臺(tái)旨在通過(guò)將高導(dǎo)熱性、優(yōu)異的結(jié)構(gòu)穩(wěn)固性和電氣性能結(jié)合在一個(gè)可量產(chǎn)形式之中，并與現(xiàn)有的300mm半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)齊，來(lái)幫助應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

通過(guò)與正在合作的伙伴評(píng)估，Wolfspeed與晶圓廠、OSAT（外包半導(dǎo)體封裝和測(cè)試供應(yīng)商）、系統(tǒng)架構(gòu)師和研究機(jī)構(gòu)合作，評(píng)估技術(shù)可行性、性能優(yōu)勢(shì)、可靠性和集成路徑。這種合作方法旨在加速學(xué)習(xí)，幫助降低采用風(fēng)險(xiǎn)，并幫助行業(yè)為未來(lái)人工智能 (AI) 工作負(fù)載所需的混合碳化硅-硅封裝架構(gòu)做好準(zhǔn)備。

300mm碳化硅晶圓將先進(jìn)封裝材料與前沿的半導(dǎo)體制造和晶圓級(jí)封裝工藝相結(jié)合，利用了現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)工具套件和基礎(chǔ)設(shè)施。這旨在實(shí)現(xiàn)可重復(fù)、高體量的可制造性，同時(shí)支持成本降低和生態(tài)系統(tǒng)兼容性。此外，300mm平臺(tái)能夠制造更大的中介層和散熱組件，支持行業(yè)朝著日益增大的封裝外形尺寸和更復(fù)雜的多組件半導(dǎo)體組裝的趨勢(shì)發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：天成半導(dǎo)體 圖為14英寸碳化硅原生晶錠

事實(shí)上，天成的突破并非孤立事件，近期全球國(guó)內(nèi)外多家企業(yè)在12英寸、14英寸碳化硅單晶及襯底領(lǐng)域發(fā)力，形成多點(diǎn)開(kāi)花的競(jìng)爭(zhēng)格局，而這場(chǎng)圍繞“尺寸升級(jí)”的產(chǎn)業(yè)競(jìng)賽，背后是全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降本增效、搶占高端市場(chǎng)的核心訴求。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，其尺寸升級(jí)的行業(yè)價(jià)值不言而喻。相較于當(dāng)前主流的6英寸、8英寸碳化硅襯底，12英寸及以上大尺寸產(chǎn)品可在同等生產(chǎn)條件下大幅提升芯片有效面積，不僅能降低單位芯片制造成本，更能適配高端功率器件、半導(dǎo)體制造設(shè)備部件等場(chǎng)景的需求，是新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵支撐。

據(jù)行業(yè)測(cè)算，12英寸碳化硅襯底相較于6英寸產(chǎn)品，單位面積芯片產(chǎn)出可提升3倍以上，綜合成本降低40%左右，而14英寸產(chǎn)品的落地，將進(jìn)一步放大這一優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅規(guī)?；瘧?yīng)用進(jìn)入新階段。

1、國(guó)內(nèi)多企業(yè)梯隊(duì)化發(fā)力大尺寸賽道

在12英寸領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)與新興力量齊頭并進(jìn)，形成了多元化競(jìng)爭(zhēng)格局。

作為此次14英寸突破的主角，天成半導(dǎo)體早已在12英寸領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)。

2025年，公司已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長(zhǎng)雙成熟工藝，其中12英寸N型碳化硅單晶有效厚度突破35㎜，此次14英寸產(chǎn)品的研制依托自主研發(fā)的碳化硅單晶爐，完成了從粉料制備、單晶生長(zhǎng)到材料加工的全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)閉環(huán)，其14英寸產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的碳化硅部件，成功打破日韓歐企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷格局。

國(guó)內(nèi)碳化硅龍頭三安光電近期披露，其12英寸碳化硅襯底已向客戶送樣驗(yàn)證，同時(shí)產(chǎn)線稼動(dòng)率穩(wěn)步提升，首代溝槽MOSFET技術(shù)平臺(tái)處于送樣階段，湖南三安生產(chǎn)的主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已通過(guò)國(guó)內(nèi)頭部電動(dòng)車(chē)企驗(yàn)證，成為合格供應(yīng)商。

爍科晶體作為全球首片12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研制企業(yè)，目前正推進(jìn)年產(chǎn)百萬(wàn)片級(jí)碳化硅單晶襯底項(xiàng)目落地。

新興企業(yè)的突破同樣亮眼。露笑科技在2026年2月宣布，首次制備出12英寸碳化硅單晶樣品，完成從長(zhǎng)晶到襯底全流程工藝的開(kāi)發(fā)測(cè)試，打破了行業(yè)技術(shù)壁壘。

海目芯微（海目星激光子公司）則實(shí)現(xiàn)了6英寸、8英寸及12英寸全尺寸長(zhǎng)晶技術(shù)鏈自主可控，成功研制12英寸碳化硅單晶晶錠，形成了全尺寸覆蓋的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

晶盛機(jī)電旗下的晶瑞Super SiC于2025年5月實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長(zhǎng)突破，同年9月12英寸中試線正式通線且核心設(shè)備100%國(guó)產(chǎn)化，2026年1月更是突破襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵指標(biāo)，為12英寸產(chǎn)品量產(chǎn)奠定了核心基礎(chǔ)。

2、海外巨頭加速卡位，全球協(xié)同推進(jìn)技術(shù)迭代

從全球格局來(lái)看，大尺寸碳化硅的“尺寸競(jìng)賽”已進(jìn)入白熱化階段，海外企業(yè)也正蓄力突破。

北美企業(yè)Wolfspeed作為全球碳化硅領(lǐng)域的先行者，于2026年1月宣布制造出單晶300mm（12英寸）碳化硅晶圓，其300mm平臺(tái)將兼顧功率電子器件制造與高純度半絕緣襯底研發(fā)。

韓國(guó)SK Siltron在美國(guó)密歇根州貝城建設(shè)的碳化硅晶圓工廠已投入運(yùn)營(yíng)，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)6萬(wàn)片，主要聚焦8英寸產(chǎn)品量產(chǎn)，12英寸產(chǎn)品仍處于研發(fā)推進(jìn)階段，尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)?；涞?。

歐洲企業(yè)同樣在加速布局，英飛凌啟動(dòng)馬來(lái)西亞碳化硅晶圓廠，一期項(xiàng)目投資額達(dá)20億歐元，第二階段建設(shè)完成后，該工廠或?qū)⒊蔀槿蜃畲蟮?00毫米（8英寸）碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，主要生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體及氮化鎵外延產(chǎn)品，與奧地利菲拉赫制造基地形成“虛擬協(xié)同工廠”，共享技術(shù)工藝以實(shí)現(xiàn)快速量產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體則通過(guò)與三安光電合資，布局8英寸碳化硅器件制造，試圖依托中國(guó)市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，加速大尺寸產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

3、結(jié)語(yǔ)

從行業(yè)影響來(lái)看，大尺寸碳化硅的突破，本質(zhì)是全球新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心、高端半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域旺盛需求驅(qū)動(dòng)的必然結(jié)果。

當(dāng)前，全球碳化硅市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展，無(wú)論是國(guó)內(nèi)天成半導(dǎo)體、三安光電等企業(yè)，還是海外Wolfspeed、英飛凌等巨頭，都在全力加速大尺寸碳化硅的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能布局，整個(gè)產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出欣欣向榮、協(xié)同發(fā)展的良好態(tài)勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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據(jù)悉，此次發(fā)布會(huì)上，比亞迪重點(diǎn)推出自研自產(chǎn)的1500V車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率模塊（型號(hào)BME1400B15JE34U5N），該模塊為全球首款在乘用車(chē)主驅(qū)逆變器上大規(guī)模量產(chǎn)的1500V耐壓器件，已批量裝車(chē)漢L和唐L車(chē)型。

官方披露，該SiC功率模塊采用DCM雙觸點(diǎn)半橋封裝架構(gòu)、ShowerPower 3D三通道直接液冷散熱及雙面銀燒結(jié)互連技術(shù)，熱導(dǎo)率達(dá)200 W/(m·K)，壽命較傳統(tǒng)焊料提升5-10倍，可穩(wěn)定承載大電流沖擊，開(kāi)關(guān)頻率達(dá)100kHz以上，遠(yuǎn)超硅基IGBT器件。

此次發(fā)布會(huì)中，比亞迪三大核心技術(shù)均依托該碳化硅模塊實(shí)現(xiàn)落地：全域1000V高壓平臺(tái)以該SiC模塊為核心，徹底取消升壓模塊，使電控效率突破99%；兆瓦閃充2.0借助該模塊實(shí)現(xiàn)單槍峰值功率1500kW，5分鐘可補(bǔ)充400-500公里續(xù)航；DM6.0超級(jí)混動(dòng)系統(tǒng)同樣搭載1000V+SiC電驅(qū)架構(gòu)，電驅(qū)效率超99%。

比亞迪官方表示，1500V SiC功率模塊的規(guī)?；瘧?yīng)用，推動(dòng)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅從旗艦專屬走向大眾標(biāo)配，后續(xù)將在2026年內(nèi)逐步下放至15萬(wàn)級(jí)以上主流車(chē)型，同時(shí)帶動(dòng)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級(jí)，助力半導(dǎo)體供應(yīng)鏈自主可控。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：科友半導(dǎo)體

根據(jù)科友半導(dǎo)體的介紹，此次突破性進(jìn)展集中在加工環(huán)節(jié)：一是設(shè)備兼容性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)同等主機(jī)中心距下由8英寸向12英寸的“零改裝”升級(jí)，顯著降低客戶產(chǎn)線轉(zhuǎn)型成本；二是采用拓?fù)鋬?yōu)化技術(shù)開(kāi)發(fā)大直徑薄壁游星輪結(jié)構(gòu)，兼顧高強(qiáng)度與輕量化，提升傳輸穩(wěn)定性；三是改進(jìn)非標(biāo)準(zhǔn)漸開(kāi)線齒形設(shè)計(jì)，降低嚙合沖擊，適配低速高扭矩高精度加工場(chǎng)景；四是引入數(shù)字孿生仿真平臺(tái)，可在虛擬環(huán)境中全流程模擬驗(yàn)證，縮短研發(fā)周期并降低試錯(cuò)成本。

產(chǎn)品性能方面，科友半導(dǎo)體12英寸碳化硅晶片已實(shí)現(xiàn)總厚度偏差（TTV）≤1.0μm、局部平坦度（LTV）≤0.5μm、表面粗糙度（Ra）≤0.2nm，可滿足大功率電子器件及射頻器件制造所需的高質(zhì)量襯底要求。

近年來(lái)，科友半導(dǎo)體在12英寸碳化硅領(lǐng)域持續(xù)突破。2025年9月，科友半導(dǎo)宣布體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長(zhǎng)晶爐及熱場(chǎng)技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅晶錠。2025年10月中旬，科友半導(dǎo)體宣布在成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，12英寸碳化硅晶片因單晶圓芯片產(chǎn)出量更大、單位成本更低，是全球第三代半導(dǎo)體向高效低成本發(fā)展的重要方向?？朴寻雽?dǎo)體的全鏈突破不僅打破了國(guó)外在大尺寸SiC加工領(lǐng)域的技術(shù)壁壘，也有望加速新能源汽車(chē)、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躍iC器件的規(guī)模化應(yīng)用。

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10kV SiC MOSFET樹(shù)立了耐久與性能新標(biāo)桿。通過(guò)時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿壽命分析，其在連續(xù)20V 柵極偏置電壓下可運(yùn)行15.8萬(wàn)年。作為首個(gè)解決10kV SiC MOSFET雙極退化問(wèn)題的器件，它保障了包括體二極管導(dǎo)通在內(nèi)的可靠性，對(duì)中壓UPS、風(fēng)電和固態(tài)變壓器應(yīng)用意義重大。

同時(shí)，10千伏下SiC技術(shù)帶來(lái)前所未有的設(shè)計(jì)靈活性，顯著改善系統(tǒng)體積、重量、可靠性與擁有成本：系統(tǒng)成本降低約30%，可簡(jiǎn)化架構(gòu)，整合多單元設(shè)計(jì)，縮減逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；功率密度提升超300%，開(kāi)關(guān)頻率從600Hz提至10,000Hz，簡(jiǎn)化電路、縮小磁性元件；系統(tǒng)級(jí)熱需求降低最高50%，轉(zhuǎn)換效率達(dá)99%，熱管理更簡(jiǎn)單高效。

此外，該技術(shù)為脈沖功率應(yīng)用開(kāi)辟新領(lǐng)域。新技術(shù)上升時(shí)間不到10納秒，可用基于SiC MOSFET的固態(tài)開(kāi)關(guān)取代傳統(tǒng)機(jī)械火花隙開(kāi)關(guān)，消除電弧，實(shí)現(xiàn)高效能量傳輸，提高定時(shí)精度，降低高性能脈沖功率應(yīng)用尺寸與系統(tǒng)復(fù)雜性，涉及地?zé)崮?、AI數(shù)據(jù)中心發(fā)電等多個(gè)領(lǐng)域。

Wolfspeed首席商務(wù)官Cengiz Balkas博士表示，這是近30年垂直集成晶體生長(zhǎng)等卓越技術(shù)的成果。10kV MOSFET商業(yè)化讓此前在該電壓下原型驗(yàn)證的客戶能快速量產(chǎn)，縮短上市周期，開(kāi)啟并實(shí)現(xiàn)高壓碳化硅新時(shí)代。

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晶升股份：聚焦碳化硅設(shè)備，市場(chǎng)拓展與業(yè)務(wù)調(diào)整并行

晶升股份在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域表現(xiàn)突出。在中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)，作為中國(guó)大陸較早進(jìn)入的碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備廠商，公司已實(shí)現(xiàn)向臺(tái)灣地區(qū)批量交付設(shè)備，替代了此前臺(tái)灣地區(qū)客戶依賴的德國(guó)、日本等國(guó)外廠商設(shè)備。目前，公司與數(shù)家臺(tái)灣地區(qū)主要客戶展開(kāi)緊密合作，定制化能力及技術(shù)支持水平獲認(rèn)可，在當(dāng)?shù)負(fù)碛休^高市場(chǎng)占有率。

經(jīng)營(yíng)層面，2025年晶升股份受碳化硅及光伏行業(yè)低迷影響，經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)承壓。但自2025年底起，新增訂單逐步恢復(fù)，2026年碳化硅設(shè)備訂單已呈現(xiàn)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)，近期已有批量訂單陸續(xù)交付，經(jīng)營(yíng)低谷已過(guò)。

對(duì)于8英寸碳化硅需求，晶升股份稱，當(dāng)前需求增速不及2023-2024年6英寸需求爆發(fā)期，但訂單的確定性和可靠性更高。

在2026年業(yè)務(wù)規(guī)劃上，半導(dǎo)體長(zhǎng)晶設(shè)備業(yè)務(wù)需求將增長(zhǎng)，晶升股份除主營(yíng)產(chǎn)品外，將持續(xù)推進(jìn)半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備與核心耗材領(lǐng)域的進(jìn)口替代，加速新產(chǎn)品、新材料落地。光伏板塊受行業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩影響，新增設(shè)備需求疲軟，晶升股份將聚焦存量長(zhǎng)晶設(shè)備的系統(tǒng)改造與升級(jí)。

芯聯(lián)集成：多元布局，碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)齊頭并進(jìn)

芯聯(lián)集成自成立以來(lái)便制定了清晰的發(fā)展路徑，規(guī)劃“三步走”戰(zhàn)略，從傳感器和功率器件基礎(chǔ)起步，逐步拓展至模擬IC、車(chē)規(guī)MCU，最終成為一站式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。在功率器件領(lǐng)域，公司深耕硅、碳化硅、氮化鎵等全系列功率器件及模組，為業(yè)務(wù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯聯(lián)集成盈利能力持續(xù)改善，2025年預(yù)計(jì)全年毛利率5.56%，歸母凈利潤(rùn)同比減虧40.31%。展望2026年，公司提出“營(yíng)業(yè)收入超100億元，實(shí)現(xiàn)有厚度的盈利轉(zhuǎn)正”目標(biāo)，這得益于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，碳化硅等高附加值業(yè)務(wù)占比提升。

在業(yè)務(wù)布局上，芯聯(lián)集成構(gòu)建了汽車(chē)、人工智能、高端消費(fèi)、工業(yè)控制四大增長(zhǎng)引擎。汽車(chē)領(lǐng)域，單車(chē)配套價(jià)值量持續(xù)攀升，從主驅(qū)功率芯片擴(kuò)展至多個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)；人工智能領(lǐng)域，2024年啟動(dòng)布局，相關(guān)產(chǎn)品已導(dǎo)入超10家機(jī)器人客戶；高端消費(fèi)領(lǐng)域，MEMS業(yè)務(wù)依托完整工藝平臺(tái)保持領(lǐng)先；工業(yè)控制領(lǐng)域，持續(xù)拓展高附加值應(yīng)用場(chǎng)景。

在核心業(yè)務(wù)方面，硅基功率器件行業(yè)2026年進(jìn)入景氣上行通道，中低壓MOSFET漲價(jià)，芯聯(lián)集成已執(zhí)行新價(jià)格體系，有望加速扭虧。AI服務(wù)器電源系統(tǒng)代工方案已導(dǎo)入三類客戶，2026年AI相關(guān)業(yè)務(wù)收入占比預(yù)計(jì)超10%。BCD業(yè)務(wù)受汽車(chē)電動(dòng)化智能化和AI算力爆發(fā)驅(qū)動(dòng)，車(chē)規(guī)級(jí)高壓BCD工藝平臺(tái)優(yōu)勢(shì)明顯，2026年高壓BCD業(yè)務(wù)收入有望同比增長(zhǎng)三倍。

此外，芯聯(lián)集成與星宇股份、九峰山實(shí)驗(yàn)室合作建設(shè)Micro LED研發(fā)與制造基地，GaN業(yè)務(wù)2024年下半年啟動(dòng)客戶送樣驗(yàn)證，已進(jìn)入產(chǎn)品導(dǎo)入期，聚焦AI數(shù)據(jù)中心電源和新能源汽車(chē)需求。

結(jié)語(yǔ)

芯聯(lián)集成與晶升股份在碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的布局與發(fā)展，反映了第三代半導(dǎo)體材料在多個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景和巨大市場(chǎng)潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的逐步拓展，這兩家公司有望在第三代半導(dǎo)體浪潮中取得更優(yōu)異的成績(jī)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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該中心將設(shè)有一條開(kāi)放式創(chuàng)新的8英寸碳化硅（SiC）研發(fā)試驗(yàn)線，旨在支持快速原型制作和向制造業(yè)產(chǎn)業(yè)群的無(wú)縫技術(shù)轉(zhuǎn)移。

此前，新加坡已針對(duì)氮化鎵（GaN）、先進(jìn)光子學(xué)和研發(fā)制造領(lǐng)域建立了國(guó)家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化與創(chuàng)新中心。

此外，陳詩(shī)龍部長(zhǎng)還宣布將進(jìn)一步投資8億新元（約合6.28億美元），設(shè)立專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域的“研究、創(chuàng)新與企業(yè)旗艦”（RIE Flagship）計(jì)劃。該計(jì)劃旨在通過(guò)攻克前沿技術(shù)瓶頸，聚焦先進(jìn)封裝與先進(jìn)光子學(xué)等領(lǐng)域，鞏固新加坡在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中作為戰(zhàn)略研發(fā)樞紐的地位。

陳詩(shī)龍部長(zhǎng)表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占新加坡GDP的近7%，是國(guó)家經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵支柱。此次撥款將由新加坡國(guó)家研究基金會(huì)（NRF）統(tǒng)籌，旨在協(xié)調(diào)公共科研力量與產(chǎn)業(yè)需求，實(shí)現(xiàn)技術(shù)的高效轉(zhuǎn)化。

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