資料顯示，時(shí)代電氣圍繞技術(shù)與市場(chǎng)，形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、電力電子器件、汽車電驅(qū)、工業(yè)電氣、海工裝備等領(lǐng)域。

根據(jù)時(shí)代電氣在去年4月12日發(fā)布的公告，時(shí)代電氣控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資46160萬(wàn)元人民幣（最終投資金額以實(shí)際投資金額為準(zhǔn)）實(shí)施上述SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，通過(guò)本項(xiàng)目實(shí)施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

SiC MOSFET可用于新能源汽車主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等部件中，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，SiC MOSFET正在加速上車，市場(chǎng)需求日益增長(zhǎng)，這對(duì)SiC器件廠商的SiC芯片產(chǎn)能提出了越來(lái)越高的要求，投資擴(kuò)產(chǎn)成為各大廠商的共識(shí)。

同時(shí)，降本增效也成為SiC企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著時(shí)代電氣SiC芯片產(chǎn)能提升，形成規(guī)模效應(yīng)后有助于單片芯片成本下降，從4英寸升級(jí)為6英寸也是降本舉措，因?yàn)橐r底尺寸較大，單位襯底可以制造芯片的數(shù)量就較多，單片芯片成本就會(huì)有一定程度的降低。

時(shí)代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場(chǎng)均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。而在今年7月，時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司針對(duì)800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，目前處于應(yīng)用推廣階段。SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，目前正在整車廠送樣驗(yàn)證階段。時(shí)代電氣SiC芯片升級(jí)項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn)，一定程度上將為該公司相關(guān)產(chǎn)品的大規(guī)模推廣應(yīng)用做好產(chǎn)能準(zhǔn)備。

投建項(xiàng)目短期來(lái)看會(huì)增加公司的資本支出，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看對(duì)公司的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)均會(huì)有積極作用，實(shí)施SiC芯片升級(jí)項(xiàng)目，時(shí)代電氣提升產(chǎn)能的同時(shí)，有望降低成本，以便更好的迎合新能源汽車領(lǐng)域快速發(fā)展大趨勢(shì)，獲得更多與車企合作機(jī)會(huì)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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其中，上半年集成電路的營(yíng)業(yè)收入為15.76億元，較上年同期增長(zhǎng)16.49%，收入增加的主要原因是公司IPM模塊、DC-DC電路、LED照明及低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、32位MCU電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨量明顯加快。

從具體產(chǎn)品來(lái)看，2023年上半年，公司分立器件產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入為23.08億元，較上年同期增長(zhǎng)1.42%。IGBT（包括IGBT器件和PIM模塊）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到5.9億元，較去年同期增長(zhǎng)300%以上。

基于公司自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊， 已在比亞迪、吉利、零跑、匯川等國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨公司IPM模塊的營(yíng)業(yè)收入達(dá)到9.4億元人民幣，較上年同期增長(zhǎng)42%以上。

MEMS傳感器產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入達(dá)到1.27億元，較上年同期減少17%，在LED方面，受LED芯片市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，公司LED芯片價(jià)格較去年年末下降10%-15%，導(dǎo)致控股子公司士蘭明芯、重要參股公司士蘭明鎵出現(xiàn)較大的經(jīng)營(yíng)性虧損。

產(chǎn)能方面，士蘭微汽車級(jí)IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽車級(jí)功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)推進(jìn)順利。士蘭集昕公司“年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目”已有部分設(shè)備到廠并投入生產(chǎn)。士蘭集科公司已具備月產(chǎn)2萬(wàn)片IGBT芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭明鎵已形成月產(chǎn)3000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)2023年年底將形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC芯片（SiC MOSFET和SiC SBD）的生產(chǎn)能力。成都士蘭公司加快推進(jìn)“汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）”項(xiàng)目建設(shè)，二期廠房已部分投入生產(chǎn)，截至目前已具備月產(chǎn) 17 萬(wàn)只汽車級(jí)功率模塊的封裝能力。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump整理）

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德匯陶瓷成立于2013年，是一家專注于功率器件用陶瓷封裝基板研制的企業(yè)。該公司針對(duì)功率芯片封裝需求，提供DBC-ZTA、AMB-Si3N4、AMB-AlN等各類型、滿足不同場(chǎng)景需求的陶瓷封裝基板。

國(guó)投創(chuàng)業(yè)消息顯示，德匯陶瓷是國(guó)內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)AMB陶瓷封裝基板量產(chǎn)化出貨的內(nèi)資企業(yè)，其AMB-Si3N4已向國(guó)內(nèi)主要頭部功率模塊企業(yè)批量出貨；AMB-AlN已在軌道交通領(lǐng)域進(jìn)行了驗(yàn)證。

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隨著功率器件逐漸向高能量密度發(fā)展，傳統(tǒng)DBC-Al2O3陶瓷基板已逐漸無(wú)法滿足高端功率器件的封裝需求，具有更優(yōu)導(dǎo)熱性能、力學(xué)性能、與芯片熱膨脹系數(shù)更匹配的Si3N4基板成為下一代陶瓷基板的發(fā)展方向。

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。其實(shí)現(xiàn)了AlN和Si3N4陶瓷與銅片的覆接，相比DBC基板有更優(yōu)的熱導(dǎo)率/銅層結(jié)合力/可靠性等，可大幅提高陶瓷基板可靠性，隨著高壓平臺(tái)成為解決快充痛點(diǎn)的主流方案，碳化硅模塊上車的進(jìn)程大幅超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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