據TrendForce集邦咨詢研究數據指出，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiCPowerDevice市場規(guī)模有望達到91.7億美金。

SiC目前有兩大應用市場，一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發(fā)電、直流電網中取代硅基IGBT，二是以SiC襯底承載GaN做5G基地臺的RF功率放大。而在SiC產業(yè)鏈中，襯底是最關鍵的原材料，也是最具技術含量和含金量的領域，SiC元件成本中，襯底至少占一半。

從國際市場看，意法半導體、英飛凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi占據大部分市場，中國市場則有天科合達、天岳先進、瀚天天成、三安光電、華潤微等。

外媒消息表示，2024年市場供過于求影響全球SiC行業(yè)，價格跌破生產成本，擾亂了全球供應鏈。徐秀蘭透露，價格已暴跌超過50%，達到前所未有的低點。盡管6英寸SiC襯底價格現已穩(wěn)定，但短期內復蘇尚不明顯。

而在設備端，徐秀蘭表示，碳化硅長晶設備與切割、研磨、拋光等加工設備的技術也在不斷進步。新型長晶設備能夠提高碳化硅晶體的生長速度和質量，而先進的加工設備則能提升襯底的平整度和表面質量，進一步滿足高端芯片制造的要求。（集邦化合物半導體整理）

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碳化硅設備企業(yè)串聯著行業(yè)的上、中、下游，既制約著碳化硅的技術及產能發(fā)展水平，又受碳化硅市場冷暖的影響。因此，本文透過碳化硅設備企業(yè)，淺談碳化硅襯底乃至整個碳化硅市場當下的行情。

襯底價格戰(zhàn)已打響？

多數產業(yè)鏈企業(yè)認同了碳化硅襯底價格下降的事實。

環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭近期公開表示，全球6英寸碳化硅襯底的產能釋放，再加上電動汽車的需求暫緩，2024年碳化硅襯底價格有下滑的壓力。

而天岳先進在2024年5月9日發(fā)布的投資者關系記錄表中則指出了碳化硅襯底價格下降的兩大內部原因：技術的提升和規(guī)?；苿恿艘r底成本的下降。

事實上，碳化硅襯底在技術及產能上的變化，自2023年下半年以來愈發(fā)明顯。

在技術方面，據集邦化合物半導體統(tǒng)計，中國目前已有超10家企業(yè)8英寸SiC襯底進入了送樣、小批量生產階段，包括：爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體、超芯星、盛新材料（中國臺灣）、粵海金、世紀金芯、環(huán)球晶圓（中國臺灣）。

規(guī)?；矫?，碳化硅襯底廠商早期的項目建設逐漸來到投資回報期的同時，更有多家襯底企業(yè)的產能重心向8英寸傾斜。

比如，晶盛機電“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”于2023年11月正式簽約啟動；世紀金芯8英寸SiC加工線于2024年2月正式貫通并進入小批量生產階段；南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月落地山東濟南、預計2025年滿產達產；科友半導體在2024年3月與俄羅斯N公司簽署戰(zhàn)略合作協議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。

襯底價格下降是一種必然趨勢，而多數企業(yè)對此持樂觀態(tài)度。正如晶升股份所言，隨著市場空間的擴大以及良率水平的提升，會不可避免地在市場競爭過程中出現價格的調整。這在短期內會對行業(yè)相關企業(yè)造成一些壓力，但良率的提升和價格的下浮對整個產業(yè)鏈利大于弊，成本的下降將推動更多下游應用的涌現，從而使得行業(yè)整體保持一個良好的增長速度。

天岳先進作為襯底企業(yè)，也指出，目前碳化硅襯底價格遠高于硅襯底價格，而碳化硅襯底價格下降有助于下游應用的擴展，推動碳化硅技術和材料的滲透應用，進而促進整體應用空間的增長。

圖片來源：拍信網正版圖庫

襯底/外延設備企業(yè)眼中的市場變化

巧婦難為無米之炊，設備之于碳化硅產業(yè)鏈而言，便是“米”。

除了襯底外，外延也屬于碳化硅產業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，是碳化硅產業(yè)鏈中價值量較高的環(huán)節(jié)。其中，襯底環(huán)節(jié)主要涉及長晶爐、切磨拋設備；外延環(huán)節(jié)則是外延設備。

長晶爐方面，雖然國產供應商尚未向國際主流碳化硅廠商實現設備供應，但在國內市場，國內碳化硅長晶設備主要市場份額已由國內廠商占據。

北方華創(chuàng)、晶升股份為主力供應商，目前已向國內多家下游SiC材料主流廠商實現大批量交付。同時，雙方均已成功開發(fā)了8英寸長晶設備，其中，北方華創(chuàng)已開發(fā)了3種機型。

對于市場現狀，晶升股份在2024年3月21日發(fā)布的投資者關系記錄表中表示，碳化硅8英寸替代6英寸的速度快于預期，國產碳化硅襯底廠商的技術水平也在加速進步中。其還指出，公司已向多家客戶交付8英寸碳化硅長晶設備。

此外，連城數控在2024年3月宣布完成《第三代半導體設備研發(fā)制造項目投資協議書》的全部簽署工作。據悉，公司將投資不超過10.5億元，規(guī)劃建設半導體大硅片長晶和加工設備、碳化硅長晶和加工設備的研發(fā)和生產制造基地。

據悉，2023年上半年，連城數控液相法碳化硅長晶爐順利下線并取得客戶數臺訂單。

值得一提的是，國產碳化硅長晶設備還登上了國際舞臺。優(yōu)晶科技在2024年4月29日宣布，其出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法長晶設備已順利通過驗收。據悉，該設備是優(yōu)晶科技研發(fā)的第四代碳化硅電阻法長晶設備。

此外，科友半導體在2024年年初與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂長單，簽約額超過2億元人民幣。據悉，科友半導體使用的長晶設備為自主研發(fā)的電阻式SiC長晶爐，而其開發(fā)的8英寸SiC材料裝備及工藝還被中國電子學會組織的專家委員會評為“國內領先、國際先進水平”，是國內首家基于電阻式長晶爐制備獲得8英寸SiC單晶的企業(yè)。

切磨拋設備方面，盡管當下仍以國際廠商為主，但國產企業(yè)正在不斷加速突破。

據悉，高測股份于2022年底推出適用于8英寸SiC襯底切割的SiC金剛線切片機，2023 年公司 8 英寸SiC金剛線切片機已獲得行業(yè)頭部客戶高度認可并形成批量訂單。

宇晶股份在2023年度業(yè)績說明會上表示，“未來8英寸碳化硅晶圓市場需求擴大也將持續(xù)推動公司碳化硅晶圓加工設備市場需求”。其表示，公司開發(fā)的8英寸碳化硅多線切割機和雙面拋光機等切、磨、拋設備已到達同類進口設備水平，具備了替代國外進口設備的能力，且在2023年已取得較多的訂單。

德龍激光在2022 年成功開發(fā)SiC晶錠激光切片技術，完成其工藝研發(fā)和測試驗證，2023 年取得了頭部客戶批量訂單。

特思迪已實現化合物半導體專用減薄、拋光設備的規(guī)?；慨a。產品升級及市場推廣方面，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動減薄設備已投入市場，8英寸雙面拋光設備已通過工藝測試進入量產階段。

大族激光研發(fā)的SiC激光切片設備正在持續(xù)推進與行業(yè)龍頭客戶的合作，為規(guī)?；a做準備，并推出了SiC激光退火設備新產品。

外延設備方面，德國的AIXTRON SE、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare四大廠商占據了主要的市場份額。國產外延設備廠方面，北方華創(chuàng)、晶盛機電、納設智能、芯三代、中電科48所等，均已推出成熟的外延設備，8英寸外延設備也已研發(fā)成功。其中，晶盛機電還在2023年業(yè)績說明會中表示，其8英寸碳化硅外延設備已經通過下游客戶驗證。

結語

碳化硅設備企業(yè)近期的動態(tài)，折射出當下碳化硅市場的兩大變化趨勢：

一方面，8英寸設備下訂或提貨的節(jié)奏正在加快。這既意味著中國碳化硅產業(yè)的持續(xù)繁榮和發(fā)展，也昭示著技術難題逐漸被攻破，中國企業(yè)與國際企業(yè)在8英寸碳化硅上的差距持續(xù)縮小。

另一方面，長晶爐傳來向國際企業(yè)出貨的消息，同時切磨拋、外延設備的國產化進程加速。萬事開頭難，從引進，到國產替代，再到出海，殊為不易。而碳化硅設備企業(yè)的成長，又何嘗不是中國碳化硅產業(yè)的縮影呢？（文：集邦化合物半導體 Winter）

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該標準的起草單位囊括了業(yè)內多家具備8英寸碳化硅技術的企業(yè)，包括天岳先進、爍科晶體、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。

該標準由南京國盛電子有限公司（以下簡稱：國盛電子）牽頭。據悉，國盛電子隸屬于中國電子科技集團公司第五十五研究所，致力于半導體外延材料的研發(fā)和生產。

2021年9月，國盛電子“外延材料產業(yè)基地項目”簽約落戶江寧開發(fā)區(qū)，后于2023年11月正式投產運行。據了解，該項目一期投資19.3億元，年產8-12英寸硅外延片456萬片，年產6-8英寸化合物外延片12.6萬片。

對于國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國電科指出，《碳化硅外延片》國家標準確定了碳化硅外延片的質量技術細節(jié)，規(guī)范和統(tǒng)一了具體的技術性能項目和指標。該標準及時填補了國內半導體材料領域產品標準的空白，對碳化硅外延片生產工藝、質量控制、采購及銷售管理都有重要的指導作用。

據了解，在SEMICON China 2023上，中國電子科技集團旗下中電科電子裝備集團有限公司還發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設備，標志著國產第三代半導體專用核心裝備邁進“8英寸時代”。（集邦化合物半導體 Winter整理）

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據悉，“8英寸SiC襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究”項目旨在推動8英寸SiC裝備國產化和SiC襯底產業(yè)化，獲得高性能8英寸SiC長晶裝備和低缺陷SiC襯底，具備批量制備能力并形成自主知識產權。

資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，專注于半導體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設計、技術轉移和科研成果轉化?？朴寻雽w致力于實現SiC從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業(yè)鏈閉合，成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。

近年來，科友半導體8英寸SiC襯底材料研發(fā)處于穩(wěn)步推進當中。2022年底，科友半導體通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是科友半導體繼2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實現40mm突破后，在SiC晶體生長尺寸和襯底尺寸上取得的又一次重大突破。

圖片來源：拍信網正版圖庫

隨后在2023年2月14日舉辦的寬禁帶半導體材料技術成果鑒定會上，科友半導體“8英寸SiC長晶設備及工藝”通過中國電子學會科技成果鑒定；4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通；9月，科友半導體首批自產8英寸SiC襯底成功下線，至此，科友半導體已初步具備8英寸SiC襯底量產能力。

據介紹，科友半導體通過提高原料及氣相組分比例穩(wěn)定性、維持長期生長的穩(wěn)定溫場和濃度場條件、調控晶體生長速率和均勻性，實現了高厚度、低應力6/8英寸SiC晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。

在進行技術研發(fā)的同時，科友半導體同步推進產能建設。目前，科友半導體第三代半導體產學研聚集區(qū)一期工程已投入生產，達產后可年產10萬片6英寸SiC襯底；二期工程也已開工，建成后將實現年產導電型SiC襯底15萬片。按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導體將實現年產20萬片-30萬片SiC襯底產能。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務投入1700億-2200億日元（折合人民幣約82億元-107億元）。

對于包括羅姆在內的眾多SiC功率半導體玩家而言，再怎么加大投資、提升SiC襯底產能都不過分。一方面，近年來，襯底材料短缺已成為SiC功率半導體產業(yè)發(fā)展瓶頸之一；另一方面，隨著汽車電動化浪潮來襲，對于SiC功率半導體的需求將會日益增大。

為了推動SiC功率半導體產業(yè)發(fā)展，同時在巨大風口中占據一席之地，各大企業(yè)必然下血本增資擴產。目前看來，有多種方式可以達到目的，或是與供應商簽署供貨協議，或是完全自建生產線，亦或是收購相關企業(yè)。

圖片來源：拍信網正版圖庫

羅姆早年通過收購德國SiC襯底制造商SiCrystal，直接在其位于德國紐倫堡的工廠生產SiC襯底，在此基礎上，很快便確立了自身在行業(yè)內的先行者地位。

將于2024年投產的宮崎第二工廠，原本是出光興產子公司太陽能前線（Solar Frontier）的原國富工廠。今年7月，羅姆宣布與太陽能前線就收購該公司原國富工廠資產事宜達成基本協議，此次收購計劃于今年10月完成。值得注意的是，該工廠將成為羅姆在日本最大規(guī)模的SiC功率半導體生產基地。

并購的同時，羅姆亦積極自建產能。羅姆官網資料顯示，羅姆目前在日本擁有四個SiC功率半導體生產基地，分別位于京都總部、福岡縣筑后工廠、長濱工廠以及宮崎第一工廠。

收購與自建都能夠達成穩(wěn)健的產品供應，但在SiC產業(yè)的前瞻性布局讓巨頭們熱衷于提前占據更多產能，與成熟的廠商合作是必要的，羅姆也不甘落后。

今年6月，羅姆與緯湃科技（Vitesco）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協議。根據該合作協議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元（折合人民幣約63億元）。（文：集邦化合物半導體Zac整理）

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今年1月，東尼半導體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協議，今年東尼半導體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片（MOS比例不低于當月交貨的20%），含稅銷售金額合計6.75億元；2024年、2025年，東尼半導體將分別向該客戶交付6英寸SiC襯底30萬片、50萬片。

據東尼電子2023年半年報顯示，公司今年上半年營收達77714萬元，凈利潤虧損達6817萬元。

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東尼電子指出，報告期內，半導體業(yè)務量產供貨營收大增。公司主要按照年初與下游客戶T簽訂的重大合同中的交付計劃完成產品發(fā)貨，實現營收上億元，收入大幅增長。但量產爬坡階段，前期產品良率不穩(wěn)定且設備調試所產生的費用較高，毛利情況不理想。公司將持續(xù)推進量產爬坡進程，并繼續(xù)注重技術工藝研發(fā)。

東尼電子此前總投資4.69億元，年產12萬片SiC半導體材料項目，按照計劃將于2023年11月達產。如項目完全達產當年可實現年營業(yè)收入77760萬元，凈利潤9589.63萬元，能夠大大增加東尼電子營收，改善其盈利狀況。

目前市場仍以6英寸襯底為主，但8英寸相比6英寸來說，制造芯片的可用面積幾乎擴大了一倍，可大幅度緩解企業(yè)的產能壓力。在巨額訂單的壓力下，東尼半導體努力擴大其產能，推進8英寸SiC襯底的研發(fā)和量產。（文：集邦化合物半導體Morty整理）

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其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。

下一個拐點尺寸：8英寸SiC襯底

作為第三代半導體代表材料之一，碳化硅具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優(yōu)勢，在高溫、高壓、高頻領域表現優(yōu)異，已成為半導體材料技術領域的主要發(fā)展方向之一。

隨著下游需求的帶動，碳化硅正處于高速增長期，據TrendForce集邦咨詢的《2023全球SiC功率半導體市場分析報告》，2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%，并預估至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元。

從產業(yè)鏈結構上看，SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達~45%。業(yè)界認為，為了降低單個器件的成本，進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。

Wolfspeed數據顯示，從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但合格芯片產量可以增加 80%-90%；同時8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底可以將單位綜合成本降低50%。

另據TrendForce集邦咨詢此前表示，目前碳化硅產業(yè)以6英寸為主流，占據近80%市場份額，8英寸則不到1％。8英寸的晶圓尺寸擴展，是進一步降低碳化硅器件成本的關鍵。若達到成熟階段，8英寸單片的售價約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生產的晶粒數約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率顯著提高。

顯然，6英寸向8英寸擴徑的行業(yè)趨勢明確，8英寸SiC襯底蘊含著國內廠商實現彎道超車的機遇，TrendForce集邦咨詢研究數據指出，目前8英寸的產品市占率不到2%，并預測2026年市場份額才會成長到15%左右。

搶抓機遇：進擊8英寸SiC襯底

業(yè)界指出，8英寸SiC晶體生長的難點在于，首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題，還要解決應力加大導致晶體開裂問題。

據媒體引述業(yè)界人士稱，今年將會是8英寸碳化硅元年。今年以來，國際功率半導體巨頭Wolfspeeed、意法半導體等加速發(fā)展8英寸碳化硅。而國內市場來看，碳化硅設備、襯底及外延環(huán)節(jié)亦迎來突破性進展，并且多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭聯手。

針對8英寸碳化硅襯底布局，TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體市場此前統(tǒng)計，目前國內有10家企業(yè)和機構在研發(fā)8英寸襯底，包含爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學、天科合達、科友半導體、乾晶半導體等。

今年來，國內廠商在8英寸碳化硅襯底方面取得了何種成績以及部分產能如何？

科友半導體

2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。

2023年6月，科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，并在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得進步，其中，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。

2023年9月，科友半導體首批自產8英寸SiC襯底于科友產學研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線，這標志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產業(yè)化方面邁出了堅實一步。

乾晶半導體

2023年5月，乾晶半導體成功生長出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠。據悉，其8英寸碳化硅晶體生長技術于2023年四季度轉入蕭山研發(fā)中心進行中試。

9月下旬，乾晶半導體與譜析光晶、綠能芯創(chuàng)簽訂三方戰(zhàn)略合作協議。三方約定緊密配合、共同投入開發(fā)及驗證應用于特殊領域的SiC相關產品，簽約同時項目啟動（9月），并簽訂了5年內4.5億的意向訂單。

10月12日，乾晶半導體（衢州）有限公司（以下簡稱“乾晶半導體（衢州）”）碳化硅襯底項目中試線主廠房結頂儀式在智造新城東港八路78號一期地塊舉行。

該項目總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，第一期總投資約3億元，計劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長和襯底加工的中試基地。第一期項目將在2023年底具備設備搬入條件。

乾晶半導體透露稱，隨著衢州生產基地項目一期到三期的分批建成，乾晶將逐步實現年產60萬片碳化硅6-8寸襯底供給能力。

南砂晶圓

今年6月，南砂晶圓啟動濟南中晶芯源基地建設，規(guī)劃產能50萬片，增加8英寸比例，項目計劃在2025年滿產達產，屆時預計產值達到50億元以上。

8月，據《無機材料學報》消息，山東大學與南砂晶圓在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理氣相傳輸法實現了近“零螺位錯（TSD）”密度和低基平面位錯（BPD）密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備，其中螺位錯密度為0.55 cm-2，基平面位錯密度為202 cm-2。

研究團隊認為，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備，有助于加快國產8英寸SiC襯底的產業(yè)化進程，提升市場競爭力。

合盛硅業(yè)

5月，合盛硅業(yè)披露8英寸碳化硅襯底研發(fā)順利，已經實現了量產。合盛半導體SiC項目營銷部負責人當時表示，公司已完整掌握了Sic材料的原料合成、晶體生長襯底加工等全產業(yè)鏈核心工藝技術，突破了關鍵材料多孔石墨、涂層材料) 和裝備的技術壁壘。

截止目前，合盛2萬片寬禁帶半導體SiC襯底產業(yè)化生產線項目已通過驗收，并具備量產能力。

同光股份

4月，據“河北黨員教育”消息，河北同光半導體股份有限公司（同光股份）歷經2年多的研發(fā)，8英寸導電型碳化硅晶體樣品已經出爐。預計這款新產品年底可實現小批量生產，將被客戶制為功率芯片。
2021年9月，同光晶體碳化硅單晶淶源項目正式投產，項目總投資10億元，計劃增購單晶生長爐600臺，滿產后達到年產10萬片生產能力。

同光科技董事長鄭清超當時表示，下一步，公司正謀劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地，以及年產60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，擬總投資40億元。預計2025年末實現滿產運營，預計新增產值40-50億元，成為全球重要的碳化硅單晶襯底供應商。

天科合達

2023年1月，天科合達研發(fā)團隊在《人工晶體學報》上發(fā)表8英寸導電型SiC單晶襯底制備與表征重要文章。根據內容，天科合達研發(fā)團隊使用物理氣相傳輸法(PVT)通過擴徑技術制備出直徑為209 mm的4H-SiC單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準8英寸SiC單晶襯底。

5月，天科合達與英飛凌簽訂了一份長期協議，為其供應碳化硅材料。根據該協議，第一階段將側重于150毫米碳化硅材料的供應，并將提供200毫米直徑碳化硅材料，幫助英飛凌向200毫米（8英寸）直徑晶圓的過渡。

此外，8月8日，天科合達全資子公司江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產項目開工。二期項目將新增16萬片產能，并計劃明年6月份建設完成，同年8月份竣工投產，屆時江蘇天科合達總產能將達到23萬片。

晶盛機電

晶盛機電已成功生長出8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發(fā)，解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。
6月27日，晶盛機電帶來了碳化硅設備方面的新消息，即成功研發(fā)出8英寸單片式碳化硅外延生長設備，可兼容6、8寸碳化硅外延生產。
目前，該公司在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎上，已實現8英寸單片式碳化硅外延生長設備的自主研發(fā)與調試，外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內，已達到行業(yè)領先水平。

三安光電

今年6月，三安光電宣布與意法半導體在重慶成立合資公司，雙方將新建一座8英寸碳化硅器件制造廠。該工廠全部建設總額預計約達32億美元，計劃于2025年第四季度開始生產，2028年全面建廠，將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術生產碳化硅器件。

合資公司持股方面，三安光電下屬子公司湖南三安半導體持股比例為51%，意法半導體持股比例為49%。此外，意法半導體稱，新合資廠將助力公司實現到2030年取得50億美元以上的碳化硅營收目標。

9月，湖南三安半導體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，適用于電力電子。資料顯示，湖南三安半導體是國內為數不多的碳化硅垂直產業(yè)鏈制造平臺，其碳化硅產能已達12000片/月，硅基氮化鎵產能2000片/月。湖南三安二期工程將于2023年貫通，達產后配套年產能將達到36萬片。

10月23日，三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，產品進入小批量生產及送樣階段。湖南三安依托精準熱場控制的自主PVT工藝，8英寸碳化硅襯底實現更低成本及更低缺陷密度，后續(xù)將持續(xù)提升良率，加快設備調試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進湖南與重慶工廠量產進程。

天岳先進

5月，天岳先進與英飛凌簽訂了一項新的襯底和晶棒供應協議。根據該協議，天岳先進將為英飛凌供應150毫米碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側重于150毫米碳化硅材料，但天岳先進將助力英飛凌向200毫米（8英寸）直徑碳化硅晶圓過渡。

此外，英飛凌正著力提升碳化硅產能，以實現在2030年之前占據全球30%市場份額的目標。英飛凌預計，到2027年，其碳化硅產能將增長10倍。

6月，天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題。除了產品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用公司最新技術制備的晶體厚度已突破60mm，而這對提升產能具有重要意義。（文：全球半導體觀察）

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湖南三安上半年銷售收入增長超過170%

公告顯示，2023上半年，三安光電預計歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.4-2.33億元，相比去年同期減少69,884.96-79,184.96萬元，同比預減75-85%。歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤預計為負數：-5.83億元到-4.95億元，相比去年同期將減少71,498.35萬元到80,298.35萬元。

三安光電指出，上半年，因消費需求恢復緩慢，公司整體營收實現約64.69億元，同比下降約4.33%；營業(yè)成本約55.92億元，同比增長約4.42%；毛利同比減少約5.3億元。

其中，集成電路產品營收同比增長約9.68%，毛利率同比增長約9%，毛利同比增加約1.2億元，其中，湖南三安銷售收入同比增長超過 170%。而由于產品售價下降等，LED外延芯片營收同比下降約15.24%；同時，產品結構調整未達預期，設備稼動率不足，導致營業(yè)成本上升約7.5%，毛利減少約6.2億元。

此外，由于傳統(tǒng)LED芯片存貨跌價準備計提增加，根據實際情況及出于謹慎原則，三安光電預計對公司存貨計提跌價準備同比增加約1.8億元。

SiC市場火熱，三安光電業(yè)績增長點豐富

從三安公布的情況可見，上半年集成電路業(yè)務表現不錯，尤其是湖南三安的SiC業(yè)務。

實際上，三安光電在年初的時候便透露了，湖南三安的SiC銷售收入延續(xù)了去年強勁增長的趨勢，1月銷售額近億元，2月銷售額過億元，并預計后續(xù)銷售收入能實現逐月增長。訂單方面，截至2月份，湖南三安已獲得客戶訂單金額達5.59億元。從目前公布的數據來看，湖南三安的業(yè)務拓展順利，業(yè)績表現亮眼。

當前，SiC市場供需仍處于緊張的狀態(tài)，來自新能源汽車、光伏儲能等高功率應用市場的需求保持強勁增長的趨勢，而上游產能供應持續(xù)不足。對此，湖南三安持續(xù)積極地擴產，截至5月消息，湖南三安的產能已經從去年底的1.2萬片/月增長至1.5萬片/月。后續(xù)，隨著新產能的釋放，湖南三安有望滿足更多客戶的需求，繼續(xù)實現產品銷量增長。

在SiC領域，除了湖南三安的SiC垂直整合產業(yè)鏈以外，三安光電還布局了SiC模塊。目前，其與理想汽車合資成立的斯科半導體正在積極擴產SiC功率模塊，預計未來SiC半橋功率模塊產能可達240萬只/年。未來，隨著產能的釋放和業(yè)務的拓展，SiC模塊產品也將逐漸產生銷售收入，為三安光電貢獻業(yè)績。

另值得一提的是近期引起海內外市場熱議的強強合作：三安與ST意法半導體。中長期來看，雙方在重慶合建的8英寸SiC襯底廠順應了行業(yè)往大尺寸發(fā)展的趨勢，該工廠投資規(guī)模達50億美元，按照目前的匯率計算，相當于人民幣近360億元；而且，三安光電的控股股東日前也獲得了國資背景重慶高永的100億元增資，進一步為三安重慶工廠的發(fā)展提供了更充足的資金和資源支持。

按照意法半導體的預期，重慶合資廠將助力其到2030年實現SiC營收50億美元以上的目標。同樣地，該工廠也將成為三安光電的另一收入來源。

總的來說，三安光電的業(yè)績目前受多方面因素的影響，整體表現不佳。但結合SiC/GaN、Mini/Micro LED等增量市場的發(fā)展前景以及三安光電的布局規(guī)劃和調整策略，未來營收增長和盈利逐步改善仍然可期。根據三安昨日公布的第五期員工持股計劃（草案），公司2023年考核目標為營收不低于140億元，2024年考核目標為營收不低于150億元。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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據河口政務消息，河口區(qū)成功引入高金富恒集團，在注資碳化硅一期項目的基礎上，投資25億元，建設碳化硅半導體生產基地項目，年產6英寸碳化硅導電片36萬片。項目占地230畝，分二期建設，建筑面積8萬平方米，計劃3月份開工建設，明年年底前建成投產。

資料顯示，高金富恒集團有限公司成立于2011年，是一家總資產逾百億的綜合性產業(yè)集團，總部位于中國廣州科學城，專注于化工新材料、工業(yè)設計、大排量摩托車及發(fā)動機研制、科技企業(yè)孵化器，并涉及酒店物業(yè)、汽車零售、房地產等多個領域，現擁有控股上市公司3家、全資子公司6家、參股上市公司20余家。

據悉，本次高金富恒簽約的項目與國宏中宇旗下國宏中能的碳化硅項目整改有關。國宏中宇依托中科鋼研“第三代半導體材料制備關鍵共性技術北京市工程實驗室”在碳化硅半導體材料制備及裝備技術領域取得的科研成果，以碳化硅半導體材料制備的科技研發(fā)、產業(yè)化項目建設、產品生產與銷售為主營業(yè)務。

2018年9月，國宏中宇宣布在山東省東營市河口區(qū)建設年產11萬片碳化硅襯底片的項目，該項目于2019年8月正式開工，2021年6月投產。項目由國宏中宇旗下國宏中能建設，總投資6.5億元，項目建成投產后，主要生產4英寸、6英寸4H-N型碳化硅襯底片和4英寸4-H半絕緣型碳化硅襯底片，主要應用于高壓電力電子器件、航天、軍工、核能等領域，項目建成后可實現年銷售收入7億元，總額約7000萬元，新增就業(yè)人員150余人。

這個項目在去年10月出現了新的進展。據河口政務消息顯示，河口區(qū)引進了高金富恒集團對國宏中能公司碳化硅襯底片項目進行重組，目標是：立足現有碳化硅襯底片項目建設基礎，推進企業(yè)東營市重點實驗室建設，加快創(chuàng)建省部級重點實驗室，盡快實施項目二期工程，實現年產能11萬片碳化硅襯底全部達產。3月3日，高金富恒集團和河口區(qū)人民政府的“碳化硅襯底片生產基地合作項目”正式簽約。

高金富恒集團表示，未來幾年將發(fā)揮全集團的優(yōu)勢資源，加大半導體新材料產業(yè)培育力度，不斷延伸碳化硅襯底片的上下游產業(yè)價值鏈。

碳化硅襯底環(huán)節(jié)產能吃緊是全球性的問題。近幾年來，國內企業(yè)也在大規(guī)模擴充碳化硅襯底的產能，包括天岳先進、天科合達、露笑科技、三安光電、晶盛機電、東尼電子、科友半導體等眾多企業(yè)，總規(guī)劃產能的規(guī)模龐大，擴產速度快，但實際上，良率問題才是關鍵，目前這一點，國內外企業(yè)之間仍有較大差距，因此，國內企業(yè)距離真正意義上的碳化硅襯底環(huán)節(jié)突破還有一段時間要走。（化合物半導體市場Jenny整理）

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